「C-PLANE」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In a construction of jointing two sheets of panels (P3), P2 in the same plane, a C-shaped hook plate 10 supported at the rear side of one panel (P3) is linked to a clamp plate 11 supported to the rear side of the other panel P2 and both of them are jointed together.例文帳に追加

２枚のパネルＰ３、Ｐ２を同一面内で連結する構造では、片方のパネルＰ３の裏側に支持されているＣ字状のフック板１０に、他方のパネルＰ２の裏側に支持された挟持板１１を係合させて、互いに連結する。 - 特許庁

The spectacle lens 1 is designed by defining a point crossing a forward sight line P of an optical concave surface 12 as a design reference point Pi, and using a lens tilt angle θ formed by a tangent line C at the design reference point Pi and a plane Q perpendicular to the forward sight line P.例文帳に追加

光学凹面１２の正面視線Ｐに当たる点を設計基準点Ｐiとし、この設計基準点Ｐｉにおける接線Ｃと、正面視線Ｐと直交する平面Ｑとのなすレンズ傾き角度θを用いて眼鏡レンズ１を設計する。 - 特許庁

(c) The substrate 1 is parallelly translated in an X-Y plane, and the arrangement of the substrate 1 to the opening 5 of the mask is changed, thus film deposition in which the positional relation searched by the combinatorial film deposition is held is performed to the whole of the required region in the surface of the substrate 1.例文帳に追加

基板１をＸ−Ｙ面内で平行移動させてマスク開口５に対する基板１の配置を変化させることで、基板１の表面の所要の領域の全体に対しコンビナトリアル成膜で探索された位置関係を維持した成膜を行う（ｃ）。 - 特許庁

At an opening of the bolt hole 21 notching the concave curve face 24, an intersection C between a plane including the side face 23 and an extension face of the concave curve face 24 is positioned nearer the outer ring 11 than an axial center A of the bolt hole 21 in a radial direction of the bolt hole 21.例文帳に追加

凹曲面部２４を切り欠いているボルト孔２１の開口において、側面部２３を含む平面と、凹曲面部２４の延長面との交線Ｃが、ボルト孔２１の径方向において当該ボルト孔２１の軸中心Ａよりも外輪１１側に位置している。 - 特許庁

When a touch input is operated, a pointer control part 12 measures an input presence time according to present time inputted from a clock 70, and after the lapse of an input presence residence time t1 or more, a pointer C is moved to a virtual plane lower (deeper side) by one.例文帳に追加

ポインタ制御部１２は、タッチ入力がなされると時計７０から入力される現在時刻に基づいて入力あり時間を計測し、入力あり滞留時間ｔ１以上経過していれば、ポインタＣを更に一つ下（奥側）の仮想平面に移動させる。 - 特許庁

A height distance C on a plane making a short side opposing the side plate parts 7a, 7b provide a parallelogram substantially flat plate- like upper plate part 8 slightly shorter than a distance D between the side wall parts of the box culvert 2 between the upper sides of the side plate parts 7a, 7b to form a box culvert repair body 1.例文帳に追加

側板部7a，7bを対向する短辺とする平面上の高さ距離Ｃが函渠２の側壁部５間の距離Ｄよりやや短い平行四辺形略平板状の上板部８を側板部7a，7bの上辺間に設け、函渠補修体１を形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, the noncrystalline thermoplastic resin film having a slow axis in the longitudinal direction of the long film and having specific thickness and an in-plane retardation value (Re) is used and extended in the transverse direction while contracting it in the longitudinal direction in the atmosphere having glass transition temperature of the resin film of Tg to Tg+25°C.例文帳に追加

長尺フィルムの長手方向に遅相軸を有し、特定の厚みと面内リターデーション値（Ｒｅ）を有する非晶性熱可塑性樹脂フィルムを使用して、該樹脂フィルムのガラス転移温度Ｔｇ〜Ｔｇ＋２５℃の雰囲気下に、長手方向に収縮させつつ短手方向に延伸する。 - 特許庁

A solar cell 15 consists of split cells A, B, C, and D quadrisected by parting lines 15DA, 15AB, 15BC, and 15CD on the domain of a power-generating plane formed on a sheet of substrate and acquires electromotive force required for loading by making those split cells in-series.例文帳に追加

ソーラーセル１５は、１枚の基板上に形成された発電面の領域を分割線１５ＤＡ、１５ＡＢ、１５ＢＣ、１５ＣＤにより４等分した分割セルＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄを有しており、これらの分割セルを直列にして負荷に必要な起電力を得ている。 - 特許庁

