「層の間に堆積した」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

層間絶縁膜の上に、Ａｌ若しくはＡｌ合金からなる配線層を堆積する。例文帳に追加

A wiring layer 17 consisting of an Al layer or an Al alloy layer is deposited on the film 10. - 特許庁

実際には，私たちは堆積層の表面に露出した化石を探すことに多くの時間を費やします。例文帳に追加

Actually, we spend much of our time looking for fossils exposed on the surface of the sedimentary layer.  - 浜島書店 Catch a Wave

グルー用保護層の堆積の間における光学素子の有効口径の被覆方法例文帳に追加

COVERING METHOD OF EFFECTIVE APERTURE OF OPTICAL ELEMENT BETWEEN PILES OF PROTECTIVE LAYER FOR GLUE - 特許庁

第１のガス供給手段３０は、処理空間に層堆積用の第１のプロセスガスを供給する。例文帳に追加

The first gas supply means 30 supplies a first process gas for deposition to a processing space. - 特許庁

導電体１１上に最表面がシリコンリッチな層２０である第１の層間絶縁膜１２が堆積され、この第１の層間絶縁膜１２上に第２の層間絶縁膜１３が堆積される。例文帳に追加

A first interlayer insulating film 12, which is a layer 20 with the silicon-rich uppermost surface, is deposited on a conductor film 11, and a second interlayer insulating film 13 is deposited on this film 12. - 特許庁

絶縁膜サイドウォールの上から全面に、層間絶縁膜を堆積して、ビット線１１を埋め込む。例文帳に追加

The interlayer dielectric film is deposited all over from above the dielectric film sidewall and the bit line 11 is embedded. - 特許庁

また、チャンバ１４内にアンモニアを供給する段階と、チャンバ１４内に、堆積層を有する基板２２を配置する段階と、アンモニアの存在下で所定の変換期間にわたって堆積層にＵＶ光を当てて、少なくとも部分的に堆積層を高密度化する段階とを備える。例文帳に追加

Furthermore, the system and the method comprise a step for supplying ammonium into the chamber 14, a step for arranging the substrate 22 having the deposited layer in the chamber 14, and a step for emitting the UV beam to the deposited layer under the ammonic atmosphere for a predetermined converting period of time at least to partially and highly densify the deposited layer. - 特許庁

そのような堆積方法により絶縁膜を２層以上にすることで、平坦に絶縁膜を堆積することが可能となり、そこに上部配線層を形成した場合には配線間の短絡を防ぐことができる。例文帳に追加

The insulating film of two layers or more is formed by the deposition method, so that the insulating film can be deposited flatly, and when an upper wiring layer is formed thereon, short-circuit between wirings can be prevented. - 特許庁

集積回路は第一の誘電体層と集積回路のより上層の導電層間に拡散防止バリヤ層を堆積して製造される。例文帳に追加

A diffusion preventive barrier layer is deposited between a first dielectrics layer and a conductive layer above the integrated circuit to manufacture the integrated circuit. - 特許庁

集積回路は第一の誘電体層と集積回路のより上層の導電層間に拡散防止バリヤ層を堆積して製造される。例文帳に追加

Related to an integrated circuit, a diffusion preventive barrier layer is deposited between a first dielectrics layer and a conductive layer above the integrated circuit. - 特許庁

この後、層間絶縁膜１２を堆積し、ゲート電極７間のスペースを層間絶縁膜１２によって埋める。例文帳に追加

Thereafter, an interlayer insulating film 12 is stacked, and a space between the gate electrodes 7 is filled with the interlayer insulating film 12. - 特許庁

ｐ型の半導体基板１表面に素子分離層２及びｎ^+拡散層５を形成し、その上に層間絶縁膜７を堆積する。例文帳に追加

An element separation layer 2 and n+diffusion layer 5 are formed on a surface of p-type semiconductor substrate 1, and an interlayer insulation film 7 is deposited on the same. - 特許庁

該銅電気めっき浴中の銅と、めっきされる基体とを接触させ；並びに、基体上に銅層を堆積させるのに充分な時間にわたって電流密度を適用する：ことを含む、基体上に銅を堆積する。例文帳に追加

In the method, contacting copper in the copper electroplating bath with a substrate to be plated, and applying a current density for a period of sufficient time to deposit a copper layer on the substrate so as to deposit copper on the substrate. - 特許庁

