| 例文 |
Alignment Layer Patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 121件
A first alignment mark 1 is formed on an n-type semiconductor layer 12, and an insulation film 13 having a trench pattern is formed on the whole surface on it.例文帳に追加
n型半導体層12に第1のアライメントマーク1を形成し、その上全面にトレンチパターンを有する絶縁膜13を形成する。 - 特許庁
A first alignment mark 1 is formed at an n-type semiconductor layer 12, and an insulation film 13 having a trench pattern is formed on the whole surface on it.例文帳に追加
n型半導体層12に第1のアライメントマーク1を形成し、その上全面にトレンチパターンを有する絶縁膜13を形成する。 - 特許庁
In the medium 1 for determining authenticity, an alignment layer 3 and a light selection reflecting pattern layer 4 are sequentially layered on one surface of a base material 2, and a reflection type hologram comprising a hologram formation layer 5 and a reflective layer 6 is layered on the other surface.例文帳に追加
基材2の片面に配向膜3、光選択反射パターン層4が順に積層され、他の面にホログラム形成層5および反射性層6からなる反射型ホログラムを積層して真偽判定用媒体1とする。 - 特許庁
The interval of the pattern of the alignment mark 15A is devised, thus inhibiting abnormal growth for obtaining a film growth layer with a flat surface even if the crystal is grown on the alignment mark 15A.例文帳に追加
アライメントマーク15Aのパターンの間隔を工夫したので、アライメントマーク15Aの上に結晶を成長させても、異常成長が抑制されて平坦な表面の被覆成長層を得ることができる。 - 特許庁
An alignment mark M for performing pattern formation by irradiating electron beam is formed so as not to penetrate an active Si layer 53 to prevent charge-up in a box layer 52.例文帳に追加
電子線照射によるパターン形成を行うためのアライメントマークMは、活性Si層53を貫通することのないように形成し、ボックス層52におけるチャージアップを防ぐようにした。 - 特許庁
The functions of a protective layer and the alignment layer can be simultaneously performed by patterning the pixel electrode on a source and a drain electrodes and then immediately vapor-depositing polyimide resin on the entire surface of the pattern from a stage for forming a substrate to a stage for forming the alignment layer in the manufacturing process of the liquid crystal display device.例文帳に追加
本発明によると、液晶表示装置の製造過程の中、基板から配向膜まで形成する段階でソース及びドレイン電極上に画素電極をパターンニングしてすぐポリイミド樹脂を全面蒸着することで保護層及び配向膜の機能を同時に遂行できるようになる。 - 特許庁
Then, a pattern forming process is carried out for the transparent conductive layer, a source and a drain are formed, an active layer is formed in such a manner that the source, the drain, and the dielectric layer are covered, and a self-alignment TFT structure is completed.例文帳に追加
次に、該透明導電層にパターン形成プロセスを実行して、ソースとドレインとを形成し、ソース、ドレイン、及び誘電体層を覆うようアクティブ層を形成して、自己整合TFT構造体が完成する。 - 特許庁
By etching selectively the layers 2 to 5 and the layer 18, the shape of the alignment pattern growth stopping mask is made to reveal.例文帳に追加
そして、半導体層2乃至5及びクラッド層18を選択的にエッチングすることにより目合わせパターン成長阻止マスクの形状を発現させる。 - 特許庁
A multilayer wiring board comprises a board layer having wiring patterns formed by a plurality of wirings in multiple layers, an auxiliary layer comprising an auxiliary pattern provided on the upper surface of the board layer and an electrical insulating material which covers the auxiliary pattern, an electrode pattern formed by a plurality of electrodes provided on the upper surface of the auxiliary layer, and an alignment mark provided on the upper surface of the auxiliary layer.例文帳に追加
多層配線基板は、複数の配線により形成された配線パターンを多層に有する基板層と、該基板層の上面に設けられた補助パターン及び該補助パターンを覆う電気絶縁材料を備える補助層と、該補助層の上面に設けられた複数の電極により形成された電極パターンと、補助層の上面に設けられた位置合わせ用マークとを含む。 - 特許庁
