「欠陥中心」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

結晶中心部が無欠陥領域、酸化誘起積層欠陥発生領域又は赤外散乱欠陥発生領域となる条件で結晶育成を行う。例文帳に追加

Crystal growth is conducted under a condition that the central part of the crystal becomes a defect-free zone, an oxidation inducement stacking defect-formed zone or an infrared scattering defect-formed zone. - 特許庁

欠陥に基づく反射波信号を検出する際に、２種類の欠陥検出ゲートを設け、しきい値を超える前記欠陥に基づく反射波信号を検出したゲート数を求め、欠陥が板厚中心面に対してどちら側の鋼板内に存在するのかの判別を可能にした。例文帳に追加

When a reflection wave signal is generated by the defect and detected, two types of defect detecting gates are provided, the number of gates for detecting the reflection wave signal generated by the defect and exceeding a threshold value is found, and the location of the defect relative to the central face in thick can be determined. - 特許庁

基板上の層間絶縁膜の欠陥部２０１に、リペア中心座標２０２を中心とするカット穴２０３を形成する。例文帳に追加

A cut hole 203 having its center at repair center coordinates 202 is formed in the defect part 201 of an inter-layer insulating film on the substrate. - 特許庁

本発明の欠陥検出方法は、透明板状体の透過光を用いて欠陥を検出する欠陥検出方法において、照明光の中心と検出器の光学的中心とを直線上に配置し、さらに、光軸上に照明光を遮光する遮光体を設ける。例文帳に追加

In the defect detecting method for detecting defects through the use of light transmitted through a transparent-plate-like body, both the center of illumination light and the optical center of a detector are arranged on a straight line, and a light shielding body for shielding illumination light is provided on an optical axis. - 特許庁

ドリフト領域４内に形成されている結晶欠陥には、バンドギャップの中心からのエネルギー差が０．２ｅＶ未満の領域内に形成されている結晶欠陥を終端処理することにより生じるトラップ準位の結晶欠陥が含まれている。例文帳に追加

A crystal defect formed in the drift region 4 includes a crystal defect of a trap level generated by performing termination processing to the crystal defect formed in a region of <0.2 eV in an energy difference from the center of a band gap. - 特許庁

アモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）半導体厚膜形成時に潜在的に生成される構造欠陥と、欠陥の電荷捕獲中心への変化を最低限に抑えて、感度が劣化しない大面積Ｘ線検出器を提供する。例文帳に追加

To provide an X-ray detector with a large area which does not degree by suppressing a minimum structural defect latently produced during forming an amorphous-selenium (a-Se) semiconductor thick film and a variation in the defect to a charge capture center. - 特許庁

バンドギャップの中心からのエネルギー差が０．２ｅＶ未満の領域内に形成されている結晶欠陥を終端処理することにより生じるトラップ準位の結晶欠陥は、リーク電流に対する依存性が弱い。例文帳に追加

The crystal defect of the trap level generated by performing termination processing to the crystal defect formed in the region of <0.2 eV in the energy difference from the center of the band gap is small in dependency with respect to a leak current. - 特許庁

したがって、外周部から中心部に向かって多系などのマクロ欠陥、基底面転位などのミクロ欠陥が伸展するという問題が発生することを防止できる。例文帳に追加

Therefore, the emergence of problems including the extension of macroscopic defects such as polycrystalline systems headed to the center from the outer periphery and the extension of microscopic defects such as basal surface dislocation is prevented. - 特許庁

被加工材の内部に応力及びひずみを集中させ、内部、特にピン部等中心部の欠陥の閉塞を効率よく行うことにより、クランクスロー等の鍛造材の内部欠陥を改善する鍛造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a forging method for remedying the internal defect of a forged material such as a crank throw by concentrating stress and strain on the inside of a workpiece and efficiently performing stoppage of the defect in the inside, especially a center part such a pin part. - 特許庁

前者の圧延では、板厚中心部のＵＳＴ検出可能サイズ以下の欠陥（未圧着ザク性欠陥）を解消し、後者の圧延では結晶粒微細化を行う。例文帳に追加

The former rolling solves the defect of the size equal to or below that detectable by UST in the center part of the plate thickness (micro cavity not rolled-in yet), and, in the latter rolling, crystal grain refining is executed. - 特許庁

走行する鋼板の内部欠陥を正確にかつ迅速に、しかも内部欠陥が板厚中心面に対してどちら側に存在するのかも検出することが可能な超音波探傷装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ultrasonic flaw detector for accurately and quickly detecting an internal defect in a running steel plate and a location of the internal defect relative to a central face in thick. - 特許庁

アモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）半導体厚膜形成時に潜在的に生成される構造欠陥と、欠陥の電荷捕獲中心への変化を最低限に抑えて、感度が劣化しない大面積Ｘ線検出器を提供する。例文帳に追加

