「相領域」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

位相差層６１は、透過表示領域Ｔと平面的に重なる領域が、光学的に透明な（すなわち、複屈折を持たない）等方層６３になっており、反射表示領域Ｒと平面的に重なる領域が、位相差を調整する異方層６４となっている。例文帳に追加

In the phase difference layer 61, an area planarly overlapping with the transmitting display area T is composed of an optically transparent (or non-birefringent) isotropic layer 63, and an area planarly overlapping with the reflecting display area R is composed of an anisotropic layer 64 which adjusts the phase difference. - 特許庁

常温領域で固体相を示し、常温領域より高い所定温度領域でコレステリック液晶相を示し、さらに、コレステリック液晶相を示す温度領域より高い所定温度領域で等方相を示す液晶組成物を含む感熱記録層を備えた可逆性感熱記録媒体に、所望の色で画像を形成する記録方法。例文帳に追加

The image is formed in a desired color on the reversible thermosensitive recording medium containing a liquid crystal composition exhibiting a solid phase in a normal temperature range, exhibiting a cholesteric liquid crystal phase in a predetermined temperature range higher than the normal temperature range and further exhibiting an isotropic phase in a predetermined temperature range higher than the temperature range exhibiting the cholesteric liquid phase. - 特許庁

３つの異なる位相シフト領域を有する位相シフトマスクおよびその製造方法例文帳に追加

PHASE SHIFT MASK HAVING THREE DIFFERENT PHASE SHIFT REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

相変化層の相変化領域の直上には、放熱フィンとして機能する電極が存在しない。例文帳に追加

Right above the phase change region of the phase change layer, an electrode which functions as a heat dissipation fin does not exist. - 特許庁

評価値は例えば参照領域内における整相加算後の信号の総和に相当するものである。例文帳に追加

The evaluation value is equivalent to the total sum of signals after phasing addition inside the reference area for instance. - 特許庁

分極反転領域の形成方法、擬似位相整合素子の製造方法、及び擬似位相整合素子例文帳に追加

METHOD OF FORMING POLARIZATION REVERSAL AREA, METHOD OF MANUFACTURING PSEUDO PHASE MATCHING ELEMENT AND PSEUDO PHASE MATCHING ELEMENT - 特許庁

反射領域２４には、λ／４位相差を有するλ／４位相差板１６を配置する。例文帳に追加

On the reflection area 24, a λ/4 retardation plate 16 having λ/4 retardation is disposed. - 特許庁

このチェッカーボードアレイは、１８０度の位相差を有する交互位相シフト領域Ｒを有している。例文帳に追加

The checkerboard array comprises alternating phase-shift regions R that have a relative phase difference of 180 degrees. - 特許庁

非位相シフト領域は、構造の両側の狭い位相シフト部分を越えて延びる。例文帳に追加

A non-phase shift region extends beyond the narrow phase shift portion at both sides of the structure. - 特許庁

無相互相関領域を有する符号系列セットを用いたＣＤＭＡ通信方式例文帳に追加

CDMA COMMUNICATION SYSTEM EMPLOYING CODE SEQUENCE SET WITH NONCROSS-CORRELATION AREA - 特許庁

時相範囲設定部５３は、分割領域ごとに時相範囲を設定する。例文帳に追加

The time phase range setting part 53 sets the time phase ranges for each division area. - 特許庁

位相シフトマスクの製造における位相シフト領域形成時のアライメント決例文帳に追加

METHOD FOR DETERMINING ALIGNMENT WHEN PHASE SHIFT REGION IS FORMED IN MANUFACTURE OF PHASE SHIFT MASK - 特許庁

造影剤が投与された被検体の所定部位を含む二次元領域又は三次元領域を被走査領域として、解析期間に亘って、被走査領域に対して超音波を送信すると共に当該被走査領域からの反射波を受信し、被走査領域に関する超音波データを、解析期間の各時相毎に取得する。例文帳に追加

