「構造欠陥」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明の目的は、単結晶ウエハー表面の材料を除去することがなく、機械加工により生じた加工変質層を基板部分と全く同様な結晶構造に修復することであり、部品の加工精度を維持したままで、生産コストの削減、環境負荷の低減が期待できる、大気中で作動可能で、高速・高能率で簡単な単結晶ウエハーの表面欠陥の修復方法及び修復装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a method and a device for repairing an affected layer caused by machining work so as to have a crystal structure just the same as a substrate part without removing a material of a surface of a single crystal wafer. - 特許庁

第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。例文帳に追加

A relatively thick third semiconductor layer 14 of n-type gallium nitride having a thickness of about 100 μm and a crystal defect density higher than that of each layer 11, 12, 13 constituting the device structure 20 is bonded onto the side of the second semiconductor layer 13 opposite to the emission layer 12. - 特許庁

感染したヒト細胞中で、ほとんど又はまったく細胞毒性でない化合物を病原性のために必要な病原体の機能を阻止することが可能な細胞毒性化合物に変換する単純ヘルペスウィルスチミジンキナーゼ（ＨＳＶＴＫ）を発現することが可能であるベクター構造体を担持する複製欠陥組換えレトロウィルス。例文帳に追加

Disclosed is a replication defective recombinant retrovirus carrying a vector construct capable of expressing herpes simplex virus thymidine kinase (HSVTK) which converts in an infected human cells almost or entirely non-cytotoxic compound to a cytotoxic compound capable of inhibiting function of a pathogen which is necessary for pathogenicity. - 特許庁

１対のセンサ５、５の出力信号同士の間に存在する位相差に基づいて、外輪１とハブ２との間に作用する荷重を算出する荷重測定装置に関し、構成部品や配線等に欠陥が生じた事に伴い、上記各センサ５、５の出力信号に異常が発生した事を検知できる構造を実現する。例文帳に追加

To provide structure capable of detecting the generation of abnormality in output signals from sensors 5, 5, in accompaniment to the generation of a defect in a constitutive component, a wire or the like, as to a load measuring instrument for calculating a load acting between an outer ring 1 and a hub 2, based on a phase difference existing between the fellow signals from the pair of sensors 5, 5. - 特許庁

測定原理としては、検査装置の光学定数、マスク物性、マスク構造、グレーティング形状によって一意に定まる、グレーティングでのカップリング効率を測定することで、グレーティングの形状、特に微小グレーティング部のデューティーや、孤立線の線幅、ピンホール径について測定、欠陥の検査を行う。例文帳に追加

As a measuring priciple, the coupling efficiency at the grating which is unequvocally decided by an optical constant of an inspection apparatus, a mask physical property, a mask structure and the shape of the grating is measured, the shape of the grating, a duty especially in a very small grating part and a line width of an isolated line are measured, and a defect is inspected. - 特許庁

感光性の材料を含む液晶組成物を感光させるに際して、液晶組成物層に電圧を印加して液晶分子の配向を調整し、液晶分子の配向をほぼ一定にし、あるいは液晶表示装置の構造を調整して液晶分子の配向を均一化し、または表示欠陥を表示領域外に規制する。例文帳に追加

In exposing the liquid crystal composition containing the photosensitive material, the orientation of the liquid crystal molecules is adjusted with application of voltage to a liquid crystal composition layer and the orientation of the liquid crystal molecules is made nearly constant, or the orientation of the liquid crystal molecules is made uniform by adjusting construction of the liquid crystal display device, or a display defect is controlled so as to be excluded from a display region. - 特許庁

Ｎｉを内部電極として用いた積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品の製造方法において、クラックやデラミネーションなどの構造欠陥が発生せず、かつ、絶縁抵抗の劣化の少ない信頼性の高い積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品を製造することができる、積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a laminated ceramic electronic part such as laminated ceramic capacitor using Ni as an inner electrode by which a laminated ceramic electronic part such as laminated ceramic capacitor on which no structural defect such as crack or delamination occurs, whose insulating resistance hardly deteriorates and which exhibits a high reliability. - 特許庁

