「表面再結合」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、通電を続けることにより引き起こされる積層欠陥面積の拡大を抑制すること。例文帳に追加

To suppress the increase of a created stacking fault area by continuing energizing in a bipolar type semiconductor device which performs electron and hole recombination in the time of energization inside a silicon carbide epitaxial film grown up from the front surface of a silicon carbide single crystal substrate. - 特許庁

ＺｎＯ試料の非放射再結合中心を不動態化する方法であって、前記ＺｎＯ試料の少なくとも一表面にマグネシウムが堆積され、マグネシウムが堆積された前記試料の焼き鈍しが酸化雰囲気で行われる方法である。例文帳に追加

In the method of passivating the center of the non-radiative recombination of ZnO sample, magnesium is deposited on at least one surface of the ZnO sample and annealing of the sample on which magnesium is deposited is carried out in an oxidation atmosphere. - 特許庁

金属不純物を希硝酸５の中に再溶解させた後、液滴を回収し、原子吸光分析法あるいは誘導結合プラズマ質量分析法によって半導体基板表面上に存在する極微量金属不純物の種類および量を測定する。例文帳に追加

After dissolving again the metal impurities in the dilute nitric acid 5, the liquid drops are recovered to measure the kinds and quantities of the trace amount of metal impurities existent on the surface of the semiconductor substrate 1 by atomic absorption method or inductively coupled plasma/mass spectrometry. - 特許庁

花粉症を引き起こす原因となるアレルゲンを短時間で効率的に吸着して再放出せず、人体に悪影響を及ぼす金属などを含まず、そして各種の材料の表面に塗布、含浸、または化学的に結合させやすい、新規なフラーレン誘導体およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new fullerene derivative that efficiently adsorbs in a short time allergen to cause pollinosis, does not re-release allergen, does not contain a metal, etc., having bad effects on the human body, is easily applied to, impregnated into or chemically bonded to the surfaces of various materials and a method for producing the same. - 特許庁

Ｂｉ−ＣＭＯＳプロセスにおいて、ＭＯＳトランジスタのサイドウォール形成時にバイポーラトランジスタ形成領域のシリコン部分の露出を防いで、表面再結合電流の増加による低電流でのｈ_FEの低下、信頼性の悪化を改善する。例文帳に追加

To improve lowering of hFE and degradation in reliability with a low current caused by the increase of a surface recoupling current by preventing the exposure of a silicon part in a bipolar transistor forming area when forming the sidewall of an MOS transistor in a Bi-CMOS process. - 特許庁

表面でのキャリアの再結合損失を大幅に減少させ得る素子構造を有することで、ＴＰＶ発電用に適したＧｅを材料として採用し且つ電極構造として裏面電極型を採用するのを可能にした光電変換素子を提供する。例文帳に追加

To provide a photoelectric transfer element which can adopt Ge suitable for TPV generation as a material and adopt a back face electrode type as an electrode structure by a method wherein an element structure capable of fairly decreasing a recomobination loss of carriers on the surface is included. - 特許庁

本発明によると、拡散ウエハ表面に膜厚１．４μｍ以上１．５μｍ以下の酸化膜を形成したのち、μ−ＰＣＤ法により再結合ライフタイムを測定することを特徴とする拡散ウエハのライフタイム評価方法が提供される。例文帳に追加

A method for evaluating the lifetime of the diffusion wafer is provided, wherein after forming an oxide film with thickness of 1.4 μm or more and 1.5 μm or less in the surface of the diffusion wafer, recombination lifetime is measured by μ-PCD method. - 特許庁

開孔領域で発生した光キャリアは、微小な電界に加速され走行するため表面再結合による顕著な効率劣化がなく、また走行時間を考慮して開孔幅を設計することにより所望の高速特性も得られる。例文帳に追加

An optical carrier producing in the open-hole areas travels while being accelerated by micro electric field, so that no significant degradation of efficiency occurs due to surface re-joint, and optional high speed characteristic can be ensured by designing the width of an open hole in consideration of travelling time. - 特許庁

その後、再びＭＯＣＶＤ装置で成長させると、Ｎｉ薄膜パターン４の表面にＧａとＮとが吸着され、内部に取込まれて拡散しつつ基板１との界面に達し、ここで互いに結合してＧａＮ単結晶５を形成する（図１（ｃ））。例文帳に追加

After that, when the pattern 4 is regrown by an MOCVD device, Ga and N are adsorbed into the surface of the Ni thin-film pattern 4, captured into the inside and reach interface with the substrate 1, while diffusing. - 特許庁