Ultrasonic data associated with a scan area is acquired for each phase in an analysis period by transmitting ultrasonic waves to the scan area throughout the analysis period, the scan area being a two-dimensional area or a three-dimensional area including a predetermined region of an object to which a contrast medium is administered, and by receiving reflected waves from the scan area. - 特許庁

半導体素子は、半導体基板１００に形成された第１導電型ウェル領域に相互離隔して形成される第２導電型ドリフト領域、ドリフト領域３１０上に突起されるバーティカル領域３２０、及びバーティカル領域上に形成される第２導電型ソース／ドレイン領域６００を含む。例文帳に追加

A semiconductor device comprises: second-conductive-type drift regions that are formed in a first-conductive-type well region formed in a semiconductor substrate 100 so as to be spaced apart from each other; vertical regions 320 that are protruded from the drift regions 310; and second-conductive-type source/drain regions 600 that are formed on the vertical regions. - 特許庁

そして、この整列通路３０は、搬送方向上流側から下方に傾斜する第一の滑落領域１と、その第一の滑落領域１より勾配が大きい第二の滑落領域２と、その第二の滑落領域２より勾配が小さい第三の滑落領域３と、をこの順に有し、これら三つの滑落領域が、相互に滑らかに繋がっている。例文帳に追加

The aligning path 30 has a first slipoff region 1 inclining downward from upstream in the transporting direction, a second slipoff region 2 having a larger gradient than the first 1, and a third slipoff region 3 having a smaller gradient than the second 2 in the sequence as named, in such an arrangement that the three regions are tied smoothly to one another. - 特許庁

第２の領域内の一方の固定長領域に作成された情報を情報記録媒体に記録する場合、あるいは記録媒体上の情報を前記第２の領域内の一方の固定長領域に再生する場合において、第２の領域内の２箇所の固定長領域の情報をアドレス交換手段により相互に移動する。例文帳に追加

When recording the information formed in one of the fixed-length areas in the second area on an information recording medium or when reproducing the information on the recording medium into one of the fixed-length areas in the second area, the information on the two fixed-length areas in the second area are exchanged for each other by the address swapping means. - 特許庁

ソースおよびドレイン領域の一方は、延在部の側壁２３ａ、２３ｂから離れた半導体層の領域に形成された高濃度不純物領域３ａ、３ｂと、高濃度不純物領域より相対的に不純物濃度が低く、延在部下に位置する半導体層の領域に形成された低濃度不純物領域４ａ、４ｂとを含む。例文帳に追加

One of source and drain regions comprises heavily doped impurity regions 3a, 3b formed in a region of a semiconductor layer apart from the side walls 2a, 23b of an extension part, and lightly doped impurity regions 4a, 4b that have relatively low impurity concentration compared with the heavily doped impurity region and are formed in a region of a semiconductor layer positioned below an extension part. - 特許庁

パララックス調整により設定される主画素領域と、該領域を除く領域から選択した副画素領域により焦点状態検出が行われ、フォーカス制御部１３３は第１の制御モードで主画素領域による測定結果を用いて位相差ＡＦを行い、第２の制御モードでは副画素領域による測定結果を補助情報として撮像信号ＡＦを行う。例文帳に追加

A focus state detection is performed by using a main pixel region set by parallax adjustment and a subpixel region selected from the regions excluding that region, and the focus control unit 133 performs phase difference AF in a first control mode, using a measurement result with the main pixel region, while it performs an imaging signal AF in a second control mode, using a measurement result with the subpixel region as auxiliary information. - 特許庁

ｎ型の半導体基板１０の主面側に複数のｐ半導体領域１３を離してまたは一部が重なるように形成し、隣り合うｐ半導体領域１３にまたがってｎ半導体領域１７を浅く形成することによって、隣り合うｐ半導体領域１３の相対峙する浅い領域をｎ半導体領域１７との重なりによって補償する。例文帳に追加

