「構造欠陥」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

カーボンナノ構造体を液媒体に分散させて超音波を照射することで、カーボンナノ構造体を構成するグラファイト層に細孔および欠陥を形成することで、炭素の六員環配列構造を有し、少なくとも１つの寸法がナノメートルの領域にあるカーボンナノ構造体であって、炭素の六員環配列構造に、細孔および欠陥の少なくともいずれかが形成されている有孔カーボンナノ構造体とする。例文帳に追加

The carbon nano-structure having a carbon six-membered ring arrangement structure, at least one size in a nanometer range and at least either one of the pores or defects formed on the carbon six-membered ring arrangement structure is formed by dispersing a carbon nano-structure in a liquid medium, irradiating an ultrasonic wave, and forming the pores or defects on the graphite layer composing the carbon nano-structure. - 特許庁

還元反応が十分に進行しない、形成される金属構造物の表面に欠陥を有する等の不良現象が抑制され、光沢に優れた金属構造物を形成する方法及びその形成方法に用いられる金属構造物形成用組成物並びに電子部品を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a metallic structure superior in gloss, which reduces such faulty phenomena that a reductive reaction does not progress sufficiently, and a formed metallic structure has a defect on its surface; a composition for forming the metallic structure, which is used for the forming method; and an electronic component. - 特許庁

モールド構造体の複製を１回のインプリントで高精度に行え、欠陥の発生が少なく、微細パターンを効率よく形成することができるパターン形成方法、基板加工方法、モールド構造体の複製方法、及びモールド構造体の提供。例文帳に追加

To provide a pattern forming method, a substrate processing method, a replication method of a mold structure, which can duplicate the mold structure with high precision by single imprint, is low in defect generation and can form a micropattern efficiently, and the mold structure. - 特許庁

酸化防止窒化膜を用いたＳＴＩ構造を有する半導体装置において、結晶欠陥による不良発生を低減でき、またトランジスタのハンプ特性を抑制しながら素子寸法精度も維持できるＳＴＩ構造の素子分離構造形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming an STI type element isolating structure in a semiconductor device having an STI structure using an oxidation- preventing nitride film which can reduce failures due to crystal defects and maintain the element dimensional accuracy with suppressing bump characteristics of transistors. - 特許庁

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板とその形成方法とを提供する。例文帳に追加

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the starin-applied crystal layer structure is reduced and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer. - 特許庁

鉄系構造物もバイアス磁界に対し磁気回路の一部となり、バイアス磁界の強さが鉄系構造物の傷・腐食・減肉の程度に応じて変化し、その出力変化から鉄系構造物の欠陥の程度を検査する。例文帳に追加

The iron-based structure serves as part of a magnetic circuit with respect to the bias magnetic field, the intensity of the bias magnetic field varies according to the degree of a flaw/corrosion/thickness reduction of the iron-based structure, and the degree of a defect of the iron-based structure is inspected according to the output variation. - 特許庁

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing substrate, having a strain layer/strain-applied crystal layer structure which reduces the crystallinity deterioration that occurs in the strain layer, due to crystal defects caused by the strain-applied crystal layer structure, and which is formed of a thin film on an insulating layer. - 特許庁

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the strain-applied crystal layer structure is reduced, and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer. - 特許庁

細胞、細胞間のデスモソーム構造、及び細胞、基材間の基底膜様蛋白質が保持された状態で回収される構造欠陥の少ない前眼部関連細胞シートまたは３次元構造体を製造するための細胞培養支持体を提供すること。例文帳に追加

To provide a cell culture support for producing an anterior eye part-relating cell sheet having less structural faults or a three-dimensional structure in which a cell, a desmosome structure between cells and a basal membrane-like protein between a cell and a base material are collected in a retained state. - 特許庁

発電膜中の欠陥を抑制し、大きな開放電圧を得ることのできる、発電素子の構造における、透明電極膜の表面構造及びその製法の提供及び該素子構造を持つ太陽電池及びその製法の提供。例文帳に追加

To provide the surface structure of a transparent electrode in the structure of a power generating element, in which a high open voltage can be obtained by suppressing defects in a power generating film, its forming method, a solar cell having such an element structure, and to provided its manufacturing method. - 特許庁

深夜、足立大尉が一人でいたことが不運であったが、事件の背景に乗車していた二軸客車の構造的欠陥があったと指摘された。例文帳に追加

It was unfortunate of Senior Lieutenant Adachi that he was alone in the middle of the night, but at the same time, it was pointed out that a structural flaw of the 2-axle passenger car was a contributing factor to the background of the crime.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

