「C-PLANE」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The window layer has a cross sectional area F_C for an optical output coupling and an output coupling plane contacted with a medium with a refractive index n_M, where n_s>n_M and the cross sectional area F_L of the beam emitting active area (32) is smaller than the cross sectional area F_C of the output coupling plane.例文帳に追加

横断面積がＦ_Lのビーム発光アクティブ領域（３２）と、照射方向で該ビーム発光アクティブ領域（３２）に後置接続されている屈折率ｎ_sのビーム透過性ウインドウ層（２）を有し、該ウインドウ層は光出力結合のためにＦ_Cの横断面積を有し、さらに屈折率ｎ_Mの媒体が接している出力結合面を有し、前記ｎ_s＞ｎ_Mであり、前記ビーム発光アクティブ領域（３２）の横断面積Ｆ_Lを、出力結合面の横断面積Ｆ_Cよりも小さくする。 - 特許庁

Thus, a columnar polycrystalline ZnO buffer layer for which the (c) axis orientatability is high and a grain size in a horizontal direction is small within the (C) plane is formed, and a nitride based semiconductor single crystal layer less influenced by heat distortion from the Si substrate is manufactured on it.例文帳に追加

これにより、ｃ軸配向性が高くＣ面内において横方向のグレインサイズの小さい柱状多結晶ＺｎＯバッファ層が形成でき、この上にＳｉ基板からの熱歪みの影響の少ない窒化物系半導体単結晶層を作製することが可能となる。 - 特許庁

This polyester film for a base material for interfilm transfer is not more than 6 μm in thickness, -1.5 to +1.5% in the rate of change of film length in the longitudinal direction at the time of reaching 200°C, and not less than 0.165 degrees in plane orientation at the time of reaching 200°C.例文帳に追加

厚さが６μｍ以下であり、２００℃到達時点での長手方向のフィルム長さの変化率が−１．５％〜＋１．５％であり、同時点での面配向度が０．１６５以上であることを特徴とするフィルム間転写用基材用ポリエステルフィルム。 - 特許庁

The conveying devices 7 and 8, located on both sides of the angle cutting sawing machine 1 which is pivotable on a horizontal plane, move horizontally in perpendicular directions C+ and C- to the conveying direction A of a workpiece during the pivotal movement of the sawing machine 1 in predetermined directions B+ and B-, thereby receding from the sawing machine 1.例文帳に追加

水平面上で旋回可能な角度切断のこ盤１の両側に配置される搬入・搬送装置７，８は、のこ盤１の所定方向Ｂ^+，Ｂ^-の旋回時に加工材料の搬送方向Ａに対する直交方向Ｃ^+，Ｃ^-に水平移動し、これによりのこ盤１から退避するように構成されている。 - 特許庁

Three-dimensional position of the observation point C is obtained with conditions that the observation point C and the hypothetical image points Sf_1, Sf_2 and Sf_3 corresponding to the reference points S_1, S_2 and S_3 are on the same straight line, and the coordinates of the measurement point P_(n) on the plane HS are calculated.例文帳に追加

観測点Ｃと各参照点Ｓ_1、Ｓ__2およびＳ_3と対応する仮想像点Ｓｆ_1、Ｓｆ_2およびＳｆ_3とがそれぞれ同一直線上にあるという条件により観測点Ｃの３次元位置を求め、平面ＨＳ上の測量点Ｐ__(n)の座標を算出する。 - 特許庁

A current is conducted in a perpendicular direction to an inclination direction, to a silicon substrate 1 inclined by a very small angle of ≤2° from a {111} plane to heat-treat the silicon substrate 1 at a temperature of from 700°C to 830°C for 5 to 20 hours.例文帳に追加

｛１１１｝面から２°以下の微小角度だけ傾斜したシリコン基板１に対し、傾斜方向に直交する方向に沿って電流を流すことによって、シリコン基板１を７００℃〜８３０℃の温度において５〜２０時間熱処理を行う。 - 特許庁

The high carbon steel plate having little in-plane anisotropy contains, by mass%, 0.25 to 0.60 C, 0.20 to 1.50 Mn, ≤0.60 Cr, and if necessary, 0.010 to 0.060 Ti and 0.0003 to 0.0050 B, and satisfies a relation of (222)/(200)<5.5-5×C (%).例文帳に追加

質量％で、Ｃ：０．２５〜０．６０％、Ｍｎ：０．２０〜１．５０％、Ｃｒ：０．６０％以下、必要に応じて更にＴｉ：０．０ｌ０〜０．０６０％、Ｂ：０．０００３〜０．００５０％を含有し、（２２２）／（２００）＜５．５−５×Ｃ（％）を満足することを特徴とする面内異方性の小さな高炭素鋼板。 - 特許庁