In a metal layer having a wiring pattern and an alignment mark 120 formed by electrolytic plating as a lead for electrolytic plating, a protective mask 150 is formed over the alignment mark and the periphery thereof, the metal layer and the wiring pattern are roughened and then the protective mask is removed.例文帳に追加
金属層を電解めっき用リードとして、電解めっきにより形成された配線パターンおよびアライメントマーク120を有する金属層において、少なくとも、アライメントマークおよびその周辺部分に保護マスク150を形成し、金属層および配線パターンに粗化処理を施した後、保護マスクを除去する。 - 特許庁
A transfer layer composed of a release layer 22, a mask metal pattern 24, the alignment layer 26, a buffer layer 28, an electrode 30, a protective layer 32, and a color filter layer 34 is formed on a temporary substrate 20 without limiting manufacturing conditions and thereafter, the transfer layer is transferred/formed via an adhesive layer 36 on the plastic film 10.例文帳に追加
仮基板20の上に、剥離層22、マスク金属パターン24、配向膜26、バッファ層28、電極30、保護層32及びカラーフィルタ層34から構成される転写層を製造条件が制限されることなく形成した後に、プラスチックフィルム10の上に接着層36を介して転写層を上下反転した状態で転写・形成する。 - 特許庁
To overcome a problem that alignment between layers is likely to become defective since a plurality of complementary split masks are used in manufacturing a semiconductor device having a multi-layer pattern using complementary split masks having alignment marks.例文帳に追加
アライメントマークを有する相補分割マスクを使用して複数レイヤのパターンを有する半導体デバイスを形成する際に、相補分割マスクが複数枚存在するため、各レイヤ間のアライメントが不良になりやすい。 - 特許庁
To provide a method for fabricating a display apparatus and a method for fabricating a liquid crystal display apparatus for preventing generation of stripe pattern stains on a display panel, and to provide an apparatus for forming a layer and an apparatus for forming an alignment layer.例文帳に追加
表示パネルの縞模様染み発生を防止できる表示装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法並びに膜形成装置及び配向膜形成装置を提供する。 - 特許庁
In this alignment method, a mask is allocated close to a wafer and the mask, and wafer are aligned with an exposing apparatus by transferring a mask pattern formed on the mask to a resist layer on the wafer.例文帳に追加
ウエハにマスクを近接配置し、該マスクに形成されたマスクパターンを前記ウエハ上のレジスト層に転写する露光装置におけるマスクとウエハの位置合わせ方法。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device for forming the capping layer of an alignment key, in a scribing region when a pattern for forming an element is formed in a chip region.例文帳に追加
チップ領域に素子形成用パターンを形成するとき、スクライブ領域に整列キーのキャッピング層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A resist 104 patterned in a regular element region is covered with a new resist layer 110, which is so patterned that only an alignment pattern (106, 107) is exposed.例文帳に追加
次に、正規の素子領域におけるパターニングされたレジスト104を、新たなレジスト層110によって覆い、アライメントパターン(106,107)のみが露出するようにパターニングする。 - 特許庁
RETARDATION FILM, CIRCULARLY POLARIZING PLATE FOR ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE USING THE FILM, PATTERN RETARDATION FILM FOR THREE-DIMENSIONAL DISPLAY, METHOD FOR PRODUCING THE FILM, AND ALIGNMENT LAYER USED FOR THE FILM例文帳に追加
位相差フィルム、それを用いたエレクトロルミネッセント表示装置用円偏光板、3次元表示用パターン位相差フィルム、その製造方法およびそれに用いる配向膜 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of securely preventing misrecognition as an alignment mark by a simple structure by forming a dummy pattern used for a CMP method on a wiring layer.例文帳に追加