To provide a large-area X-ray detector which minimizes the structural defects that are potentially generated at the formation of an amorphous selenium (a-Se) semiconductor thick film, minimizes the changes in defects, as nearing the charge trapping center, and the sensitivity of which will not deteriorate. - 特許庁

したがって、外周部から中心部に向かって多系などのマクロ欠陥、基底面転位などのミクロ欠陥が伸展するという問題が発生することを防止できる。例文帳に追加

Therefore, the occurrence of problems including the extension of macroscopic defects such as polycrystalline systems headed to the center from the outer periphery and the extension of microscopic defects such as basal surface dislocation is prevented. - 特許庁

したがって、中心電極１４に、火花放電開始電圧Ｖ_scより大きく火花放電開始電圧Ｖ_sgより小さい電圧が印加された場合に、放電が起きれば欠陥２９が有り、放電が起きなければ欠陥２９が無いと検出することができる。例文帳に追加

On the other hand, when the discharge does not occur, it is detected that no defect 29 exists. - 特許庁

これにより、構造欠陥と欠陥の電荷捕獲中心への変化が最低限に抑えられ、感度劣化の殆どないＸ線検出器を得ることができる。例文帳に追加

By this, the structural defect and the variation in the defect to the charge capture center is suppressed minimum and an X-ray detector with little sensitivity degradation can be obtained. - 特許庁

核と核を中心として略放射状に延びる内部欠陥とを有する酸化物の結晶粒からなる担体の、少なくとも内部欠陥に貴金属を担持した。例文帳に追加

The noble metal is supported at least in the internal defect of a carrier consisting of the crystal grain of an oxide having a nucleus and the internal defect extending nearly radially around the nucleus. - 特許庁

これにより、構造欠陥と欠陥の電荷捕獲中心への変化が最低限に抑えられ、感度劣化の殆どないＸ線検出器を得ることができる。例文帳に追加

Accordingly, this makes it possible to obtain an X-ray detector which minimizes structural defects and changes in defects, as nearing the charge trapping center and which hardly deteriorates in the sensitivity. - 特許庁

ＨＴの配線パターン１の白欠陥の中心部分には、透過率が透過率が０〜２％の範囲内の遮光領域１１が形成される。例文帳に追加

A light shielding region 11 with a transmittance within the range of 0-2 % is formed at a central part of white defects of an HT wiring pattern 1. - 特許庁

本発明は、鍛伸にて大型製品を製造する際に使用する金敷による中心欠陥防止方法を提供する。例文帳に追加

To provide a center defect prevention method for preventing a center defect attributed to an anvil used when a large-sized product is manufactured by cogging. - 特許庁

さらに、各画素を中心とする第１の方向での予め定める微分幅での微分値に基づいて、鋭角凹欠陥であるか否かを判定する。例文帳に追加

Further, it is determined whether it is an acute angle concavity defect on the basis of the differential value at a predetermined differential width in the first direction with each pixel as the center. - 特許庁

コイルを非常に正確に中心に配置できるため、欠陥品が非常に少なく生産性の高い桿状グロープラグを提供する。例文帳に追加

To provide a rod-shaped glow plug which achieves a higher productivity with very limited number of defective products by arranging a coil very accurately at the center thereof. - 特許庁

加熱処理等によりＳＯＩ層１２内のキャリア再結合中心として作用する格子歪や格子欠陥などを除去する。例文帳に追加

Grating strain, a grating defect, etc., which operate as a center of carrier rebonding in the SOI layer 12 are removed through a heat treatment. - 特許庁

中心画素が、最大値グループに属する場合、周辺画素が属するグループ、及びこのグループに含まれる周辺画素の画素数に基づいて、中心画素が欠陥画素であるか否かを判定する。例文帳に追加

If the central pixel belongs to the maximum value group, it is determined whether the central pixel is a defective pixel or not based on the group, to which the neighboring pixels belong, and the number of pixels, which is included in this group. - 特許庁

デバイス層は、中心軸、周囲縁、中心軸から周囲縁まで伸びる半径、および凝集した真性点欠陥を実質的に含まない第１の軸対称領域を有する。例文帳に追加

The device layer comprises a central axis, a circumferential edge, a radius extending from the central axis to the circumferential edge, and a first axially symmetric region which is substantially free of agglomerated intrinsic point defects. - 特許庁

この一連の走査を組み合わせることにより、反射光強度測定器１０８において、凸欠陥２０１は中心より上部分の反射光強度が大きく、中心より下部分の反射光強度が小さくなって検出される。例文帳に追加

By combining this series of scanning, the protruding defect 201 is detected with higher intensity of reflected light at a part higher than the center and lower intensity of reflected light at a part lower than the center in the reflected light intensity measuring device 108. - 特許庁

