「集積化デバイス」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

カーボンナノチューブ（CNT）を基板上の特定の位置に成長させ、再配置を不要にしてCNT特性の劣化を防止し、かつ再配置することなしに単体あるいは高集積化CNT-FETなどの電子デバイス、燃料電池、センサーなどの作成を容易にする。例文帳に追加

To grow a carbon nanotube (CNT) on a specific position of a substrate to dispense with re-arrangement, to prevent the degradation of CNT characteristics and to facilitate the formation of an electronic device, such as a single or high integration CNT-FET, a fuel cell, a sensor or the like without the rearrangement. - 特許庁

本発明による集積回路デバイスは、第１の金属電極と第２の金属電極との間に位置する強誘電体材料と、第１の金属電極上に位置する、チタンドープトアルミニウム酸化物を含むパッシベーション層とを備える。例文帳に追加

An integrated circuit device is provided with the ferroelectric material positioned between a first metal electrode and a second metal electrode and a passivation layer containing a titanium doped aluminum oxide positioned on the first metal electrode. - 特許庁

赤外線を受光又は放出することで発生する熱によって特性が変化するデバイスからなる赤外線センサーを備えた半導体集積回路において、赤外線センサーの直流電圧出力成分が周囲温度に依存しないようにする。例文帳に追加

To prevent dependence of a DC voltage output component of an infrared sensor on ambient temperature in a semiconductor integrated circuit which includes the infrared sensor including a device whose characteristics are changed by heat generated due to reception or emission of infrared light. - 特許庁

半導体パッケージにおける集積回路（ＩＣ）チップと基板との間又は超小型電子デバイスにおける半導体部品と基板との間の相互接続を保護し、補強するための、非流動アンダーフィル封止材として有用な熱硬化性材料を提供する。例文帳に追加

To provide a thermosetting material useful as a no-flow underfill sealant for protecting and reinforcing an interconnection between an integrated circuit (IC) chip and a substrate in a semiconductor package or between a semiconductor part and a substrate in a microelectronic device. - 特許庁

複数の異種のデバイスを集積して受動部品を内蔵することが可能で、小型薄型化が可能である半導体モジュールを、歩留まり良く製造することを可能にする、高い信頼性を有する半導体モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable semiconductor module in which two or more different kinds of devices can be integrated and passive components can be incorporated and which can be made compact and thin, and to provide a method for manufacturing the semiconductor module at high yield. - 特許庁

図１の半導体集積回路デバイスにおいてセラミックスパッケージ２の一部に対向電極３、４を設け、セラミックス基板２焼結後、シリコンチップＬＳｉ1搭載前に、電極間に高電圧を加えて分極処理、圧電体セラミックス化してセラミックス振動子を形成しする。例文帳に追加

In the semiconductor integrated circuit device shown on fig. 1, opposing electrodes 3 and 4 are provided at a part of a ceramic package 2 and subjected to polarization by applying a high voltage between the electrodes after sintering a ceramic substrate 2 before mounting a silicon chip LSi 1 thus forming a piezoelectric ceramic oscillator. - 特許庁

高集積デバイスに適用可能な強誘電体特性、リーク電流特性、膜疲労特性などを有する強誘電体薄膜に好適に使用できる結晶性酸化物膜の形成方法および半導体装置を提供することを課題としている例文帳に追加

To provide a method for forming a crystalline oxide film that can be appropriately used for a ferroelectric thin film having ferroelectric, leakage current, and film fatigue characteristics that can be applied to a high integration device, and a semiconductor device. - 特許庁

層間絶縁膜として用いて低誘電率でありまた銅（Ｃｕ）系配線と組合せるに好ましい、微細・超高集積デバイスに好適なシリコン窒化膜を、汎用される原料ガスから容易に成膜できる技術の確立が課題である。例文帳に追加