CMP法に用いるダミーパターンを配線層に形成し、簡単な構造でアライメントマークとの誤認識を確実に防止し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a multilayer printed-wiring board capable of accurately forming the place of the circuit pattern of the next layer by using an alignment mark in response to a previously formed circuit pattern.例文帳に追加
本反発明は、既に形成された回路パターンに対応して、次の層の回路パターン位置をアライメントマークを用い精度よく形成することのできる多層プリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a production method of an original plate for a pattern alignment layer for three-dimensional display, for easy and mass production with high accuracy of a pattern retardation film, which is planar and has no roughness, for a three-dimensional display device.例文帳に追加
凹凸のない平面状の3次元表示装置用パターン位相差フィルムを、高精度で容易かつ大量に製造するための、3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a liquid crystal device with which an alignment layer excellent in film thickness uniformity is formed and generation of tilt irregularity is suppressed even when a printing method such as flexographic printing is used, by forming an alignment layer having a non-rectangular planar pattern.例文帳に追加
配向膜の平面形状を非矩形状とすることにより、フレキソ印刷法等の印刷手法を用いた場合であっても、膜厚均一性に優れた配向膜を形成し、ティルトムラの発生を少なくすることができる液晶装置の製造方法及び液晶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a color filter substrate by which patterning processes such as pattern exposure and development are performed to form alignment controlling protrusions by using an exposure mask having a pattern exposure region where transmittance is changed stepwise in an alignment controlling protrusion forming step for forming the alignment controlling protrusions by performing the patterning processes such as pattern exposure and development to a transparent photosensitive resin layer.例文帳に追加
透明感光性樹脂層をパターン露光、現像等のパターニング処理を行って配向制御突起を形成する配向制御突起形成工程において、段階的に透過率が変化するパターン露光領域を有する露光マスクを用いて、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って配向制御突起を形成するカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The alignment processing is performed by forming nearly parallel beam of ultraviolet light emitted by a light source unit section into a long irradiation pattern through a light irradiation pattern control section comprising a plurality of total reflection mirrors and irradiating the alignment layer with the ultraviolet light having the converted irradiation pattern at a prescribed angle.例文帳に追加
光源装置部から出射された紫外線の略平行光を、複数の全反射ミラーによって構成された光照射パターン制御部を介して長尺形状の照射パターンに形成し、変換された照射パターンの紫外線を所定の角度を保って配向膜に照射することによって配向処理を施すようにした。 - 特許庁
The light shielding pattern is formed on the flat surface of the lens sheet by self-alignment method which is provided with a stage for forming a photosensitive curing type resin layer (1st layer) including a colorant, a photosensitive curing type resin layer (2nd layer) the content of the colorant of which is smaller than that in the 1st layer, and light transmissive base material in this order.例文帳に追加
レンズシートの平坦な表面に、着色剤を含む感光性硬化型樹脂層(第1層)および着色剤の含有量が第1層よりも少ない感光性硬化型樹脂層(第2層),および透光性基材を、この順に形成する工程を具備するセルフアライメント手法によって遮光パターンを形成する。 - 特許庁
To provide a halftone mask having a structure of a light shielding film and a translucent film layered on a transparent substrate, in which admissibility for an alignment error is increased by patterning a first layer (light shielding film) by using indispensable pattern data if great importance is placed on the first layer and by patterning a second layer by using redundant pattern data including errors of superposition.例文帳に追加
