「集積化デバイス」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体デバイスのデザインルールを微細化して高集積化を進めてもデバイスの動作速度が低下しないように、より低誘電率の絶縁膜を形成することが可能な絶縁膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming an insulating film which allows formation of an insulating film of lower dielectric constant, so that the operation speed of a device does not drop, even if the design rule for a semiconductor device is made more fine for higher integration. - 特許庁

半導体レーザー素子と光導波路デバイスが半導体基板上に集積化されて実装された、小型の波長変換装置を提供する。例文帳に追加

To provide a small wavelength converter composed of a semiconductor laser element and an optical waveguide device which are integrated and mounted on a semiconductor substrate. - 特許庁

本明細書は、酸化物層で覆われたシリコン基板上に形成される集積受動デバイス（ＩＰＤ）を説明する。例文帳に追加

To explain the integration passive device (IPD) formed on a silicon substrate covered with an oxide layer by this description. - 特許庁

トランジスタのような半導体集積化デバイスを、基板上に形成された半導体材料の膜で形成する。例文帳に追加

A semiconductor integration device such as a transistor is formed by the film of a semiconductor material that is formed on a substrate. - 特許庁

プレーナ型光導波路を有する光導波路デバイス及びそれを使用して構成される集積化光モジュールとその実装方法例文帳に追加

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE HAVING PLANAR OPTICAL WAVEGUIDE, INTEGRATED OPTICAL MODULE CONSISTED BY USING THE SAME AND METHOD TO MOUNT THE SAME - 特許庁

共通化合物半導体第３〜５族ウエハ上に集積デバイス用のエピタキシャルウエハを製造する方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL WAFERS FOR INTEGRATED DEVICES ON COMMON COMPOUND SEMICONDUCTOR III-V WAFER - 特許庁

モノリシック集積化に適した構成で、挿入損失が少なく、位相制御が容易な光導波路デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an optical waveguide device that reduces an insertion loss and facilitates phase control with a configuration suitable for monolithic integration. - 特許庁

焦電または圧電効果によるＤＣドリフト現象を抑圧した集積化光導波路デバイスの提供。例文帳に追加

To provide an integrated optical waveguide device that suppresses a DC drift phenomenon by a pyroelectric or piezoelectric effect. - 特許庁

単一化合物基板上でのＨＢＴ及びＦＥＴデバイスの適切な集積を可能とするエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing epitaxial wafers which enables suitable integration of HBT and FET devices on a single compound substrate. - 特許庁

衝撃固化現象による成形体に形成された導波路を有する光学素子及びその光学素子を含む光集積デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an optical element including a waveguide formed into a molding by an impact solidification phenomenon, and to provide an integrated optical device including the same. - 特許庁

半導体集積回路のスクライブ領域は単結晶シリコンデバイス形成層及び埋め込み酸化膜を除去した構造とした。例文帳に追加

The scribe region of a semiconductor integrated circuit has such a structure that the single crystal silicon device forming layer and a buried oxide film are removed. - 特許庁

本発明は、簡単なシリコン集積化プロセスで、高いキャリア移動度を有するＣＭＯＳデバイスを実現することを目的とする。例文帳に追加

To realize a CMOS device having high carrier mobility in a simple silicon integration process. - 特許庁

集積回路デバイスの製造において金属酸化物高誘電率層を形成する新規な方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new method of forming a metal oxide layer having a high dielectric constant, in manufacturing of an integrated circuit device. - 特許庁

それによりデバイスの長さを既存の光アイソレーターよりも短くでき且つ集積化が可能になった。例文帳に追加

Thus, the length of the device is made shorter than that of a conventional optical isolator and integration is possible. - 特許庁

小型化が可能で、光の入出力が比較的容易にでき、受動デバイスを含む光回路が構成可能な光集積回路の提供。例文帳に追加

To provide an optical integrated circuit which can be made small in size and in which input and output of light is rather easily performed and an optical circuit including passive devices can be formed. - 特許庁

半導体集積回路のスクライブ領域は単結晶シリコンデバイス形成層１０３及び埋め込み酸化膜１０２が除去されている。例文帳に追加

In a scribing region for a semiconductor integrated circuit, the formation layer 103 and a buried oxide film 102 are removed. - 特許庁