硼素源として硼酸リチウムを使用するため、リチウム−マンガン骨格のリチウムが溶出しても、前記硼酸リチウムで置換されるため構造欠陥が生ずることがなく、電池性能が高いまま維持される。例文帳に追加

The lithium secondary battery is maintained as the battery performance is kept high without causing structural defect because even if lithium in the lithium-manganese skeleton is eluted, it is replaced by lithium borate by using lithium borate as the boron source. - 特許庁

酸素欠陥を有する還元状態のペロブスカイト型構造を有する金属酸化物（ABO_3-x）であることを特徴とするペロブスカイト型誘電体酸化物還元相光触媒。例文帳に追加

The perovskite-type dielectric oxide-reduced phase photocatalyst is a metal oxide (ABO_3-X) which has an oxygen defect and a perovskite-type structure and is in a reduced state. - 特許庁

上記半導体積層構造物は、低欠陥高品質の窒化物半導体結晶層、窒化物半導体結晶基板及び窒化物半導体素子を得ることに利用される。例文帳に追加

This semiconductor laminated structure is utilized for obtaining a nitride semiconductor crystal layer, the nitride semiconductor crystal substrate and the nitride semiconductor element of low defect and high quality. - 特許庁

これにより、メサエッチ部（メサ型構造の端面）１０におけるダングリングボンド（欠陥）３を不活性化させるとともに、水分子を遮断することもできるので、暗電流が流れにくくなる。例文帳に追加

This inactivates dangling bonds (defects) 3 at mesa etched parts (end faces of the mesa structure) and shuts off the water molecules. - 特許庁

基板上に構造欠陥が少ないカーボンナノチューブ等のカーボンファイバを成長させる製造方法ならびにそのカーボンファイバを提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of growing carbon fiber such as carbon nanotube having few structural defects on a substrate, and to provide the carbon fiber. - 特許庁

誘電体基板内に電極が形成されている場合において、誘電体基板の焼成時及び焼成後における構造欠陥の発生を効果的に低減する。例文帳に追加

To effectively reduce structural defects during and after baking a dielectric board when an electrode is formed in the dielectric board. - 特許庁

純度が高く、グラファイト層の構造欠陥の少ないカーボンナノチューブを、簡便で、大量に、しかも安価に製造できる方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method which can be used for easily and inexpensively manufacturing a carbon nanotube having high purity and being reduced in structural defects in a graphite layer, in a large quantity. - 特許庁

第２六方晶炭化珪素エピタキシャル層３は、第１六方晶炭化珪素エピタキシャル層２と同じ結晶構造を有し、かつ第１六方晶炭化珪素エピタキシャル層２よりも高い積層欠陥密度を有する。例文帳に追加

The second hexagonal silicon carbide epitaxial layer 3 has a crystal structure similar to that of the first hexagonal silicon carbide epitaxial layer 2 and has a stacking fault density higher than that of the first hexagonal silicon carbide epitaxial layer 2. - 特許庁

窒化アルミニウム粉末に対して焼結助剤が均一に分散された構造欠陥の少ない窒化アルミニウム焼結体を得ることが可能で、生産性に優れる成形用樹脂組成物の製法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for preparing a molding resin composition to form an aluminum nitride sintered body uniformly dispersed with a sintering aid with respect to aluminum nitride powders and less in structural defects, performing excellent productivity. - 特許庁

触媒層の凝集を抑制し、また炭素の拡散性を制御して、欠陥の無いグラファイト膜を形成することができるグラフェン構造を含むグラファイト膜による配線パターンの形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of forming a wiring pattern of graphite film including a graphene structure in which a defect-free graphite film can be formed by reducing aggregation of catalyst layer and controlling diffusivity of carbon. - 特許庁

既存の簡易な構造の露光装置を用いて欠陥なく製造することができ、しかも常に良好な品質の表示を実現可能な陰極線管および色選別部材並びにそれらの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cathode ray tube manufactured without a defect with an existing exposure device having a simple structure, and always providing an excellent display quality, a color selecting member and their manufactures. - 特許庁

欠陥密度が低いデバイス層を有し、かつ改良されたゲッタリング能を必要に応じて有するハンドルウエハを有するシリコン・オン・インシュレーター（「ＳＯＩ」）構造体を提供する。例文帳に追加

