「集積化デバイス」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

集積回路デバイスにおいて相互接続構造体として使用されるもののような金属を研磨もしくは平坦化するのに有用な水性化学調製物を提供すること。例文帳に追加

To provide an aqueous chemical preparative composition useful for polishing and flattening metal to be used as an interconnection structure or the like in an IC device. - 特許庁

シリコンウエハの酸化膜を特性を大幅に改善することが可能となり、また低温プロセスにおいても高特性の酸化膜を形成することが可能となるため、より高性能、高集積半導体デバイスを実現することができる。例文帳に追加

Since the oxide film of a silicon wafer can be substantially improved in terms of its property, and a high-property oxide can be formed in a low-temperature process, a higher-performance, highly integrated semiconductor device can be materialized. - 特許庁

簡便かつ安価であって、流路パターンを容易かつ自由自在に変えることができ、必要に応じて化学的機能の集積化も行うことのできる微小流路デバイスおよびその作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a minute flow channel device which is simple and inexpensive, capable of freely changing the flow channel pattern and capable of even integrating the chemical functions as necessary, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

基板の表面をトレンチ構造にしてエミッタ領域及びエミッタ電極を設け、デバイスサイズを小型化、高集積化することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of reducing a device size and achieving high integration by forming the surface of a substrate to be in a trench structure and providing an emitter region and an emitter electrode, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

1000W/cm^2を超えるような高熱流束にも対応可能で、エレクトロニクスデバイスの更なる高集積化・小型化等にも寄与し得る沸騰冷却装置を提供する。例文帳に追加

To provide a boil cooling device responding to high-heat flux exceeding 1000 W/cm^2 and contributing to further high integration and miniaturization of an electronics device. - 特許庁

信号抽出回路が集積されるデバイスの製造偏差、温度変化、経年変化又は入力信号のオフセットに起因する信号抽出装置の動作の不都合を軽減する。例文帳に追加

To provide a signal extracting circuit capable of reducing a defective operation of a signal extraction apparatus due to manufacturing variations of a device to which the signal extracting circuit is integrated, and to temperature changes, aging changes or offsetting of the input signal. - 特許庁

減分極電界によるメモリ保持特性の劣化を抑制するとともに、メモリセルのセルサイズを狭小化して、前記メモリセルを高密度に集積させた強誘電体メモリデバイス、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device where the deterioration of a memory holding characteristic caused by a depolarizing field is suppressed, the size of a memory cell is reduced and the memory cell is integrated at high density and to provide a manufacturing method of the device. - 特許庁

あるいは、鍵情報またはＩＤを断片化したデバイスの断片化情報を集積して鍵情報またはＩＤを生成してサーバとの認証に必要な情報を生成する構成とした。例文帳に追加

Alternatively, fragmentated information of a device obtained by fragmentating key information or ID is accumulated to produce the key information or ID, thereby producing information required for authentication with the server in this arrangement. - 特許庁

入力リード端子を有する高周波デバイス部品において、内蔵される集積回路を静電破壊から保護して、設計の効率化、標準化、作業性、品質の向上を図る。例文帳に追加

To realize efficiency elevation of deign, standardization, and improved work efficiency and quality, by protecting a built-in integrated circuit from electrostatic breakage, in a high-frequency device which has an input lead terminal. - 特許庁

室温で大きな磁気光学効果を示し、動作波長が広い範囲で制御可能であり、しかも、半導体光デバイス・光電子集積回路との集積化が容易な半導体磁気光学効果装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor magneto-optical effect device which shows a large magneto-optical effect at room temperature, which can be controlled for the operational wavelength in a wide range, and which can be easily integrated with semiconductor optical devices and photoelectronic integrated circuits. - 特許庁

集積回路は、また、パラレルバスインターフェース上において、複数のフラッシュメモリデバイスインターフェース信号および複数のパラレルバスインターフェース信号を多重化するロジックを備える。例文帳に追加

The integrated circuit may also include logic to multiplex flash memory device interface signals and parallel bus interface signals on the parallel bus interface. - 特許庁

