「表面再結合」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

シリコン基板等の半導体基板の表面を一層不活性化し、基板表面でのキャリアの再結合を一層低減する。例文帳に追加

To further reduce the recombination of carriers on the surface of a semiconductor substrate such as a silicon substrate by further inactivating the surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

表面再結合とバルクの再結合とを区別することを可能とし、バルクの少数キャリアの再結合ライフタイムτ_r を区別して測定できる事を可能とし，ウェハ基板内の金属汚染であるかどうかの選別できるようにする。例文帳に追加

To determine metal contamination in a wafer substrate by discriminating between surface recombination and recombination of the bulk, and discriminatingly measuring a recombination lifetime τ_r of minority carriers of the bulk. - 特許庁

基板の回転により、混合ガスが層流（２９）にて基板表面に向かって下方に移動され、再循環やラジカルの再結合を低減する。例文帳に追加

The mixed gas moves downward toward the surface of the substrate in a laminar flow (29) state by the rotation of the substrate to reduce recirculation and recombination of the free radical. - 特許庁

比較的強度の強いプローブ光の影響を受けたＦＫ振動からであっても表面フェルミ準位を求めることができると同時に表面再結合速度を決定できる表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for measuring surface carrier recombination speed capable of obtaining surface Fermi level even from FK oscillation influenced by probe light having relatively large intensity and at the same time capable of determining surface recombination speed. - 特許庁

エピタキシャル層またはSOI層の再結合ライフタイムを、前記ウェーハに対して第一の表面不活性化処理を行った後に測定される第一の再結合ライフタイムと、前記第一の再結合ライフタイム測定後のウェーハに対して第二の表面不活性化処理を行った後に測定される第二の再結合ライフタイムを用いて求める。例文帳に追加

The recombination life time of the epitaxial layer or the SOI layer is obtained by employing a first recombination life time measured after applying a first surface non-activation process with respect to the wafer, and a second recombination life time measured after applying a second surface non-activation process with respect to the wafer after measuring the first recombination life time. - 特許庁

表面再結合を抑制するためのケミカル・パッシベーションを、ワックス又は樹脂にて半導体試料の表面をコーティングして同表面を前記パッシベーション状態にすることで実施する。例文帳に追加

Chemical passivation for inhibiting surface recombination is executed by coating the semiconductor sample surface by wax or resin for setting the surface to a passivation state. - 特許庁

すなわち、突起２４が設けられることによって表面１４の表面積が増大されている場合にはイオン化速度が高められ、裏面１６の表面積が増大されている場合には再結合速度が高められる。例文帳に追加

That is, an ionization velocity is increased in the case that the surface area of the surface 14 is increased by providing the projections 24 and a recombination velocity is increased in the case that the surface area of the back surface 16 is increased. - 特許庁

これにより、空孔１６の内壁付近において正孔と電子が再結合して光ではなく熱を発生すること（表面再結合）を抑えることができ、発光効率及びエネルギー効率を高めることができる。例文帳に追加

Consequently, generation of heat (surface recombination) instead of light, due to recombination of the holes and electrons near the inner wall of the holes 16 can be suppressed and thereby the light emission efficiency and energy efficiency can be improved. - 特許庁

低汚染で高ライフタイムのシリコンウェーハにおいてウェーハ表面での再結合過程を抑制し、適切な再結合ライフタイムが測定できるような前処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a preprocessing method for recombination lifetime evaluation in which a suitable recombination lifetime is measured by suppressing a recombination process on a wafer surface of a low-contamination and long-lifetime silicon wafer. - 特許庁

色素増感型太陽電池の酸化物半導体表面での電荷再結合速度を低下させ、色素増感型太陽電池の効率を向上させる。例文帳に追加

To provide a dye-sensitized solar cell in which charge recombination speed on the oxide semiconductor surface of the solar cell is decreased and efficiency is improved. - 特許庁

エミッタ−・ベース接合領域におけるキャリアの表面再結合に起因する信頼性劣化のないＨＢＴを提供する。例文帳に追加

To provide HBT without deterioration of reliability, resulting from recombination of carriers of surface in the emitter/base junction region. - 特許庁

これにより、メサ部１３の側面のうちの再結合領域に在る下部傾斜面１４において表面欠陥が急減する。例文帳に追加

Consequently, surface defects are greatly decreased on the lower inclined plane 14 of the side surface of the mesa portion 13 which reaches a reconnection area. - 特許庁

