「C-PLANE」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A lighting optical axis C is mounted on the plane same as a reading optical axis of the focusing lens.例文帳に追加

照明光軸Ｃを結像レンズの読取光軸と同一平面内に配置する。 - 特許庁

In an X-Y plane, a rotating magnetic field C is generated by the tripolar yoke type magnetizer 10.例文帳に追加

Ｘ−Ｙ平面には、三極ヨーク型磁化器１０によって回転磁界Ｃが発生する。 - 特許庁

A C-arm 101 is loaded with the X-ray vessel 22 and the plane detector 31.例文帳に追加

Ｃアーム１０１は、Ｘ線管球２２と平面検出器３１とを搭載する。 - 特許庁

(c) A position of the image of the reflected beam 44 on the detector plane 50 is determined.例文帳に追加

（ｃ）検出器平面５０内の反射ビーム４４の像の位置を決定する。 - 特許庁

Atomized air is blown forward along an imaginary conical plane C concentric with the blowing axis X.例文帳に追加

アトマイズエアーを、吹出軸Ｘと同軸をなす仮想円錐面Ｃに沿って前方に吹出する。 - 特許庁

The second slit 115 discharges the coins C sliding down along the second inclined plane 113 one by one.例文帳に追加

第２のスリット１１５は、第２傾斜面１１３に沿って滑落する硬貨Ｃを一枚ずつ排出する。 - 特許庁

As for chamfering, it is preferable that at least one of C chamfering (chamfer plane) and R chamfering (round chamfer) is carried out.例文帳に追加

面取り加工は、Ｃ面取りおよびＲ面取りの少なくとも一方が施されることが好ましい。 - 特許庁

Consequently, polishing rate is made uniform in the plane of the wafer C and the flatness of a polished wafer is enhanced.例文帳に追加

結果、ウェーハＣの面内の研磨レートが均一化し、研磨後のウェーハ平坦度が高まる。 - 特許庁

First, uneven processing is performed on a surface of a sapphire substrate 10 having a c-plane as a primary surface.例文帳に追加

まず、ｃ面を主面とするサファイア基板１０表面に凹凸加工を施す。 - 特許庁

An oscillator array A providing a beam in an X-Z plane, an oscillator array B providing a beam in a plane inclined -2π/3 with respect to the X-Z plane and an oscillator array C providing a beam in a plane inclined 2π/3 with respect to the X-Z plane are formed.例文帳に追加

ＸＺ平面にてビームを提供する振動子アレイＡ、ＸＺ平面に対して−２π／３傾いた平面にてビームを提供する振動子アレイＢ、及びＸＺ平面に対して２π／３傾いた平面にてビームを提供する振動子アレイＣが形成される。 - 特許庁

Data of inks C, M, Y, K and R being employed in a printer are generated based on C, M, Y and K data through plane enlargement processing (S805).例文帳に追加

プレーン拡大処理（Ｓ８０５）によって、Ｃ，Ｍ，Ｙ，Ｋデータに基づいてプリンタで用いるインクＣ，Ｍ，Ｙ，Ｋ、Ｒのデータを生成する。 - 特許庁

Next, the base 15 of the tower crane C is fixed on the plane surface part of the mount 16 and then the tower crane C is erected.例文帳に追加

次に、該架台の水平面部上に該タワークレーンＣの基礎部１５を締結し、該タワークレーンＣを立設する。 - 特許庁

Vertical long windows (c) are formed on the centers of the plane walls 2h, and the tissue papers can be drawn out of the windows (c).例文帳に追加

そして平面壁２ｈの中央に縦長の窓ｃを形成し、この窓ｃからティッシュペーパーを引き出すことが出来るようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wurtzite thin film having c-axis uniaxially oriented in the plane of the thin film with a higher precision than those of conventional ones.例文帳に追加

従来よりも高い精度でc軸が薄膜の面内の一方向に配向したウルツ鉱薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Further, the area in which the c-axis is uniformly oriented in the plane enlarges more than heretofore by fixing the substrate 20 slantingly to the raw material flow.例文帳に追加

また、基板２０が原料流に対して傾斜して固定されることにより、従来よりもc軸が面内に斉合配向する面積が大きくなる。 - 特許庁

The projecting pieces 3 are arranged inclined in respect to a plane perpendicularly crossing a center axis C-C of the trunk part 2.例文帳に追加