The silicon on insulator (SOI) structure has a low defect density device layer and, optionally, a handle wafer having improved gettering capabilities. - 特許庁

ドライエッチングを用いてリッジ構造の半導体レーザを作製する場合に、結晶欠陥およびプラズマダメージの発生を防止する製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor laser having a ridge structure wherein a dry etching is used and the generations of crystal defects and plasma damages are prevented. - 特許庁

繰り返しｐｎ接合構造を有する半導体素子を製造する際に、半導体層に形成したトレンチを、空隙や結晶欠陥がなく、深さ方向に均一な不純物濃度プロファイルを有するエピタキシャル層で埋めること。例文帳に追加

To bury trenches formed in a semiconductor layer in manufacturing a semiconductor element having a repetitive p-n junction structure with epitaxial layers having no void nor crystal defect, but having uniform impurity concentration profiles in the depthwise direction. - 特許庁

トレンチ分離構造を有する半導体装置の製造方法に関し、デバイス特性を劣化させるゲッタリング層の発生を防止しつつシリコン基板中の欠陥要素をゲッタリング層に取り込むことを目的とする。例文帳に追加

To prevent a gettering layer from growing to deteriorate device characteristics and take defect elements in a silicon substrate into the gettering layer in a method of manufacturing a semiconductor device having a trench isolation structure. - 特許庁

α＝ｆ・Ｌ／ｖ ここで、上記式においてｆは周波数（Ｈｚ）、Ｌは欠陥部と超音波受信子の最短距離（ｍ）、ｖは超音波の健全なコンクリート構造物内における速度（ｍ／ｓ）を各々示す。例文帳に追加

In the formula, f is frequency (Hz), L is the shortest distance between a defective part and an ultrasonic receiver (m), and v is the velocity of ultrasonic wave in a sound concrete structure (m/s). - 特許庁

積層セラミック電子部品の構造欠陥，静電容量の低下等を確実に防げる内部電極を形成し、価格的に安価で品質的に良好な積層セラミック電子部品を得る。例文帳に追加

To form internal electrodes for positively preventing the structural defect and decreasing electrostatic capacity of laminated ceramic electronic parts and obtain inexpensive and good-quality laminated ceramic electronic parts. - 特許庁

形成する有機分子薄膜以外の構造体を新たに設けるなどの複雑な工程を追加することなく、欠陥の少ない高品質な有機分子薄膜が形成できるようにする。例文帳に追加

To form an organic molecule thin film that has less defect and is high in quality, without adding complicated steps such as to newly provide a structural body excluding the organic molecule thin film to be formed. - 特許庁

２次元フォトニック結晶３は、孔９５が三角格子状に形成された周期構造を有し、その中間部に欠陥導波路部９６が形成されている。例文帳に追加

A two-dimensional photonic crystal 3 has a periodical structure where holes 95 are formed like a triangular lattice and a defect waveguide part 95 is formed in a middle part of the triangular lattice. - 特許庁

触媒を使用しない気相合成法を用いて高品質かつ欠陥のないすぐれた形状の固相の二元合金単結晶ナノ構造体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-quality nondefective binary-alloy single crystal nanostructure having excellent solid-phase configuration, and to provide a method for producing the nanostructure through a vapor-phase synthesis method using no catalyst. - 特許庁

光導電層中に余剰なハロゲンが含まれると、Ｘ線照射時に生じやすい重金属ハロゲン化物結晶構造中のハロゲンの解離と、このハロゲンの解難に伴う結晶欠陥の発生が抑えられる。例文帳に追加

If excess halogen is contained in the photoconductive layer, a dissociation of halogen is suppressed in the heavy metal halide crystal structure easy to be produced at the X-ray irradiation time and the generation of a crystal defect associated with the dissociation of this halogen. - 特許庁

オペレータにより障害のタイプの選択に応答して、ソフトウエアは、関連するデータ構造により、対話を開始して、欠陥を記述するパラメータを入力する。例文帳に追加

In response to the selection of a type of fault by the operator, the software activates a dialogue, by means of the associated data structure, to input parameters describing the defects. - 特許庁

カソードアーク式イオンプレーティング法による窒化膜の表面欠陥であるピンホール数を減少させて、耐溶出性を強化した膜構造を提供する。例文帳に追加

To reduce the number of pinholes as surface defects in a nitride film formed by cathode arc type ion plating and to obtain a film structure having enhanced leaching resistances. - 特許庁

