「AR」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The resist pattern 5 is then plasma-treated with a mixed gas composed of Ar, O_2, C_4F_6 to be shaped.例文帳に追加

次に、レジストパターン５をＡｒ，Ｏ_２，Ｃ_４Ｆ_６からなる混合ガスを用いてプラズマ処理して整形する。 - 特許庁

A permanent magnet 3 is disposed ar the center of magnetic poles, and the permanent magnets 4 are disposed between magnetic poles.例文帳に追加

磁極の中心部に永久磁石３を配置し、磁極間側に永久磁石４を配置する。 - 特許庁

A large number of guard columns 4 are scattered in the AR grid 5 spreading on the surface of the antireflection coating 17.例文帳に追加

反射防止膜１７の表面に広がるＡＲ格子５には、保護柱４が多数散在する。 - 特許庁

The subsequent Ar etching was carried out as an after- treatment of the RIBE by the chlorine base gas.例文帳に追加

後のＡｒによるエッチングは、上記の塩素系ガスによるＲＩＢＥの後処理として行ったものである。 - 特許庁

In this case, middle points of rises and falls of the signals AR, AG, and AB are synchronized with each other.例文帳に追加

その際、信号ＡＲ、ＡＧ、ＡＢのそれぞれの立ち上がりと立ち下がりとの中間点を同期させる。 - 特許庁

Inside of the alumina crucible 1 is made into an Ar atmosphere to heat-decompose MgB_2 and generate Mg vapor 4.例文帳に追加

アルミナルツボ１内はＡｒ雰囲気にし、ＭｇＢ_２を熱分解させ、Ｍｇ蒸気４を発生させる。 - 特許庁

Then, rapid thermal annealing (RTA) for one minute is performed in the Ar atmosphere of, for example 650°C.例文帳に追加

その後、例えば６５０℃のＡｒ雰囲気中で１分間の急速加熱処理（ＲＴＡ）を行う。 - 特許庁

Gases of O2, Ar, HCl, CF4, CHF3 and SF6 can be used for treatment.例文帳に追加

処理ガスとしては、Ｏ_2ガス、Ａｒガス、ＨＣｌガス、ＣＦ_4ガス、ＣＨＦ_3ガス、ＳＦ_6ガスを用いることができる。 - 特許庁

Under the first and second conditions, a mixed gas of an Ar gas and an NF_3 gas is used.例文帳に追加

第１および第２の条件の各々はＡｒガスとＮＦ_3ガスとの混合ガスを用いるものである。 - 特許庁

In the alignment layer forming step 21, a polyimide based alignment layer is printed on an array substrate AR and a counter substrate CF.例文帳に追加

このあと、アレイ基板ＡＲの膜面ではなくガラス基板ＧＬ側から紫外線照射を行う。 - 特許庁

By using a high-frequency power source device for plasma generation, argon gas is dissociated into argon plus ion (Ar^+) and electron.例文帳に追加

プラズマ発生用高周波電源装置を用い、アルゴンガスをアルゴンプラスイオン（Ａｒ^＋）と電子に解離させる。 - 特許庁

As the O_2 included gas, the mixture gas of O_2 and the inert gas (Ar or N_2) is desirably used.例文帳に追加

Ｏ_2含有ガスとしては、Ｏ_2と不活性ガス（ＡｒやＮ_2等）との混合ガスを使用するのが好ましい。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

An AR type average calculating means 611 calculates the average LSP parameter in a noise section.例文帳に追加

ＡＲ型平均値算出手段６１１は、雑音区間における平均的ＬＳＰパラメータを算出する。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

A gravity center CM of the mirror part 110 is separated in a direction orthogonal to the swinging axis AR, with respect to a second beam extension line EL2 of connecting the set of the first beams 111 in the direction along the swinging axis AR.例文帳に追加

ミラー部１１０の重心ＣＭは、一組の第２梁１１１を揺動軸線ＡＲに沿う方向に結ぶ第２梁延長線ＥＬ２に対して、揺動軸線ＡＲに直交する方向に離間する。 - 特許庁

Then, the display surface AR is protected by the protection sheet SHb until the manufactured electronic equipment 100 is shipped as a product and the user or the like peels the protection sheet SHb off the display surface AR to use the electronic equipment 100.例文帳に追加

そして、製造した電子機器１００を製品出荷し、電子機器１００の使用に際してユーザー等が表示面ＡＲから保護シートＳＨbを剥離すまで、保護シートＳＨbによって表示面ＡＲを保護する。 - 特許庁

After the plasma ignition of the Ar gas is effected by the power of the microwave, an SiH_4 gas and an NH_3 gas necessitating much more energy than that for obtaining the plasma Ar gas are supplied into the treatment vessel 10.例文帳に追加

マイクロ波のパワーによりＡｒガスがプラズマ着火した後，Ａｒガスよりもプラズマ化するためにより大きなエネルギーを必要とするガスであるＳｉＨ_４ガスおよびＮＨ_３ガスを処理容器１０内に供給させる。 - 特許庁

(In the formula, R_1 represents a hydrogen atom or a methyl group; X represents an electron withdrawing group; Y represents a bivalent connecting group; Ar and Ar' each independently represent an aromatic ring; and n represents an integer of 1 to 5.)例文帳に追加

