例文 (593件) |
C-PLANEの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 593件
The c-axis of the single crystal constituting the substrate 7 is inclined (preferably by 17 to 37°) to the principal plane 7a.例文帳に追加
基板7を構成する単結晶のc軸が主面7aに対して(好ましくは17−37°)傾斜している。 - 特許庁
To provide a tape-like oxide superconductor having high c-axis orientation and high in-plane orientation, and high jc value.例文帳に追加
高いc軸配向性及び面内配向性を有し、Jc値を向上させたテープ状酸化物超電導体を提供する。 - 特許庁
The recording layer consists of two layers of a main recording layer showing perpendicular magnetization and an auxiliary layer showing perpendicular magnetization at room temperature and changing into in-plane magnetization at ≥120°C.例文帳に追加
記録層を垂直磁化の主記録層と、室温で垂直磁化を有し、120℃以上で面内磁化となる補助層の2層で構成する。 - 特許庁
In some embodiments, the nuclear layer is formed on the surface of a wurtzite substrate mis-cut from the c-plane of the substrate.例文帳に追加
幾つかの実施形態において、核形成層は、基板のc−面からミスカットされたウルツ鉱型基板の表面の上に形成される。 - 特許庁
To provide a high quality nitride semiconductor substrate which has been grown with the c-axis being not orthogonal to the heterojunction plane of a group III nitride semiconductor but oblique to it.例文帳に追加
高品質かつIII族窒化物半導体のへテロ接合面とc軸が直交せず、傾いて成長した窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁
An n-GaN off substrate 1 comprises an off surface tilted 1-20°C from (0001) plane.例文帳に追加
n−GaNオフ基板1は、(0001)面から1〜20°の範囲内の所定の角度で傾斜したオフ面を有する。 - 特許庁
The grade separated crossing road is put over an existing intersection C where a plurality of roads A, B cross on a plane.例文帳に追加
複数の道路A,Bが平面的に交差している既設の交差点Cを跨ぐ立体交差道路である。 - 特許庁
A top T of this imaginary conical plane C is located in the vicinity of a tip (a thermal spraying material) of a metal wire M.例文帳に追加
この仮想円錐面Cの頂点Tは金属線Mの先端(溶射材料)の近傍に位置している。 - 特許庁
A polyester film used as the automobile interior material has a melting point of 200-270°C and a plane orientation coefficient of 0.05-0.11.例文帳に追加
融点が200〜270℃であり、かつ面配向係数が0.05〜0.11であることを特徴とする自動車の内装材ポリエステルフィルム 。 - 特許庁
A plurality of protrusions 60 forming stripes parallel to the c-face is arranged on the main plane of the GaN semiconductor substrate 1.例文帳に追加
GaN半導体基板1の主面には、c面に平行なストライプ状に複数の凸条60が形成されている。 - 特許庁
A m-th unit line segment A_m on the original image corresponds to a m-th square area C_m on the recording plane.例文帳に追加
原画像上の第m番目の単位線分A_mには、記録面上の第m番目の矩形領域C_mが対応する。 - 特許庁
A polyester film used as the automobile interior material has a melting point of 220-270°C and a plane orientation coefficient of 0.11-0.16.例文帳に追加
融点が220〜270℃であり、かつ面配向係数が0.11〜0.16であることを特徴とする自動車内装材用ポリエステルフィルム。 - 特許庁
An operator designates an area, wherein ultrasonic signal intensity is to be adjusted, on the displayed C-plane image.例文帳に追加
操作者は、表示されているC面画像上で、超音波の信号強度を調整すべき範囲を指定する。 - 特許庁
A plurality of projection type resistors (r) are arrayed in a plane on a surface of the electrode C opposed to the electrode B.例文帳に追加
電極Cにおける電極Bとの対向面には複数の突起状の抵抗体rが面状に配列されている。 - 特許庁
This housing H of the roll stand is divided into a roll side part 4 and drive side part 5 with a parallel plane C between planes A, B.例文帳に追加
このロールスタンドのハウジングHは、平面A,Bの間の平行面Cで、ロール側部4と駆動側部5とに分割されている。 - 特許庁
The container arrangement mechanism 20 moves two containers C, which are specified by a control part 50, along the substantially vertical plane for changing the sequential order of the containers.例文帳に追加
容器入替機構20は、制御部50において選択された2つの容器Cを略鉛直平面内に沿って移動させて順番を入れ替える。 - 特許庁
The reproducing layer 3 is an in-plane magnetization film at a room temperature, and is the magnetic layer acting as a perpendicular magnetization film at about 150°C.例文帳に追加