To establish a technology of easily forming a silicon nitride film from generally available raw material gases which is used as a layer insulation film, has a low dielectric constant, is preferable for combination with copper (Cu) wirings and suited to fine and ultra-high integration devices. - 特許庁

複数段の研磨工程を備える半導体ウェーハの製造方法において、デバイスの高集積化に適応し得る高い表面品質を有する半導体ウェーハを得るために研磨起因欠陥を低減するための手段を提供すること。例文帳に追加

To provide a measures for reducing polish-caused defects for obtaining a semiconductor wafer having high surface quality adaptable to high integration of a device, in a method of manufacturing a semiconductor wafer including a polishing step having a plurality of steps. - 特許庁

ヘイズレベルが低く、平坦度（エッジロールオフ）に優れ、また、さらには、エピタキシャル成長速度の方位依存性が低減された、半導体デバイスの高集積化に対応できるシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon epitaxial wafer which has a low haze level, excellent flatness (edge roll-off), and an epitaxial growth rate with reduced orientation direction dependency, thereby meeting the need for high integration for semiconductor devices, and to provide a method of producing the same. - 特許庁

本発明の課題は、試料に含まれる物質に損傷を与えることなく、流路を流れる試料液の通過を検出する方法、それに基づいて流れを制御する方法およびそのためのデバイスであって、微少な領域に集積化可能なものを提供することである。例文帳に追加

To provide a method for detecting passage of a sample liquid flowing in a channel without damaging a material included in the sample, a method for controlling the flow based thereon, and a device therefor accumulable in a fine domain. - 特許庁

電子デバイス、例えばプリント配線板および集積回路の製造において、ピットおよび空隙を含まない、銅充填されたミクロン以下のサイズの開口部を供給しうる、１つまたはそれ以上の抑制剤化合物を含む銅電気めっき浴を提供する。例文帳に追加

To provide a copper electroplating bath including one or more inhibitor compounds capable of supplying openings of sizes below microns which do not contain pits or gaps and are packed with copper in manufacturing electronic devices, for example, printed wiring boards and integrated circuits. - 特許庁

平面型導電性材料５２はリードフレーム上の複数の延長部で、積み重ねられたパッケージ集積回路デバイス１２Ａ、１２Ｂの導電性端子２８を導電的に接続した後、互いに単独化するためにリードフレームから分断される。例文帳に追加

The planar electro-conductive materials 52 are a plurality of extensions formed on lead frames and after the planar electro-conductive materials 52 are arranged to connect electro-conductive terminals 28 of the stacked packaged integrated circuit devices 12A and 12B electrically conductively, the planar electro-conductive materials 52 are cut off from the lead frames to be isolated from one another. - 特許庁

広いボール径範囲にわたって、真球のボールを安定的に形成し、かつメッキをする際にメッキ液の劣化をもたらさずに製造することができ、好ましくは、さらに被覆層と芯材との密着性にすぐれるボンディングワイヤーおよびそれを使用した集積回路デバイスを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a bonding wire that stably forms a spherical ball over a wide ball-diameter range, can be manufactured without degrading a plating liquid in plating, and preferably is improved in adhesion property between a covering layer and a core. - 特許庁

低電源電圧で高速動作が可能な低しきい値デバイスを用いた半導体集積回路において、チップ面積増大や動作時の特性劣化を招くことなく待機時のリーク電流を削減し、待機時の安定状態を保持する。例文帳に追加

To hold a stable state during a wait by reducing a leak current during the wait without increasing a chip area and deteriorating characteristics in operations in a semiconductor integrated circuit using a low threshold device in which a high-speed operation is made possible by a low power supply voltage. - 特許庁

銅を主成分とする芯材、該芯材上に形成された銅以外の金属からなる異種金属層、および該異種金属層の上に形成され、銅よりも高融点の耐酸化性金属からなる被覆層を有することを特徴とするボンディングワイヤーおよびそれを使用した集積回路デバイス。例文帳に追加