主題のデバイスは、２つ以上の電極と導電的に接続される集積回路から作成されたセグメント化された電極を含み、各電極が個々に作動され得る。例文帳に追加

The subject devices include segmented electrode structures made up of an integrated circuit electrically coupled to two or more electrodes, where each electrode can be individually activated. - 特許庁

４０Ｇｂｐｓを超える速度を有するＯＴＤＭ信号の逆多重化およびクロック回復を実質的に同時に行うことができる単一の集積デバイスを含む光受信機を提供すること。例文帳に追加

To provide an optical receiver including a single integrated device capable of substantially simultaneously performing demultiplexing and clock recovery of high-speed OTDM signals in excess of 40 Gbps. - 特許庁

非単結晶Ｓｉ薄膜と単結晶Ｓｉ薄膜デバイスとを形成し、高性能なシステムを集積化した半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which forms a non-single crystal Si thin film device and a single crystal Si thin film device and integrates a high performance system. - 特許庁

集積回路中の消費電力を算出すべき対象論理回路に、ゲートの信号変化数を計測する計測回路を付加してデバイスを構成する。例文帳に追加

A device is constituted by adding a measuring circuit which measures the number of signal changes of a gate to the logic circuit whose power consumption is calculated in the integrated circuit. - 特許庁

よって、メモリの初期化に要する時間が半導体集積回路を量産する際のスループットを低下させることもなく、デバイスコストが上がることもない。例文帳に追加

Therefore, the throughput at the time of mass production of semiconductor integrated circuits is not reduced by the time required for the initialization of the memory, and a device cost is not raised. - 特許庁

ナノメートルサイズの素子を集積化して構成される光デバイスの入力部に、安定して高効率に、かつ小型に光を結合できる変換素子を提供する。例文帳に追加

To provide a conversion element capable of stably, highly efficiently, and compactly coupling light to an input portion of an optical device constructed by integrating nanometer-sized elements. - 特許庁

救済情報保存用デバイスのサイズを抑え、メモリマクロ間の配線を容易にした上で、高速化に有利な半導体集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit in which size of a device for preserving relief information is suppressed, and which is advantageous for high speed by making wiring between memory-macros easy. - 特許庁

表層部の結晶欠陥が少なく、かつ表層強度が高い、高集積化デバイス用基板として好適な単結晶シリコンウェーハの提供。例文帳に追加

To provide a single-crystal silicon wafer small in crystal defects of a surface layer part, high in surface layer strength, and suitable for a substrate for highly-integrated device. - 特許庁

デバイスの高集積化に伴い配線の信頼性が大きな問題となっており、本発明は実際に電流が流れることにより断線を引き起こす現象として知られているＥＭ（エレクトロマイグレーション）を解決するものである。例文帳に追加

To suppress electromigration(EM) known as a phenomenon of wire breaking caused by an actually flowing current to raise the reliability of the wiring with elevation of the integration degree of a device. - 特許庁

微細コンタクト孔に対する高信頼性の要請及び配線遅延の抑止の要請を共に満たし、容易且つ確実に特に半導体デバイスの高集積化を実現する。例文帳に追加

To easily and surely increase degree of integration of, particularly a semiconductor device by meeting both requirements of improving the reliability of fine content holes and the suppression of wiring delays. - 特許庁

マルチバンド無線デバイスに必要な密度及びパフォーマンスを実現できるように、ＬＣＰ層上に形成された集積化された受動コンポーネントを有する１つ以上のＬＣＰ層を用いて製造される。例文帳に追加

These devices are manufactured using one or more LCP layers on which integrated passive components are formed to achieve density and performance necessary for multiband wireless devices. - 特許庁

本発明は、簡素な工程で、デバイスの特性を均一化することができる半導体装置の製造方法及び半導体集積回路装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that uniformizes device characteristics by a simple process, and to provide a semiconductor integrated circuit device. - 特許庁