版かぶりや、ドクター筋発生等を抑制し、印刷適性が良好なグラビア印刷用導電性水性インキを提供するとともに、それを用いることにより、積層体の構造欠陥不良等の発生を防ぎ、電気的特性が安定し、信頼性の高い積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide conductive water-base ink for rotogravure printing exhibiting good printability by suppressing the occurrence of fogging, a doctor streak and the like, and to provide a method for manufacturing highly reliable multilayer ceramic electronic component exhibiting stabilized electric characteristics by preventing the generation of a defect in a multilayer structure using the conductive water-base ink for rotogravure printing. - 特許庁

グラフェンシート構造の欠陥の極めて少ない単層カーボンナノチューブをナノメートルレベルで分散させたポリビニルアルコール溶液を紡糸液とし、ノズルを通して冷却相へ押し出すことによってゲル繊維を得、脱溶媒後、延伸により、ＰＶＡおよびＳＷＮＴを高度に配向させることで、高強度コンポジット繊維を得ることができる。例文帳に追加

The high-strength composite fiber is obtained by using a polyvinyl alcohol solution in which single-layer carbon nanotubes having a graphene sheet having considerably reduced structure defects are dispersed in a nanometer level as a spinning solution, extruding the spinning solution through a nozzle to a cooling phase to give a gel fiber, after desolvation and highly orienting the PVA and SWNT (single wall carbon nanotube) by drawing. - 特許庁

加水分解性基やイオン性基の金属塩を含有するポリマーの加水分解やイオン性基の酸型化（プロトン交換）を効率よく進行させ、高い構造規則性と高いプロトン伝導性が両立でき、カールや皺、表面欠陥が発生しにくい、工業生産性に優れた電解質膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an electrolyte membrane excellent in industrial productivity capable of making an efficient progress in electrolysis of a polymer containing an electrolytic group or metal salt of an ionic group and acid formation (proton exchange) of an ionic group, attaining both high structural regularity and high proton conductivity, and with little fear of generation of curl, wrinkle, or other surface defects. - 特許庁

本発明に係る圧延銅箔は、主成分としての銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物と、ホウ素（Ｂ）と、銀（Ａｇ）と、銅（Ｃｕ）及び銀（Ａｇ）以外で結晶構造が面心立方で、かつ積層欠陥エネルギーの値が銅（Ｃｕ）より大きい値を有する元素群の中から選択される１種以上の添加元素と、を含むことを特徴とする圧延銅箔である。例文帳に追加

The rolled copper foil includes: copper (Cu) as the main component with inevitable impurities; boron (B); silver (Ag); and one or more kinds of additive elements selected from an elemental group excluding copper (Cu) and silver (Ag), which has a face-centered cubic crystal structure and also has the value of stacking fault energy higher than that of copper (Cu). - 特許庁

内部電極層と電気的導通が良好にして、焼成時に端子電極近傍のセラミック誘電体にクラック等の構造欠陥の発生を招かない端子電極ペーストを提供し、結果として諸特性、信頼性に優れた積層電子部品を歩留よく製造する方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a terminal electrode paste wherein the electrical continuity to an internal electrode layer is appropriate and no structural failure such as cracking, etc., occurs in a ceramic dielectric adjacent to a terminal electrode during baking, as well as a method for manufacturing a laminated electric part in a high yield which is superior in various characteristics and reliability. - 特許庁

(ＣａＳｒ／ＴｉＺｒ)Ｏ_３系の非還元性誘電体磁器材料を主成分とする積層セラミックコンデンサの誘電体層と内部電極との焼結に伴う収縮差による相互の層間剥離やニッケルの酸化による構造欠陥が発生するのを防ぎ、ニッケルによる内部電極の途切れ現象が生ずるのを防いで内部電極の薄膜化を図る。例文帳に追加

To make an internal electrode thin, break of the electrode caused by nickel is excluded by preventing interlayer exfoliation be caused contraction difference in sintering of a dielectric layer and the internal electrode of a layered ceramic capacitor, whose main component is (CaSr/TiZr)O3-based non- reducing dielectric porcelain material, and generation of structural defects which are caused by oxidation of nickel. - 特許庁

シャロートレンチアイソレーション方式の素子分離構造を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板１１の表面に溝１４を形成した後に、溝１４の内表面１４ａを洗浄して汚染物を除去し、次いで、溝１４の内表面１４ａの欠陥層１５を除去する。例文帳に追加