再生層3は、室温で面内磁化膜であり、150℃程度で垂直磁化膜となる磁性層である。 - 特許庁
When this takes place, scribing is performed to a direction corresponding to an inclination direction to the first substrate main face of the crystal c plane.例文帳に追加
このとき、結晶c面の第1基板主面に対する傾きの方向に対応した方向にスクライブする。 - 特許庁
The secondary curved surface periphery 512 of the plus side movable contact 51A is faced to a profile line C of the plane outline of the minus side fixed contact 61B.例文帳に追加
プラス側可動接点51Aの第2曲面外周部512には、マイナス側固定接点61Bの平面外形の輪郭線Cが対向している。 - 特許庁
There are cases when the vehicle touches the control rod 22 to rotate the control rod 22 within a horizontal plane to a release position C.例文帳に追加
車両が制御棒22に当接して、制御棒22が水平面内に旋回して解放位置Cとなる場合がある。 - 特許庁
Then, the surfaces of the trenches 5, 14 thermally oxidized, for example, at a low temperature in 850-1,000°C so that the plane orientation dependence of an oxidation speed appears.例文帳に追加
そして、酸化速度の面方位依存性が現れるように、例えば、850℃〜1000℃程度の低温にて、トレンチ5、14の表面を熱酸化する。 - 特許庁
To provide a thin-film production method which enables production of a hexagonal-crystal thin film with c-axis in-plane orientation.例文帳に追加
結晶構造が六方晶系となった結晶薄膜をc軸面内配向させて成膜することのできる薄膜製造方法を提供する。 - 特許庁
An alternate long and short dash line 13c shows a representative (c) plane of the hexagonal nitride semiconductor of the support base 13.例文帳に追加
一点鎖線13cは、支持基体13における六方晶系窒化物半導体の代表的なc面を示す。 - 特許庁
A plane portion 11 of the C-shaped steel product has widthwise extending slit holes 11a formed therein at predetermined intervals in a longitudinal direction.例文帳に追加
C形鋼材の平面部11に、横幅方向に延びるスリット孔11aを長手方向に所定の間隔で設ける。 - 特許庁
On the interfaces J1, J2, J3, a c surface functions as a slip plane for preventing lattice relaxation from occurring in the semiconductor layer.例文帳に追加
これらの界面J1、J2、J3において、c面がすべり面として働いて当該半導体層に格子緩和を生じさせていない。 - 特許庁
Respective semiconductor layers such as an n-type GaN layer 2, an active layer 3, and a p-type GaN layer 4 are formed on a C-plane sapphire substrate 1.例文帳に追加
C面サファイア基板1上にn型GaN層2、活性層3及びp型GaN層4の各半導体層を形成する。 - 特許庁
Furthermore, as shown in the diagram 3 (C), the holding carrier 6b covers the vicinity of the heat transmissive fiber flux 6a wherein cross section are arranged like plane.例文帳に追加
又は、図3(C)のように、断面を面状に配置した伝熱繊維束6aの周囲を保持担体6bが覆う構造にする。 - 特許庁
In order to set the strength of {100} plane to be ≥4 times, the degree of superheat (molten steel temperature at the casting time-liquidus temperature of the molten steel) is set to be ≥70°C.例文帳に追加
{100}面強度を4倍以上とするために、溶鋼の過熱度(鋳造時の溶鋼温度−溶鋼の液相線温度)を70℃以上とする。 - 特許庁
A plane part 12 which is formed on the contact device C so as to be approximately in parallel to the contact surface 2a and abuts on the conductive connection part 4a is provided.例文帳に追加
コンタクト装置Cに接触面2aと略平行に形成され、導通接続部4aと当接する平面部12を設ける。 - 特許庁
In another way, the parting face 3 is constituted of a face c tilting to the plane intersecting the direction of the axis of the tire perpendicularly.例文帳に追加
或いは、分割面3をタイヤ軸方向と直交する面に対して傾斜する面cから構成する。 - 特許庁
The inclination angle A and the inclination angle B are inclined in opposite directions to each other with respect to the c-plane of the GaN support base material.例文帳に追加
傾斜角A及び傾斜角Bは、GaN支持基体のc面に対して互いに逆方向に傾斜している。 - 特許庁
The configuration in which both ends of a plane section along a parting line of a turning shaft 1b of the flap 1 are provided with chamfered parts C.例文帳に追加
フラップ1の回動軸1bのパーティングラインに沿った平面部の両端部に、面取り部Cを設けた構成としている。 - 特許庁