前記凸片３を、前記胴部２の中心軸Ｃ−Ｃに直交する平面に対して傾斜させて配置する。 - 特許庁

The ratio of an in-plane pulling elasticity modulus at 250°C and that at 30°C of the build-up layer 2 (250°C elasticity modulus/30°C elasticity modulus) is made to be ≥50%.例文帳に追加

ビルドアップ層２の２５０℃における面内引っ張り弾性率と３０℃における面内引っ張り弾性率との比（２５０℃弾性率／３０℃弾性率）を５０％以上とする。 - 特許庁

When the monitor 34 is placed on a horizontal plane so as to set a display plane of the monitor upward, and set its opposite side downward, and orient the display plane of the monitor 34 upward, the center axial line C of the specimen 12 is oriented obliquely and downward toward the tip.例文帳に追加

モニタ３４の表示面を上側、その反対側を下側とし、モニタ３４の表示面を上向きとして水平面に載置したときに、試験片１２の中心軸線Ｃは先端側に向けて斜め下方を指向している。 - 特許庁

An extending direction detecting unit 152b analyzes plane-A images or plane-B images generated from the same volume analysis data, or a plane-C thickness-added MIP image, and detects the rib extending direction.例文帳に追加

走行方向検出部１５２ｂは、同一解析用ボリュームデータから生成されたＡ面画像またはＢ面画像、あるいは、Ｃ面における厚み付きＭＩＰ画像を解析して肋骨の走行方向を検出する。 - 特許庁

Angles of an inclination from a plane c in a first portion containing the valid light-emitting area in the plane of the light-emitting layer, and a second portion which is one except for the first portion in the plane of the light-emitting layer concerned, differ from each other.例文帳に追加

発光層面内における有効発光領域を含む第一の部分と、当該発光層面内の第一の部分以外の部分である第二の部分におけるｃ面からの傾斜角度は互いに異なっている。 - 特許庁

In the ZnO-based semiconductor element, there are subjected to epitaxial growths ZnO-based semiconductor layers 2-6 on a Mg_xZn_1-xO (0≤x<1) substrate 1 having as its principal plane the plane wherein at least +C-plane (0001) is inclined in m-axis direction.例文帳に追加

＋Ｃ面（０００１）が少なくともｍ軸方向に傾斜した面を主面とするＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ＜１）基板１上に、ＺｎＯ系半導体層２〜６がエピタキシャル成長されている。 - 特許庁

To guarantee status management of U-plane controllers and hand-over processing in a configuration, in which the U-plane controllers and C-plane controllers are separated.例文帳に追加

Ｕプレーン制御装置とＣプレーン制御装置とが分離された構成において、Ｕプレーン制御装置の状態管理や、ハンドオーバ処理を保証する。 - 特許庁

From the information of a target position and a target size, the rectangle of a picture image to be displayed on a plane is set on a real work area 41 like a figure (c), expanded into plane size like a figure (d) and stored on a plane display part.例文帳に追加

対象位置と対象サイズの情報から、プレーンで表示する画像イメージの矩形を実作業領域４１上に図の（ｃ）のように設定し、かつ図の（ｄ）のようにプレーンサイズに拡大してプレーン表示部に格納する。 - 特許庁

When the pointer C moves in the virtual plane, a processing part 10 regards that the virtual plane is decided, performs hit test processing based on position coordinates indicated by the pointer C, and appoints an object.例文帳に追加

ポインタＣが仮想平面内を移動した場合には、処理部１０は、その仮想平面が確定されたとみなし、ポインタＣにより指示される位置座標に基づきヒットテスト処理を行ない、オブジェクトを指定する。 - 特許庁

The threading dislocation 3 having a dislocation line in the [0001] c-axis direction is vertical to the direction of the dislocation line of the basal plane dislocation, so that the threading dislocation 3 can not be an extension dislocation in C-plane, and stacking dislocation is not generated.例文帳に追加

［０００１］ｃ軸方向に転位線を持つ貫通転位３は、基底面転位の転位線の方向と垂直であるため、Ｃ面内の拡張転位とはならず、積層欠陥を発生させることがない。 - 特許庁

A plane part and a rising wall part making a designate angle to the plane part is continuously formed on an object to be cut, by parallel moving the rotating axis line C while rotatively driving the chip body B around the rotating axis line C.例文帳に追加