The core that makes copper a principal component has a layer made of a different species metal made of a metal other than copper formed on the core member, and a covering layer that is formed on the layer made of the different species metal and is made of an oxidation resistant metal having a higher melting point as compared with the copper. - 特許庁

外部電源電圧５Ｖ仕様のデバイスを、微細化プロセスで形成される３Ｖ系や１．８Ｖ系の素子を用いて形成可能とし、且つ、外部電源を降圧する電源回路の駆動力が小さくても動作可能な半導体集積回路の入出力回路を提供することにある。例文帳に追加

To provide the input circuit and the output circuit of a semiconductor integrated circuit that is an operation available, in spite of the fact that the drive power of a power supply circuit due to step-down of an external power supply is small, with a re-formation that 5 voltage system on the external power supply forms into 3 or 1.8 voltage system through fine processing. - 特許庁

ヌ　化合物半導体を用いたデジタル方式のものであって、次のいずれかに該当するもの（マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、化合物半導体を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、デジタルアナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路又は光集積回路、フィールドプログラマブルロジックデバイス、ニューラルネットワークを用いたもの、カスタム集積回路、ＦＦＴプロセッサ及び他の貨物に使用するように設計したものを除く。）例文帳に追加

j) Digital devices employing compound semiconductors that fall under any of the following (excluding those used for storage elements employing compound semiconductors, analog-to-digital converters, digital-to-analog converters, electro-optical integrated circuits or optical integrated circuits used for signal processing, field programmable logic devices, devices using neural networks, custom integrated circuits, FFT processors and those designed for use in other goods  - 日本法令外国語訳データベースシステム

強誘電体薄膜を複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとり、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送デバイス構造を強誘電体メモリのメモリセル群として用いることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリが得られる。例文帳に追加

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained. - 特許庁

本発明によるニッケルゲルマノシリサイドシリコンゲルマニウム集積回路デバイスは、基板上に位置するシリコンゲルマニウム層と、シリコンゲルマニウム層上に位置するニッケルゲルマノシリサイド層とを含み、ニッケルゲルマノシリサイド層は内部に安定化金属を含み、安定化金属は、イリジウムおよびコバルトからなる群から選択される。例文帳に追加

This nickel germanosilicide silicon germanium integrated circuit device is provided with a silicon germanium layer positioned on a wafer and a nickel germanosilicide layer positioned on the silicon germanium layer, the nickel germanosilicide layer is internally provided with a stabilized metal, and the stabilized metal is selected out of a group composed of iridium and cobalt. - 特許庁

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。例文帳に追加

To provide a pattern forming method for forming a pattern having a large depth of focus (DOF), small line width roughness (LWR) and reduced bridge defects, in order to more stably form a high-accuracy fine pattern for manufacturing a highly integrated and accurate electronic device, and to provide a chemical amplification resist composition used in the method and a resist film formed from the chemical amplification resist composition. - 特許庁

効率の高い導波路型光増幅素子、導波路型レーザー素子、これらの素子に光合波、分岐等の導波路型光受動素子を一体化した光集積回路、アップコンバージョン及びエレクトロルミネセンス表示デバイス等に有用な、フォノンエネルギーが低い、環境に対する負荷の小さいフッ化物薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a fluoride thin film low in phonon energy, small in a load on the environment and useful, e.g. for a high efficiency waveguide type light amplifying element or wave guide type laser element, a light integrated circuit in which a waveguide type light receiving element for light multiplexing, branching or the like is integrated into these elements and a display device utilizing up-conversion and electroluminescence. - 特許庁

波長λの半導体レーザ光を用いた場合に、光集積デバイスの光結合手段であるグレーティングを通過する光に波長変動が生じても、グレーティングを通過した後の導波光の強度変化を小さくすることで、光情報記録媒体に対する照射光の焦点位置を検出するフォーカスエラー信号の劣化を抑制する。例文帳に追加