To provide a new PTC electrically conductive paint capable of providing a plane-shaped heat generator having superior flexibility, sufficient heat-resistant stability, an extremely small change over use time, extremely high PTC magnification at temperatures between 70°C and 85°C, and excellent geometrical stability.例文帳に追加

優れた柔軟性及び充分な耐熱安定性を有し、使用による経時変化が極めて少なく、７０℃〜８５℃において極めて高いＰＴＣ倍率を有し、かつ形態安定性の良好な面状発熱体を提供しうる新規なＰＴＣ導電性塗料を提供すること。 - 特許庁

This label affixing device affixes the label L to the inner circumferential surface of the container C by allowing the roller 44 to press the label L from one end side to the other end side when the container C and the affixing head are relatively rotated in the horizontal plane.例文帳に追加

このラベル貼付装置は、容器Ｃと貼付ヘッドとを水平面内で相対的に回転移動させたときに、前記ローラ４４がラベルＬの一端側から他端側までを押し付けて容器Ｃの内周面にラベルＬを貼付する。 - 特許庁

A central transmission wavelength of the filter 3 is equivalent to a main peak wavelength of the slit light L1 in the vicinity of the optical axis C of a lens 4, and becomes larger along an incidence plane of the slit light L1 from the optical axis C toward an edge side of the filter 3.例文帳に追加

フィルタ３の中心透過波長は、レンズ４の光軸Ｃ近傍においてスリット光Ｌ１の主ピーク波長と同等であり、スリット光Ｌ１の入射面に沿って光軸Ｃからフィルタ３の縁側に向けて大きくなる。 - 特許庁

The cutout parts 17, 18 are provided above or below the central axis C of the pin hole 16, and are also each provided symmetrically so as to form a predetermined central angle θ with respect to a central plane Cp including the central axis C and the central axis L of the piston 10.例文帳に追加

切り欠き部１７，１８は、ピン穴１６の中心軸Ｃよりも上側または下側に設けられ、かつ当該中心軸Ｃとピストン１０の中心軸Ｌとを含む中心面Ｃｐに対して所定の中心角θをなすようにそれぞれ対称に設けられている。 - 特許庁

The biaxial texture of the plating layer is a cubic crystal texture wherein the peak half-width value in c-axis orientation is 4 degrees or less and the misorientation between crystal grains on a plane formed by a-axis and b-axis has a peak half-width value measured by ϕ-scan is 5.2 degrees or less.例文帳に追加

前記二軸集合組職の鍍金層はc軸配向のピーク半価幅値が4度以内で、a軸とb軸で構成された平面上での結晶粒間のミスオリエンテーション(Misorientation)がφ-スキャンで測定したピークの半価幅値が5.2度以内である立方晶の集合組職であることを特徴とする。 - 特許庁

As for a light guide body 20 extending along a curvature C expanding to the front side, a first region 20a1 located on the inner circumference side of the curvature C in the right end face 20a is constituted of a plane extending in a direction inclinded to the left end face side of the light guide body 20 against a second region 20a2 other than that.例文帳に追加

前方側へ膨らむ曲線Ｃに沿って延びる導光体２０において、その右端面２０ａにおける曲線Ｃの内周側に位置する第１領域２０ａ１を、それ以外の第２領域２０ａ２に対して導光体２０の左端面側へ傾斜した方向に延びる平面で構成する。 - 特許庁

However, Re[450], Re[550] and Re[650] are in-plane phase difference values measured with light of wavelengths of 450 nm, 550 nm and 650 nm at 23°C, and Rth[550] is a phase difference value in a thickness direction measured with light of wavelength of 550 nm at 23°C.例文帳に追加

（ただし、Ｒｅ［４５０］、Ｒｅ［５５０］およびＲｅ［６５０］は、それぞれ、２３℃における波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍおよび６５０ｎｍの光で測定した面内の位相差値であり、Ｒｔｈ［５５０］は、２３℃における波長５５０ｎｍの光で測定した厚み方向の位相差値である。） - 特許庁

The order of harmonics to be superimposed is an odd number N of five or more, a mechanical angle C corresponding to the Nth-order harmonics is set to θ/N, and a radial distance from the axis of the core is shortened as it goes outward in its circumferential direction from the position of the mechanical angle C on the peripheral plane of the arm part.例文帳に追加

