「C-PLANE」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

When any touch input is not performed in an input absence residence time t2 or more, the pointer C is moved to a virtual plane upper (observer side) by one.例文帳に追加

タッチ入力が入力なし滞留時間ｔ２以上行なわれなかった場合には、ポインタＣを一つ上（観察者側）の仮想平面に移動する。 - 特許庁

In the spacer 3 for optical cable, an SZ slot 11 is formed such that a transition part C between adjacent inversion parts A, B draws a locus periodically changing on the developed plane of outer circumferential surface of a spacer 3.例文帳に追加

光ケーブル用スペーサ３では、隣り合う反転部Ａ，Ｂ間の移行部Ｃがスペーサ３の外周面の展開平面上において周期的に変化する軌跡を描くようなＳＺスロット１１が形成されている。 - 特許庁

Each bit plane is scanned and transmitted in a square scanning zone (R_MAX/C_MAX) starting from a corner (left upper corner) of a block.例文帳に追加

各ビットプレーンに対して、ブロックの角（左上角）から始まる四角いスキャンゾーン（Ｒ_ＭＡＸ／Ｃ_ＭＡＸ）においてスキャン及び送信される。 - 特許庁

The principal surface 55a of the substrate 55 forms an angle larger than 61 degrees with reference to a reference plane perpendicular to a reference axis VC55 extending in a c-axis direction of the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

基板５５の主面５５ａは、該III族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる基準軸ＶＣ５５に直交する基準平面を基準にして６１度より大きい角度を成す。 - 特許庁

A value Zp (inclination) in the z-axis direction at an arbitrary point on a plane of the mount on which the biomedical tissue is placed, can be calculated on the basis of the coefficients a, b, c.例文帳に追加

係数ａ，ｂ，ｃが判れば、生体組織が載置されたプレパラートの平面内の任意の点におけるｚ軸方向の値Ｚｐ（傾き）を算出できる。 - 特許庁

The viewing angle controlling film 20 has retardation plates (for example, negative C plates 22, 23) which do not exhibit birefringence in in-plane direction and exhibit the birefringence in the thickness direction between linearly polarizing plates 21, 25.例文帳に追加

視野角制御フィルム２０は、直線偏光板２１，２５の間に、面内方向において複屈折性を示さず、かつ、厚み方向において複屈折性を示す位相差板（例えば、ネガティブＣプレート２２，２３）を有する。 - 特許庁

The rear surface 13b of the support base 13 is inclined with respect to a plane orthogonal to a reference axis extending in a c-axis direction of a hexagonal gallium nitride semiconductor in the support base 13.例文帳に追加

支持基体１３の裏面１３ｂは、支持基体１３の六方晶系窒化ガリウム半導体のｃ軸方向に延びる基準軸に直交する平面に対して傾斜する。 - 特許庁

The electronic device has the axial fan 1 slantly provided on a flat plane C3 inside a thin case C having a pair of flat planes C3 and C4 together with a heating element C1.例文帳に追加

発熱体Ｃ１をとともに対向する一対の平坦面Ｃ３、Ｃ４を有する薄型筐体Ｃ内に、軸流ファン１がその平坦面Ｃ３に対して傾斜配置された電子装置である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a retardation film excellent in translucency, having a uniform in-plane phase difference value, and capable of providing both roles as a negative C plate and A plate.例文帳に追加

透光度にすぐれて面内位相差値が均一であり、ネガティブＣプレートとＡプレートとの役割を共に行える位相差フィルムの製造方法の提供。 - 特許庁

The reforming region 7a next to closest to the laser light incident surface is made smaller than the reforming region 7a closest to the laser light incident surface along the scheduled cut line 5a parallel with the surface 12a and the c-plane.例文帳に追加

表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿っては、レーザ光入射面に２番目に近い改質領域７ａが、レーザ光入射面に最も近い改質領域７ａよりも小さくなるようにする。 - 特許庁

A protective film 3 of heat resistant thermoplastic resin having a glass transition point not higher than 150°C is formed on the circuit plane 4 of the semiconductor wafer 22.例文帳に追加

半導体ウエハ２２の回路面４にガラス転移温度Ｔｇが１５０℃以下である耐熱性熱可塑性合成樹脂から成る保護膜３を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 83 is formed on parts of the iridium film 82 surrounding the second protrusions 62b, with the thickness so adjusted that its surface is virtually on the same plane as the surfaces (c) of the second protrusions 62b.例文帳に追加