本発明は、フォトダイオードと読み出しゲートとを有するＣＭＯＳイメージセンサにおいて、表面再結合を抑制するためのサーフェスシールド層を読み出しゲートに隣接させて設けた場合の、読み出し電圧の高電圧化を回避できるようにすることを最も主要な特徴とする。例文帳に追加

To make feasible avoiding the increase in reading out voltage in the case of adjacently providing a surface shield layer for suppressing surface recouping to a read out gate in a CMOS image sensor having a photodiode and the read out gate. - 特許庁

最低一層に凹凸構造を形成することにより、その上に形成される層が下層の表面構造を追随し、凹凸構造を有する発光層が形成されることで、励起子の再結合が起こる発光領域を増やし、高輝度時の長寿命化を実現した有機エレクトロルミネッセンス素子。例文帳に追加

By forming successively overlapped layer that follows the external structure of the underlaying layer through forming of the concavo-convex structure at the lowest layer, formation of the emitting layer with the concavo-convex structure results, and accordingly, an emitting region that causes exciton recombination therein is increased, and long durability in the electroluminescent device is realized. - 特許庁

廃プラスチック等の産業廃棄物を再利用して製造された構造材パネル１、その表面に凹凸の加工を施し対アスファルト滑り止めの効果を狙い、且つ構造材パネル上部の結合部に導水溝３を設ける。例文帳に追加

A structural material panel 1 is manufactured by reusing industrial waste such as waste plastic, recess-projection work is applied to the surface to aim at a nonslipping effect against asphalt, and a water introducing groove 3 is arranged in a joining part of an upper part of a structural material panel. - 特許庁

ＢｉＣＭＯＳプロセスにおいて、バイポーラトランジスタの表面再結合電流の増大による低電流でのｈ_FEの低下を防止し、外部ベース領域をエミッタ多結晶シリコンに対して自己整合的に形成することで微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which prevents reduction in hFE in low current due to an increase of the surface recombination current in a bipolar transistor and can microscopically form the device by forming an external base region in a self alignment manner to an emitter polycrystalline silicon film in a BiCMOS process. - 特許庁

イオン注入剥離法によって結合ウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハを再生処理する方法において、前記剥離ウエーハの少なくとも面取り部のイオン注入層を除去した後、ウエーハ表面を研磨する。例文帳に追加

In the regeneration processing method of flaked wafer as byproduct in an ion implantation flaking method, in which a joint wafer is obtained, the surface of the wafer is polished after an ion implantation layer of at least a chamfered part of the flaked wafer is removed. - 特許庁

シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ_3Ｎ_4単結晶膜をエピタキシャル成長させること。例文帳に追加

The silicon substrate is cleaning-processed so as to be capable of being surface reconstructed, then on the cleaning-processed silicon substrate, a dissociated nitrogen atom flux and an excited nitrogen molecule flux generated by RF (high frequency) high brightness (HB) discharge of an inductively coupled plasma system are irradiated to epitaxially grow an Si_3N_4 single crystal film by a surface interfacial reaction. - 特許庁

通電時に電子と正孔が再結合する領域の少なくとも一部を、炭化珪素基板１の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル層２により形成したバイポーラ型半導体装置を製造するに際し、炭化珪素基板１の表面を水素エッチングで処理した後に、この処理面から炭化珪素をエピタキシャル成長させることにより前記エピタキシャル層２を形成する。例文帳に追加

When producing the bipolar semiconductor device formed of a silicon carbide epitaxial layer 2, grown from the surface of a silicon carbide substrate 1, at least a part of the region where electrons and positive holes recombine during applying of electric current, the surface of the silicon carbide substrate 1 is treated with hydrogen etching, and then silicon carbide is epitaxially grown from the treated surface to result in formation of the epitaxial layer 2. - 特許庁

表面再結合を抑制するためのパシベーションを実施して半導体ウェーハのライフタイムを測定する方法において、半導体ウェーハ表面の自然酸化膜をフッ酸で除去し純水リンス洗浄を施した半導体ウェーハを窒素雰囲気下において反射マイクロ波光導電減衰法を用いる。例文帳に追加

In the method for performing passivation for suppressing surface recombination and measuring life time of the semiconductor wafer, a reflective microwave photoconductive attenuation method is used for the semiconductor wafer where a natural oxide film on a surface of the semiconductor wafer is removed by hydrofluoric acid and pure water rinse cleaning is performed under nitrogen atmosphere. - 特許庁

まずシリコンウェーハ表面に付着した有機物をアンモニアと過酸化水素水との混合液等を用いて除去し、次にＨＦ溶液によりシリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、ヨウ素エタノール法によりパッシベーションを行い、反射マイクロ波光導電減衰法によりキャリアの再結合ライフタイムを測定する。例文帳に追加

