「1 0」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

The counter circuit 32 is used for driving the digital side of the D/A converting circuit 30 and constituted so as to perform counting from 2n-1 to 0 and in this case, (n) is the resolution of a photosensor 16.例文帳に追加

カウンタ回路（３２）は、Ｄ／Ａ変換回路（３０）のデジタル側を駆動するために用いられ、２^^n-1から０までカウントするよう構成され得、ここでｎはフォト感知器（１６）の解像度である。 - 特許庁

An engaging protruding part 25a is constituted on the end of the lock pin 25 to have an angle of 0-45° formed by a normal line of a working face for the drum 1 and the first engaging part 11 and the direction in which the lock pin 25 gets in the drum 1.例文帳に追加

ロックピン２５の先端に係合凸部２５ａをドラム１の第１係合部１１との作用面の法線がロックピン没入方向となす角度が０〜４５°となるように形成する。 - 特許庁

This low IF system of receiver stores in advance the coefficient errors between band-dividing filters 16-0, 16-1,..., 16-M-1 which are analog parts, in a digital memory 22a and digitally demodulates them by a digital demodulator 22.例文帳に追加

アナログ部である帯域分割フィルタ１６−０、１６−１、…、１６−Ｍ−１の係数誤差をディジタルメモリ２２ａに記憶しておき、ディジタル復調器２２によりディジタル復調する低ＩＦ方式受信機。 - 特許庁

The primary voltage is 74.22 kV when the contact terminal [0] is connected to the tap terminal [1], and the primary voltage drops down by a step voltage of 1.03 kV each time when the tap terminal is switched from 1, 3, 5, to 15 respectively.例文帳に追加

端子「０」−端子「１」接続時は一次電圧は７４．２２ｋＶであり、タップ端子を１、３、５、…１５と切り換えていくと電圧値はステップ電圧値１．０３ｋＶずつ低下した値となる。 - 特許庁

A 1/2 pixel skipping circuit and a 0/1 repeating circuit are provided in a scrambling code generator, and superfluous multiplication circuits can be eliminated to realize small size of circuit scale, high processing speed, and low power consumption.例文帳に追加

スクランブリングコード発生器内に１／２間引き回路と０／１繰返し回路を持つことで、余分な乗算回路が削除でき、回路規模の縮小、高速処理、低消費電力化を行うことができる。 - 特許庁

In this case, the group 1 consists of 10 consecutive 0 bits, the initial and final frame synchronous bits among the 10 consecutive frame synchronous bits of the groups 2-8 are made to be '1' and the other frame synchronous bits are left optional.例文帳に追加

この際、group1は連続１０ビットの「０」で構成し、group2〜8は連続１０ビットのフレーム同期ビットのうち最初と最後のフレーム同期ビットを「１」とし、それ以外のフレーム同期ビットは任意とする。 - 特許庁

If any tag 10 responds that the bit is a 1, a 1 is entered into an ID register 48 in a reader 14 and all tags 10 in which a 0 exists in that bit position are deactivated.例文帳に追加

もしタグ１０がそのビットが１であると答えるなら、１がリーダー１４内のIDレジスタ４８の中に入力される、そして０がそのビット位置で存在するすべてのタグ１０は非活性化される。 - 特許庁

The multilayered pipe contains at least one layer of an ethylene/vinyl alcohol copolymer (A) containing a structural unit having a 1,2-glycol bond in its side chain represented by formula (1) (wherein X is an arbitrary bonding chain excepting an ether bond, R1-R4 are each independently an arbitrary substituent and n is 0 or 1).例文帳に追加

下記（１）式で示される側鎖に１，２−グリコール結合を有する構造単位を含有するエチレン−ビニルアルコール共重合体（Ａ）の層を少なくとも１層含んでなる。 - 特許庁

(In the formula, m represents an integer of 0 to 6, n represents an integer of 0 to 4, R^1 and R^2 each independently represent a hydrogen atom or a C1 to C10 hydrocarbon, and R^3 and R^4 each independently represent a C1 to C10 hydrocarbon.)例文帳に追加

（式中、ｍは０から６の整数、ｎは０から４の整数であり、Ｒ^１，Ｒ^２はそれぞれ独立に、水素原子またはＣ１〜Ｃ１０の炭化水素であり、Ｒ^３，Ｒ^４はそれぞれ独立にＣ１〜Ｃ１０の炭化水素である。） - 特許庁