IN-PLANE SWITCHING (IPS) LIQUID CRYSTAL DISPLAY COMPRISING COMPENSATION FILM FOR ANGULAR FIELD OF VIEW USING NEGATIVE BIAXIAL RETARDATION FILM AND +C-PLATE例文帳に追加
負の二軸性位相差フィルムと+C−プレートを用いた視野角の補償フィルムを含むIPS液晶表示装置 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a ZnO thin film with the c-axis uniaxially oriented in the plane of the thin film irrespective of the kind of a substrate.例文帳に追加
基板の種類を選ばず、c軸が薄膜の面内の一方向に配向したZnO薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁
In addition, the relation θ<90°C holds, where θ is the angle between the inserting direction of the plug 1a and the installation plane of the housing 2.例文帳に追加
また、プラグ1aの挿入方向と筐体2の設置面との角度をθとすると、θ<90°である。 - 特許庁
Then the in-plane temperature difference of the substrate is made to be not more than 100°C, so that the bending and warpage are prevented in the substrate.例文帳に追加
そして、基板面内の温度差を100℃以下にすることが可能となり、基板に反り、跳ねが発生することを防止することができる。 - 特許庁
To provide an apartment house having excellent daylighting and ventilation, an approximately C-shaped plane form and even superior earthquake- resistant performance.例文帳に追加
採光および通風に優れた平面形状が略C形状で、耐震性能にも優れた集合住宅を提供する。 - 特許庁
This X-ray diagnostic equipment is equipped with the drive part 30 for moving a FPD (flat plane detector) 20 forward and rearward on the side of a subject with respect to a C-arm.例文帳に追加
X線診断装置は、Cアーム10に対しFPD(平面検出器)20を被検体側に前後動させる駆動部30を備える。 - 特許庁
A switch means 19 is turned off when the coded mode information (c) indicates an in-plane coding mode and is turned on in other cases.例文帳に追加
スイッチ手段19は符号化モード情報cが面内符号化モードの時オフとなり、それ以外の符号化モードの時オンとなる。 - 特許庁
The crossing of the hopping coupling circuit C is avoided from crossing the resonator L.H to realize the band-pass filter only with the plane circuits.例文帳に追加
飛び越し結合回路Cが共振器L・Hと交差するのを避けて平面回路のみで帯域通過フィルタを実現できる。 - 特許庁
The direction of the c-axis is the film thickness direction of each layer, and the direction of the a-axis is the in-plane direction (the direction perpendicular to the film thickness direction) of a growth layer.例文帳に追加
そのc軸方向が膜厚方向であり、a軸は成長層の面内方向(膜厚方向と垂直な方向)となる。 - 特許庁
The front edge of the flange 3 is formed in an inclined plane C in which the underside side is projected to a section fronter than the top face side.例文帳に追加
このフランジ3の前縁は、下面側が上面側よりも前方に突き出す傾斜面Cとなっている。 - 特許庁
The upper-surface regulating parts 17 are positioned inward from an outer diameter extension line C of the paper feeding roller 30 in a plane view.例文帳に追加
上面規制部17は平面視において給紙ローラ30の外径延長線Cよりも内側に位置している。 - 特許庁
The plane antenna 11 is square and a horizontal distance d is 0.2 times a surface dimension c or larger in the extended direction of the dial 52.例文帳に追加
文字板52の延在方向において、平面アンテナ11は正方形であり、平面距離dは平面寸法cの0.2倍以上である。 - 特許庁
When the movable machine frame 4 is positioned at the forward working position, the rotary axis (c) is positioned forward from the second vertical axis (b) in the plane view.例文帳に追加
可動機枠4が前進作業位置に位置した状態時には、平面視で回転中心軸線cが第2縦軸線bより前方に位置する。 - 特許庁
Also, an intersection angle ψ is determined between the mark checking point c and a measuring point b for detecting crystal lattice plane.例文帳に追加
また、指標確認点cと結晶格子面を検出する測定点bとの間の相対角度ψを検出する。 - 特許庁
In other words, the mold protrusion 33 has a shape chamfered (or C plane cut) planar by the planar slant face 333.例文帳に追加
すなわち、金型凸部33は、斜面部333により平面状に面取り加工(またはC面カット)された形状である。 - 特許庁
The optical system is made plane symmetric with respect to the surface C passing between the observation areas.例文帳に追加
該光学系は、一対の観察領域の間を通る面Cを対称面とする面対称に構成されている。 - 特許庁
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