Further, slurry containing polishing abrasive grains is supplied to between a surface of the LT substrate 10 and a polishing surface plate and the surface of the LT substrate 10 is polished by the polishing surface plate to polish the surface into a mirror plane while reducing the thickness of the LT substrate 10 (Fig.5(c)).例文帳に追加

続いて、ＬＴ基板１０の表面と研磨定盤との間に研磨砥粒を含むスラリーを供給して、ＬＴ基板１０の表面を研磨定盤により研磨することによりこのＬＴ基板１０の厚みを薄くすると共にその表面を鏡面研磨する（図５（ｃ））。 - 特許庁

In the method for manufacturing the liquid crystal panel by using a liquid crystal dropping process, the UV seal is cured while keeping the in-plane temperature distribution of a substrate within ≤±5°C from the point of time for beginning heating up to the point of time for obtaining equilibrium temperature when the substrate is heated.例文帳に追加

液晶滴下プロセスによる液晶パネルの製造方法において、基板加熱時の昇温から平衡温度までの基板面内温度分布を±５℃以下に保ちながら、ＵＶシールを硬化させる液晶パネルの製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In a device 1 for manufacturing a single crystal, a seed crystal 10 is formed of a rod-like aluminum nitride single crystal whose length direction is oriented to the c-axis direction and the exposed surface on the side portion thereof where alminum nitride material 8 is grown into a crystal has an inclination of 90° relative to the (0001) plane.例文帳に追加

単結晶製造装置１において、種結晶１０は、長さ方向がｃ軸配向した棒状の窒化アルミニウム単結晶からなり、窒化アルミニウム原料８が結晶成長する側部の露出面は｛０００１｝面に対し９０°の傾きを有する。 - 特許庁

A plate P_1 to which a measurement target material M having a scattering plane of a bidirectional reflectance distribution function (BRDF) has been applied is imaged by the imaging apparatus C while respective directions m_V1, m_V2 of illumination direction groups m_VG1, m_VG2 in spatial coordinates coincide with unit reflection vectors v_R in the measurement target material M.例文帳に追加

この撮像装置Ｃをもって双方向反射率分布関数（ＢＲＤＦ）の散乱面を有する測定対象素材Ｍが貼付されたプレートＰ_1を、空間座標内の照明方向群ｍ_VG1，ｍ_VG2の各方向ｍ_V1，ｍ_V2と測定対象素材Ｍの単位反射ベクトルｖ_Rとが一致する状態で撮像する。 - 特許庁

The lighting fixture is provided with a body 1 equipped with an attachment part 6 opposed to a wiring accessory Cb fitted to a fixture-attachment face C such as a ceiling face, and a substrate 21 positioned at a periphery of the attachment part 6 with its mounting face faced to a front side and its rear-face side in plane contact with the body 1.例文帳に追加

本発明は、天井面等の器具取付面Ｃに設置された配線器具Ｃｂに対向する取付部６を有する本体１と、前記取付部６の周囲に位置して、実装面が前面側に向けられるとともに、裏面側が前記本体１に面接触して配設された基板２１とを備えている。 - 特許庁

In the lens module 10, a magnet 13 and a moving body 14 are arranged in such a way that a magnetizing direction may be nearly perpendicular to a plane C linking an intersection line of a surface A to be attached and a surface B to be attached of the moving body 14 attached to the magnet 13 with a center axis of the magnet 13.例文帳に追加

レンズモジュール１０は、磁石１３と移動体１４とは、移動体１４の磁石１３と吸着している被吸着面Ａと被吸着面Ｂの交線と磁石１３の中心軸とを結んだ面Ｃに対して着磁方向が略垂直となるように、配置している。 - 特許庁

In the case that the surface (hetero epitaxial growth surface) of a sapphire M-plane off-substrate has a tilt (tilt angle that is, off angle is equal to rotation angle) rotated from 8° to 20° around the c-axis of the sapphire substrate, a step of the crystal is formed on the substrate in the tilted direction of substrate.例文帳に追加

サファイアＭ面オフ基板の表面（ヘテロエピタキシャル成長面）が、サファイア基板のｃ軸を回転軸として８°から２０°回転された傾斜（傾斜角すなわちオフ角度は回転角に等しい）を有する場合、基板の傾斜した方向に基板上に結晶のステップが形成されている。 - 特許庁