The fluoro sulfide based fluorescent material has general formula of (A_1-x-yCe_xB_y)SF in which A that is a rare earth metal, and B that is a rare earth metal or a group 13 metal are a trivalent metal ion, and that satisfies a condition of 0<x≤0.1 and 0≤y≤1.例文帳に追加

希土類金属であるＡと希土類金属又は１３族金属であるＢが３価の金属イオンで、０＜ｘ≦０．１、０≦ｙ≦１の条件を満たす（Ａ_１−ｘ−ｙＣｅ_ｘＢ_ｙ）ＳＦの一般式を有するフルオロスルフィド系蛍光材料。 - 特許庁

A distribution/control block insertion part 64 cyclically distributes data blocks 0 to 7 and inserts a control block 76 to plural PCS lanes 1 to 4 to generate plural block sequences respectively including the data blocks 0 to 7 and the control block 76.例文帳に追加

分配・制御ブロック挿入部６４は、複数のＰＣＳレーン１〜４に対し、データブロック０〜７を巡回的に分配するとともに、制御ブロック７６を挿入し、データブロック０〜７及び制御ブロック７６をそれぞれ含む複数のブロック列を形成する。 - 特許庁

A result feedback means 22 sets, when an operation is completed, the sectional flag 186 concerned at "1", and sets, when the operation is not completed, in addition to setting of the sectional flag 186 concerned to "0", the sectional flag 186 of the manual operation executed just before also at "0".例文帳に追加

結果フィードバック手段２２は、作業が完了していると、区分フラグ１８６を「１」にし、作業が完了していないと、区分フラグ１８６を「０」にするとともに、直前に実行された手動作業の区分フラグ１８６も「０」にする。 - 特許庁

In addition, the shape of part covered with each of the dispersed particles of the adhesive is 0<r<1 mm in which r denotes the average diameter of a contact face, and 0<h<10 μm in which h denotes the average of its height (average particle height).例文帳に追加

又、粒子状に点在する各接着剤被覆部の形状は接触面平均径をｒとすると、０＜ｒ＜１ｍｍであり、その高さの平均（粒子平均高さ）をｈとすると、０＜ｈ＜１０μｍであることを特徴とする。 - 特許庁

The active material particles for the electrode are composed of Li_xFe_1-yL_yPO_4 (wherein 0.1≤x≤1.1 and 0≤y<1) and/or Li_xMn_2-kL_kO_4 (wherein 0.1≤x≤1.1 and 0≤k<2).例文帳に追加

前記電極用活物質粒子は、Ｌｉ_ｘＦｅ_１−ｙＬ_ｙＰＯ_４（式中、ｘ及びｙは、０．１≦ｘ≦１．１、０≦ｙ＜１を満たす）粒子、又はＬｉ_ｘＭｎ_２−ｋＬ_ｋＯ_４（式中、ｘ及びｋは、０．１≦ｘ≦１．１、０≦ｋ＜２を満たす）粒子である。 - 特許庁

The device 1 has a characteristic wherein, when the rotation angle of the magnetism generation member 2 is 0 degree, assuming that the position of the magnetic detector 4 is at 0 degree, density maximum parts in a magnetic flux density distribution of the yoke 3 are unevenly distributed on the region side over 270 degrees and below 90 degrees.例文帳に追加

磁気発生部材２の回転角が０度のとき、ヨーク３の磁束密度分布における密度最大部分は、磁気検出器４位置を０度として、２７０度を超え９０度未満の領域側に偏在していることを特徴とする。 - 特許庁

The switching part 73 keeps being updated, setting the cTDR to a drive torque switching command value cTDR(O), as long as a flag fSTART is in 1 (during executing drive force control), while the switching part 73 holds cTDR(O) immediately before the interruption, as long as the flag fSTART is in O (interruption of drive power control by brake).例文帳に追加

切り換え部73は、フラグｆSTARTが１（駆動力制御実行中）の間、駆動トルク切り換え指令値ｃTDR(0)にｃTDRをセットして更新し続けるが、フラグｆSTARTが０（制動による駆動力制御中断）の間、中断時直前のｃTDR(0)を保持する。 - 特許庁

Since (i<N and and found == 0) is true (S304; Y), the i (i=0)th value of the element data of the array type of columns is assigned to a variable X to be true (S305 and S306; Y) and 1 is assigned to the variable found (S307).例文帳に追加

「ｉ＜Ｎ ＆＆ ｆｏｕｎｄ＝＝０」が真となるので（Ｓ３０４；Ｙ）、配列型の列の要素データ第ｉ（ｉ＝０）番目の値が変数Ｘに代入され、真となるので（Ｓ３０５、Ｓ３０６；Ｙ）、変数ｆｏｕｎｄに１が代入される（Ｓ３０７）。 - 特許庁