高品位の結晶性を有し、且つ精密にサイズ・位置制御がなされ、デバイスへの集積化の自由度の高められた、均質なβ-FeSi_2又はFeSi_2アモルファスドットアレイ構造体とその効率的な作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a homogeneous β-FeSi_2 or FeSi_2 amorphous dot array structure which has high quality crystallinity, has precisely controlled size/position and is enhanced in flexibility of integration to a device, and to provide its efficient production method. - 特許庁

低消費電力で小型・集積化に優れ、広範な光可変減衰領域全てで偏波依存性の優れた光可変減衰機能を有する光デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an optical device which is low in power consumption, is superior in miniaturization and integration, and has a variable light damping function which is superior in polarization dependence over all the ranges of variable light attenuation region. - 特許庁

素子抵抗が小さくでき、低しきい値電流にでき、かつ、基板除去が可能で他のデバイスとの集積化に優れた面発光レーザ装置、およびその製造方法である。例文帳に追加

To provide a surface-emitting laser that can be reduced in element resistance and threshold current and can be properly integrated with another device by removing its substrate, and to provide a method of manufacturing the laser. - 特許庁

Ｓｉベースのフォトニクスプラットフォーム上で、フォトニックデバイス、Ｇｅ導波路一体型光検出器、およびハイブリッドＩＩＩ−Ｖ／Ｓｉレーザの共集積化のための方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for co-integrating a photonic device, a Ge waveguide built-in photodetector, and a hybrid III-V/Si laser on a Si-base photonic platform. - 特許庁

簡単化と汎用性とを持ち、使用するデバイスの動作速度に適合したデータ授受を可能としたデータ処理システム、半導体集積回路装置とそれに好適な信号授受方法を提供する。例文帳に追加

To provide a data processing system, a semiconductor integrated circuit device and a signal transfer method, in which data transfer matched with operating speed of a device to be used is possible while having simplification and versatility. - 特許庁

任意の基板上に、薄膜の高誘電率酸化物を形成可能とし、高速、小型で低電圧駆動の光変調器等の光学素子、光集積デバイスおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-speed, compact, and low-voltage-driving optical element or optical integrated device such as an optical modulator, allowing formation of a high-dielectric-constant oxide of a thin film on an optional substrate, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

プローブカードにおける同一面積の支持板において，従来よりも狭ピッチのガイド孔を形成し，プローブピンを付勢するための弾性部材の選択の自由度も高めて，高集積化デバイスの検査を精細に行う。例文帳に追加

To execute a fine inspection of a highly integrated device by forming a guide hole with a narrower pitch than before in a support plate of the same area in a probe card and raising a flexibility of selection of an elastic member for energizing a probe pin. - 特許庁

本明細書は単一のハンド・ヘルド・デバイスにおいて携帯ＲＦおよびＷｉ−Ｆｉ ＲＦの実行を可能にするように設計された集積化受動素子（ＩＰＤ）を提供すること。例文帳に追加

To provide an integrated passive device (IPD) designated to allow implementation of a cellular RF and Wi-Fi RF in a single hand held device. - 特許庁

高集積化されたデバイスパターンに適した露光用マスク、露光用マスクセット、露光用マスクの製造方法、及び膜のパターニング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a mask for exposure that is suitable for highly integrated device pattern, a mask set for exposure, a method of manufacturing mask for exposure, and a film patterning method. - 特許庁

簡単な構造であるにも拘わらず、光ファイバとの結合損失及び光導波路の曲げ損失を小さくでき、しかも偏光依存性の発生を抑止できる小型化可能な集積型光導波路デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an integrated optical waveguide device which can be miniaturized and which can be designed so as to reduce connection loss with an optical fiber and bend loss of an optical waveguide and suppress polarization dependence although the device structure is simple. - 特許庁

共振デバイスの共振周波数を得るまでの時間が短く、ＩＣへの集積化が容易であり、回路規模を小さくできる共振制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a resonance control unit which has a short time until the resonance frequency of a resonance device is obtained, which is easily integrated to an IC and which can be reduced in a circuit scale. - 特許庁

固定クロックレートのシリアルデジタル信号の伝送時の波形周期の乱れを、ローコスト且つフレキシブルな集積化が可能なデバイスを用いて補正し、しかも伝送レート幅が広い場合にも容易に補正する。例文帳に追加