重乗する高調波次数を５以上の奇数Ｎとして、Ｎ次高調波に対応する機械角Ｃは、θ／Ｎに設定して、アーム部の外周面上の機械角Ｃの位置から周方向外方に向かうにつれて、コア軸心からの径方向距離を短くした。 - 特許庁

A jitter detecting section 125 measures, jitter values at each apex of a specified triangle area on a plane of two variables consisting of two parameters of e.g. a cutoff frequency (FC) and a boost amount (BST) to obtain jitter index values A, B and C (A≤B≤C) which indicate larger values as the jitter values get smaller.例文帳に追加

ジッタ検出部１２５は、例えば遮断周波数（ＦＣ）、およびブースト量（ＢＳＴ）の２つのパラメータよりなる２変数平面上の所定の三角形領域の各頂点におけるジッタ値を測定し、ジッタ値が小さいほど大きな値を示すジッタ指標値Ａ、Ｂ、およびＣ、（Ａ≦Ｂ≦Ｃ）を求める。 - 特許庁

The liquid crystal alignment film contains a liquid crystal polymer formed by polymerizing at least one kind of a liquid crystal monomer, wherein the dimensional change in heating up the film from -35°C to 85°C in the film plane direction (MD, TD, diagonal directions, etc.) is ≤5% in all the direction.例文帳に追加

少なくとも一種の液晶モノマーを重合した液晶ポリマーを含有する液晶配向フィルムであって、該フィルム平面方向（ＭＤ、ＴＤ、斜め方向など）における−３５℃から８５℃に昇温した時の寸法変化が、全ての方向で５％以下である液晶配向フィルムとする。 - 特許庁

When the chain C is shifted from the small sprocket S1 to the large sprocket S2, the aftermost rotational edge of the chain receiving face 74 is at the position closer to the center plane from a foremost rotational edge when viewed substantially along the moving direction of the chain C.例文帳に追加

チェーンＣが小型スプロケットＳ１から大型スプロケットＳ２にシフトされるときチェーンＣの移動方向にほぼ沿って見ると、チェーン受取面７４の最も後方の回転縁は、最も前方の回転縁よりも中心面に近い位置にある。 - 特許庁

The saturated norbornene film gives a change (δRe) in the in-plane retardation (Re) with the lapse of time at 80°C for 1,000 hr and a change (δRth) in the retardation (Rth) in the thickness direction with the lapse of time at 80°C for 1,000 hr of 0-10% each.例文帳に追加

面内のレターデーション（Ｒｅ）の８０℃および１０００時間での経時変化（δＲｅ）、並びに、厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）の８０℃および１０００時間での経時変化（δＲｔｈ）が、いずれも０％〜１０％であることを特徴とする飽和ノルボルネンフィルムおよびその製造方法。 - 特許庁

A sheet storage box 1 arranges a sheet storing chamber C for storing a single device sheet W2 at a plurality of positions in a plane, each sheet storage chamber C is opened upward, and fluid circulation openings 15, 18 are provided.例文帳に追加

シート保管箱１は、単一のデバイスシートＷ２を収納するためのシート収納室Ｃを平面内の複数位置に配置したものであり、各シート収納室Ｃは上方へ開放するとともに、液流通口１５，１８が設けられている。 - 特許庁

The laminated film is composed of a base material (A) comprising a full aromatic polyimide film and the resin layer (B) formed on one side or both sides of the base material and characterized in that the coefficient of in-plane linear expansion at a temperature of 100-200°C thereof is -3 to 6 ppm/°C and the elastic modulus thereof is 2-13 GPa.例文帳に追加

全芳香族ポリイミドフィルムからなる基材（Ａ）と樹脂層（Ｂ）とからなり、基材（Ａ）の片面または両面に樹脂層（Ｂ）が形成された積層フィルムであって、１００〜２００℃の温度での面内の線膨張係数が−３〜６ｐｐｍ／℃であり、かつ弾性率が２〜１３ＧＰaである積層フィルム。 - 特許庁

c. Focal plane arrays in which factor elements are arrayed two-dimensionally and in which the respective factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 1,200 nanometers and 30,000 nanometers or less 例文帳に追加

三　要素素子を二次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が一、二〇〇ナノメートル超三〇、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

3) ILS Point C refers to the intersection point of a glide path and a horizontal plane including the point 30 meters vertically above the center of the runway approach end edge; hereafter the same shall apply. 例文帳に追加