A drawing arbitration section 105 receives a REQ 2 from the graphics controller 409 and since the drawing priority level thereof is highest, the drawing arbitration section maintains an OEN 0 to the graphics controller 405 at a "1" level and an OEN 2 to the graphics controller 409 at a "0" level.例文帳に追加

描画調停部１０５はグラフィックスコントローラ４０９からＲＥＱ２を受けてその描画優先レベルが最も高いので、グラフィックスコントローラ４０５に対するＯＥＮ０を“１”レベルにし、グラフィックスコントローラ４０９に対するＯＥＮ２を“０”レベルにする。 - 特許庁

Impulse response h(p×τ)(p=0 to N) of a processing section 170 for performing signal processing by digital processing is divided into a first part h_1(q×τ)(q=0 to M(<N)), and a second part h_2(r×τ)(r=M+1 to N) by an impulse response dividing section 183.例文帳に追加

デジタル処理により信号加工を行う加工処理部１７０のインパルス応答ｈ（ｐ・τ）（ｐ＝０〜Ｎ）を、インパルス応答分割部１８３が、第１部分ｈ_1（ｑ・τ）（ｑ＝０〜Ｍ（＜Ｎ））と、第２部分ｈ_2（ｒ・τ）（ｒ＝Ｍ＋１〜Ｎ）に分割する。 - 特許庁

The packet transmission apparatus 1 includes: a plurality of communication ports P#0-P#n; a switch 3 for switching packets; a storage unit 20 which stores a plurality of queues for respectively holding packets to be output from the plurality of communication ports P#0-P#n; and a stop signal generating unit 26.例文帳に追加

パケット伝送装置１は、複数の通信ポートＰ＃０〜Ｐ＃ｎと、パケットを交換するスイッチ３と、複数の通信ポートＰ＃０〜Ｐ＃ｎから出力するパケットをそれぞれ保持する複数のキューが記憶される記憶部２０と、停止信号生成部２６とを備える。 - 特許庁

Whereas, a non-sensitive ban treatment signal production part 120 produces a non-sensitive band treatment signal Dω which becomes '0' when a value of an input steering angular velocity signal ω is in a predetermined range near 0 and which becomes '1' when it is at the outside of the predetermined range.例文帳に追加

一方、不感帯処理信号生成部１２０は、入力操舵角速度信号ωの値が０近傍の所定範囲内であるときには“０”となり、当該所定範囲外であるときには“１”となる不感帯処理信号Ｄωを生成する。 - 特許庁

The GaN semiconductor crystal base material comprises: an Al_xGa_1-xN (0<x≤1) substrate layer grown directly on a crystal substrate via an AlN low-temperature grown buffer layer, and an Al_yGa_1-yN (0≤y<x) layer provided on the substrate layer.例文帳に追加

結晶基板直上に、ＡｌＮ低温成長バッファ層を介してＡｌ_xＧａ_1_-xＮ（０＜ｘ≦１）下地層が成長しており、該下地層上にＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜ｘ）層が設けられていることを特徴とする、ＧａＮ系半導体結晶基材。 - 特許庁

The glass shoud have the composition of SiO2 65-75 wt.%, Na2O 11-20 wt.%, Al2O3 0-3 (preferably 1-3) wt.%, CeO2 0.2-3 wt.%, ZnO 0-3 wt.%, B2O3 3-8 wt.%, and Sb2O3 5-10 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成をＳiＯ_2 ６５〜７５重量％、Ｎａ_2Ｏ １１〜２０重量％、Ａｌ_2Ｏ_3 ０〜３（好ましくは１〜３）重量％、ＣeＯ_2 ０.２〜３重量％、ＺnＯ ０〜３重量％、Ｂ_2Ｏ_3 ３〜８重量％、Ｓb_2Ｏ_3 ５〜１０重量％とする。 - 特許庁

In the formula, Ra, Rb and Rc are each a substituent; Q is an atom group or a single bond for forming a five to eight-membered ring; (l) and (m) are each an integer of 0 to 5; (n) is 0 or 1, provided that (n1+n3) and (n2+n3) do not each exceed 5.例文帳に追加

一般式（１）（Ｒａ、ＲｂおよびＲｃは置換基；Ｑは５〜８員環を形成する原子群または単結合；ｌ、ｍは０〜５の整数；ｎは０または１を表す。ただし、（ｎ１＋ｎ３）と（ｎ２＋ｎ３）は、それぞれ５を超えることはない。） - 特許庁