上記方法で処理を行うとウェハボート内のウェハに均一な流れのN2ガスがウェハ表面に導入されて、ウェハ本体の表面再結合とバルクの再結合とを区別することが可能となり、金属汚染管理がより正確な結果を得る事が可能となる。例文帳に追加

When processing is carried out by the method, the N2 gas which uniformly flows is introduced to a surface of the wafer in the wafer boat to discriminate between the surface recombination of the wafer body and the recombination of the bulk, thereby obtaining a more accurate result through metal contamination management. - 特許庁

基材の表面に、目的とする細胞の表面の特異的なレセプターに対応するリガンドを有するタンパク質が結合されている再生医療用支持体。例文帳に追加

In the support body for regenerative medical treatment, protein with a ligand corresponding to a differential receptor on the surface of a target cell is linked to the surface of a substrate. - 特許庁

こうして、ｎ型半導体層２の表面におけるダングリングボンドの存在や不純物準位の存在等による少数キャリアの表面再結合を従来のバイオレットセルの場合よりも大幅に低減する。例文帳に追加

Thus, the surface rejoint of minority carriers due to dangling bond or impurity level or the like on the surface of the n-type semiconductor layer 2 is significantly reduced than that in a conventional violet cell. - 特許庁

高品質な気相合成ダイヤモンド１と、ダイヤモンドの表面に設けた表面伝導層２と、該表面伝導層２の上に設けた電極４，５とからなり、電流注入によって発光する自由励起子再結合発光（２３５nm）が支配的である気相合成ダイヤモンド結晶を用いた自由励起子再結合発光ダイヤモンド紫外線発光素子。例文帳に追加

A free stimulation recombination light emission ultraviolet light emitting diamond device is composed of a vapor phase synthesized diamond substrate 1 which is made of vapor phase synthesized diamond crystal, in which free stimulation recombination light emission (235 nm) caused by current injection is dominant, a surface conductive layer 2 formed on the surface of the diamond substrate 1 and electrodes 4 and 5 formed on the surface conductive layer 2. - 特許庁

表面状態、転位及び他の非放射性再結合中心などのＺｎＯの非放射再結合中心が不動態化されることを可能にし、結果的にあらゆるＺｎＯ試料の放射効率及び効率が増加されることを可能にする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which the center of a non-radiative recombination of ZnO such as the surface state, the dislocation and other non-radioactive recombination center of ZnO is passivated to improve and increase the radiation efficiency of a ZnO sample. - 特許庁

複数の点からなる点群を複数の層に分割し、複数の層における複数の点に対し輪郭抽出処理を行い、輪郭抽出処理により抽出された複数の層における複数の点からなる点群を結合し、表面再現処理を行う、表面再現方法とする。例文帳に追加

In the surface reproducing method, a point group constituted of a plurality of points is divided into a plurality of layers, and profile extraction processing is performed on the plurality of points in the plurality of layers, and point groups composed of the plurality of points in the plurality of layers, which are extracted by the profile extraction processing, are coupled to perform surface reproducing processing. - 特許庁

次に、この堆積直後は微結晶体の堆積半導体薄膜３３を、大粒径化するとともに、表面格子再配列を促進し表面特有の欠陥準位に基づく非輻射再結合中心を減少させるために、短時輻射アニールを行う。例文帳に追加

The grain diameter of the accumulated semiconductor thin film 33 of micro crystallines is made large just after the accumulation, and short time radiation annealing is carried out so that surface lattice re-array can be promoted and non-radiation re-connection center based on a surface specific defective level can be reduced. - 特許庁

前記物品は、前記再帰反射シート材料の表面、つまり反射面の光透過結合層中に部分的に埋め込まれた複数の再帰反射素子をさらに含む。例文帳に追加

The article further includes a plurality of retroreflective elements partially embedded in a light transmissible bonding layer on the front, reflective surface of the retroreflective sheeting. - 特許庁

基板の一方の側に接着剤表面を設ける工程、前記接着剤表面近くにグリッドアレイを設ける工程、前記接着剤表面を加熱してそれを活性化／再活性化させる工程、および前記グリッドアレイを前記基板の前記一方の側に結合させる工程を含む、インタラクティブ表面を製造する方法。例文帳に追加

This method for manufacturing the interactive surface comprises a process for providing an adhesive surface on one side of a substrate, a process for providing a grid array close to the adhesive surface, a process for heating the adhesive surface to activate/reactivate it, and a process for connecting the grid array with the one side of the substrate. - 特許庁

結晶シリコン系太陽電池において、従来よりもダメージの少ない方法で結晶シリコン表面に非晶質薄膜層を設けることで、結晶シリコン表面でのキャリア再結合を抑制し、開放電圧の向上をはかる。例文帳に追加