（式中、Ｒ_１は水素原子又はメチル基を表し、Ｘは電子求引性基を表す。Ｙは２価の連結基を表し、Ａｒ及びＡｒ’は、各々独立に、芳香族環を表す。ｎは１〜５の整数である。） - 特許庁

A mixed gas of Xe, Kr or Ar and Xe or a mixed gas of Ar and Kr which can reduce the electron temperature of plasma is used as a noble gas in processing a film to be processed being an insulating film.例文帳に追加

さらに、絶縁膜である被加工膜を加工する際の希ガスとして、プラズマの電子温度を低減できるＸｅもしくはＫｒもしくＡｒとＸｅの混合ガスもしくはＡｒとＫｒの混合ガスを適用した。 - 特許庁

A chalcogen compound semiconductor film 23 is half-etched by using an etching gas mixed with Cl_2 and Ar at a specific mix ratio, and then the chalcogen compound semiconductor film 23 is etched using only Ar.例文帳に追加

エッチングガスにＣｌ_２とＡｒを特定の比率で混合したガスを用いて、カルコゲン化合物半導体膜２３を途中までエッチングし、その後、Ａｒのみを用いてカルコゲン化合物半導体膜２３をエッチング処理する。 - 特許庁

In formula, X^1 and X^2 are aromatic substituent alkyl groups represented by -(AL)-(Ar)n which may be equal to or different from each other, wherein AL denotes an aliphatic hydrocarbon group, Ar denotes an aromatic group and n denotes an integer of 1 to 3.例文帳に追加

（式中、Ｘ^１、Ｘ^２は同一もしくは異なり、−（ＡＬ）−（Ａｒ）ｎで示される芳香族置換アルキル基であり、ここでＡＬは脂肪族炭化水素基、Ａｒは芳香族基、ｎは１〜３の整数である。） - 特許庁

When there is no acquired identification information in a table for recording AR data acquired from the external device, the collation processing part 113 acquires the AR data by notifying the external device of the identification information.例文帳に追加

照合処理部１１３は、外部装置から取得するＡＲデータを記録するテーブルに、取得した識別情報がない場合、当該識別情報を外部装置に通知することでＡＲデータを取得する。 - 特許庁

Ar gas supplied from an Ar gas tank 13 and pressurized and heated with a pressurizing and heating tank 12 is made to flow into a cavity 11 in the die 1, and the inner part in the cavity 11 is made into high pressure atmosphere and also, heated.例文帳に追加

Ａｒガスタンク１３より供給されて加圧・加熱タンク１２により加圧および加熱されたＡｒガスが金型１のキャビティ１１内へと注入され、キャビティ１１内を高圧雰囲気とすると共に加熱する。 - 特許庁

As shown in Fig.(a), a ring 23 is supported by tilting a rotating shaft Ar of the ring 23 beforehand in the direction opposite to the direction where the rotating shaft Ar of the ring 23 is tilted with reactive force F acted on a drive gear 26.例文帳に追加

図３（ａ）に示すように、ドライブギヤ２６に作用する反力Ｆによってリング２３の回転軸Ａｒが傾く方向とは反対方向に、予めリング２３の回転軸Ａｒを傾けてリング２３を支持する。 - 特許庁

To stabilize an arc and realize a low spatter by enabling a spray transfer of droplets in a MAG welding while a Ar+CO2 mixture gas whose CO2 ratio is more than 25 vol.% is used as a shield gas.例文帳に追加

CO_2 比率が25体積％を超えるAr＋CO_2 混合ガスをシールドガスとするＭＡＧ溶接において、溶滴のスプレー移行を可能とし、アークの安定化、低スパッター化が可能なガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤを提供する。 - 特許庁

The etching is performed in such a manner that a gaseous mixture of Ar, Cr_4 and O_2 in which the mixing ratio of Ar is ≥70% is introduced into the chamber under a gaseous pressure of ≤26 Pa, and the side face temperature of the work is held at 50 to 250°C.例文帳に追加

チャンバー内にはＡｒ混合比７０％以上のＡｒ，ＣＦ_４，Ｏ_２の混合ガスをガス圧２６Ｐａ以下で導入し、被加工物の側面温度を５０℃以上２５０℃以下に保ってエッチングを行う。 - 特許庁

X2=X1×Ar/(APU-APL+Ab) can be obtained from the above-mentioned enumeration expression of X2, V1, the relation between X2 and X1 is determined by Ar/(APU-APL+Ab), and the cylindrical body 3 being an intermediate member can be prevented from being collided with both side members.例文帳に追加

上記Ｘ_2 ，Ｖ_1 の算出式からＸ_2 ＝Ｘ_1 ×Ａ_r ／（Ａ_PU−Ａ_PL＋Ａ_b ）が得られ、Ｘ_2 ，Ｘ_1 の関係がＡ_r／（Ａ_PU−Ａ_PL＋Ａ_b ）で決まり、中間メンバの筒体３が両側メンバと衝接する問題を解消し得る。 - 特許庁