To correct disorder of a waveform period at the time of transmission of a serial digital signal at a fixed clock rate by using a low-cost and flexible device capable of being integrated and to easily correct the disorder even in the case of a wide transmission rate width. - 特許庁

ＣＭＯＳ互換の処理フローにおいて抵抗スイッチング材料の集積化を容易にする抵抗スイッチングメモリデバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a resistive switching memory device that eases integration of a resistive switching material in the processing flow of CMOS compatibility. - 特許庁

高密度で、集積させても温度上昇が抑えられ、高光出力化を図り、また、発光面から効率よく、均一な面発光得ることができる照明用ＬＥＤ光源デバイス及び照明器具を得る。例文帳に追加

To obtain an LED light-source device for illumination in which a temperature rise is suppressed even if integration at high density is performed, and from which high optical output power and efficient as well as uniform surface emission of light are obtained, and an illuminator using the same. - 特許庁

５０μｍ乃至３００μｍの範囲内の高さを持つ透明高分子材料層からなる光学部品３が基板２上に集積化された光学デバイス１である。例文帳に追加

In this optical device 1, an optical component 3 consisting of a transparent high polymer material layer having a height within the range of 50 μm to 300 μm is integrated on a substrate 2. - 特許庁

今後ますます高集積化が進む半導体装置や実用段階に進むと考えられる有機ＥＬ等のデバイスを確実に保護することのできる保護膜及びその作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a protective film that can surely protect a device such as a semiconductor device requiring higher density integration and an organic EL(electroluminescence) device considered to advance in practical use from now, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

単純な構造で、低電圧駆動を可能とし、更にミラーの沈み込みを防止すると共に、ミラー可動範囲が広く、大規模集積化が可能な光デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an optical device which has a simple structure and can be driven with a low voltage, further has a mirror prevented from sinking and has a wide mirror movable range, and can be integrated in a large scale. - 特許庁

電子デバイスにおける高集積化と多配線による密集配線における、回路の短絡等を防ぐ絶縁被覆ボンディングワイヤに最適なボンディングツールとそのボンディング方法を開発する。例文帳に追加

To develop a bonding tool optimum for an insulator-coated bonding wire for preventing a circuit from short circuiting in highly integrated and closely gathered wirings by multipl wirings in an electronic device, and to provide a method for bonding the same. - 特許庁

一実施形態では、メモリデバイスは、不揮発性メモリアレイ(302)と、メモリアレイ(302)と共に基板上に集積された不揮発性バッファ化メモリインターフェースとを備えることができる。例文帳に追加

In an embodiment, the memory device is provided with a nonvolatile memory array 302 and a nonvolatile buffered memory interface integrated therewith on a substrate. - 特許庁

強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとり、かつ複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送デバイスと転送方向を選択する分極転送方向選択デバイスを強誘電体メモリのメモリセル群として用いることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリを得る。例文帳に追加

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained. - 特許庁

半導体デバイスに導入される新たな材料や製造プロセスに対応した洗浄効果を奏することができ、しかも、半導体デバイスの微細化及び高集積化が進むに従って今後ますます高まると予想される洗浄技術に対するニーズにも対応し得る多目的な基板処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a multipurpose substrate treating device that can exhibit the cleaning effect corresponding to a new material or manufacturing process introduced to a semiconductor device and, in addition, can cope with the need for cleaning technique which is expected to increasingly rise in future as the scale down and high integration of the semiconductor device advance. - 特許庁

半導体デバイスに導入されつつある新たな材料や製造プロセスに対応した洗浄効果を奏することができ、しかも、半導体デバイスの微細化及び高集積化が進むに従って今後ますます高まると予想される洗浄技術に対するニーズにも対応し得る多目的な電解処理装置及び電解処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a multi-purpose electrolytic treatment apparatus and electrolytic treatment method which realize a cleaning effect adaptive to new materials and manufacturing processes introduced in a semi-conductor device, and also meet a need for a cleaning technology which is expected to be more increased as the semi-conductor device becomes finer and highly integrated. - 特許庁