In the method for manufacturing the semiconductor device having an element isolation structure of a shallow trench isolation system, after a trench 14 is formed on a surface of a silicon substrate 11; an inner surface 14a of the trench 14 is cleaned to remove a pollutant, and next a defective layer 15 of the inner surface 14a of the trench 14 is removed. - 特許庁

本発明は電子写真画像形成装置に用いられるプロセス手段の構造形成に用いる粘着材として、画像ムラ等の画像欠陥を発生させないプロセス手段用の粘着材を提供することであり、該プロセス手段用の粘着材を用いたプロセスカートリッジ及び該プロセス手段用の粘着材を用いた電子写真画像形成装置を提供することである。例文帳に追加

To provide an adhesive material for a process means, without generating an image fault such as an image unevenness, which is used to form a structure of the process means for an electrophotography image forming apparatus, to provide a process cartridge using this adhesive for the process means, and to provide the electrophotography image forming apparatus using the same adhesive. - 特許庁

ｎ型多結晶シリコン１２及びｐ型多結晶シリコン１３のｐｎ構造を有する半導体層を、非金属系シアン化合物を含む溶液１５又は金属系シアン化合物を含むアルコール溶液により処理することにより、光電変換半導体装置における欠陥準位の消滅及び汚染金属を除去して、その光電変換効率の向上が実現できる。例文帳に追加

The photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion semiconductor device can be improved by vanishing defect levels in the semiconductor device and removing contaminant metals from the semiconductor device, by treating a semiconductor layer having the p-n structure of n-type polycrystalline silicon 12 and p-type polycrystalline silicon 13 with a solution 15 containing a nonmetallic cyanogen compound or an alcoholic solution containing a metallic cyanogen compound. - 特許庁

積層セラミック電子部品の製造工程において、内部電極の薄層化による内部電極切れや、クラックやデラミネーション等の構造欠陥を抑制するために、内部電極材料として適した特性をもつ表面処理ニッケル粉末を提供すること、およびそれを用いた導電性塗料、さらにはこれにより高品質な積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide surface processing nickel powder having characteristics suited as an internal electrode material for suppressing cutoff of an internal electrode by lamination of the internal electrode and structural defects such as crack and delamination in a manufacturing process of a laminated ceramic electronic component, to provide conductive coating using the same and to provide a high-quality laminated ceramic electronic component thereby. - 特許庁

積層セラミックコンデンサの内部電極を形成するために用いられるニッケル粉末を含む導電性ペーストであって、焼成工程において、急激な焼結収縮が生じにくく、そのため、複数のセラミック層と複数の内部電極とを備える積層体を得るための焼成工程において、デラミネーションやクラックのような構造欠陥を生じにくくすることができる、導電性ペーストを提供する。例文帳に追加

To provide a conductive paste composed of a nickel paste employed in forming the inner electrode of a laminated ceramic capacitor, which may avoid structural defects such as delamination and cracks when calcined to produce a laminated layer consisting of a plurality of ceramic layers and the inner electrode for preventing abrupt sintering shrinkage. - 特許庁

結晶構造を含み、かつ平坦な酸化モリブデン層を具備することによって、抵抗率やイオン化ポテンシャルを最適化し、キャリア注入性や輸送性を向上させ、高発光効率、高発光輝度、長寿命、かつ欠陥が無い有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an organic electroluminescence element which includes a crystal structure, optimizes resistibility and ionization potential, improves carrier injection ability and transportability, has high luminous efficiency, high luminous brightness, and no defect by using a flat layer of a molybdenum oxide, to provide its manufacturing method, and to provide an organic elecroluminescence display. - 特許庁

高温乾燥することによって、耐熱性及び化学耐久性を向上させ、クラック等の欠陥の発生を防止することのできるコーティング材、また、このようなコーティング材によって形成された外壁を有し、熱応力に対する機械的強度の向上したハニカム構造体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a coating material which is improved in heat resistance and chemical durability by high-temperature drying, thus being prevented from the occurrence of defects such as cracks; a honeycomb structure which has an outer wall formed from the coating material and an improved mechanical strengths against thermal stress; and a production method thereof. - 特許庁