三　ＩＬＳ・Ｃ点とは、グライドパスと滑走路進入端の中心点の垂直上方三〇メートルの点を含む水平面との交点をいう。以下同じ。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

c. In the case of said lamps other than those prescribed under sub-item "a" and "b", the intensity at levels 6 degrees and 10 degrees above the horizontal plane comprising the light source center shall be 10 candela or more. 例文帳に追加

ｃ　ａ及びｂに規定するもの以外のものにあつては、光源の中心を含む水平面上六度及び十度における光度は、十カンデラ以上であること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(c) Marks on the fuselage shall be displayed vertically or horizontally on both sides of the fuselage between the wings and tail plane, immediately in front of the leading edge of the horizontal stabilizer. 例文帳に追加

ハ　胴体面にあつては、主翼と尾翼の間にある胴体の両最外側面に表示し、水平安定板の前縁の直前方に、水平又は垂直に配置するものとする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The in-plane retardation (Re) and thickness-direction retardation (Rth) of the obtained cellulose acylate film satisfy the following expressions (C) to (E).例文帳に追加

得られたセルロースアシレートフィルムの面内レターデーション（Ｒｅ）と厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）とが、下記式（Ｃ）〜（Ｅ）を満足するフィルムをえる。 - 特許庁

When the mask image A is set, coordinates of inverted mask images B, C on a plane coordinates diagram are automatically calculated and the positions of the inverted mask images set on the basis of the coordinates are stored in a memory.例文帳に追加

マスク画像Ａが設定されると、自動的にその反転マスク画像Ｂ，Ｃのマスク平面座標図上の座標が算出され、該座標に基づいて設定される反転マスク画像位置がメモリに記憶される。 - 特許庁

The first substrate comprises stripe-shaped anti-growth patterns on the upper surface of the substrate, and recess regions having sidewalls of a c-plane between the anti-growth patterns.例文帳に追加

第１の基板は、その上部表面上にストライプ状の成長防止パターンを有し、また成長防止パターン間に側壁がｃ面であるリセス領域を有する。 - 特許庁

This rubber composition for mounting an engine comprises a chloroprene-based rubber and carbon black having ≥2 nm average piled height Lc in C-axis of layer plane in a crystallite.例文帳に追加

クロロプレン系ゴム及び結晶子内の層平面のＣ軸方向の平均積み重なり高さＬｃが２ｎｍ以上のカーボンブラックを含有するエンジンマウント用ゴム組成物。 - 特許庁

The ultra-thin graphite layer exhibits thermal conductivity which is anisotropic in nature and greater than 500 W/m°C in at least one plane and comprises at least a graphene layer.例文帳に追加

超薄グラファイト層は、本質的に異方性であり、少なくとも１つの平面で５００Ｗ／ｍ℃よりも大きな熱伝導率を示し、少なくとも１つのグラフェン層を含む。 - 特許庁

This rubber composition for mounting an engine comprises a chloroprene-based rubber, carbon black having ≥2 nm average piled height Lc in C-axis of layer plane in a crystallite and zinc powder.例文帳に追加

クロロプレン系ゴム、結晶子内の層平面のＣ軸方向の平均積み重なり高さＬｃが２ｎｍ以上のカーボンブラック及び亜鉛粉を含有するエンジンマウント用ゴム組成物。 - 特許庁

Coefficients a, b, c used in a plane equation of the preparation are calculated on the basis of values Zo to Z2 of three points Po to P2 before acquiring sonic speed information for diagnosing biomedical tissue.例文帳に追加

生体組織を診断するための音速情報を取得する前に、プレパラートの平面方程式Ｚに用いられる係数ａ，ｂ，ｃを、３点Ｐｏ〜Ｐ２の値Ｚｏ〜Ｚ２より算出する。 - 特許庁

The bias layer comprises cobalt(Co), and is formed on various base material layer comprising such crystal structure as promoting in-plane conformity of C-axis of the Co.例文帳に追加

バイアス層はコバルト（Ｃｏ）を含み、そのＣｏのＣ軸の平面内整合を促進する結晶構造を有する様々な下地層上に形成される。 - 特許庁

The cylindrical boron nitride cluster is composed of a hexagonal boron nitride and an angle θ formed between its c plane and its cylindrical outer wall is preferably ≥1°.例文帳に追加

前記円筒状の窒化ほう素クラスターは六方晶窒化ほう素で構成されており、そのｃ面が円筒状の外壁となす角θが１°以上であることが望ましい。 - 特許庁

The substrate is cut from the grown bulk AlN crystal in a direction perpendicular to its growth direction so as to efficiently obtain the round AlN substrate with a principal plane perpendicular to the axis c.例文帳に追加