By forming a plurality of p-type semiconductor regions 13 on the main surface side of an n-type semiconductor substrate 10 separately or so as to be partially overlapped, and forming an n-type semiconductor region 17 shallow over the adjacent p-type semiconductor regions 13, the mutually opposing shallow regions of the adjacent p-type semiconductor regions 13 are compensated by an overlap with the n-type semiconductor region 17. - 特許庁

一方、Ｎ型可変容量形成領域Ａ３及びＰ型可変容量形成領域Ａ４に形成されるそれぞれ形成されるＮ型可変容量Ｃ１及びＰ型可変容量Ｃ２はＰ^-ポケット領域１７及びＮ^-ポケット領域２７に相当する取り出し電極領域隣接逆導電型領域を有していない。例文帳に追加

Meanwhile, an N-type variable capacitance C1 and P-type variable capacitance C2 respectively formed at an N-type variable capacitance forming region A3 and a P-type variable capacitance forming region A4 do not have inverse conductivity type regions adjacent to the leadout electrode regions corresponding to the P^- pocket region 17 and N^- pocket region 27. - 特許庁

消滅干渉を起こせるように隣接配置された相異なる位相の位相反転領域２つよりなってアクセス配線を定義する位相反転領域対と前記位相反転領域対とを定義すべく透明基板上に形成された第１不透明パターンを含む。例文帳に追加

The mask set contains: a pair of phase inversion regions which consist of two phase inversion regions having different phases arranged adjacent to each other to induce extinction interference and which define an access line; and a first opaque pattern formed on a transparent substrate to define the above phase inversion region pair. - 特許庁

また、その色空間における色相平面を複数の色相領域に分割し、各色相領域に属する色相信号を規定ＲＧＢ信号として適切な信号に変換するための色変換行列を各色相領域に設定する。例文帳に追加

Further, this method sets the color conversion matrix to divide the hue plane in the color space into a plurality of hue areas and to convert the hue signal belonging to each hue area as a specified RGB signal into a proper signal to each hue area. - 特許庁

表示部１の観察側前面に配置される光学フィルタにおいて、光透過率が相対的に高い領域（光透過領域５）と相対的に低い領域（光吸収領域４）とを混在させて配置するとともに、光透過率が相対的に低い領域の観察側表面に光を拡散させる処理を施す（または部材を設ける）。例文帳に追加

The optical filter arranged at the observation side front surface of a display part 1 has regions relatively high in light transmittance (light transmitting regions 5) and regions relatively low in light transmittance (light absorption regions 4) arranged intermingled, and the observation side surface of the region relatively low in light transmittance is subjected to light diffusion processing (or provided with a member). - 特許庁

照射光に対して透明な基板上に、ラインパターンが形成された遮蔽領域と、前記遮蔽領域の両側にそれぞれ配置された第一の透明領域および第二の透明領域とを有し、前記第一の透明領域の下方には位相シフタが形成されており、前記位相シフタの側壁が、外側に凸の湾曲部を有している位相シフトマスクを提供する。例文帳に追加

The phase shift mask is provided with a shielded region having a line pattern formed therein and first and second transparent regions disposed on both sides of the shielded region on a substrate transparent to irradiated light, wherein a phase shifter is formed below the first transparent region and a side wall of the phase shifter has a curved portion convex to the outside. - 特許庁

これにより、実回転位相がアシスト位相領域である場合にも、位相制御弁８０のソレノイド８２に与えるデューティ比を実回転位相が非アシスト位相領域にある場合と同様に制御すればよいことになる。例文帳に追加

By this, even if the actual rotation phase in the assist phase region, a duty ratio to be applied to a solenoid 82 of a phase control valve 80 can be controlled as the same as when the actual rotation phase is in the non-assist phase region. - 特許庁

一方の種類の位相差領域の遅相軸および他方の種類の位相差領域の遅相軸の二等分線と、基材フィルムの遅相軸とが互いに平行となっている。例文帳に追加

Each bisector of the slow axis in one type of phase difference area and of the slow axis in the other type of phase difference area is parallel to the slow axis of the base film. - 特許庁