To increase an open voltage, by suppressing carrier recombination on the surface of crystal silicon by providing an amorphous thin-film layer on the surface of crystal silicon in a method in which damage is less than before, in a crystal silicon solar cell. - 特許庁

電子６と正孔７は再結合する前に、即ち、光照射と同時に電源５により電圧を印加させることで、電子６は電源５の正極に流れ、正孔７が光触媒表面４に残ることとなり、光触媒表面４の正孔密度の低下を防止できる。例文帳に追加

By applying voltage from a power supply 5 before electrons 6 and holes 7 are recoupled, that is, simultaneously with irradiation with light, electrons 6 flow to the positive pole of the power supply 5 and holes 7 remain on the surface 4 of the photocatalyst and the lowering of the density of the holes 7 on the surface 4 of the photocatalyst can be prevented. - 特許庁

露光中は、二重目的電極４０に低電圧を印加して、発生した電荷を収集領域２２の表面から離れた部分４４に集め、埋込ダイオード構造とした場合と同様に基板表面での電荷の再結合を防止することができる。例文帳に追加

During exposure, a low voltage is applied to the double-purpos electrode 40 to gather generated charges to a part 44 distant from the collecting region 22 surface, so that the recombination of the charges on the substrate surface can be prevented, the same as in an embedded diode structure. - 特許庁

拡散層により形成されるエネルギー障壁によるキャリア追い返し効果を維持しつつ、素子表面（受光面及び裏面）の欠陥数を減少させることで、表面再結合損失を低減して光電変換効率の更なる向上を図る。例文帳に追加

To enhance photovoltaic conversion efficiency furthermore by decreasing the number of defects on the surfaces of an element (light receiving surface and back surface) while sustaining the carrier repelling effect of an energy barrier wall being formed by a diffusion layer thereby reducing surface recombination loss. - 特許庁

シリコンウェーハをマイクロ波光導電減衰法によりライフタイムを測定する方法において、表面再結合を抑制するためにケミカルパシベーション処理し、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持する。例文帳に追加

In the method of measuring the lifetime of a silicon wafer by a microwave light electric conductive vibration decay method, the electric charge charged on the silicon wafer surface is maintained in the fixed state by performing chemical passivation processing so as to control surface recombination. - 特許庁

短鎖のペプチドであっても、抗体分子と匹敵する程、高い再現性で、大きな結合力が得られる、新規な構成のペプチド・プローブをその表面に保持する固相を利用する目的タンパク質の検出方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for detecting object protein utilizing a solid phase holding a newly composed peptide probe on the surface, obtainable in high reproducibility and high bonding force equivalent to an antibody molecule even in short chain peptide. - 特許庁

再結合領域７は、ベース領域４の表面側に、不純物の熱拡散、もしくは、不純物のイオン注入とイオン注入後のアニールとにより不純物をドーピングすることで形成してある。例文帳に追加

The reconnection region 7 is formed at the surface side of the base region 4, by doping impurity through thermal diffusion of the impurity or the ion asymmetric implantation of the impurity and annealing, after ion implantation. - 特許庁

基板表面での再結合を従来より抑制することによって、基板中の金属不純物濃度を高感度で正確に評価することのできるシリコン基板の評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of evaluating a silicon substrate, in which a metal impurity concentration in the substrate is accurately evaluated with high sensitivity by suppressing recombination on a substrate surface more than before. - 特許庁

ネズミ抗ＣＡ６モノクローナル抗体ＤＳ６（ＤＳ６抗体）、及び前記ＤＳ６抗体のヒト化型または表面再構成（ｒｅｓｕｒｆａｃｅｄ）型、ならびにそのエピトープ結合性断片。例文帳に追加

There are provided humanized or resurfaced versions of DS6, an anti-CA6 murine monoclonal antibody, and epitope-binding fragments thereof. - 特許庁

基板表面で均一・高濃度のイオンフラックスを形成し、またターゲットへの再堆積を生じる事のない、スパッタ成膜用の容量結合型プラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a capacity-coupling type plasma treatment device for sputtering film deposition in which ion flux is uniformly deposited on a surface of a substrate at high concentration, but not re-deposited on a target. - 特許庁

電極接続部と、基板とは異なる導電性を有する半導体層の間の表面再結合の生じる領域を小さくした光発電素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a photoelectric generating element wherein a surface- recombination generating region present between its electrode connection portion and a semiconductor layer having a different conduction type from its substrate is made small. - 特許庁