欠陥画素検出部は、注目画素を中心とし、テクスチャ方向に連続して並ぶいくつかの画素を用いて、ラプラシアンを算出するとともに、異なる画素の組ごとに算出した複数のラプラシアンを閾値と比較して、注目画素が欠陥画素であるかを特定する。例文帳に追加

A defective pixel detection unit calculates Laplacians using some pixels centered on the pixel of interest and continuously aligned in the texture direction, and compares a plurality of Laplacians calculated for respective different sets of pixels with a threshold to identify whether the pixel of interest is a defective pixel. - 特許庁

円筒状又は円柱状のガラス物品の全周に亘る欠陥の有無を正確に検査すると共に、その欠陥検査に際してガラス物品の軸心を中心とする回転を不要として、検査時間の短縮化を確実に図る。例文帳に追加

To accurately inspect the presence of the flaw ranging over the whole periphery of a cylindrical or columnar glass article and to certainly shorten an inspection time by dispensing with the rotation of the glass article centering around its axis at the time of inspection of the flaw. - 特許庁

ＣＭＰ用研磨パッド表面の中心線平均表面粗さおよび研磨時の加工圧力を適正化し、半導体基板表面の研磨後の総欠陥数を減らしかつ欠陥に占めるスクラッチの割合を低減して、高い歩留まりを得ることが可能な半導体基板の研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a polishing method of a semiconductor substrate which can be obtained with high yield by optimizing a center line average roughness on a polishing pad surface for CMP and processing pressure at the time of polishing, reducing the total number of defects on the semiconductor substrate surface after polishing, and also reducing the ratio of scratches in the defects. - 特許庁

このように、致命領域パターンと、検査パターンとを比較して、両パターンの不一致により欠陥を検出するため、大型の配線パターンであってもこの配線パターンの中心部に対応する必要不可欠な領域の欠陥を高精度に検出できる。例文帳に追加

Thus, the fatal region pattern and the inspected pattern are compared to detect the defect from the non-coincidence of both patterns and hence the defect of the necessary indispensable regions corresponding to the center of the wiring pattern can be detected at a high precision. - 特許庁

微細で均一な凝固組織を備え、内部割れや中心偏析、センターポロシティ等の内部欠陥を抑制し、圧延等の加工を施した鋼材に発生する内部欠陥を少なくした微細な凝固組織を備えた鋳片及びそれを加工した鋼材を提供する。例文帳に追加

To provide a cast slab and a steel material working this cast slab with which the internal defects, such as internal crack, center segregation, center porosity, are restrained and the internal defect generated in the steel material applying the working, such as rolling, is reduced by providing the fine and uniform solidification structure. - 特許庁

補正手段は、欠陥画素判定部２２にて注目画素が欠陥画素であると判定され、さらに、エッジ方向判定手段２８エッジ方向でないと判定したときに、注目画素を中心に対称に配列された周辺画素の画素データから求めた補正値で補正する。例文帳に追加

The correction means makes correction by the correcting value obtained from the pixel data of circumference pixel arrayed in symmetry centering the pixel of interest when the pixel of interest is determined as a defective pixel by the defective pixel determining unit 22 and the direction is not determined as the edge direction by an edge direction-deciding means 28. - 特許庁

空孔が優勢な真性点欠陥の、凝集空孔真性点欠陥を実質的に有さない第一軸対称領域を、ウエハが含んで成り、該第一軸対称領域は、中心軸を含んで成るかまたは少なくとも約１５ｍｍの幅を有する。例文帳に追加

The wafer comprises a first axially symmetric region in which vacancies are the predominant intrinsic point defect and which is substantially free of agglomerated vacancy intrinsic point defects, wherein the first axially symmetric region includes the central axis or has a width of at least about 15 mm. - 特許庁

このような格子欠陥等はそれ自身がキャリア再結合中心となることのほか、その後のデバイス製造工程での熱処理を受けて転位等のマクロな欠陥となり、デバイスの電気的特性を所望の水準にまで低下させることが可能となる。例文帳に追加

Such a grating defect itself serves as a center of carrier rebonding, and becomes a macrodefect through a heat treatment in a subsequent device manufacturing stage, so that electric characteristics of a device are degraded to a desired level. - 特許庁

２次元フォトニック結晶に構成される光導波路において、結晶配位方向の１列の空気孔を除去した線欠陥を基本とし、前記線欠陥の最も内側に配位された複数の空気孔を、前記線欠陥の中心を軸として対称位置にある空気孔と互いに連結させた複数の連結空気孔から構成する。例文帳に追加