Organic substances sticking on the silicon wafer surface are removed using a mixed liquid of ammonia and a hydrogen peroxide solution etc., a natural oxide film on the silicon surface is removed with an HF solution, and passivation is carried out by an iodine ethanol method, so that the recombination lifetime of a carrier is measured by a reflective microwave photoconduction attenuation method. - 特許庁

リガンド結合ヘテロ二量体受容体をコードするゲノムを含む繊維状ファージであって、該リガンド結合ヘテロ二量体受容体は、第１および第２のポリペプチドを含み、前記第１のポリペプチドは、カルボキシ末端繊維状ファージ膜ｃｐＩＩＩアンカードメイン又はｃｐＶＩＩＩアンカードメインに融合しており、前記第１および第２のポリペプチドは、別のポリペプチドとして独立して発現され、次いで前記リガンド結合ヘテロ二量体受容体として前記繊維状ファージ表面で再構築される、前記繊維状ファージ。例文帳に追加

The filamentous phage containing a genome encoding ligand-binding heterodimeric receptor is provided, wherein the ligand-binding heterodimeric receptor comprises the first and second polypeptides, the first polypeptide is fused with a carboxy-terminated filamentous phage coat cpIII anchor domain or cpVIII anchor domain, the first and second polypeptides are independently expressed as different polypeptides and then reconstructed on the filamentous phage surface as the ligand-binding heterodimeric receptor. - 特許庁

リガンド結合ヘテロ二量体受容体をコードするゲノムを含む繊維状ファージであって、該リガンド結合ヘテロ二量体受容体は、第１および第２のポリペプチドを含み、前記第１のポリペプチドは、カルボキシ末端繊維状ファージ膜ｃｐＩＩＩアンカードメイン又はｃｐＶＩＩＩアンカードメインに融合しており、前記第１および第２のポリペプチドは、別のポリペプチドとして独立して発現され、次いで前記リガンド結合ヘテロ二量体受容体として前記繊維状ファージ表面で再構築される、前記繊維状ファージ。例文帳に追加

Disclosed is a filamentous phage containing a genome encoding a ligand-binding heterodimeric receptor, wherein the ligand-binding heterodimeric receptor contains a first and second polypeptide, wherein the first polypeptide is fused to a carboxy-terminal filamentous phage membrane cpIII anchor domain or cpVIII anchor domain, and wherein the first and second polypeptide are independently expressed as a separate polypeptide and then reconstituted on the surface of the filamentous phage as the ligand-binding heterodimeric receptor. - 特許庁

本発明の金属触媒においては、当該分子には官能基及び有機金属錯体と結合又は吸着する官能基を有する分子を用いることによって、材料の表面に有機金属錯体を担持することができ、高活性で且つ多数回の再利用が可能な金属触媒を得ることができるものである。例文帳に追加

In the metal catalyst, the organic metal complex can be carried by the surface of the material by using a molecule having a functional group and a functional group capable of being bonded to or adsorbing the organic metal complex, and the highly active metal catalyst capable of being recycled many times can be yielded. - 特許庁

記録媒体基板の表面に微粒子を配列し、読み出し光或いは書き込み光と光学的に結合するのは配列させた微粒子のみとなるようにすることにより、光源の波長と対物レンズとにより決まるビームスポットよりも小さいスポットの記録再生を可能にした光情報記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide an optical information recording medium for recording and reproducing a spot smaller than a beam spot decided by the wavelength of a light source and an objective lens by arraying particulates on the surface of a recording medium substrate and making only the arrayed particulates couple with read light or write light optically. - 特許庁

インスリン様増殖因子-I受容体と特異的に結合しかつ阻害し、IGF-I、IGF-IIおよび血清の腫瘍細胞の増殖および生存に対する効果に拮抗し、かつ作動薬活性を実質的に欠く抗体、ヒト化抗体、再表面形成された抗体、抗体フラグメント、誘導体化抗体、および上記物質の細胞傷害薬とのコンジュゲートを提供する。例文帳に追加

To provide antibodies, humanized antibodies, resurfaced antibodies, antibody fragments, derivatized antibodies, and conjugates of these with cytotoxic agents, which specifically bind to and inhibit insulin-like growth factor-I receptor, antagonize the effects of IGF-I, IGF-II, and serum on the growth and survival of tumor cells, and which are substantially devoid of agonist activity. - 特許庁