The electrostatic chuck has a ceramic dielectric layer composed of an alumina sintered compact with a volume resistivity value of 1×10^17 Ωcm or more at a room temperature, and a volume resistivity value of 1×10^14 Ωcm or more at 300°C, and a plane-shaped electrode formed on one surface of the ceramic dielectric layer.例文帳に追加

静電チャックは、室温における体積固有抵抗値が１×１０^17Ω・cm以上、３００℃における体積固有抵抗値が１×１０^1４Ω・cm以上であるアルミナ焼結体からなるセラミックス誘電体層と、セラミックス誘電体層の一方の面に形成された面状の電極とを有する。 - 特許庁

An inserted IC card C is held by a side part guiding piece 4a having an approximately L shape on a plane and a tip guiding piece in a device and the contact 14a of a contact block 14 is brought into contact with an external terminal D at prescribed pressure to read out/write information.例文帳に追加

挿入されたＩＣカードＣは、装置内で平面略Ｌ字型の側部案内片４ａと先端案内片４ｂで保持され、外部端子Ｄに接触ブロック１４の接触子１４ａが所定圧で接触して情報が読み書きされる。 - 特許庁

Since a scale 22 which indicates an angle θ between the orthogonal plane C and the ultrasonic scanning surface D is provided on the top end side of a holding part 9 for holding the ultrasonic probe 3, the angle θ can be known even when the insert part 8 is inserted into the body cavity.例文帳に追加

超音波プローブ３を把持する把持部９の先端側には、直交面Ｃと超音波走査面Ｄとがなす角度θを表す目盛２２が設けられているので、挿入部８が体腔内に挿入されているときでも、角度θを知ることができる。 - 特許庁

The optical path deflecting element 12 is provided with a liquid crystal cell formed by filling a liquid crystal layer made of chiral smectic C phases forming homeotropic alignment between a pair of transparent substrates, and a pair of electrodes for applying an electric field in the plane direction of the substrates to the liquid crystal layer.例文帳に追加

光路偏向素子１２は、透明な一対の基板間にホメオトロピック配向をなすキラルスメクチックＣ相よりなる液晶層を充填してなる液晶セルと、液晶層に対して基板の面方向の電界を加える一対の電極とを備えている。 - 特許庁

A grinding member 11 having a circular plane grinding face A is rotated, and a linear part W1 is brought into contact with the grinding face A after being deviated from an axial center C, and a wafer W is moved back and forth in the direction of the linear part W1 to the both sides of the radial R of the grinding face A vertical to the linear part W1.例文帳に追加

円形平面の研磨面Ａを有する研磨部材１１を回転させ、軸心Ｃから偏移させて直線部Ｗ1 を研磨面Ａに接触させ、直線部Ｗ1 に垂直な研磨面Ａの半径Ｒの両側にまでウェハＷを直線部Ｗ1 の方向に往復移動させる。 - 特許庁

A floor panel 1 is laid all over on beams 11, 13 so that an upper surface becomes a horizontal plane, roof backing materials 2 are arranged on this upper surface, and a waterproof sheet 4 as a waterproof layer is arranged on an upper surface of the roof backing materials 2 to constitute a flat roof C by constituting a drainage slope on an upper surface of a water increasing sheet 4.例文帳に追加

梁11，13に上面が水平面になるように床パネル１を敷き込み、この上面に屋根下地材２を配置し、更に、屋根下地材２の上面に防水層としての防水シート４を配置し、該増水シート４の上面に水勾配を構成することで陸屋根Ｃを構成する。 - 特許庁

The biaxially oriented polyester film for the double-sided adhesive tape is characterized in that a plane orientation degree is 0.170 to 0.190, contracion ratio at 120°C for 3 min. is ≤2.0% in both of a film longitudinal direction and a width direction, and the thickness is 1 to 4 μm.例文帳に追加

面配向度が０．１７０〜０．１９０であり、１２０℃で３分間の収縮率がフィルム長手方向および幅方向ともに２．０％以下であり、厚さが１〜４μｍであることを特徴とする両面粘着テープ用二軸配向ポリエステルフィルム。 - 特許庁

To provide a vehicular meter unit capable of effectively creating spacial isolation sense of an individual image function part regardless that a plurality of image function parts including an image meter are displayed on a plane-like display c, and also excellent in discrimination property of important meter information.例文帳に追加

画像メータを含む複数の画像機能部品を平面的なディスプレイｃに表示しているにもかかわらず、個々の画像機能部品の空間的な隔絶感を効果的に創出でき、また、重要なメータ情報の識別性にも優れた車両用メータユニットを提供する。 - 特許庁