透明基板上に遮光膜と半透過膜とが積層した構造を備えるハーフトーンマスクにおいて、アライメント装置によって第1層目と第2層目とのアライメントを行った際に発生する、第1層目と第2層目との間にアライメント誤差により必要なパターンが得られなくなるという問題を解決する。 - 特許庁
Afterwards, the transcription substrate and a substrate 14 are positioned by an alignment system 28, and the pattern of the organic light emitting layer 4a is transcribed by heating the surface of the transcription substrate 12 at the side that the pattern of the organic light emitting layer 4a is not formed, at a transcription part 23 by a heater 27.例文帳に追加
その後、アライメント機構28により転写基板と基板14との位置合わせを行い、転写部23にて転写基板12を有機発光層4aのパターンが形成された面と反対側の面からヒータ27によって加熱して、基板14上に有機発光層4aのパターンを転写する。 - 特許庁
This electrode pattern is easily formed by exposing an electrode layer having photosensitivity from the rear side of a glass substrate structure, or by exposing the electrode layers having two or more than two layers by means of using the first layer of them as a shielding pattern and exposing from the rear side in self-alignment.例文帳に追加
感光性を有して電極層を、ガラス基板構体の背面側より露光処理することにより、または2層以上の電極層で、1層目の電極パターンを遮光パターンとして用い、基板背面側よりセルフアライメント露光することにより、容易に形成できる。 - 特許庁
An alignment mark is constituted of at least two or more different light shielding films on a photomask consisting of a transparent substrate and the light shielding films, an alignment pattern is formed on one light shielding film layer out of the two or more light shielding films, and exposed light is shielded by the alignment mark part.例文帳に追加
透明基板および遮光膜からなるフォトマスクにおいて、少なくともアラメントマーク部が2層以上の異なる遮光膜から構成され、前記アライメントマーク部の2層以上の遮光膜の1層にアライメントパターンが形成されており、前記アライメントマーク部は露光光を遮光することを特徴とする。 - 特許庁
The core layer 13 includes an optical circuit and an optical waveguide pattern 133 for alignment purpose, which are composed of a core part having a higher refractive index compared with the peripheral parts.例文帳に追加
コア層13には、光回路およびアライメント用光導波路パターン133が設けられており、これらは周囲の部分に比べて屈折率が高いコア部で構成されている。 - 特許庁
The compensation means decreases the birefringent effect which is caused by tilt alignment of liquid crystal molecules near the edge of the protruding pattern and which affects the light propagating in the thickness direction of the liquid crystal layer.例文帳に追加
補償手段は、突起パターンの縁近傍の液晶分子が傾斜配向することに起因し、液晶層の厚さ方向に伝搬する光に作用する複屈折効果を軽減する。 - 特許庁
To provide a system and a method capable of measuring or detecting alignment patterns of an upper layer and one or a plurality of layers formed precedently before the formation of the next feature pattern.例文帳に追加
次のフィーチャパターンの形成前に、上部の層および先行して形成される1つまたは複数の層のアライメントパターンを測定または検出できるシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁
Accordingly, the field alleviating layer having the amount of gate overlap defined by the widths L1 and L2 of the space of the first insulating film pattern is formed in the self-alignment process manner in the gate electrode 111.例文帳に追加
よって、第1の絶縁膜パターンのスペースの幅L1、L2で画定されたゲートオーバーラップ量を有する電界緩和層を、ゲート電極111に自己整合的に形成する。 - 特許庁
The original plate for a pattern alignment layer for three-dimensional display includes a substrate having on its surface a first pattern portion where a fine concavo-convex shape is formed in a given direction and a second pattern portion where the fine concavo-convex shape is formed in a direction different from that of the first pattern portion.例文帳に追加
本発明は、微細凹凸形状が一定方向に形成された第1パターン部および上記微細凹凸形状が上記第1パターン部とは異なる方向に形成された第2パターン部を表面に備える基材を有することを特徴とする3次元表示用パターン配向層用原版を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁
To be easy of the alignment of a decorative sheet in relation to a mold cavity surface and to prevent the occurrence of the defective appearance of a resin molding caused by the breaking and creasing of the decorative sheet and the cracking of a pattern layer.例文帳に追加
金型キャビティ面に対する加飾シートの位置あわせが容易で、加飾シートの破れやシワや図柄層の割れに起因する樹脂成形品の外観不良が生じないようにする。 - 特許庁
The alignment-treated substrate for the ferroelectric liquid crystal is characteristically provided with: a substrate; an electrode layer formed on the substrate; a stripe shaped wettability changing pattern which is formed on the electrode layer and has alternately arranged lyophilic regions and lyophobic regions; and an alignment layer formed on the lyophilic regions.例文帳に追加
本発明は、基材と、上記基材上に形成された電極層と、上記電極層上に形成され、ストライプ状の親液性領域および撥液性領域が交互に配列された濡れ性変化パターンと、上記親液性領域上に形成された配向膜とを有することを特徴とする強誘電性液晶用配向処理基板を提供することにより、上記目的を達成する。 - 特許庁
In the alignment method of a semiconductor device utilizing aluminium interconnect lines 30 on the uppermost layer of a semiconductor substrate 10 as an alignment pattern for trimming, thickness of an antireflection film 30a on the surface of the aluminium interconnect lines 30 is set in the range of 200-400 Å.例文帳に追加
半導体基板10上の最上層のアルミニウム配線30をトリミング用のアライメントパターンとして利用する半導体装置のアライメント方法において、上記アルミニウム配線30の表面の反射防止膜30aの膜厚を200Å〜400Åとする。 - 特許庁
After a resist film 12 is formed to cover the wiring material layer 7, the surface recesses 6a of the conductive material layers 6 composing the alignment marks A are detected, to detect the positions of the alignment marks A which are used as references, when pattern exposure is applied to the resist film 12.例文帳に追加
配線材料層7を覆う状態でレジスト膜12を形成した後、アライメントマークAを構成する導電性材料層6表面の窪み6aを検出することによってアライメントマークAの位置を検知し、これを基準にしてレジスト膜12に対してパターン露光を行う。 - 特許庁
The color filter comprises: a substrate; an alignment mark to be used for positioning and formed in a region except the display region on the substrate; a liquid repelling layer having liquid repelling property formed to cover the surface of the alignment mark; and a color layer formed in a pattern on the substrate.例文帳に追加
上記目的を達成するために、本発明は、基板と、上記基板上の表示領域外に形成された位置合わせに用いるアライメントマークと、上記アライメントマークの表面を覆うように設けられ、撥液性を有する撥液性層と、上記基板上にパターン状に形成された着色層とを有することを特徴とするカラーフィルタを提供する。 - 特許庁
The method includes steps of: providing a substrate; forming a barrier layer on the substrate, patterning the barrier layer, and thus exposing a portion of the substrate to form an electrode pattern region; changing the surface property of the substrate in the electrode pattern region to form a visible patterned mark; removing the barrier layer; and using the visible patterned mark as an alignment mark.例文帳に追加
本発明による方法は、基板を提供する段階と、基板に障壁層を形成し、更に障壁層をパターン化して基板の一部を露出させて電極パターン領域を形成する段階と、電極パターン領域の基板の表面特性を変えて、パターン化可視マークを形成する段階と、障壁層を除去する段階と、パターン化可視マークをアラインメントマークとする段階とを含む。 - 特許庁
To provide a barrier wall pattern and an alignment layer surface constitution for preventing the generation of a liquid crystal non-injected part when a liquid crystal is injected into a panel having a barrier wall structure, in a ferroelectric liquid crystal panel.例文帳に追加
強誘電性液晶パネルでその構成に、隔壁構造を有するパネルで液晶注入の際に、未注入部の発生を防ぐような、隔壁パターンと配向膜表面の構成を提案するものである。 - 特許庁