電極の構造及びその製造方法によって、電極幅を低減して電極占有面積を縮小しながら、電極断面積を確保して、光電変換効率を向上させるとともに、電極周辺の表面再結合を低減することができ、さらに、簡便かつ容易な方法により安価に製造することができる光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a photoelectric converter which is fabricated inexpensively by a convenient and simple process, and in which photoelectric conversion efficiency is enhanced while reducing surface recombination on the periphery of an electrode by ensuring the cross-sectional area of the electrode while reducing the occupation area thereof by reducing the width of the electrode depending on the structure and fabrication process of the electrode, and also to provide its fabricating process. - 特許庁

炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、電流通電により拡大した積層欠陥面積を縮小し、増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置の順方向電圧を回復させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for reducing a stacking fault area enlarged by current energization and recovering an increased forward voltage of a silicon carbide bipolar semiconductor device, in the bipolar semiconductor device in which electrons are recoupled to holes upon energization in a silicon carbide epitaxial film grown from a surface of a silicon carbide monocrystal substrate. - 特許庁

電界効果半導体装置に関し、電界効果半導体装置のソースに於ける抵抗の上昇を招来することなく、衝突イオン化に起因する正孔が容易にソース電極に吸収されるようにし、正孔と表面準位との再結合に依るキンク効果の発生を抑制して高周波特性や雑音特性を改善しようとする。例文帳に追加

To provide a field-effect semiconductor device which is improved in high-frequency and noise characteristics by a method, wherein holes caused by impact ionization are easily absorbed by a source electrode without increasing the field-effect semiconductor device in source resistance, and a kink effect is not caused by recombination of holes and a surface level. - 特許庁

光重合開始剤１から１０重量部、有機シラン化合物５から２０重量部、結合剤５から３０重量部、触媒０．１から１５重量部、及び紫外線硬化性樹脂を含む紫外線硬化性塗料組成物は、紫外線照射によって硬化された後、高い表面エネルギーを有し、再加工することが容易である。例文帳に追加

The UV-curable coating composition containing 1-10 pts.wt photopolymerization initiator, 5-20 pts.wt organosilane compound, 5-30 pts.wt binder, 0.1-15 pts.wt catalyst and a UV-curable resin, is cured by the irradiation with a UV light and, after the curing, it has a high surface energy and can be re-worked with ease. - 特許庁

本発明における非接触式検査装置は、照明装置によって照射されている角膜及び／又は角膜の表面上の涙膜の構成部分が検出可能な状態でスリットランプに機械的に結合された画像記録装置と、角膜及び／又は涙膜の検出された構成部分が視覚的に現れる状態で画像記録装置に接続された画像再生装置と含んでいる。例文帳に追加

The apparatus for contactless examination of an eye includes an image recording device which is mechanically combined with a slit lamp in a condition the cornea is lit by a lighting device and/or a constitution part of a tear film on the surface of the cornea, and an image reproduction device connected to an image recording device in a condition the cornea and/or a detected constitution part of the tear film visually appear. - 特許庁

接触領域の面積を低減することにより、半導体基板と受光面電極の間の界面におけるキャリア再結合速度を小さくし、Ｖｏｃを向上させ、半導体基板上の受光面電極面積を低減することにより、受光面電極表面での反射損失を少なくして発電層にできるだけ多くの光を吸収させる。例文帳に追加

To enhance Voc by reducing the area of a contact region thereby reducing carrier recombination rate at the interface between a semiconductor substrate and a light receiving surface electrode, and to make a power generation layer absorb as much light as possible by reducing the area of the light receiving surface electrode on the semiconductor substrate thereby reducing reflection loss on the surface of the light receiving surface electrode. - 特許庁

素子形成層２２は光の照射により電子および正孔を生成し、表面電極２５および制御電極２６に印加する電圧の制御により、電子保持領域３２に電子を集積し正孔保持領域３３に正孔を保持する状態と、電子と正孔とを再結合させる状態とが選択される。例文帳に追加

The element forming layer 22 creates electrons and positive holes responding to irradiation of light and in accordance with the control of the voltages applied to the surface electrode 25 and control electrode 26, operates to select the state of storing electrons in the electron holding region 32 and holding positive holes in the positive-hole holding region 33 and the state of recombining the electrons and positive holes. - 特許庁

光ファイバプリフォームに電磁波を照射する第１工程、次に酸水素火炎で加熱してプリフオーム中にＨ_2 をドープする第２工程、プリフオーム表面のＯＨリッチ層を研削除去する第３工程、再び電磁波を照射する第４工程、この後線引きする第５工程、を経て光ファイバとすることにより、ガラス欠陥と水素の間に安定した結合を形成できるので、耐紫外線特性の向上した紫外光伝送用光ファイバを効率良く製造できる。例文帳に追加

Thereby, the stable bonding between glass defects and hydrogen can be formed. - 特許庁