To suppress deterioration of a focus error signal for detecting the focus position of light irradiating an optical information recording medium by making variation in the intensity of directed light having passed through a grating as an optical coupling means of an optical integrated device even if the light passing through the grating varies in wavelength when a semiconductor laser beam of wavelength λ is used. - 特許庁

ＳＯＩＭＯＳトランジスタの高速化、低消費電力化を図るためにＳＯＩ層の厚さを薄くしても、ＳＯＩウエーハに形成される縦型バイポーラトランジスタの耐圧を確保でき、ベース−コレクタ間の寄生容量を小さく抑えた高速動作用のＢＩＣＭＯＳ集積回路デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a BICMOS integrated circuit device for a high-speed operation capable of securing the breakdown strength of a vertical bipolar transistor formed on an SOI wafer, even when the thickness of an SOI layer is reduced so as to accelerate an SOIMOS transistor and reduce power consumption and suppressing parasitic capacitance between a base and a collector. - 特許庁

補足ディスプレイシステム電子部品をディスプレイの設計に組み込み、ディスプレイシステムの複雑さを低減し、ディスプレイ製品の寿命期間にわたる第三者デバイス老朽化に起因するシステム変化を低減し、ディスプレイシステムコストを低減する集積ディスプレイモジュールを提供する。例文帳に追加

To provide accumulated display modules capable of preventing a display system from becoming complicated by incorporating electronic parts of supplementary display system into design of display, preventing changes of the system caused by deterioration of a third party device for a period of service life of a display product, and reducing cost of the display system. - 特許庁

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、レジストパターンの面内均一性（ＣＤＵ）及び欠陥性能に優れ、また処理液の使用量を低減できるレジストパターンを形成し得る化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a processing liquid for forming a pattern due to a chemically amplified resist composition superior in in-plane uniformity (CDU) and defect performance of a resist pattern and in addition, for forming the resist pattern reducing an amount of use of the processing liquid in order to stably form a highly precise fine pattern for manufacturing highly integrated and highly precise electronic device, and to provide a method for forming the pattern using it. - 特許庁

集積回路及びマイクロ電気機械デバイスを加工する時のホトレジスト除去のために用いられるプラズマ灰化機械のためのグリッド板組立体において、上方グリッド板と、前記上方グリッド板から可変間隙により分離された下方グリッド板とを具え、然も、前記上方及び下方のグリッド板が一連の孔を有する、上記グリッド板組立体。例文帳に追加

A grid board assembly, which is for a plasma-ashing machine used for removing a photoresist as an integrated circuit and a micro electromechanical device are worked, is provided with an upper grid board and an lower grid board that is separated from the upper grid board with a variable gap in between, and each of these upper and lower grid boards has a chain of holes. - 特許庁

半導体デバイス等の製造に用いるCVD装置の真空系におけるドライポンプとメカニカルブースターポンプの間に反応性生物がたまり、それが急激にドライポンプに移動することによって起こるドライポンプの運転のトラブルを回避することによって、半導体集積回路装置の製造プロセスの安定化を図る。例文帳に追加

To stabilize a process of manufacturing a semiconductor integrated circuit device by avoiding troubles in the operation of a dry pump that are caused when reaction products collect between the dry pump and a mechanical booster pump in a vacuum system of a CVD apparatus for use in the manufacture of a semiconductor device, or the like, and rapidly moves toward the dry pump. - 特許庁

受光素子及び増幅演算回路を一体的に内蔵した受光素子基板（ＰＤＩＣ）を用いて集積化した光デバイスにおいて、半導体レーザ及び増幅演算回路からの発熱を効率よく放熱できるようにし、また、半導体レーザ及び受光素子の位置関係を容易に高精度に維持することができるようにする。例文帳に追加

To radiate efficiently heating from a semiconductor laser and an amplifying operating circuit, and to keep the position relation, between the semiconductor laser and a light receiving element easily and highly accurately, in an optical device integrated using a light-receiving element substrate (PDIC) incorporating integrally the light receiving element and the amplifying operating circuit. - 特許庁