チップボデーＢを回転軸線Ｃ回りに回転駆動すると共に回転軸線Ｃを平行移動させることにより、切削対象に平面部とこの平面部に対して所定の角度を有する立壁部とを連続して形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming an (Al, Ga, In)N thin film on a Ga-face c-plane (Al, Ga, In)N substrate using a c-plane surface with a miscut toward the m-direction at least 0.35°.例文帳に追加

ｍ方向に向かうミスカットが少なくとも０．３５度であるｃ面表面を用いて、Ｇａ面ｃ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板上に（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

This cellular phone is configured so as to determine whether or not it is in a Preservation state when a power source is turned off, and to establish C-plane and U-plane if in the Preservation state to release the Preservation state, and subsequently, the cellular phone first transmits an RST signal to a server and then transmits DETACH REQUEST to a packet exchange.例文帳に追加

本発明の携帯電話機は、電源がＯＦＦされる際にPreservation状態であるか否かを判定し、Preservation状態であるならばC-plan及びU-planeを確立してPreservation状態を解除した後に、先ずサーバに対してＲＳＴ信号を送信し、続いてパケット交換機に対してDETACH REQUESTを送信するようにした。 - 特許庁

A GaN-base semiconductor layer 12 forming a laser structure is made to grow on an n-type GaN substrate 11 including as main surfaces: first plane region 11a composed of a C surface; a second plane region 11b composed of a semipolar surface; and a third plane region 11c composed of a C surface.例文帳に追加

Ｃ面からなる第１の平面領域１１ａと半極性面からなる第２の平面領域１１ｂとＣ面からなる第３の平面領域１１ｃとを主面に有するｎ型ＧａＮ基板１１上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層１２を成長させる。 - 特許庁

The hexagonal ferrite is soft-magnetic, and has: ferrite crystal grains having the c-plane as an easily magnetized plane; the orientation such that the c-plane of the crystal grains becomes parallel at least with one direction; and a form such that the one directional demagnetization coefficient becomes greater than zero.例文帳に追加

軟磁性フェライトであって、ｃ面を磁化容易面とするフェライトの結晶粒を有し、前記結晶粒のｃ面が少なくとも一の方向に平行になるような配向性を有し、前記一の方向の反磁界係数が０より大きくなるような形状を有することを特徴とする。 - 特許庁

The principal growth plane 10a of the GaN substrate 10 is a plane having off-angles in a-and c-axis directions relative to an m-plane, and the off-angle in the a-axis direction is larger than the off-angle in the c-axis direction.例文帳に追加

そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 - 特許庁

The level difference between an area grown on (0001)C plane and an area grown on a facet plane being a crystal surface other than the C-plane is controlled to be ≤0.3 μm by controlling the etching speed and the etching amount.例文帳に追加

結晶成長時に（０００１）Ｃ面で成長した領域とＣ面以外の結晶面であるファセット面で成長した領域との段差は、エッチング速度及びエッチング量を制御することで、０．３μｍ以下となるように形成されている。 - 特許庁

The principal growth plane 10a of the GaN substrate 10 is consisting of a plane having off-angle in each direction of a-axis direction and c-axis direction relative to an m-plane, and the off-angle in the a-axis direction is larger angle than the off-angle in the c-axis direction.例文帳に追加

そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 - 特許庁

Otherwise, oxygen is doped into the gallium nitride crystal via a non-C-plane facet face by using a seed crystal having a C-plane surface, supplying material gases including a gallium material, a nitrogen material and oxygen to be doped, generating the non-C-plane facet face, and growing the gallium nitride crystal in the direction of the c-axis with vapor deposition, while maintaining the facet face.例文帳に追加

または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

A side face 16a of the opening 16 has a large angle with respect to an (a) plane of a group III nitride semiconductor and also has a large angle with respect to even an (m) plane of the group III nitride semiconductor and is formed of a plane very close to a (c) plane of the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

開口１６の側面１６ａは、III族窒化物半導体のａ面に対して大きな角度を成すと共にIII族窒化物半導体のｍ面に対しても大きな角度を成して、III族窒化物半導体のｃ面に非常に近い面から構成される。 - 特許庁