第２の凸部の周囲のイリジウム膜上に、その表面が第２の凸部の頂面ｃと実質的に同一面位置となる厚みにシリコン酸化膜８３を形成する。 - 特許庁

To provide a method for growing a c-plane substrate of a group III nitride semiconductor in a shorter time than before, when it is grown by the Na flux method.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によってIII族窒化物半導体のｃ面基板を育成する場合において、従来よりも短時間で育成する方法を提供する。 - 特許庁

A demodulation circuit 6 applies orthogonal detection to an input signal and measures a value on C/N on the basis of an average value of amplitude levels at signal points of a received signal mapped on an IQ plane from a table in a ROM 61.例文帳に追加

復調回路６で入力信号を直交検波し、ＲＯＭ６１のテーブルからＩＱ平面上にマッピングされた受信信号の信号点の振れ幅の平均値に基づくＣ／Ｎ比の値を計測する。 - 特許庁

A buried layer 12 composed of Si-doped GaN is formed on a c-plane sapphire substrate 10 having an uneven depth of 1 to 2 μm via a buffer layer 11.例文帳に追加

凹凸の深さが１〜２μｍのｃ面サファイア基板１０上に、バッファ層１１を介してＳｉドープのＧａＮからなる埋め込み層１２を形成する。 - 特許庁

The intermediate magnetic layer 5 is an in-plane magnetization film at room temp. and changes into a perpendicular magnetization film at ≥150°C.例文帳に追加

中間磁性層５は室温で面内磁化膜であり、温度１５０℃以上で垂直磁化膜に変化し、再生温度である１５０〜１８０℃より高温側でコラプス（ｃｏｌｌａｐｓｅ）が生じ、２２０℃付近に補償温度を有する。 - 特許庁

As the silicon carbide substrate, a silicon carbide single crystal wafer obtained by cutting at an off-angle of 0.4-2° from the (0001)c-plane of an α-type (hexagonal) silicon carbide single crystal is used.例文帳に追加

上記炭化ケイ素基板としては、α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶から、前記炭化ケイ素単結晶の（０００１）ｃ面から０．４度以上２度以下のオフ角で切り出された炭化ケイ素単結晶ウェハを用いる。 - 特許庁

In other words, the first roll bearing 15 is positioned within a plane P orthogonal to a center axis C, including a plurality of teeth of the sprocket 9 for intake cam.例文帳に追加

言い換えれば、第１転がり軸受１５は、吸気カム用スプロケット９の複数の歯部を含みかつ中心軸線Ｃに直交する平面Ｐ内に位置している。 - 特許庁

The part 2 is provided with a C-shaped loop element 22 formed on a dielectric substrate 21, the element 22 is provided with a cutting off part 23 and the base 11 can be used as a ground plane.例文帳に追加

アンテナ部２は誘電体基板２１上に形成されたＣ形ループ素子２２を備え、Ｃ形ループ素子２２は切断部２３を有すると共に、本体ベース１１をグランドプレーンとして利用する。 - 特許庁

A principal surface 13a of the group-III nitride semiconductor support 13 shows non-polarity inclined to a reference plane Sc orthogonal to a reference axis Cx, which in turn extends along a (c) axis of a group-III nitride semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物半導体支持体１３の主面１３ａは、基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して傾斜する非極性を示しており、基準軸ＣｘはIII族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる。 - 特許庁

A primary surface 13a of the substrate 13 is inclined at an angle ranging from 50 degrees or more to less than 130 degrees from a plane Sc perpendicular to a reference axis Cx extending along the c-axis of a first gallium nitride-based semiconductor.例文帳に追加

基板１３の主面１３ａは、該第１の窒化ガリウム系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０度未満の範囲の角度で傾斜する。 - 特許庁

Also, a slide rail is extended to the back surface part of the C arm 4 equivalent to a part provided with the plane detector 9 and thus, the slide rotation angle range is enlarged.例文帳に追加

また、平面検出器９が設けられた部分に相当するＣアーム４の背面部にまでスライドレールを延設可能とすることができ、これにより、スライド回転角度範囲の拡大を図ることができる。 - 特許庁

A drug agent support appliance 1 has an annular or C-shaped plane formed of drug sustained-release hydrogel material incorporating a large quantity of drug and controllable of drug releasing speed.例文帳に追加