That means, an In_xGa_1-xAs_ySb_1-y(0≤x≤0.5, 0≤y≤1) having a thickness of 0.3-3 μm is directly formed as an active layer on the bulk single crystal plate of GaAs, InP and Si or a thin film substrate thereof.例文帳に追加

すなわち、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｓｉのバルク単結晶板、またはそれらの薄膜基板上に、直にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ（０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦１）を活性層として、０．３μｍ以上３μｍ以下の厚さで形成する。 - 特許庁

To provide a recovering method of hydrofluoric acid and hydrochloric acid for efficiently and safely separating and recovering the hydrofluoric acid and the hydrochloric acid at reusable purity and concentration from a mixed acid of hydrofluoric acid/hydrochloric acid/H_xPO_yF_z (1≤x≤3, 0≤y≤4, 0≤z≤6).例文帳に追加

フッ酸／塩酸／Ｈ_ｘＰＯ_ｙＦ_ｚ（１≦ｘ≦３、０≦ｙ≦４、０≦ｚ≦６）の混合酸から、再利用可能な純度と濃度で、効率良く、安全にフッ酸及び塩酸を分別・回収するフッ酸及び塩酸の回収方法を提供する。 - 特許庁

A norbornene based (co)polymer obtained by polymerizing a compound represented by formula (1) (B^1 to B^3 each independently denotes a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an alkoxy group, and m denotes 0 or 1) and a compound having at least 2 or more thiol groups are reacted to obtain the crosslinked polymer.例文帳に追加

下記式（１）（Ｂ^1〜Ｂ^3はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアルコキシル基、ｍは０または１）で表される化合物を重合させて得られるノルボルネン系（共）重合体と、チオール基を少なくとも２以上有する化合物とを反応させる。 - 特許庁

A matrix creation means 22 inputs index numbers t_0, t_1, to t_k-1 (0≤t_0, t_1, to t_k-1≤k-1), corresponding to k pieces of variance information and creates a matrix showing combination of the partial variance information for restoring the partial secret information K_1, to K_np-1.例文帳に追加

行列生成手段２２は、ｋ個の分散情報に対応するインデックス番号ｔ_０、ｔ_１、・・・、ｔ_ｋ−１（０≦ｔ_０、ｔ_１、・・・、ｔ_ｋ−１≦ｋ−１）を入力し、部分秘密情報Ｋ_１、・・・、Ｋ_ｎｐ−１を復元するための部分分散情報の組み合わせを示す行列を生成する。 - 特許庁

In the case that the customer pays by a customer card 10, an adjustment flag 21-1 is rewritten with "1" and an adjustment flag 11-1 of a shoplifting prevention control 11 of the customer card 10 is rewritten from "1" to "0" when information of the purchased commodity 30 in the mobile terminal 20 is written into the customer card 10.例文帳に追加

顧客カード１０で決済する場合、携帯端末２０の購入商品３０の情報を顧客カード１０へ書き込んだ際に、精算フラグ２１−１を“１”に書き換え、かつ、顧客カード１０の万引防止制御１１の精算フラグ１１−１を“１”から“０”に書き換える。 - 特許庁

In the formula, R^1 is 1-8C alkyl group, cycloalkyl group, aryl group or vinyl group; R^2 is 1-5C alkyl group; and n is 0-2.例文帳に追加

〕で示されるオルガノシラン化合物の１種以上から得られる部分加水分解縮合物１００質量部、一般式（１）Ｒ^1_nＳｉ（ＯＲ^2）_4-n〔式中、Ｒ^1は炭素数１〜８のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はビニル基であり、Ｒ^2は炭素数１〜５のアルキル基であり、ｎは０〜２である。 - 特許庁

This high temperature seal material includes perovskite type oxidized ceramic powder expressed by A_xB_(1-x)Co_yFe_(1-y)O_3 (A is Ba or La; B is Sr when A is Ba, and Ca or Ba when A is La; and 0<x, y<1), a solvent and a dispersant.例文帳に追加

高温シール材料は、Ａ_ｘＢ_（１−ｘ）Ｃｏ_ｙＦｅ_（1−ｙ）Ｏ_３（Ａは、Ｂａ又はＬａで、Ｂは、ＡがＢａのときＳｒで、ＡがＬａのときＣａ又はＢａであり、０＜ｘ，ｙ＜１である）で表されるペロブスカイト型酸化セラミックス粉と、溶剤と、分散剤とを含む。 - 特許庁