信頼性評価部４は、相関先領域と隣接相関先候補との間の相関値の変化量と、相関値の誤差幅Ｅ1とに基づいて、相関先領域の位置の誤差幅Ｅ2を推定する。例文帳に追加

A reliability evaluation part 4 estimates an error width E2 of the position of the correlation destination area based on a change amount of the correlation value between the correlation destination area and the adjacent correlation destination candidate, and an error width E1 of the correlation value. - 特許庁

マッチング処理部２は、所定の複数の相関先候補のそれぞれに関して算出した、相関元領域との相関の程度を示す相関値に基づいて、候補のいずれかを相関先領域として特定する。例文帳に追加

A matching processing part 2 specifies one of a plurality of prescribed correlation destination candidates as the correlation destination area based on a correlation value showing a degree of correlation with a correlation source area calculated for each of the candidates. - 特許庁

網目を有する網領域２ａ、３ａと、該網領域の両側に隣接して夫々配置された接合領域２ｂ、３ｂと、を含む２つの板材２、３を相互に重ね合わせ、前記接合領域において接合した網型枠であって、各々の前記板材の前記網領域が相互に離隔するように、少なくとも一方の板材３における前記網領域と前記接合領域との間の領域３ｃを曲折したことを特徴とする網型枠が提供される。例文帳に追加

In the net form mutually overlapping two plate materials including net areas 2a, 3a having meshes and joining areas arranged adjacent to both the sides of the net area and joined in the joined area, an area 3c between the net area and the joined area at least in one plate material 3 is bent so that the net areas of each plate material are mutually separated. - 特許庁

また、細胞系は、アデノウイルスのＥ１領域、Ｅ２Ａ領域およびＥ４領域の必須の遺伝子機能における欠損を、トランスに相補する細胞ゲノムを有する２９３細胞系よりなる。例文帳に追加

Further, the cell line comprises a 293 cell line having a cell genome which trans-compliments deficiency in essential gene functions of the E1 region, the E2A region, and the E4 region of the adenovirus. - 特許庁

シアン色として適切な色相角を有し、彩度が高く、低明度領域から高明度領域まで幅広い明度領域において高い彩度を発現することのできる静電荷像現像用シアントナーを提供すること。例文帳に追加

To provide a cyan toner for electrostatic charge image development having a suitable hue angle as a cyan color and high chroma saturation and being capable of giving high chroma saturation in a wide luminosity area from a low luminosity area to a high luminosity area. - 特許庁

ＣＰＵ１１ａは、また、設定操作が行われたことに応じて、撮像画像上における駐車領域画像の位置に基づき、自車両に対するその駐車領域画像が表す駐車領域の相対位置を検出する。例文帳に追加

The CPU 11a also detects the relative position of the parking area expressed by the parking area image for the vehicle based on the position of the parking area image on the image taken by the camera when setting operation is made. - 特許庁

前記絶縁体層を通して前記ソース領域および前記ドレイン領域に対する局所的相互接続体を作成するために、エッチング領域を用いてパターンに作成するためのエッチングが実行される。例文帳に追加

In order to prepare a local interconnector for the said source region and the said drain region through the said insulator layer, etching is executed for preparing a pattern while using an etching region. - 特許庁

なお、隣接活性領域の間で局部的な相互接続が望まれるならば、これらの活性領域を分離するＳＴＩ領域上のポリシリコン層はエッチングして除去されない。例文帳に追加

When a local interconnection between adjacent active areas is preferred, the polysilicon layer in the STI area separating those active areas is not etched away. - 特許庁

活性層４は、回折格子層８の直下となるＤＢＲ領域及び位相制御領域におけるバンドギャップが、利得領域におけるバンドギャップよりも大きくなるように形成する。例文帳に追加