次に、上記層間絶縁層の露出表面上に及びコンタクトホール３０内に導電性材料を堆積してプラグ形成層を形成する。例文帳に追加

And then, a conductive material is deposited on the exposed surface of the interlayer insulating layer and in the contact hole 30 to form a plug formation layer. - 特許庁

基板全面に層間絶縁膜２６を堆積した後、層間絶縁膜２６のうち浮遊ゲートを形成するべき部分に溝（凹部）を形成する。例文帳に追加

An interlayer insulating film 26 is deposited on all the surface of the substrate 10, and a groove (recess) is provided to a part of the interlayer insulating film 26 where a floating gate is to be formed. - 特許庁

堆積スケールの表面側は勿論、内部および下部層に至る冷却を短時間かつ確実に実現し得る、堆積スケールの冷却装置を提供する。例文帳に追加

To provide a cooling device for deposit scale capable of securely cooling the inside and a lower part layer of the deposit scale as well as its surface side in a short time. - 特許庁

シリコン窒化膜２８上に金属膜２９１、層間絶縁膜１５１、金属膜２９２、層間絶縁膜１５２を、この順に堆積する。例文帳に追加

A metallic film 291, an interlayer insulating film 151, a metallic film 292, and an interlayer insulating film 152 are successively deposited on a silicon nitride film 28. - 特許庁

上記方法は、シリサイド化反応を行う前にＮｉ層とＳｉ層との間にイリジウム（Ｉｒ）界面層を堆積させる工程を含む。例文帳に追加

The above method includes a process of depositing an iridium(Ir) interface layer between an Ni layer and an Si layer before execution of reaction for silicification. - 特許庁

本発明では、３層目の配線層２５を構成するＡｌＣｕ層を堆積する際に、その下面に堆積したＴｉ層を、例えば、４００℃程度の高温状態に維持することで、ＡｌＣｕ層とＴｉ層との間にＡｌ_ｘＴｉ_ｙ合金層を形成する。例文帳に追加

When an AlCu layer is deposited which constitutes a wiring layer 25 of the 3rd layer, a Ti layer deposited on the lower surface of the AlCu layer is maintained in elevated temperature status e.g. about 400°C, and an Al_xTi_y alloy layer is formed between the AlCu layer and the Ti layer. - 特許庁

当該方法の利点は、非常に薄い層しか堆積しなくて良いため、前記シード層を形成するのに要する時間が相対的に短くなることである。例文帳に追加

An advantage of this method is that forming the seed layer takes relatively little time, since only a very thin layer needs to be deposited. - 特許庁

堆積された炭化珪素層の圧縮率は、層形成の間における混合ガス中のドーパントの量の関数として変化する。例文帳に追加

The as-deposited silicon carbide layer has a compressibility, that varies as a function of the amount of dopant present in the gas mixture during layer formation. - 特許庁

エッチング時に発生する再堆積による磁性層間のトンネルバリア層のショートを防止し、製造工程での歩留りの向上を図る。例文帳に追加

To improve the yield in a manufacturing process by preventing a tunnel barrier layer between magnetic layers due to a re-deposition occurring at etching from being short-circuited. - 特許庁

片側だけを低減することにより、所定の区間１０’に対して、こうした低減を行う前に堆積された層のレベルで厚みを制限する。例文帳に追加

By decreasing the layer on only one side, the thickness of the layer can be regulated to the level of the layers in a specified region 10' deposited before decreasing the length. - 特許庁

堆積したトナーの潤滑作用により、中間転写ベルト７１の表面に形成された表面層の磨耗を防止する。例文帳に追加

The wear of the surface layer formed on the surface of the intermediate transfer belt 71 is prevented by the lubricating action of the deposited toner. - 特許庁

下塗り層はスライダ体の後縁の上に堆積され、フレクシャ体をほぼ包囲し、そして間隙はフレクシャ体を下塗りから分離する。例文帳に追加

A basecoat layer is deposited on the trailing edge of the slider body and almost surrounds the flexure body wherein a gap separates the flexure body from the basecoat. - 特許庁

そして、この上面に層間絶縁膜１７を堆積したのち、これにコンタクトホール１８をパターニング形成する。例文帳に追加

After an inter-layer insulation film 17 is deposited on the surface thereof, a contact hole 18 is formed depending on the pattern. - 特許庁