The optical waveguide constituted of two-dimensional photonic crystals is based on line defects which is obtained by removing one column of air holes in the crystal coordination direction from the two-dimensional photonic crystal, and is constituted of a plurality of coupled air holes formed by mutually coupling a plurality of air holes located most inside the line defects to air holes at symmetrical positions with respect to the center axis of the line defects. - 特許庁

ラインセンサを撮像素子として備える撮像手段と、暗視野照明となるようにウエーハ裏面の撮像部位を照明する照明手段と、前記撮像手段および前記照明手段とウエーハとの間を一定方向に相対移動させる移動手段と、ウエーハの略円形の中心を回転中心として回転させるウエーハ回転手段とから成り、暗視野照明によりコントラスト高い欠陥画像が得られるとともに、ウエーハの異なる２方向のスキャン画像を得ることにより欠陥の方向に関係なく欠陥を観測できる。例文帳に追加

A high contrast defect image is obtained by the dark field illumination, while the defect is observed without relating to the defect direction by having scanning images in different two directions of the wafer. - 特許庁

本発明の目的は、検査時の照明光の中心波長並びに波長幅を、容易に所望の値に設定できる欠陥検査装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a flaw inspection device capable of easily setting the center wavelength and wavelength width of illumination light at the time of inspection to desired values. - 特許庁

ＳＯＩ基板は、Ｓｉ基板（１０）に酸素イオンをイオン注入した際に結晶欠陥最大となるダメージピークの深さ位置に中心を有するＳｉＯ_2膜（２３０）を有する。例文帳に追加

A SOI substrate has an SiO2 film 230 the center of which is positioned to the depth of the damage peak at which crystal defects become the maximum when oxygen ions are implanted into an Si substrate 10. - 特許庁

入力されるＲＧＢの映像信号に対し、平均値算出回路２ａ，２ｂ，２ｃは中心画素信号と補間平均信号を出力し、制御回路１１は、欠陥画素補正チャンネルｃｈ１と参照チャンネルｃｈ２を出力する。例文帳に追加

To RGB video signals to be inputted, average value calculation circuits 2a, 2b, 2c output center pixel signals and interpolation average signals and a control circuit 11 outputs a defective pixel correction channel ch1 and a reference channel ch2. - 特許庁

そして、検出された被検査時の位置状態に応じて、検出された異物や欠陥の位置座標を、被検査物の中心座標を基に補正するように構成した。例文帳に追加

Depending on a detected position state at inspection, the position coordinates of a detected defect or contamination is corrected based on the central coordinates of the workpiece. - 特許庁

高合金鋼を含む特殊鋼の鋳片を連続鋳造するに際して、センターポロシティ、中心偏析あるいはＶ状偏析等の内部欠陥が発生するのを抑制し、製品品質および歩留りを向上する。例文帳に追加

To enhance the product quality and yield by suppressing the generation of inner defects such as center porosity, center segregation, or V-shaped segregation, in continuously casting a casting of a special steel containing a high alloy metal. - 特許庁

高合金鋼を含む特殊鋼等の鋳片を連続鋳造するに際して、センターポロシティ、中心偏析あるいはＶ状偏析等の内部欠陥が発生するのを抑制し、製品品質および歩留りを向上する。例文帳に追加

To enhance the product quality and yield by suppressing the generation of inner defects such as center porosity, center segregation, or V-shaped segregation, in continuously casting a casting of a special steel containing a high alloy metal. - 特許庁

そして、検出された被検査時の位置状態に応じて、検出された異物や欠陥の位置座標を、被検査物の中心座標を基に補正するように構成した。例文帳に追加

The inspection device is structured to correct the positional coordinates of a detected foreign matter or defect based on the central coordinates of the inspection object, in accordance with the detected positional condition when inspected. - 特許庁

中心に内孔を有する円盤状の磁気記録媒体基板の両面に均一な欠陥のないレジスト層を効率的に形成できる磁気記録媒体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a magnetic recording medium, with which a uniform resist layer without any defects can efficiently be formed on both surfaces of a disk-shaped magnetic recording medium substrate having an inner hole at a center thereof. - 特許庁

後に分塊圧延などの熱間加工を加えることなく表面が平坦で、かつ中心軸に沿った鋳造欠陥の残存を低減できる鍛造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a forging method by which the remaining of defective casting the surface of which is flat and along the center axis is reduced without applying hot working such as blooming rolling later. - 特許庁

炭素を多く含む溶鋼中に凝固核を安定して形成し、合金コストを低減し、凝固組織を微細にして内部割れや中心偏析、センターポロシティ等の内部欠陥の無い微細な凝固組織を備えた鋳片を提供する。例文帳に追加

To provide a cast slab providing fine solidified-structure without developing internal defect, such as internal crack, center segregation, center porosity, by stably forming solidified nuclei in molten steel containing much carbon, reducing an alloy cost and micronizing the solidified structure. - 特許庁