The active layer 4 is formed in a way that a band gap in a DBR region and a phase control region equivalent to regions beneath the diffraction grating layer 8 is greater than a band gap in a gain region. - 特許庁

表示領域座標に相当する元製品のパターンレイアウト中の領域が新製品のパターンレイアウト中の所定領域と等しい倍率で拡大されてモニタに連動して表示される。例文帳に追加

An area in a pattern layout of an original product corresponding to the display area coordinates is expanded by a magnification equal to that of the predetermined area in the pattern layout of the new product and displayed linked with the monitor. - 特許庁

分岐領域Ｒには、母相液体流通領域Ｙから第１流路１０に通じる領域に沿う形態で対向電極４９が配置されている。例文帳に追加

In the splitting area R, opposing electrodes 49 are arranged along an area from a matrix phase liquid flowing area Y to the first passage 10. - 特許庁

クロムマスクなどのバイナリマスク，または位相シフトマスクである半導体製造用マスク１００は，パターン転写領域１１０を有し，さらにパターン転写領域１１０にはパターン密集領域１１２が含まれている。例文帳に追加

The mask 100 for semiconductor manufacture as a binary mask such as a chromium mask or a phase shift mask has a pattern transfer area 110 and a pattern massed area 112 is included in the pattern transfer area 110. - 特許庁

半導体基板１００は、第一のレチクルにより露光形成された第一の領域と、第二のレチクルにより第一の領域の一部分と相互に接続するように露光形成された第二の領域とに分割される。例文帳に追加

The semiconductor substrate 100 is divided into a first area exposed and formed by a first reticle, and a second area exposed and formed so as to be mutually connected with the first part of the first area by a second reticle. - 特許庁

第２領域３ｅ２の肉厚は第１領域３ｅ１の肉厚よりも相対的に小さく、そのために、両領域の境界部はボディー部３ｅの外面において段差部３ｅ３を形成している。例文帳に追加

The thickness of the second region 3e2 is relatively smaller than that of the first region 3e1, and a boundary part of both regions forms a step 3e3 on the outer surface of the body part 3e. - 特許庁

入力領域（５Ａ）と相互作用領域（５Ｃ）との間に、インピーダンス整合領域（５Ｂ）を設け、入力高周波信号が反射しないようにインピーダンスを調整する。例文帳に追加

An impedance consistency region (5B) is provided between an input region (5A) and the interaction region (5C) and impedance is adjusted so that the input high frequency signal is not reflected. - 特許庁

無効領域設定部４１では、あらかじめ、ペン１を持つ手によって押下される座標位置の領域を、ペン座標値に対して相対的な位置が定められた無効領域として設定する。例文帳に追加

An ineffective area setting part 41 sets the area of coordinate positions pressed by the hand holding the pen 1 as an ineffective area wherein relative positions are determined for pen coordinate values. - 特許庁

相異なる不純物でドーピングされた第１及び第２シリコン酸化膜を用いてソース／ドレーン領域を構成する浅い拡張領域及び深い接合領域を同時に形成するＭＯＳＦＥＴ素子の製造方法である。例文帳に追加

In the manufacturing method for MOSFET element, a shallow extension area and a deep join area constituting a source/drain area are formed at the same time by using 1st and 2nd silicon oxide films doped with mutually different impurities. - 特許庁

本発明にかかるニワトリキメラ抗体は、ニワトリ抗体のヒンジ領域に相当する領域の代わりに哺乳動物、好ましくはヒト由来のヒンジ領域を付加している。例文帳に追加

This avian chimera antibody is obtained by adding a hinge region derived from a mammal, preferably a human, instead of a region corresponding to the hinge region of an avian antibody. - 特許庁

各キーワード領域のサイズ変更や移動によって、各キーワード領域を重ねるなどして、各キーワード領域の相互の配置状態を必要とする医用画像の条件に応じたものとする。例文帳に追加

Each keyword area is resized or moved to, for example, overlap others so as to satisfy a condition of medical images that requires the arrangement of the keyword areas. - 特許庁