半導体基板の上に、引き出し電極３を形成した後、基板上に層間絶縁膜５を堆積し、平坦化する。例文帳に追加

After having formed a lead electrode 3 on a semiconductor substrate, an interlayer dielectric 5 is deposited on the substrate and planarized. - 特許庁

続いて、基板１ＳＡの主面にＭＯＳ・ＦＥＴ６を形成した後、基板１ＳＡの主面上に層間絶縁膜８ａを堆積する。例文帳に追加

Subsequently, an MOS-FET 6 (metal oxide silicon-field effect transistor) is formed on the principal surface of the substrate 1SA, and an interlayer dielectric 8a is deposited on the principal surface of the substrate 1SA. - 特許庁

層間絶縁膜１００の形成後、ランプアニール処理前に、ランプ光吸収膜１１０を堆積し、その後、ランプアニール処理を行う。例文帳に追加

After an interlayer insulation film 100 is formed prior to lamp annealing, a lamp light absorption film 110 is deposited to thereafter lamp-anneal processing. - 特許庁

チャンバ１４内に蒸気を供給する段階と、チャンバ１４内に、シリコンを含む堆積層が設けられている基板２２を配置する段階と、所定の変換期間にわたって、蒸気の存在下で、堆積層にＵＶ光を当てて、堆積層を少なくとも部分的に変換する段階とを備えるシステム１０および方法を提供する。例文帳に追加

The system 10 and the method comprise a step for supplying vapor into a chamber 14, a step for disposing inside the chamber 14 a substrate 22 in which a deposited layer including silicon is formed, and a step for emitting the UV beam to the deposited layer under a vaporous atmosphere for a predetermined converting period of time at least to partially convert the deposited layer. - 特許庁

接続ホール１７内と層間絶縁膜１６の表面とに、同時にＡｌＣｕを堆積してＡｌＣｕ膜２０を形成する。例文帳に追加

AlCu is simultaneously deposited in a connection hole 17 and on the surface of an interlayer insulating film 16 so as to form an AlCu film 20. - 特許庁

第１の層間絶縁膜１１上に堆積された第２の層間絶縁膜１９に凹部２０をプラグ１８の上面が露出するように形成した後、凹部２０の壁面及び底部に容量下部電極となる導電性膜２１を堆積する。例文帳に追加

Then a recessed part 20 is formed in a second interlayer insulating film 19 deposited on the film 11, in such a way that the upper surface of the plug 18 is exposed, a conductive film 21, which is formed as a capacitor lower electrode, is deposited on the wall surface and bottom of the recessed part 20. - 特許庁

集電体上にリチウムを吸蔵・放出する活物質からなる薄膜を堆積して形成したリチウム二次電池用電極において、集電体上にＭｏまたはＷを含有する中間層を形成し、該中間層の上に活物質薄膜を堆積させたことを特徴としている。例文帳に追加

In this electrode for lithium secondary battery, formed by accumulating the thin film formed of the active material storing and releasing lithium on the current collector, an intermediate layer containing Mo or W is formed on the current collector, and the active material thin film is accumulated on the intermediate layer. - 特許庁

続いて、この第３層配線１１Ｌ３を覆うように、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜２０を堆積した後、その上にＨＤＰ−ＣＶＤ法により絶縁膜１５ｃを堆積して第３層配線１１Ｌ３の隣接間を隙間無く埋め込む。例文帳に追加

Then, after an insulation film 20 is so deposited by plasma CVD method as to cover the third layer interconnections 11L3, another insulation film 15c is deposited by HDP-CVD method on top of the insulation film 20 to completely fill in spaces between adjacent interconnections of the third layer interconnections 11L3. - 特許庁

その後第２のゲート電極材料膜１６ｂを堆積し、層間ゲート絶縁膜１７を介して制御ゲート電極１８を形成する。例文帳に追加

Then, a second gate electrode material film 16b is deposited, and a control gate electrode 18 is formed through an inter-layer gate insulating film 17. - 特許庁

次に、絶縁膜１０２の上に、拡散防止絶縁膜１０７及び層間絶縁膜１０８を順次堆積する。例文帳に追加

Then, an anti-diffusion insulation film 107 and an interlayer insulation film 108 are sequentially deposited on the insulation film 102. - 特許庁