コイルを集積回路基板に一体に搭載して小型化し且つ電磁波ノイズを抑制した電力変換装置または磁気デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a power converter or a magnetic device capable of attaining size reduction, by integrally mounting a coil on an integrated circuit substrate and restraining electromagnetic wave noises. - 特許庁

簡単化した集積機構を備えた二重仕事関数半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dual workfunction semiconductor device with a simplified integration mechanism and a method for fabricating the same. - 特許庁

デバイスは、マルチバンド無線デバイスに必要な密度及びパフォーマンスを実現できるように、ＬＣＰ層上に形成された集積化された受動コンポーネントを有する１つ以上のＬＣＰ層を用いて製造される。例文帳に追加

These devices are manufactured using one or more LCP layers having integrated passive components formed thereon to provide the density and performance necessary for multiband wireless devices. - 特許庁

半導体デバイスには、液晶表示装置の画素コントローラ及びドライバ並びに、イメージセンサ、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、及び３次元集積化回路デバイスが含まれる。例文帳に追加

The semiconductor device includes the pixel controller and driver of a liquid crystal display, and/or an image sensor, a static random access memory(SRAM), a silicon on insulator(SOI), and a three-dimensional integration circuit device. - 特許庁

これにより、分子スケールの複製機能を持つＭＮＤを実現し、マイクロ／ナノスケールで構築されたデバイス・システムの生産性向上およびマイクロ／ナノデバイス・システムの集積化を実現することができる。例文帳に追加

Consequently, the MND having the molecule-scale duplicating function is realized to improve the productivity of the device system structured on the micro and nano-scale, and also to integrate the micro and nano-device system. - 特許庁

複数の圧電デバイスを同時に電子機器内部の集積回路部に容易に搭載することができ、インピーダンスの悪化を防ぐことのできる圧電デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a piezoelectric device capable of preventing impedance deterioration by enabling a plurality of piezoelectric devices to be easily packaged in an integrated circuit portion inside an electronic apparatus simultaneously. - 特許庁

光学素子の光学性能変化を抑制可能な光学素子保持装置及び鏡筒、高集積度のデバイスを効率及び歩留まりよく製造可能な露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an optical element holding apparatus and a lens barrel which are capable of suppressing the change of the optical characteristics of the optical element, an exposure apparatus capable of efficiently manufacturing a high integration device at high yield and a method of manufacturing the device. - 特許庁

ＮＭＯＳデバイス性能を劣化させることなくＰＭＯＳデバイス性能を高めるように浅いトレンチ分離部が取り入れられるようにする集積回路応力制御システムを提供する。例文帳に追加

To provide an IC stress control system capable of employing a shallow trench isolation portion so that PMOS device performance may be raised without deteriorating NMOS device performance. - 特許庁

デバイスへの集積度が向上すると共に、放熱性に優れ、パワーデバイスなどへの適用に適したIII族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor element that improves the degree of integration to a device, improves heat radiation properties, and is suitable for application to a power device, or the like, and to provide a manufacturing method of the group 111 nitride semiconductor element. - 特許庁

ＣＭＯＳプロセスによるデバイスのみにより構成でき、使用するデバイス数を抑え、高集積化が容易にできる低コストの比電流生成用の演算回路を提供する。例文帳に追加

To provide an arithmetic circuit that generates a ratio current at a low cost, consists of only devices by a CMOS process, where number of the devices in use is decreased resulting that the circuit can easily be highly integrated. - 特許庁

オプトエレクトロニック集積回路は、最上面と底面を有する第１半導体デバイスと、第１表面を有する第２半導体デバイスと、第１半導体デバイスの底面と第２半導体デバイスの第１表面の間に置かれていて、前記最上面から酸化可能な層まで伸びた少なくとも１つの孔が入り込んでいる。例文帳に追加

The optoelectronic integrated circuit comprises a first semiconductor device having a topmost surface and bottom surface, a second semiconductor device having a first surface, and at least one hole which is located between the bottom surface of the first semiconductor device and the first surface of the second semiconductor device and extends from the topmost surface to an oxidizable layer to gain entry. - 特許庁