成長したＡｌＮのバルク結晶から、その成長方向に垂直な方向に基板を切り出すことにより、ｃ軸に対し垂直な方位を主面とする円形状のＡｌＮ基板を効率良く得ることが可能となる。 - 特許庁

The amino acid adjacent to the hemoferrum comprises a hydrophobic amino acid and a polar non-charge amino acid, and forms a hydrophobic plane HP, and electrons are transferred from the enzyme 1 to the electrode 2 through the cytochrome C portion 1a.例文帳に追加

ヘム鉄と隣接するアミノ酸は、疎水性アミノ酸および極性非電荷アミノ酸からなって疎水面ＨＰを形成しており、電子はこうしたチトクロームＣ部位１ａを通じて酵素１から電極２に伝達される。 - 特許庁

Abutting positions A, B of the abutting means (a), (b) are arranged on one plane P perpendicular to an axis L of the throttle shaft 2 where a returning force operating position C of the back spring 11 on the relief lever 9 is located.例文帳に追加

スロットルシャフト２の軸線Ｌに直交しかつリリーフレバー９に対するバックスプリング１１の戻し力作用位置Ｃが位置する一平面Ｐ上に各当接手段ａ，ｂの各当接位置Ａ，Ｂが配置される。 - 特許庁

To provide a retardation film, having property as optically negative C plate, and a large positive distribution of in-plane retardation.例文帳に追加

本発明は、光学的に負のＣプレートとしての性質を有し、面内レターデーション（Ｒｅ）の正分散性が大きい位相差フィルムを提供することを主目的とする。 - 特許庁

In the group III nitride semiconductor element, a junction JC is inclined with respect to the reference surface perpendicular to a c axis of a gallium nitride-based semiconductor layer, and an electrode is joined to a semipolar plane of the gallium nitride-based semiconductor layer.例文帳に追加

このIII族窒化物半導体発光素子では、接合ＪＣが窒化ガリウム系半導体層のｃ軸に直交する基準面に対して傾斜しており、電極がこの窒化ガリウム系半導体層の半極性面に接合する。 - 特許庁

The optical axis A1 of the lens 12 is neither in parallel with nor perpendicular to a plane which includes the incident position B of incident light, the emitting position C of emitted light and the incident optical axis I or emitting optical axis E.例文帳に追加

レンズ１２の光軸Ａ１は、入射光の入射位置Ｂと、射出光の射出位置Ｃと、入射光軸Ｉまたは射出光軸Ｅと、を含む平面に対して平行ではなく、かつ垂直ではない。 - 特許庁

Then, the scanning scope of an AF area contrast system is so determined by using the virtual reference plane A as a reference as to measure within the scope measurement points present in an area 9 having on-chip lenses (c).例文帳に追加

次に、この仮想基準面Ａを基準にして、ＡＦエリアコントラスト方式のスキャン範囲を決め、その範囲でオンチップレンズを備えたエリア９内の測定点を測定する（ｃ）。 - 特許庁

The C plate incorporates a birefringent coating, whose retardance magnitude can be adjusted, by tilting with respect to the display panel (X-Y) plane.例文帳に追加

Ｃプレートは、複屈折性のコーティングを組み込み、Ｃプレートのリターダンスの大きさは、ディスプレイ・パネル（Ｘ−Ｙ）面に対して傾斜させることによって調節することができる。 - 特許庁

To provide a laser processing method capable of cutting a planar object to be processed equipped with a hexagonal SiC substrate having a main surface at an off angle to the c-plane accurately along a scheduled cut line.例文帳に追加

ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。 - 特許庁

To form a dopant layer having an excellent periodicity and a high activity by suppressing the development of polytypism and crystal defects when forming the dopant layer on an SiC c-plane substrate.例文帳に追加

ＳｉＣのｃ面基板に不純物層を形成する場合において、ポリタイプや結晶欠陥が形成されることを抑制し、周期性が優れた高い活性率の不純物層を形成する。 - 特許庁

The n-side nitride semiconductor 20 comprises a nitride semiconductor layer 21 having a -c plane (nitrogen polarity) as a primary surface 21a and an Al composition inclined layer 22 formed on the active layer 30 side with respect to the nitride semiconductor layer 21.例文帳に追加

ｎ側窒化物半導体２０は、−ｃ面（窒素極性）を主面２１ａとする窒化物半導体層２１と、この窒化物半導体層２１に対して活性層３０側に形成されたＡｌ組成傾斜層２２とを含んで構成されている。 - 特許庁