得られるフィンＦＥＴのゲルマニウム百分率を高くしてゲルマニウム膜の欠陥を少なくすることにより、フィンＦＥＴの駆動電流を高め、ゲルマニウム含有膜の形成に用いるＳＴＩ領域を形成するピッチに余裕を持たせる集積回路構造及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an integrated circuit structure which increases the drive current of a fin FET and provides a room for a pitch which forms an STI region used for forming a germanium-containing film by increasing the germanium percentage of the fin FET obtained and reducing a defect of a germanium film, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

結晶配向したルチル型酸化チタンからなる下層膜が形成された基板表面に、基板温度及びスパッタリング圧を制御した状態で、酸素を含むプラズマ中でチタンを含むターゲットをスパッタリングすることによって、前記下層膜の表面に結晶欠陥少ないルチル型酸化チタンが含まれた上層膜を形成した複層構造を有する酸化チタン膜を得ることができる。例文帳に追加

The titanium oxide film having a multilayer structure, in which an upper layer film containing the rutile type titanium oxide less in the crystal defects is formed on an under layer film, can be obtained by sputtering a target containing titanium in a plasma containing oxygen while controlling the substrate temperature and the sputtering pressure on the surface of the substrate, on which the under layer film composed of crystal oriented rutile type titanium oxide is formed. - 特許庁

３つ以上の光素子部をバットジョイント集積する集積光素子の製造方法において、バットジョイント接続部近傍の膜厚不均一性や、バットジョイント接続部近傍の多重量子井戸構造における結晶欠陥の発生を抑制し、光損失の少なく光結合効率の高い集積光デバイスを実現する手法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an integrated optical element having three or more optical element portions integrated by butt joint technique, in which the integrated optical device having small optical loss and high optical coupling efficiency is achieved by suppressing film thickness unevenness nearby a butt joint connection portion and a crystal defect of a multiple quantum well structure nearby the butt joint connection portion. - 特許庁

ポリ［（シリリン）エチニレン］あるいは／ならびにポリ［（シリレン）エチニレン］を焼成する過程において、ヒドロシリル化反応により高度なクロス・リンク型ネットワーク構造が生起するために、熱分解による物質損失が大幅に抑止され、欠陥の少ない高品質の炭化ケイ素の粉末、成形品、繊維、薄膜、複合材料マトリックスが作製できる。例文帳に追加

Substance loss by thermal decomposition is substantially suppressed and high-quality silicon carbide powders, a molding, a fiber, a thin film, and a composite material matrix with little defect are prepared since an advanced crosslink-type network structure is generated by a hydrosilylation reaction in a process in which poly[(silylyne)ethynylene] or/and poly[(silylene)ethynylene] are fired. - 特許庁

半導体デバイス用エピタキシャルウェハは、半絶縁ＧａＡｓ基板１とサブコレクタ層２との間にｕｎ−ＧａＡｓ層１０とｕｎ−ＡｌＧａＡｓ層１１とを複数回交互に成長させた超格子構造層１２がバッファ層として機能するので、半絶縁ＧａＡｓ基板１に欠陥があっても影響を受けることがない。例文帳に追加

In this epitaxial wafer for semiconductor device, a superlattice structure layer 12, in which un-GaAs layers 10 and un-AlGaAs layers 11 are grown alternately plural number of times between a semi-insulating GaAs substrate 1 and a subcollector layer 2 acts as a buffer layer, so that when defects exist in the semi-insulating GaAs substrate 1, the wafer is not affected by the defects. - 特許庁

フード、ドア、フェンダー、サイドパネル等の自動車外板パネルまたはメンバー、レインフォースメント等の自動車構造部材に要求される、高成形性、耐肌荒れ性に優れ、原板およびプレス後に表面欠陥のない、高強度冷延鋼板、高強度亜鉛系めっき鋼板およびその製造方法を低コストで提供する。例文帳に追加

To produce a high strength cold rolled steel sheet or a high strength galvanized steel sheet excellent in high formability and surface roughening resistance required for automotive outer board panels such as hoods, doors, fenders and side panels or automotive structural members such as members and reinforcements and free from surface defects in the original sheet and after pressing and to provide a method for producing the same at a low cost. - 特許庁