On the manufacturing method of the zinc oxide dispersion paste, in case that stress is 10^-1 to 10^1 Pa and density of zinc oxide is 25 to 35 wt.%, maximum value of storage modulus (Pa) of dispersion paste at 25°C fulfills a relation, 1×10^0≤Pa≤1×10^5.例文帳に追加

応力が１０^−１〜１０^１Ｐａのとき、酸化亜鉛濃度２５〜３５重量％のときの２５℃における分散ペーストの貯蔵弾性率（Ｐａ）の最大値が、１×１０^０≦（分散ペーストの貯蔵弾性率の最大値）≦１×１０^５である酸化亜鉛分散ペーストの製造方法。 - 特許庁

This polycrystalline diamond thin film characterized in that an average particle diameter is ≥1.5 μm and in that the ratio of a peak intensity at a place near to a wave number of 1580 cm-1 to a peak intensity at a place near to a wave number of 1335 cm-1 is ≤0. 2.例文帳に追加

この発明に係る多結晶ダイヤモンド薄膜は、粒子径の平均が１．５μｍ以上であり、かつラマン分光法によって得られるラマンスペクトルにおいて、波数１５８０ｃｍ^-1付近のピーク強度は波数１３３５ｃｍ^-1付近のピーク強度に対し、その比率が０．２以下とする。 - 特許庁

The compound is a pyridine compound represented by formula (I) [wherein, R^1 is a (substituted) 1-7C haloalkyl or the like; R^2 is H, cyanomethyl or the like; R^3 is a 1-7C chain hydrocarbon or the like optionally substituted with halogen atom(s); and n is an integer of 0-3].例文帳に追加

本発明は、式（Ｉ）で表されるピリジン化合物〔Ｒ^1は置換されていてもよいＣ１−Ｃ７ハロアルキル基等を表し、Ｒ^2はシアノメチル基、水素原子等を表し、Ｒ^8はハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１−Ｃ７鎖式炭化水素基等を表し、ｎは０〜３の整数を表す。 - 特許庁

In the formula (1), l is 2-6; m is 0-4; l+m≤6 is satisfied; R^1 and R^2 independently expresses any of H, 1-12C alkyl, 3-6C alkenyl; 5-8C cycloalkyl, 6-8C aryl or 7-8C benzyl; and n is an integer of 1-4.例文帳に追加

式（１）中、ｌは２〜６であり、ｍは０〜４であり、ｌ＋ｍ≦６を満たし、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜８のアリールまたは炭素数７〜８のベンジルのいずれかであり、ｎは１〜４の整数である。 - 特許庁

A selector 10 fixes an output signal SEL of a cumulative addition result as 1 when the n frequency-division counter 3 becomes M_n, resets the n frequency-division counter, the n+1 frequency-division counter and the cumulative adder 7 and sets the output signal SEL as 0 when the n+1 counter 6 becomes Mn+1.例文帳に追加

セレクタ１０はｎ分周カウンタ３がＭ_ｎとなった場合に累積加算結果の出力信号ＳＥＬを１に固定し、ｎ＋１カウンタ６がＭｎ＋１となった場合にｎ分周及びｎ＋１分周カウンタ及び累積加算器７をリセットし、出力信号ＳＥＬを０に設定する。 - 特許庁

In formulae (1) and (3), R^2 is hydrogen or a 1-10C monovalent hydrocarbon group; R^3 is a 2-10C divalent hydrocarbon group; R^4 is hydrogen or a group as defined in R^1; R^5 is a 1-10C divalent hydrocarbon group; and (n) is an integer of 0-3.例文帳に追加

式（１）及び（３）中のＲ^２は水素原子又は炭素数１〜１０の１価炭化水素基、Ｒ^３は炭素数２〜１０の２価炭化水素基、Ｒ^４は水素原子又はＲ^１と同じ基、Ｒ^５は炭素数１〜１０の２価炭化水素基、ｎは０〜３の整数である。 - 特許庁

In a PlayItem (1) and a PlayItem (3), and in a state that a PlayItem_random_access_flag=0 is set, an Entry Mark is set in a PlayItem (2) where a PlayItem_random_access_flag=1 is set.例文帳に追加