Since fine needle-state structure composed of such projections CP forms the antireflection layer AR in macroscopic sense, the optical member OW having the antireflection layer AR, that is, the optical device is manufactured.例文帳に追加

このような突起ＣＰからなる微細針状構造は、巨視的な意味で反射防止層ＡＲを形成するので、反射防止層ＡＲを有する光学部材ＯＷすなわち光学素子を製造することができる。 - 特許庁

R1 to 6 express hydrogen atom, alkyl group, replaced or not replaced aralkyl group and aryl group, etc. Ar 1 and Ar 2 express a replaced or not replaced polycyclic aromatic group or polycyclic hectocyclic group.例文帳に追加

（式中、Ｒ１〜６は水素原子、アルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、アリール基等を表す。Ａｒ１、Ａｒ２は、置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基または縮合多環複素環基を表す。） - 特許庁

Then IPA vapor (vapor of organic solvent) is jetted out of the 1st supply nozzle 40 to form an air current area AR of the IPA vapor and the wafer W is lifted so as to pass through the air current area AR.例文帳に追加

そして、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気(有機溶剤の蒸気)を吐出してＩＰＡ蒸気の気流域ＡＲを形成し、この気流域ＡＲを基板Ｗが通過するように基板Ｗを引き揚げる。 - 特許庁

Ingredients of discharge gas 3 sealed in the ultraviolet light source 1 are nitrogen gas (N_2), argon (Ar), helium or the like with a mixture ratio of N_2 to Ar of 0.1:99.9 to 30:70, and an internal pressure of 100 to 1,000 Pa.例文帳に追加

紫外線光源１に封入された放電ガス３の成分が、窒素ガス（Ｎ_２），アルゴン（Ａｒ），ヘリウム等であり、Ｎ_２とＡｒとの混合比が０．１：９９．９〜３０：７０、内部圧力が１００〜１０００Ｐａである。 - 特許庁

An IGBT active region AR 1 in which the IGBT 102 is formed is separated from a MOSFET active region AR 2 in which the MOSFET 104 is formed by a gate finger F as an inactive region.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０２が形成されたＩＧＢＴ活性領域ＡＲ（１）と、ＭＯＳＦＥＴ１０４が形成されたＭＯＳＦＥＴ活性領域ＡＲ（２）とは、不活性領域としてのゲートフィンガーＦにより分離されている。 - 特許庁

In the discharge frequency meter, one end of a first zinc oxide element r1 is connected to an arrester AR.例文帳に追加

放電度数計において、第１の酸化亜鉛素子ｒ１は一端が避雷器ＡＲに接続されている。 - 特許庁

The cylinder can be moved to a horizontal direction by an air cylinder 16B, and the valve can be moved to the horizontal direction by an ar cylinder 16A.例文帳に追加

シリンダはエアシリンダ１６Ｂにより、弁はエアシリンダ１６Ａにより共に横方向に移動可能である。 - 特許庁

An Ar laser 4 is radiated on a wafer W surface, and scattered light intensity included in reflected light is measured.例文帳に追加

ウエハＷ表面にＡｒレーザー４を照射し、反射光に含まれる散乱光強度を測定する。 - 特許庁

The AR film 24 is formed by giving reflection preventing treatment to the surface of a substrate of a PET film.例文帳に追加

ＡＲフィルム２４は、ＰＥＴフィルムからなる基材の表面に反射防止処理を施したものである。 - 特許庁

In the PDP 1 of an AC plane discharge type, a Xe-Ar system discharge gas is enclosed in a discharge space 15.例文帳に追加

ＡＣ面放電型のＰＤＰ１において、放電空間１５にＸｅ−Ａｒ系放電ガスを封入する。 - 特許庁

To improve the quality of a cast slab by reducing the amount of Ar gas bubbles contained in the cast slab to be continuously cast.例文帳に追加

連続鋳造される鋳片に含まれるＡｒガス気泡を減少させ、鋳片の品質を向上させる。 - 特許庁

In a left side division area AL and a right side division area AR, 3D images of different view points are displayed.例文帳に追加

左側分割領域ＡＬと右側分割領域ＡＲには視点の異なる３Ｄ画像が表示される。 - 特許庁

Preferably, the rare gas contains at least one of krypton (Kr), argon (Ar) and xenon (Xe).例文帳に追加

好ましくは、希ガスとして、クリプトン（Ｋｒ）、アルゴン（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）の少なくとも何れか１つを含有する。 - 特許庁

For example, an Ar ion laser at the wavelength λ=334 nm or a He-Cd laser at the wavelength λ=325 nm is used.例文帳に追加

例えば、波長λ＝３３４ｎｍのＡｒイオンレーザーやλ＝３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザーを使用する。 - 特許庁

To provide a superconducting wire material in which Ar gas content is reduced, and to provide a method and device for manufacturing the same.例文帳に追加

Ａｒガス含有量を低減した超電導線材、その製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

The inside of the air bubble recovering part S is at constant positive pressure by Ar gas which is supplied from a gas supplying part 31.例文帳に追加

気泡回収部Ｓ内は、ガス供給部３１から供給されるＡｒガスによって、一定の正圧である。 - 特許庁