強い非平衡成長条件を有する結晶成長法と成長後の熱処理を組み合わせることにより、磁性体微粒子／半導体複合材料を形成し、この複合材料を半導体基板上に積層することにより、半導体光デバイスと集積化が可能な磁気光学効果を用いた磁気光学装置の製造方法及びその磁気光学装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a magneto-optical device, using magneto-optical effect, which can be integrated with a semiconductor optical device by forming a magnetic body particulate/semiconductor compound material and stacking the compound material on a semiconductor substrate by combining a crystal growing method, which has strong non-balance growth conditions and a heat treatment after the growth and the magnet-optical device. - 特許庁

常温処理或いは比較的低温での処理により基板上に直接金属酸化物による微細形状のパターニングを行うことを可能としたパターン形成方法を提供し、また、このパターン形成方法を利用することで、高密度、高集積度の各種電子デバイス、高機能の光学素子、光触媒性部材を安価に市場に提供する。例文帳に追加

To provide a pattern forming method by which fine patterning with a metal oxide can directly be carried out on a substrate by treatment at ordinary temperature or treatment at a relatively low temperature and to inexpensively provide various high density electronic devices having a high degree of integration, a high functional optical element and a photocatalytic member to markets by utilizing the pattern forming method. - 特許庁

この発明のスイッチング電源では、入力直流電圧ＶｉがＩＰＤ３（制御回路内蔵形集積化スイッチングデバイス）の通常使用範囲より相当低い電圧である場合に、制御回路７からＩＰＤ３の制御端子ＴＣに制御信号Ｓｃを供給してＩＰＤ３を動作可能状態に引き込む。例文帳に追加

In this power supply, when an input DC voltage Vi is a voltage which is considerably lower than the ordinary usage range of an IPD 3 (an integrated switching device with a built-in control circuit), a control signal Sc is supplied to a control terminal TC of the IPD 3 from a control circuit 7, and the IPD 3 is pulled into an operational state. - 特許庁

特に、記録動作に用いる高出力半導体レーザ及び高倍速に対応可能な増幅演算回路を内蔵した受光素子（ＰＤＩＣ）を一体的に集積化した光デバイスにおいて、これら発熱源における発熱を効率よく放熱でき、また、半導体レーザ及び受光素子の位置関係を容易に高精度に維持することができるようにする。例文帳に追加

To radiate efficiently heat generation in a heat generation source and to keep easily and highly accurately position relation of a semiconductor laser and a light receiving element, in an optical device in which the light receiving element (PDIC) incorporating an amplifying arithmetic circuit, especially, compatible with a high output semiconductor laser and high-multiple speed used for recording operation is integrated integrally. - 特許庁

導電性ワイヤー部として機能する連結分子を別途導入する必要がなく、金属錯体ユニットのみをビルディングブロックとして金属錯体集積構造物を構築することができると共に、分子量を小さくすることができる配位子、該配位子を含む金属錯体化合物及びその製造方法、並びに分子デバイスの製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a ligand capable of constructing a metal complex accumulation structure by using a metal complex unit as exclusive building unit without separately introducing a binding molecule functioning as a conductive wire part and having a reduced molecular weight, a metal complex compound containing the ligand, a method for producing the compound and a method for producing a molecular device. - 特許庁

本願発明は、ＣＭＯＳ集積回路デバイスの製造方法において、Ｎチャネル領域およびＰチャネル領域において、ゲート電極膜形成前の高誘電率ゲート絶縁膜の電気的特性を調整するためのチタン系窒化物膜を下方のチタンを比較的多く含む膜と、上方の窒素を比較的多く含む膜を含む構成とするものである。例文帳に追加

The present manufacturing method of CMOS integrated circuit device comprises forming a titanium nitride film for adjusting electrical characteristics of a high dielectric gate insulation film before forming a gate electrode film at an N channel region and a P channel region, the titanium nitride film being composed of a lower film containing relatively rich titanium and an upper film containing relatively rich nitrogen. - 特許庁