ミクロン級、あるいは、サブミクロン級の微細機能デバイス構造体をシステム基盤上に集積化してシステムを構築する集積化電子装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an integrated electronic device wherein the system is constructed by integrating a micron-rule or submicron-rule functional device structure on a system substrate, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

クロック源内蔵型半導体集積回路デバイスにおいて、圧電体セラミックス化してセラミック振動子を形成し、半導体集積回路素子にセラミックパッケージ自身からクロック供給する。例文帳に追加

To obtain a semiconductor integrated circuit device incorporating a clock source in which a ceramic oscillator is formed of piezoelectric ceramics and a clock is supplied to a semiconductor integrated circuit element from a ceramic package itself. - 特許庁

ウェハレベルで集積回路基板及びマイクロマシン、さらにはカバーとなるＬＴＣＣ基板等を集積化することができるようにした、機能デバイス及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a functional device capable of integrating an integrated circuit substrate, a micromachine, and a LTCC substrate to serve as a cover on a wafer level, and a manufacturing method for the functional device. - 特許庁

フラッシュメモリ等の不揮発性メモリと任意の集積回路を組み合わせたパッケージ化した半導体ＭＣＰにおいて、外部デバイスから組合せた任意の集積回路のロット情報の読取りを可能にする。例文帳に追加

To enable read of information on the lots of arbitrary integrated circuits combined with each other from an external device in a semiconductor MCP constituted into one package structure by combining a nonvolatile memory, such as a flash memory, with an arbitrary integrated circuit. - 特許庁

半導体デバイスの高集積化、高速化又は多機能化による端子の増加及び端子間隔の狭ピッチ化に有効であり、半導体デバイスを特に基板両面に高密度かつ高精度に搭載でき、更に信頼性にも優れた半導体搭載用配線基板を提供する。例文帳に追加

To provide a wiring substrate for mounting semiconductor which is effective for the high integration of a semiconductor device, high speed, or increase in terminal by multifunctionalities, and the narrow pitch of a distance between terminals, in which the semiconductor device can be mounted at high density and high accuracy, specifically on both the surfaces of a substrate, and which is superior also in reliability. - 特許庁

無機アモルファス層又は有機固体層の上にペロブスカイト型酸化物薄膜を所望の方向にエピタキシャル成長させて電子デバイスの高性能化を図るとともに、更には、ＩＣと集積化させて高性能な電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To improve performance in an electronic device by epitaxially growing a perovskite-type oxide thin film on an inorganic amorphous layer or an organic solid layer in a desired direction, and further, to provide a high-performance electronic device by integrating the device into an IC. - 特許庁

熱処理を施してデバイスを製造する方法において、熱処理により形状を変形制御された部分と、熱処理により形状が変化しないように保持された部分とを、同一面位に並存させて、デバイスの高集積化を図る。例文帳に追加

To highly integrate a device by holding a part whose shape is modified and controlled through heat treatment and a part whose shape is maintained not to change in the heat treatment in level with each other in a method of manufacturing a device through heat treatment. - 特許庁

ＥＳＤ保護素子はＳＯＩ基板上の単結晶シリコンデバイス形成層及び埋め込み酸化膜の除去されたシリコン基板上に形成し、半導体集積回路のスクライブ領域は単結晶シリコンデバイス形成層及び埋め込み酸化膜を除去した構造とした。例文帳に追加

ESD protective elements are formed on a silicon substrate from which the single crystal silicon device forming layer and a buried oxide film on the SOI substrate are removed and the scribe region of a semiconductor integrated circuit has such a structure that the single crystal silicon device forming layer and the buried oxide film are removed. - 特許庁

シリカ絶縁膜（シリカガラス）を有するシリコン素子の、シリカ絶縁膜上に電子デバイス、光デバイス、集積回路などの高結晶性酸化物薄膜電子素子をエピタキシャル成長させるための下地となり、かつその電子素子の電極として用いることができる。例文帳に追加

This can be a foundation to epitaxially grow a highly crystalline oxide thin film electronic element having a silica insulation film (silica glass) such as an electronic device, a photo device, and an integrated circuit, and can be used as the electrode of the electronic element. - 特許庁