観察用と修正用とでプローブを兼用でき、次世代の超微細構造のフォトマスクを対象としても欠陥部の位置と形状の情報を取得する過程において正常部分を損傷してしまうようなことがなく、また、加工時にもプローブを傷めることなく所望の加工ができる装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device in which a probe can be used both for observation and correction and which can perform desired processing without injuring a normal portion, even if a next generation photomask having a ultrafine structure is used as an object, in a step of acquiring information about the position and feature of a defect, or without damaging the probe during processing. - 特許庁

微結晶シリコン膜（結晶質を含むシリコン膜）の形成条件の最適化を容易に行うことにより、十分な結晶粒径を有し、構造欠陥を減少させ、半導体素子の特性向上及び光起電力素子の変換効率の向上と光劣化の抑制を高いレベルで両立させることを目的とする。例文帳に追加

To readily optimize conditions where a microcrystalline silicon film (one type of silicon film containing crystals) is formed, and to provide a microcrystalline silicon film that has a sufficient crystal grain size and reduced structural defects and can provide a balance at a high level between an improvement in the characteristics of a semiconductor device or convention efficiency of a photovoltaic device and suppression of optical degradation. - 特許庁

本発明の目的は、光導波路、例えば光ファイバの、光が伝播する部分に存在する構造欠陥と重水素分子あるいはこれと同じ効果を有する水素分子とを反応させる処理を、より短時間に、かつ複数本の光ファイバを同時に一括処理できる光導波路の製造方法を提供することある。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing optical waveguides, by which a treatment comprising reacting a structural defect present in a light propagation part of the optical waveguide, e.g., an optical fiber, with deuterium molecules or hydrogen molecules having the same effect as that of the deuterium molecules can be performed in a shorter period of time, and a plurality of optical fibers can be collectively and simultaneously treated. - 特許庁

半導体積層構造１０においては、欠陥が少なく薄い半導体単結晶膜１３を実現するために、絶縁性単結晶膜１２と半導体単結晶膜１３との面方向の格子不整合が５％以下となるように、絶縁性単結晶膜１２及び半導体単結晶膜１３の組成が決定されている。例文帳に追加

In the semiconductor laminate structure 10, in order to realize the thin semiconductor single-crystal film 13 having few defects, compositions of the insulating single-crystal film 12 and the semiconductor single-crystal film 13 are determined so that each of lattice mismatch in the surface directions of the insulating single-crystal film 12 and the semiconductor single-crystal film 13 is be 5% or lower. - 特許庁

負のバイアス電圧をフロントパネル２０に印加しつつ、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、イオンプレーティング法から選択した方法により酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、スピネルのうち１種類以上よりなる保護層２４２を作製し、当該保護層２４２の結晶構造中に２個の自由電子がトラップされた酸素欠陥（Ｆ中心）を形成する。例文帳に追加

A protective layer 242 comprising at least one of magnesium oxide, aluminum oxide, and spinel is produced by a method selected from among a plasma CVD method, a sputtering method, and an ion plating method while applying a negative bias voltage to a front panel 20, and in a crystal structure of the protective layer 242, oxygen defectives (F-centers) where two free electrons are trapped are formed. - 特許庁

感光性の材料を含む液晶組成物を感光させるに際して、液晶組成物層に電圧を印加して液晶分子の配向を調整し、液晶分子の配向をほぼ一定にし、あるいは液晶表示装置の構造を調整して液晶分子の配向を均一化し、または表示欠陥を表示領域外に規制する。例文帳に追加

When radiating light onto a liquid crystal composition containing a photosensitive material, the alignment of liquid crystal molecules is adjusted by applying a voltage to the liquid crystal composition layer to achieve substantially orderly alignment of the liquid crystal molecules, or the alignment of the liquid crystal molecules is made uniform by adjusting the structure of the liquid crystal display device, or any display defect is driven out of the display area. - 特許庁

特に、積層セラミック電子部品の内部電極層形成用導体ペーストに好適に用いることのできるレニウム含有合金粉末の製造法と、該製造法により得られたレニウム含有合金粉末、並びに該合金粉末を含み、デラミネーションやクラック等の構造欠陥を生ずることなく緻密で連続性の優れた内部電極を形成し得る導体ペーストを提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a rhenium-containing alloy powder that can be used suitably in a conductor paste used to form an internal electrode layer in laminated ceramic electronic parts, to provide a rhenium-containing alloy powder manufactured by the manufacturing method, and to provide a conductor paste containing the alloy powder and capable of forming a dense internal electrode having excellent continuity without causing structural defects such as delamination and cracks. - 特許庁