表面再結合の抑制としては、ウェハボート搬出時に導入ガスであるN2ガスをウェハボート内のウェハに均一に流れるようする事で改善が見込まれる。例文帳に追加

For suppression of the surface recombination, improvement is expected by making an N2 gas as an introduced gas uniformly flow into a wafer in a wafer boat when the wafer boat is carried outside. - 特許庁

表面再結合損に起因する量子効率の低下を効果的に防止することのできる半導体受光素子、およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor photodetector which is surely prevented from deteriorating in quantum efficiency due to a surface recombination loss and a manufacturing method thereof. - 特許庁

電極表面に、核酸断片が結合固定されてなる、検出の再現性の良い特定の塩基配列部分を有するＤＮＡ断片などで代表される核酸断片試料の検出用具を提供する。例文帳に追加

To provide an implement with satisfactory reproduciability formed by bonding and fixing nucleic fragments to a surface of an electrode for detecting a sample of nucleic acid fragments represented by DNA fragments with a specific base sequence part. - 特許庁

基板表面で均一・高濃度のイオンフラックスを形成し、またターゲットへの再堆積を生じる事のない、スパッタ成膜用の容量結合型プラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a capacitive coupling type plasma treatment apparatus for sputtering film deposition, wherein an ion flux with a uniform high concentration is formed on the surface of a substrate, without causing re-deposition to a target. - 特許庁

素子の端面領域にキャリアが拡散することを低減することにより、端面領域における表面非発光再結合を抑制し、半導体発光素子の発光効率を高める。例文帳に追加

To improve the light emitting efficiency of a semiconductor light emitting element, by suppressing non-light emitting recoupling in its end-surface regions through reducing the diffusion of carriers to its end-surface regions. - 特許庁

半導体ウェーハの電気特性を測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for continuing passivation effect for suppressing surface recombination for long time so as to measure an electric characteristic of a semiconductor wafer at the time of measuring it. - 特許庁

塗工時における粘度が80〜400cPである結合剤層樹脂をブラスト処理された工程基材に塗工することによって、帯電防止性、印刷性に優れた特性を持つ表面粗さRaを0.1〜1.0μmの封入型再帰反射シートを得る。例文帳に追加

The sealed type retroreflective sheet having 0.1 to 1.0 μm surface roughness Ra and excellent characteristics in the antistatic property and printing property is obtained by applying a resin for the binder resin layer having 80 to 400 cP viscosity during coating on the process base material subjected to blast treatment. - 特許庁

シリコンウェーハのライフタイムを測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a life time measurement method of a silicon wafer capable of maintaining and measuring the passivation effect for controlling surface recombination over a long time in measuring the lifetime of a silicon wafer. - 特許庁

半導体ウェーハの表面再結合速度とバルクライフタイムをウェーハに何らの処理を施すことなく非接触、非破壊で分離測定できる装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device for separate measurement, in non-contact and non-destructive manner, of the surface re-connection speed of a semiconductor wafer and bulk life time, with no process on the wafer. - 特許庁

また、組成にＡｌを含まないのでＡｌに起因した表面準位、結晶中の深い準位による光吸収非発光再結合、端面腐食がない。例文帳に追加

The composition doesn't include Al, so light absorption non-luminescence re-coupling caused by Al at the surface level or deep level in crystal or edge face corrosion can be eliminated. - 特許庁

反射素子２０の特殊形状表面は、光が走査ラスタを形成するように作用し、走査ラスタは、再結合されて空間光変調器２６に送られる。例文帳に追加

The specially contoured surface of the reflective element 20 causes the light to form into scanning rasters that are recombined and sent to a spatial light modulator 26. - 特許庁

架橋されたゼラチンからなり、平均孔径が１０〜５００μｍである多数の微細小孔を有する基材と、前記基材の表面に静電結合したタンパク質性生理活性物質とからなる再生医療用支持体。例文帳に追加

This support for regenerative medicine is composed of a base material composed of cross-linked gelatin and having a large number of micropores having an average hole diameter of 10 to 500 μm, and a protein-like physiological active material electrostatically coupled with a surface of the base material. - 特許庁

ピニング層１０７は、ｎ^＋層である蓄積ダイオード１０４とは反対の導電型であるｐ^＋層であって、電荷の表面再結合を抑制する役割を果たす。例文帳に追加

The pinning layer 107 is a p^+ layer of a conductivity type opposite to the storage diode 104 which is an n^+ layer and plays the role of suppressing the surface recombination of the charges. - 特許庁