大出力レーザーによる溶接であっても、溶接欠陥の発生を抑え、小入熱で深溶込みを可能とし、高強度高靱性の溶接構造の形成を可能とする新しいレーザー溶接方法を提供する。例文帳に追加

To provide a novel laser welding method which suppresses generation of weld defects even in a large output laser welding, which makes penetration possible through small heat input, and which enables a highly strong tough welding structure to be formed. - 特許庁

そして、この歪みは、例えば、回路素子Ａ、Ｂの界面や端部におけるその構造に基づき、或いは半導体基板又は半導体材料層の表面に形成した欠陥に基づき形成することができる。例文帳に追加

Then, this distortion can be formed, based on the structure on the boundary face or end parts of the circuit elements A and B, or based on the defects formed on the surface of the semiconductor substrate or the semiconductor material layer. - 特許庁

ＩｎＰ基板上のＧａＩｎＮＡｓＳｂの表面平滑性が良好で、結晶欠陥密度の低い半導体積層構造の半導体ウエハ、その製造方法および半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor wafer having satisfactory surface smoothness for GaInNAsSb on an InP substrate and a semiconductor laminated structure with low crystal defect density, and to provide its manufacturing method and a semiconductor element. - 特許庁

非周期欠陥を表す物理現象を直接識別するために、テレセントリック・レンズ系の焦点面でプログラム可能光フーリエ・フィルタリングが周期構造を有する平面対象物を検査するためのシステムに使用される。例文帳に追加

In an inspection system for planar objects having a periodic structure, programmable optical Fourier filtering in the focal plane of a telecentric lens system is used to directly identify physical phenomena indicative of non-periodic defects. - 特許庁

酸化膜の比抵抗を特定する方法、酸化膜の酸素欠陥構造を設計する方法、酸化膜の比抵抗のシミュレーションを行うためのプログラム。例文帳に追加

METHOD FOR SPECIFYING SPECIFIC RESISTANCE OF OXIDE FILM, METHOD FOR DESIGNING OXYGEN DEFECT STRUCTURE OF THE OXIDE FILM AND PROGRAM FOR SIMULATING SPECIFIC RESISTANCE OF THE OXIDE FILM - 特許庁

このデバイス構造体は、基板の粗面化成長表面上に、欠陥が少なく、および／または改善された放射取り出し効率を有するエピタキシャル領域を含みうる。例文帳に追加

The device structure can include an epitaxial region having reduced defects and/or improved radiation extraction efficiency on the roughened growth surface of the substrate. - 特許庁

炭素構造の中に欠陥を有し、3200〜3500ガウスに現れるＸ−バンド電子スピン共鳴スペクトルのパラメータＷが１１ガウス以下であるカーボン触媒を調製した。例文帳に追加

The carbon catalyst is prepared, which has a defect in a carbon structure thereof and is characterized in that a parameter W of an X-band electron spin resonance spectrum appearing at 3,200-3,500 gauss is ≤11 gauss. - 特許庁

内部電極層を薄層化および多層化した場合であっても、高い静電容量および破壊電圧を得ることができ、構造欠陥が抑制された電子部品を提供すること。例文帳に追加

To provide an electronic component having high electrostatic capacitance and a high breakdown voltage even when an internal electrode layer is made thin and multi-layered, and also having a suppressed structural defect. - 特許庁

光起電力デバイスにおいて、効率を低下させる原因となる表面及び界面欠陥を低減するデバイス構造、および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a device structure and a manufacturing method which reduce surface and interface defects, which become the causes for reducing efficiency, in a photovoltaic device. - 特許庁

回折格子層の上層における結晶層成長の平坦性の向上と、結晶欠陥密度の低減を図ることにより、素子信頼性の向上を図ることを可能とする構造を備える分布帰還型半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a distributed feedback semiconductor laser, having a structure that improves the planarity of crystal layer growth in the upper layer of a diffraction grating, and further, improves the reliability of an element by reducing the density of crystal defects. - 特許庁

また、不整合結晶格子は、半導体材料の変形可能な薄膜上に堆積されて、結晶を成長させる際のひずみを低減し、かつ転位欠陥を低減してモノリシック結晶構造を実現する。例文帳に追加

Moreover, mismatched crystal lattices are deposited on a deformable thin film consisting of a semiconductor material to reduce the distortion when the crystal is grown and the defect of distortion is reduced to realize a monolithic crystal structure. - 特許庁