薬物の取り込み量が多く、かつ薬物放出速度を制御しうる薬物徐放性ヒドロゲル材料により形成された平面が環状またはＣ形状を呈する薬剤支持具１とした。 - 特許庁

Then, image data for left eye (b) and image data for right eye (c) are generated by shifting the plane data of each object according to the depth of the distance between the visual points and the object.例文帳に追加

そして、各オブジェクトの平面データを視点間距離とオブジェクトの奥行に応じてずらすことによって、左目用の画像データ（ｂ）と、右目用の画像データ（ｃ）とを生成する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator capable of having a low threshold current on a semipolar plane of a support base body in which a c-axis of a hexagonal group III nitride is inclined in an m-axis direction.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The primary curved surface periphery 612 of the plus side fixed contact 61A is faced to a profile line C of the plane outline of the minus side movable contact 51B.例文帳に追加

プラス側固定接点６１Ａの第１曲面外周部６１２には、マイナス側可動接点５１Ｂの平面外形の輪郭線Ｃが対向している。 - 特許庁

A middle portion 28C of the damager bracket 26 is formed in a C-shape in plane view, and in a shape spreading toward the end when viewed from a vehicular front side.例文帳に追加

ダメージャブラケット２６の中間部２８Ｃは平面視でコ字状に形成されており、車両前方側から見ると裾広がり形状とされている。 - 特許庁

To provide a ZnO-based semiconductor element wherein flat ZnO-based semiconductor layers can be grown on a MgZnO substrate whose principal plane of the laminated-layer side is oriented to c-axis direction.例文帳に追加

積層側の主面がｃ軸方向を向いているＭｇＺｎＯ基板上に平坦なＺｎＯ系半導体層を成長させることができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a production method of a thick film crystal of a group III nitride compound semiconductor the major face of which is not a c-plane, for fabricating a semiconductor element free from a piezoelectric effect in the layered direction.例文帳に追加

積層方向に圧電効果の生じない半導体素子を形成するための、主面がｃ面でないIII族窒化物系化合物半導体厚膜結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the expression, S1 is a peak area based on in-plane deformation vibration of a terminal olefin (CH_2=) and S2 is a peak area based on C=O stretching vibration of an acryloyloxy group or a methacryloyloxy group.例文帳に追加

（１） Ａ＝Ｓ１／Ｓ２（式中、Ｓ１は末端オレフィン（ＣＨ_2＝）面内変角振動に基づくピーク面積であり、Ｓ２はアクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基のＣ＝Ｏ伸縮振動に基づくピーク面積である。） - 特許庁

To provide a thin film more excellent in optical and electrical properties than before by controlling the polarity of a GaN-based group III nitride thin film grown on the C surface of a sapphire substrate to the (0001) plane.例文帳に追加

サファイアＣ面基板上に成長するＧａＮ系III族窒化物薄膜の極性を（０００１）に制御することにより、従来よりも光学的、電気的特性に優れた薄膜を提供すること。 - 特許庁

The second arm 6 is attached to the first arm 3 so as to be rotated in a plane vertical to the axis of the support member 2 (in an arrow direction C).例文帳に追加

第２アーム６は、支柱部材２の軸に対して垂直な平面内において回動可能なように（図中矢印Ｃ方向）、第１アーム３に対して取付けられる。 - 特許庁

The fluorine-based ion exchange membrane has 1-500 μm membrane thickness, ≥0.0005 plane orientation degree (▵P), ≥0.05 S/cm horizontal ion conductivity at 25°C and ≥1 shift (▵T) of α-dispersion temperature.例文帳に追加

膜厚が１〜５００μｍ、面配向度（ΔＰ）が０．０００５以上、２５℃における水平イオン伝導度が０．０５Ｓ／ｃｍ以上、かつ、α分散温度シフト（ΔＴ）が１以上であることを特徴とするフッ素系イオン交換膜。 - 特許庁

The wire inserting/fitting grooves 17, 18 and 19 alternately recessed from pulley front and rear surfaces F and R are bent along one plane perpendicular to a rotary shaft C including the V-groove 15 to facilitate the length control of the wire 13.例文帳に追加

プーリ前後面Ｆ，Ｒから交互に凹設したワイヤ挿嵌溝１７，１８，１９は、Ｖ溝１５を含む回転軸Ｃに直角な一平面に沿って屈曲させ、ワイヤ１３の長さ管理を容易にする。 - 特許庁