PlayItem(1)およびPlayItem(３)において、PlayItem_random_access_flag＝０が設定されている状態において、PlayItem_random_access_flag＝１が設定されているPlayItem(2)にEntry Markが設定され、PlayItem(1)により参照されるClip AV streamの再生中のユーザオペレーションにより、PlayItem(2)のEntry Markへのジャンプが指令された場合、PlayItem(2)のEntry Markからではなく、PlayItem(2)により参照されるClip AV streamの先頭から再生が開始される。 - 特許庁

In the formula (1), M is Si, Ti or Zr; R1 represents phenyl, 1-30C alkyl or a 1-30C hydrocarbon group having an epoxy group; R2 represents 1-6C alkyl; and n represents an integer of 0-2.例文帳に追加

Ｍ（Ｒ１）_ｎ（ＯＲ２）_４−ｎ ・・・式（１） 上記式（１）中、ＭはＳｉ、Ｔｉ又はＺｒであり、Ｒ１はフェニル基、炭素数１〜３０のアルキル基、又はエポキシ基を有する炭素数１〜３０の炭化水素基を表し、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｎは０〜２の整数を表す。 - 特許庁

(In the formula, R^1 is a hydrogen atom or a lower alkyl group and R^2 and R^3 are each independently a lower alkyl group and n and m are each 0 or an integer of 1 to 4).例文帳に追加

（式中、Ｒ^1は水素原子または低級アルキル基を示し、Ｒ^2及びＲ^3はそれぞれ独立に低級アルキル基を、ｎ及びｍは０または１から４の整数を示す。但し、Ｒ^1が水素原子またはイソプロピル基である場合に、ｎ及びｍが同時に０であることはない。） - 特許庁

In the formulas, R^1 is a fluorine atom or a 1-6C perfluoroalkyl group; R^2 is a hydrogen atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom; n is an integer of 0-4; and X^1 and X^2 are each independently a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom.例文帳に追加

（式中、Ｒ^１は、フッ素原子、または炭素数が１〜６のパーフルオロアルキル基を表し、Ｒ^２は、水素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、ｎは０〜４のいずれかの整数を表し、Ｘ^1、Ｘ^2はそれぞれ独立して、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。） - 特許庁

In the image compressing device, a vertical duplicated quadrature transformation processing section 31 performs orthogonal transformation operation processing in a vertical direction to data divided by the size of 8×16 half blocks 0, 1, 2 for storing in intermediate memories 0, 1, 2, respectively, in an intermediate memory 32 as 8×8 data.例文帳に追加

本発明の画像圧縮装置では、垂直重複直交変換処理部３１により、８×１６のハーフブロック０，１，２のサイズで分割されたデータに対し、垂直方向に直交変換演算処理を行い、８×８のデータとして中間メモリ部３２内の中間メモリ０，１，２にそれぞれ格納する。 - 特許庁

The surface of a light emitting diode chip having at least a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) layer and a light emitting layer containing a pn junction inside on a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) substrate is roughed by chemical etching with a mixed solution containing iodine acid, hydrofluoric acid, and sulfuric acid.例文帳に追加

ＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）基板上に、少なくともＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）層および内部にｐｎ接合を有する発光層が形成された発光ダイオードチップの表面を、ヨウ素酸、フッ化水素酸および硫酸を含む混合液を用いて化学エッチングすることにより粗面化する。 - 特許庁

The data destruction detection device 6 for the nonvolatile memory 5 includes a writing part 11, alternately writing a mixed value of 0/1 and a mirror value wherein 0/1 of the mixed value is inverted into the unused address; and a data destruction decision part 12 for reading the mixed value and the mirror value, and deciding whether the data are destroyed.例文帳に追加

不揮発性メモリ５のデータ破壊検出装置６は、未使用アドレスに０／１の混合値と混合値の０／１が反転されたミラー値とを交互に書き込む書き込み部１１と、混合値とミラー値とを読み出してデータが破壊されているか否かを判定するデータ破壊判定部１２とを備えた。 - 特許庁

A protective film 2 is formed on the inner surface of a cylindrical base material 1 made of carbon, and the protective film 2 is composed of a silicon carbide layer 2a formed on the inner surface of the cylindrical base material 1 and a silicon oxynitride layer 2c formed on the silicon carbide layer 2a and having a composition represented by SiO_xN_y(x>0, y>0).例文帳に追加

炭素からなる筒状体基材１の内表面に保護膜２を形成し、前記保護膜２を、前記筒状体基材１の内表面上に形成された炭化珪素層２ａと、前記炭化珪素層２ａ上に形成されたＳｉＯ_ｘＮ_ｙ（ｘ＞０、ｙ＞０）組成を有する酸窒化珪素層２ｃとにより構成する。 - 特許庁