Or when a conductor member (104) which connects the housings 102 and 103 together is present on a plane (A, B) crossing a cable connection plane (C, D), the cable is arranged near the side (E, F) where the conductor member plane and cable connection plane touch together.例文帳に追加

あるいはさらに、筐体１０２、１０３どうしを接続する導体部材（１０４）が、ケーブル接続平面（Ｃ、Ｄ）と直交する平面（Ａ、Ｂ）にある場合は、ケーブルを導体部材平面とケーブル接続平面が接する辺（Ｅ、Ｆ）の直近を沿わせて配置する。 - 特許庁

The steel stock is rolled in the temperature range of more than 400 °C and less and AC_3 as a reverse rolling in a state that vertical roll shafts intersect at the angles of more than 5°C and les than 20°C in the plane position.例文帳に追加

鋼材に、４００℃以上Ａｃ_３以下の温度域における圧延を、上下のロール軸が平面位置で５°以上２０°以下の角度で交差した状態で、リバース圧延として施す。 - 特許庁

An RNC (resource network controller) 4 of the wireless access network is separated into a signaling control C plane controller 41 and a user data processing user data are transferred only via the U plane controller 42 between a mobile terminal 2 and host devices (31, 32) and a control signal is subjected to termination processing by the U plane controller 42 and the C plane controller 41.例文帳に追加

無線アクセスネットワークのＲＮＣ４を、シグナリング制御用のＣプレーン制御装置４１とユーザデータ処理用のＵプレーン制御装置４２とに分離して、ユーザデータは、移動端末２と上位装置（３１，３２）との間で、Ｕプレーン制御装置４２のみを介して転送し、制御信号はＵプレーン制御装置４２とＣプレーン制御装置４１とにより終端処理する。 - 特許庁

Oxygen is doped into a gallium nitride crystal via a non-C-plane surface by using a seed crystal having the non-C-plane surface (an upper surface), supplying material gases including a gallium material, a nitrogen material and oxygen to be doped, and growing the gallium nitride crystal with vapor deposition, while maintaining the non-C-plane surface.例文帳に追加

Ｃ面以外の面を表面（上面）にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

To provide a radio communication system, which transmits and receives C-Plane data and U-Plane data via different radio base stations, and enables a U-Plane base station 30 to perform an intermittent transmission even when there are multiple radio communication terminals under the U-Plane base station 30 in order to save power of the U-Plane base station 30.例文帳に追加

Ｃ−ＰｌａｎｅデータとＵ−Ｐｌａｎｅデータとを異なる無線基地局を介して送受信する無線通信システムにおいて、Ｕ−Ｐｌａｎｅ基地局３０配下に複数の無線通信端末が存在する場合であっても、Ｕ−Ｐｌａｎｅ基地局３０の間欠送信を可能とし、Ｕ−Ｐｌａｎｅ基地局３０の省電力化を図る。 - 特許庁

c. The effective intensity at a level 1 degree below the horizontal plane comprising the light source shall be 75,000 candela or more to 112,500 candela or less. 例文帳に追加

ｃ　光源の中心を含む水平面下一度における実効光度は、七万五千カンデラ以上十一万二千五百カンデラ以下であること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

c. The effective intensity at a level 1 degree below the horizontal plane comprising the light source shall be 7,500 candela or more to 11,250 candela or less. 例文帳に追加

ｃ　光源の中心を含む水平面下一度における実効光度は、七千五百カンデラ以上一万千二百五十カンデラ以下であること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

c. The effective intensity at a level 1 degree below the horizontal plane comprising the light source center shall be 750 candela or more to 1,125 candela or less. 例文帳に追加

ｃ　光源の中心を含む水平面下一度における実効光度は、七百五十カンデラ以上千百二十五カンデラ以下であること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The principal surface 13a of the substrate 13 is tilted at an off-angle of 20-45° in the a-axis direction of the gallium nitride from a c-plane of the gallium nitride.例文帳に追加

基板１３の主面１３ａは、窒化ガリウムのｃ面から窒化ガリウムのａ軸方向に２０度以上４５度以下のオフ角度で傾斜している。 - 特許庁

Thereby, a c-plane substrate 18 consisting of an isosceles triangular platy group III nitride semiconductor is obtained.例文帳に追加

これにより、二等辺三角形の板状のIII族窒化物半導体からなるｃ面基板１８を得ることができる。 - 特許庁