In a projection plane 88 in the opposite directions (widthwise direction) of a pair of process sidewalls 42, the rotation centers A and B of auger shafts 41 coincide with each other and are located away from the gravity center C of the auger main body 39.例文帳に追加

１対のプロセス側壁４２の対向方向（幅方向）における投影面８８において、各オーガ軸４１の回転中心ＡおよびＢは、互いに一致し、かつ、オーガ本体３９の重心Ｃから外れた位置にある。 - 特許庁

The pair of torn surfaces 27 and 29 cross the plane defined by the c-axis of the hexagonal group-III nitride semiconductor and the normal axis of the semipolar primary surface 17a.例文帳に追加

一対の割断面２７，２９は、六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸と、半極性主面１７ａの法線軸とによって規定される面とそれぞれ交差する。 - 特許庁

To provide a traffic control technology capable of preferentially assuring the connection of a part of the traffic, when there is a traffic congestion in the C-plane of an IP network.例文帳に追加

ＩＰ網のＣ−ｐｌａｎｅにおいて、トラフィックの輻輳時に優先的に一部のトラフィックの疎通を確保するトラフィック制御技術を提供する。 - 特許庁

The cooling agent C spraying from the cooling part 40 contains a protective material 1 which protects the edges 60e of the cleaved plane 60t of the processing substrate 60 by sticking on the surface of the processing substrate 60 to remain.例文帳に追加

冷却部４０から噴射される冷却剤Ｃは、被加工基板６０の表面に付着して残留することによって、被加工基板６０の割断面６０ｔのエッジ６０ｅを保護する保護材料１を含有している。 - 特許庁

Then the IR cut filter 8 is characterized in that a C plane 8a is formed at corners around a bottom side 8b of the IR cut filter 8 opposed to the imaging element 9.例文帳に追加

そして、ＩＲカットフィルタ８は、撮像素子９と対向するＩＲカットフィルタ８の底面８ｂ側の周囲角部にＣ面８ａが形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

The polyester container has a melting point of 246-270°C, a density of 1.37-1.42 g/cm^3, and a plane orientation coefficient of 0.10-0.17.例文帳に追加

容器の融点が２４６〜２７０℃であり、密度が１．３７〜１．４２ｇ／ｃｍ^３、面配向係数が０．１０〜０．１７であることを特徴とするポリエステル容器。 - 特許庁

The lower stage (c) comprises 9 truncated triangular pyramids which are configured to form a truncated triangular pyramid when they are arranged on a same plane.例文帳に追加

下段ｃは９個の截頭三角錐より成り、９個の截頭三角錐を同一平面に配置した場合に立体形状が截頭三角錐になるように構成する。 - 特許庁

The polyester film for lithium battery packing contains 0.01 to 1 wt.% of particles with an average grain size of 0.01 to 5 μm with a melting point of 220 to 270 °C, and a plane orientation coefficient of 0.11 to 0.16.例文帳に追加

平均粒子径が０．０１〜５μｍの粒子を０．０１〜１重量％含有し、融点が２２０〜２７０℃であり、かつ面配向係数が０．１１〜０．１６であるリチウム電池包装用ポリエステルフィルム。 - 特許庁

A first GaN group III-V compound semiconductor layer 12 whose plane direction is different from the C-surface is grown on a substrate 11, and then patterned into a stripe shape.例文帳に追加

基板１１上に面方位がＣ面と異なる第１のＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１２を成長させ、これをストライプ形状にパターニングする。 - 特許庁

The tubular member is in the shape of being extended along a circumference C with the rotation axis as a center in the plane view, and the internal space is communicated with the internal space of the bearing case.例文帳に追加

管状部材は、平面視において回転軸線を中心とする円周Ｃに沿って延びる形状となっており、かつ、その内部空間がベアリングケースの内部空間に連通するように構成されている。 - 特許庁

The C-PLANE setter 131 perform local release which is processing for releasing the PDP context in the self-terminal when transmission of the user data fails at a preservation state.例文帳に追加

Ｃ−ＰＬＡＮＥ処理部１３１は、プリザベーション状態でユーザデータの送信に失敗した場合に、ＰＤＰコンテキストを自端末内で解放する処理であるローカル解放を行う。 - 特許庁