ロ　マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、プログラムを電気的に消去することができるプログラマブルロム（フラッシュメモリーを含む。）、スタティック式のラム、化合物半導体を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、デジタルアナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールドプログラマブルロジックデバイス、ニューラルネットワークを用いたもの、カスタム集積回路（ハからチまでのいずれか若しくはルに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別表第一の五から一五までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計したものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。以下この条において同じ。）又はＦＦＴプロセッサであって、次のいずれかに該当するもの（他の貨物に使用するように設計したものを除く。）例文帳に追加

b) Microprocessors, microcomputers, microcontrollers, programmable ROM that can electronically delete programs (including flash memory), static RAM, and devices using storage elements that employ compound semiconductors, analog-to-digital converters, digital-to-analog converters, electro-optical integrated circuits or optical integrated circuits used for signal processing, field programmable logic devices, those using neural networks, custom integrated circuits (excluding those for which it is possible to determine whether or not they are goods that fall under any of (c) through (h), or (k), or those for which it is possible to determine whether or not they are goods falling under any of the goods in the middle column of rows 5 through 15 of the appended table 1 of the Export Order; hereinafter the same shall apply in this Article) or FFT processors that fall under any of the following categories (excluding those designed for use in other goods  - 日本法令外国語訳データベースシステム

また、本発明によるパッシベーション層を有する強誘電体構造を含む集積回路デバイスを製造する方法は、堆積チャンバを提供する工程と、上部電極と下部電極との間に位置する強誘電体材料を含む強誘電体構造を堆積チャンバに提供する工程と、堆積チャンバにアルミニウムとチタンとを提供する工程と、アルミニウムおよびチタンをスパッタリングして、上部電極上にチタンドープトアルミニウム酸化物パッシベーション層を形成する工程とを包含する。例文帳に追加

A method for manufacturing the integrated circuit device including a ferroelectric structure having the passivation layer includes a process for providing a deposition chamber, a process for providing the ferroelectric structure including the ferroelectric material positioned between an upper electrode and a lower electrode to the deposition chamber, a process for providing aluminum and titanium to the deposition chamber, and a process for forming titanium doped aluminum oxide passivation layer on the upper electrode. - 特許庁

ウエハ上に（ＨＢＴ及びＦＥＴのような）少なくとも２つの異なるタイプの集積活性デバイスをその後に作製するのに適したエピタキシャル第３〜５族化合物半導体ウエハを作製する方法を、基板を提供するステップ；基板上に第１のエピタキシャル構造体を成長させるステップ；及び第１のエピタキシャル構造体上に第２のエピタキシャル構造体を成長させるステップによって構成した。例文帳に追加

A method of fabricating an epitaxial compound semiconductor III-V wafer suitable for the subsequent fabrication of at least two different types of integrated active devices (such as an HBT and an FET) on such wafer is provided by providing a substrate; growing a first epitaxial structure on the substrate; and growing a second epitaxial structure on the first epitaxial structure. - 特許庁

そのためにも、経済連携や高コスト構造の改善等により我が国の立地環境を一層魅力あるものに改善していくことが必要であり、こうした取組を通じて、国内に高付加価値な機能が一層集積され、海外需要と連鎖したイノベーションが活発化することで、我が国のリーディング企業が、例えば、アジアへの問題解決型の「インテグレータ」や世界のサプライチェーンにとって不可欠な高度部品デバイス供給企業として、その存在意義を一層昇華させていくことが重要である。例文帳に追加

For this purpose, it is necessary to improve the location environment of Japan by economic collaboration and correction of the high-cost structure etc. Through these approaches, if a high value-added function is further accumulated in Japan, the innovation linked with overseas demand will be activated, and as a result leading Japanese companies must become problem solving “integrators” in Asia, or high quality parts device suppliers essential for the global supply chain. - 経済産業省