本発明の第１の３Ｄ集積化方法によれば、第１半導体デバイスが、第１のＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）基板の半導体表面上にあらかじめ構築され、第２半導体デバイスが、第２のＳＯＩ基板の半導体表面上にあらかじめ構築される。例文帳に追加

In a first 3D integrating method, a first semiconductor device is constituted on a semiconductor surface of a first SOI (silicon-on-insulator) substrate, in advance, and a second semiconductor device is constituted on a semiconductor surface of a second SOI substrate in advance. - 特許庁

温度変化、光学素子自身の重量、外部からの衝撃等による光学素子の歪みの発生を効果的に抑制可能な光学素子保持装置及び鏡筒と、高集積度のデバイスを効率よく、また歩留まりよく製造することのできる露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an optical element holding device and a lens barrel which can effectively suppress distortion in an optical element by temperature changes, the gravity of the optical element, external impact or the like, and to provide an exposure apparatus and a method for manufacturing a device for efficiently manufacturing a device with a high integration degree in a high yield. - 特許庁

光学性能の変化した光学素子を容易に特定可能な鏡筒及び光学素子の検出方法、光学系の光学特性をスループットの低下させずに補正可能な露光装置、高集積度のデバイスを歩留まりよく製造可能なデバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of detecting a mirror cylinder and an optical element by which an optical element with changed optical performance is easily specified, a method of detecting an optical element, an exposure apparatus which can correct the optical characteristic of an optical system without reducing throughput, and a method of manufacturing which can manufacture a highly integrated device at high yield. - 特許庁

非単結晶Ｓｉ薄膜と単結晶Ｓｉ薄膜デバイスとを形成し、高性能なシステムを集積化した半導体装置およびその製造方法、ならびに該半導体装置の単結晶Ｓｉ薄膜デバイスを形成するための単結晶Ｓｉ基板を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, in which a non-single crystal Si thin film and a single crystal Si thin-film device are formed and a high-performance system is integrated, to provide a method for manufacturing it, and to provide a single-crystal Si substrate for forming the single crystal Si thin-film device of the semiconductor device. - 特許庁

低バイアス電圧を用いて動作して発光デバイスと光検出器とを分離し、光検出器によって検出される自然放出光の量を最小限に抑える発光デバイスと光検出器のモノリシック集積化の構成及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To separate a light-emitting device and a light-detecting unit using low bias voltage, and to suppress the quantity of the naturally emitted light detected by the light-detecting unit to a minimum. - 特許庁

半導体デバイスチップの３Ｄ積層化において、半導体デバイスチップ間のはんだバンプ等とランドの接合と同時に、熱伝導性の高い層間充填層を形成する層間充填材組成物、塗布液及び三次元集積回路の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a filler composition for the space between layers which, when used in the three-dimensional stacking of semiconductor device chips, forms a highly thermally conductive interlayer filling layer simultaneously with the bonding of the solder bumps or the like of a semiconductor device chip to the land, a coating fluid, and a process for producing a three-dimensional integrated circuit. - 特許庁

ラミネート型の電気化学素子の電極端子の機械的な強度を補完しつつ、ラミネート型の電気化学素子の集積化を容易にした電気化学デバイスを提供することをその目的とする。例文帳に追加

To provide an electrochemical device in which integration of a laminate-type electrochemical element is facilitated while complementing the mechanical strength of an electrode terminal of the laminate-type electrochemical element. - 特許庁

半導体デバイスの高集積化、高速化又は多機能化による端子数の増加及び端子間の間隔の狭ピッチ化に有効で、且つ信頼性が優れた配線基板及び半導体パッケージを提供する。例文帳に追加

To provide a wiring board and a semiconductor package that can effectively cope with an increase in number of terminals due to high integration, acceleration or multiple functions of semiconductor devices as well as with a narrowing pitch of intervals between the terminals, and are excellent in reliability. - 特許庁

強誘電体薄膜を複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送デバイスをメモリセルアレイとして集積し、強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリを得る。例文帳に追加

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained. - 特許庁