An extended direction of a slit formed closer to the contact at a boundary of the bending point among slits formed in the pixel electrode pattern and an alignment direction of the liquid crystal layer cross at ≥7° angle.例文帳に追加
ここで、画素電極パターンに形成されるスリットのうち、屈曲点を境にコンタクト寄りに形成されるスリットの延設方向と液晶層の配向方向とが7°以上の角度で交差するように形成する。 - 特許庁
In this liquid crystal panel, slits are formed in the pixel electrode pattern so that extension directions of slits formed closer to the contact with the bending point as the boundary and an alignment direction of the liquid crystal layer may cross at ≥7°.例文帳に追加
ここで、画素電極パターンに形成されるスリットのうち、屈曲点を境にコンタクト寄りに形成されるスリットの延設方向と液晶層の配向方向とが7°以上の角度で交差するように形成する。 - 特許庁
On an alignment layer forming surface of one substrate, a repeated pattern of light transmissive pixel electrodes 58 are formed having a minimum separated breadth along the long axis of liquid crystal molecules charged between the substrates.例文帳に追加
一方の基板の配向膜形成面に、基板間に充填される液晶分子の長軸方向に沿って最小の離間幅を有する光透過性の画素電極58の繰り返しパターンが形成されている。 - 特許庁
A first mesa part 2a and a second mesa part 2b are formed on a GaAs substrate 1, a resist pattern 15 comprising opening parts 13 and 14 is formed, a semiconductor layer 2 is etched to a specified depth with the resist pattern 15 as a mask, and a recess 16 and a recessed part 17 for alignment mark are formed.例文帳に追加
GaAs基板1の上に第1メサ部2aおよび第2メサ部2bを形成し、開口部13,14を有するレジストパターン15を形成し、レジストパターン15をマスクとして半導体層2を所定の深さまでエッチングし、リセス16とアライメントマーク用凹部17を形成する。 - 特許庁
A notch 52 is provided to both the widthwise positions of a resistor 1 at which a trimming operation starts respectively, the notch at the one lengthwise end of the resistor is formed into an L-shaped pattern that also serves as an alignment pattern, and furthermore a reflecting layer 54 is formed below the resistor 1.例文帳に追加
抵抗体1の幅方向の両側であってトリミングの開始位置と対応する位置にそれぞれ切込み52を形成するとともに、長さ方向の一端の切込みをL字状のパターンとしてアライメントパターンを兼用するようにし、さらに抵抗体1の下側に反射層54を形成する。 - 特許庁
A multilayer SOI substrate having an amorphous or polycrystal semiconductor layer formed beneath an SOI layer through a gate insulation film is employed, the semiconductor layer is implanted with ions in a pattern reverse to that of an upper gate electrode, and a buried gate is formed in self- alignment with the upper gate.例文帳に追加
SOI層下部に埋め込みゲート絶縁膜を介して構成された非晶質又は多結晶である半導体層を有する多層SOI基板を用い、上部ゲート電極の逆パターンで上記半導体層にイオン注入を施し、埋め込みゲートを上部ゲートと自己整合の関係で構成することを特徴とする。 - 特許庁
The method for forming an alignment layer to align liquid crystal molecules includes: a plasma polymerization film forming step of forming a plasma polymerization film 86a on a substrate by using a plasma chemical vapor phase method; and a UV ray irradiation step of irradiating the plasma polymerization film 86a with UV rays to form a rugged pattern and rendering the plasma polymerization film as an alignment layer.例文帳に追加
液晶分子を配向する配向膜の形成方法であって、プラズマ化学気相法を用いて基板上にプラズマ重合膜86aを形成するプラズマ重合膜形成工程と、紫外光を照射することによって上記プラズマ重合膜86aに凹凸を形成し、これによって上記プラズマ重合膜を上記配向膜とする紫外光照射工程とを有する。 - 特許庁
To facilitate the alignment by photolithography in the pattern formation of resistors and to prevent the generation of inferior products caused by the disconnection of the resistors at the interface of a common electrode part and a glaze glass layer.例文帳に追加
抵抗体Rのパターン形成におけるフォトリソグラフィーによる位置合わせが容易であり、共通電極部分Mとグレースガラス層との界面での抵抗体Rの断線による不良品の発生を防ぐことができるサーマルヘッドを提供する。 - 特許庁
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