被診断部位４の表面２を視準するレーザ干渉計８により前記照射時の表面波９と弾性波10とを経時的に検出し、表面波９の検出から最終の弾性波10の検出までの波形変化から被診断部位４におけるコンクリート構造物１の内部欠陥５又は埋設物の有無を診断する。例文帳に追加

A surface wave 9 and the elastic wave 10 in the irradiation are detected with the lapse of time by a laser interferometer 8 for collimating the surface 2 of the diagnosed portion 4, the presence of an internal defect 5 or a buried body in the concrete structure 1 in the diagnosed portion 4 is diagnosed based on a waveform change from detection of the surface wave 9 to detection of the final elastic wave 10. - 特許庁

ガイド波を用いて構造物の欠陥を検出する非破壊探傷技術に関し、両方向に伝搬する広帯域波形を使用することによりノイズ除去と入射ガイド波パワーの増大を図るとともに、一方向に伝搬させるガイド波制御技術および特定方向からのガイド波を選択して増幅抽出することにより探傷に適する出力波形（パルス圧縮信号）を得る。例文帳に追加

To remove noise and to increase incoming guide wave power by using a broadband waveform propagating in both directions, to provide a guide wave control technique for propagating it in one direction and an output waveform (pulse compression signal) suitable for flaw detection by selecting a guide wave from a specific direction, amplifying and extracting it, in a non-destructive flaw detection technique of detecting a defect of a structure using guide wave. - 特許庁

さらに、本発明は、かかるＦＢＡＲ素子の製造方法ばかりでなく、犠牲層５３をポリシリコンから構成しドライエッチングによりエアギャップ（Ａ３）を形成することで通常のウェットエッチングによるエアギャップ形成工程において生じる構造的欠陥を防止できると同時に、バイアホールの形成位置及び数を自在に調節できるＦＢＡＲ素子の製造方法も提供する。例文帳に追加

In addition to a method of manufacturing the FBAR element, there is provided a method of manufacturing the FBAR element, which is capable preventing structural drawbacks occurring in an air gap forming process due to normal wet etching, by forming a sacrificial layer 53 with a polysilicon and forming an air gap (A3) by dry etching, and which is capable of freely adjusting locations and the number of via holes. - 特許庁

半導体素子を形成する領域の応力を制御して、電荷の移動度を向上させた半導体素子を備えた半導体装置およびその製造方法、並びに、部分的にＳＯＩ構造を形成しても半導体素子を形成する領域に結晶欠陥や結晶転位がより少ない半導体装置の製造方法およびその方法により製造された半導体装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor device equipped with semiconductor elements in which stress of a region where the semiconductor elements are formed is controlled to improve mobility of electric charges, to provide its fabricating process and further to provide a semiconductor device fabricating process in which less crystal defect and less crystal transition are generated in a semiconductor element forming region even if a SOI structure is partially formed, and furthermore to provide the semiconductor device fabricated by the process. - 特許庁

非酸化性雰囲気で焼成する際、投入個数が多くても内部電極切れを防止し、ショート不良がなく、高い静電容量と構造欠陥の発生しにくい積層セラミックコンデンサなどに代表される積層電子部品の内部電極に使用する導電ペーストを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide conductive paste used for an internal electrode of a stacked electronic component represented by a stacked ceramic capacitor which prevents cutting of the internal electrode even if a large number of the capacitors are applied, when baking them in a non-oxidizing atmosphere, having no short-circuiting failure, nor high electrostatic capacity, nor structural defect. - 特許庁

単層カーボンナノチューブの成長途中で欠陥を導入してグラフェンシートの６員環構造中に５員環または７員環を導入することによりカイラリティ変化を誘起し、半導体的単層カーボンナノチューブ１１と金属的単層カーボンナノチューブ１２とがそれらの長手方向に互いに接合している単層カーボンナノチューブヘテロ接合を形成する。例文帳に追加