半導体基板表面に不純物拡散源となる層を堆積させながら半導体基板内に不純物を導入した後、堆積した不純物拡散源となる層の膜質を安定化させるのに十分な時間熱処理することからなる半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of introducing the impurity into a semiconductor substrate while depositing a layer to become an impurity diffusion source on a surface of the substrate, and then heat treating the substrate for a sufficient time to stabilize a quality of the deposited layer to become the impurity diffusion source. - 特許庁

本発明の一態様による製作方法では、公知の方法でフレネルレンズ材であるＳｉＯＮ層６０２，６０６，６１０をそれぞれ堆積した後、堆積された材料の化学組成を選択的に変化させることにより、中間エッチング停止層６０４，６０８が適当な位置に形成される。例文帳に追加

Layers 602, 606, 610 of SiON as a Fresnel lens material are deposited by a known method and the chemical composition for depositing material is selectively altered to form middle etching stopping layers 604, 608 at appropriate positions. - 特許庁

層間絶縁膜に形成されるコンタクトホールのエッチングストッパ層を、熱ＣＶＤ法で堆積されるシリコン窒化膜１６ａとプラズマＣＶＤ法で堆積されるシリコン窒化膜１６ｂとからなる積層膜１６で構成する。例文帳に追加

An etching stopper layer for a contact hole bored in an interlayer insulating film is formed of a laminated film 16 composed of a silicon nitride film 16a deposited through a thermal CVD method, and a silicon nitride film 16b deposited through a plasma CVD method. - 特許庁

Ｔｉおよび／またはＴｉＮライナ層５２／バリヤ層５４を堆積させる場合は、本発明は、その上にＰＶＤ−ＩＭＰ処理によるタングステンを堆積させることによって、ＷＦ_6とＴｉ、ＴｉＮ、Ｓｉ材料間の反応を減少または除去する方法を提供する。例文帳に追加

In the case where the liner layer 52/barrier layer 54 composed of Ti and/or TiN are deposited, a method where tungsten is deposited on the above by PVD-IMP treatment to reduce or remove the reaction between WF6 and Ti, TiN and Si materials is provided. - 特許庁

優れた電流電圧特性と光電変換効率を有する堆積膜、特に非晶質ｉ型層と微結晶の導電型層との間の接合界面が良好な格子整合性を有する光起電力素子を形成することが可能となる堆積膜形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a deposited film forming system by which a deposited film having excellent current/voltage characteristics and photoelectric conversion efficiency, in particular, a photovolatic element in which the joined boundary between an amorphous (i) type layer and an fine-crystal electrically conductive layer has good lattice consistency. - 特許庁

この方法は、基板１を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板１を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面３の上に、例えばＧａＮ層５のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。例文帳に追加

The method comprises steps of: heating the substrate 1 to a nitridation temperature between 400°C and 940°C while exposing the substrate 1 to a nitrogen gas flow; and subsequently depositing the group Ill-nitride, e.g. GaN layer 5, onto the Ge surface 3 at a deposition temperature between 100°C and 940°C. - 特許庁

粉体堆積層角度測定装置１は、カメラ２０と、カメラ２０に向かい合う位置に配置されるバックライトパネル３０と、カメラ２０とバックライトパネル３０の間に配置される、安息角測定テーブル８３等の粉体堆積層支持装置を備える。例文帳に追加

A powder sedimentation layer angle measurement apparatus 1 includes a camera 20, a backlight panel 30 arranged on a position facing the camera 20 and a power sedimentation layer support device such as a repose angle measurement table 83 arranged between the camera 20 and the backlight panel 30. - 特許庁

下地層はＮｉＣｒ合金層、ＮｉＦｅＣｒ合金層、ＮｉＦｅ合金層から選択される第１の下地層５１と、第１の下地層と反強磁性層５２の間に堆積される第２の下地層から成る。例文帳に追加

The background layer comprises a first background layer 51 selected from any of a NiCr alloy layer, a NiFeCr alloy layer, and a NiFe alloy layer, and a second background layer deposited between the first background layer and the antiferromagnetic layer 52. - 特許庁

加水分解のガラス初期生成物をベース上に火炎堆積法により堆積させ、その後ガラス初期生成物を焼結させることによって生成されたガラス層の屈折率を、空間的にかつ選択的に高くするための本発明による方法では、感光性を高める処置を講じない。例文帳に追加

This method does not perform a treatment for raising the photosensitivity in order to spatially and selectively raise the refractive index of a glass layer GS produced by depositing initial glass products of hydrolysis on a base by flame deposition and sintering the initial glass products thereafter. - 特許庁