In the middle of the growth of single wall carbon nanotubes, defects are introduced, and five-membered rings or seven-membered rings are introduced into a six-membered ring structures of graphene sheets, thereby the chirality modification is induced, and single wall carbon nanotubes heterojunctions are formed in which semiconductor single wall carbon nanotubes 11 and metallic single wall carbon nanotubes 12 join in those longitudinal directions mutually. - 特許庁

また、１８０ｎｍ以下の紫外線は、ＩＴＯなどの透明導電酸化物をほとんど透過しないので、ＴＦＴ構造の表面にＩＴＯの透明電極パターンが形成されたＴＦＴアレイ基板上の、印刷不良などの欠陥のあるポリイミド配向膜を除去するのに用いることができる。例文帳に追加

Moreover, since the ultraviolet rays of the wavelength of 180 nm or shorter are hardly transmitted to a transparent conductive oxide, such as an ITO(indium-tin oxide), the rays can be used for removing a polyimide orientation film having defects, such as a defective printing, on a TFT array board with an ITO transparent electrode pattern formed on the surface of the structure of a TFT. - 特許庁

本発明に係る圧延銅箔は、主成分としての銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物と、チタン（Ｔｉ）と、銀（Ａｇ）と、銅（Ｃｕ）及び銀（Ａｇ）以外で結晶構造が面心立方で、かつ積層欠陥エネルギーの値が銅（Ｃｕ）より大きい値を有する元素群の中から選択される１種以上の添加元素と、を含むことを特徴とする圧延銅箔である。例文帳に追加

The rolled copper foil includes: copper (Cu) as the main component with inevitable impurities; titanium (Ti); silver (Ag); and one or more kinds of additive elements selected from an elemental group excluding copper (Cu) and silver (Ag), which has a face-centered cubic crystal structure, and also has the value of stacking fault energy higher than that of copper (Cu). - 特許庁

本発明は、表面に欠陥が少なく安定性の高い絶縁層を有するとともに、結晶性に優れたシリコンナノ結晶粒を形成することができ、しかも結晶の粒径制御性、充填密度に優れ、かつドライプロセスのみで生産性よく形成可能なシリコンナノ結晶構造体の作製方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon nano-crystal structure by which silicon nano-crystal grains each having an insulation layer having less defects and high stability on the surface, and having excellent crystallinity can be formed, and further, the grain diameter controllability and packing density of the crystals are excellent, and the formation thereof can be performed with high productivity only by a dry process. - 特許庁

貼り合わせた一対の基板の外周部分に保護壁パターン５、シールパターン３および封止パターン６の三重シール構造が形成されているため、シールパターン３や封止パターン６に欠陥があっても、保護壁パターン５によって貼り合わせた一対の基板間へのエッチング液侵入が阻止される。例文帳に追加

A triple-seal structure of the protection wall pattern 5, seal pattern 3, and sealing pattern 6 is formed at the outer peripheral part of the couple of stuck substrates, so even if the seal pattern 3 and sealing pattern 6 have defects, the etchant is stopped by the protection wall pattern 5 from entering a space between the couple of stuck substrates. - 特許庁

熔接のスタート時および終了時におけるアークの不安定によって発生する熔接欠陥を防止できるようにするエンドタブを使用した熔接技術に関し、特に繰返し利用可能とすることにより、経済性に秀れたアーク熔接を実現化できるようにする新規な構造からなる銅製エンドタブ、およびそれを利用した新規なアーク熔接方法を提供する。例文帳に追加

To provide an end tab made of copper with a new structure capable of realizing arc welding excellent in cost effectiveness by allowing repeated utilization in particular as to a welding technique using an end tab capable of preventing welding defects caused by the instability of an arc on start and completion of welding, and to provide a new arc welding method using the same. - 特許庁

試料調製速度を著しく大きくして被検対象の瞬間構造固定試料の質を改善することを可能にし、試料調製の確実性と再現性を改善し、かつ試料調製の際の操作技術的経過を容易にして平均的な訓練を受けかつ平均的な才能を有する技術員でも欠陥のない試料を調製する装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device allowing technical personnel having gone through average training and having average ability to prepare a defect-free specimen by remarkably enlarging specimen preparing speed to improve the quality of an instantaneous immobilized structure specimen to be tested, improving the reliability and reproducibility of specimen preparation, and facilitating operational technical process during specimen preparation. - 特許庁