The wiring board forming carrier comprises a solidified silicon resin layer on a support body whose coefficient of thermal expansion (CTE) in a plane direction is 0.5-20ppm/°C and water absorption is 0-1 wt.%.例文帳に追加

平面方向の熱線膨張係数（ＣＴＥ）が０．５ｐｐｍ／℃以上、２０ｐｐｍ／℃以下であり、かつ吸水率が０重量％以上、１重量％以下である支持体上に、硬化したシリコーン樹脂層を有する配線基板形成用キャリア。 - 特許庁

Hydraulic pipes R, B', C', D' connecting many control valves V parallelly arranged back and forth to hydraulic instruments R are arranged parallelly substantially on a plane and an arrangement space for interlocking rods 64L, 64R interlockingly connecting the control valve and an operating lever operating the control valve V is formed.例文帳に追加

前後方向に並設した多数のコントロールバルブＶと油圧機器Ｒとを接続する油圧配管Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’を略平面的に配索し、その下方に、コントロールバルブと該コントロールバルブＶを操作する操作レバーとを連動連結する連動ロッド６４Ｌ、６４Ｒの配設スペースを形成する。 - 特許庁

An SiC single crystal with the same polytype as a substrate is epitaxially grown by introducing a raw material gas having an atom number ratio of carbon atoms to silicon atoms (C/Si ratio) of not less than 0.20 and less than 0.75 into the (0001) Si plane of a hexagonal system SiC single crystal substrate.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比（Ｃ／Ｓｉ比）が０．２０以上０．７５未満の原料ガスを導入することにより、基板と同じポリタイプのＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A stroke axis OA connecting a shearing center O of a torsion beam 5 to a support center AL (AR) of the trailing arm 2 is disposed on a plane perpendicular to the stroke axis OA below a straight line connecting a rotation center B of a stabilizer 9 to a fixture center C.例文帳に追加

トーションビーム５のせん断中心Ｏとトレーリングアーム２の支持中心ＡＬ（ＡＲ）とを結んだストローク軸ＯＡを、このストローク軸ＯＡと直交する平面上で、スタビライザ９の回動中心Ｂと固定中心Ｃとを結んだ直線よりも下方に配置する。 - 特許庁

The virtual hinge (C) or the instantaneous rotation center can be moved according to a displacement of an acting point A of a reaction force (R) along a contact pitch line (8) between the embossing rollers (3, 4) on a plane defined by the rotary axis cores (6, 7).例文帳に追加

仮想ヒンジ（Ｃ）又は瞬間的な回転中心が、回転軸心（６，７）によって定義された平面においてエンボスローラ（３，４）間の接触ピッチライン（８）に沿った反力（Ｒ）の作用点Ａの変位に応じて移動可能である。 - 特許庁

A channel part CH, where the source electrode SD1 and the drain electrode SD2 of the thin-film transistor constituting the gate drive circuit face each other, has such a shape as to bend on a plane substantially in parallel with the substrate SUB1, and the channel width CHW is equal to A+B+C+D.例文帳に追加

このゲート駆動回路を構成する薄膜トランジスタのソース電極ＳＤ１とドレイン電極ＳＤ２が対向するチャネル部ＣＨを、基板ＳＵＢ１と略平行な面上で屈曲した折れ曲がり形状とし、チャネル幅ＣＨＷをＡ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄとした。 - 特許庁

In addition, a slit-shaped gap part 60 is formed along a virtual plane P that includes the center axis C of the core wire insertion hole 21, and the slit-shaped gap part 60 is a gap part that extends from the core wire insertion hole 21 to the outside surface of the body of the holder 20.例文帳に追加

また、芯線挿入孔２１の中心軸Ｃを含む仮想平面Ｐに沿うスリット状の間隙部６０が形成されており、このスリット状間隙部６０は、芯線挿入孔２１からホルダ２０の本体の外側面にまで至る間隙部となっている。 - 特許庁

To improve signal quality in sampling of the lowest power level by achieving a better wobble signal to noise ratio (C/N ratio) during writing, in a recording carrier recording method by which a mark and a land are formed by irradiating a recording plane of a recording carrier with a radiation beam.例文帳に追加

記録担体の記録面に放射ビームを照射することによりマーク及びランドを形成する記録担体記録方法であって、書き込みの間のより優れたウォブルの信号対ノイズ比（Ｃ／Ｎ比）を達成し、最低パワーレベルのサンプリングにおける信号品質を改善する。 - 特許庁

If the information indicating the occurrence of the path fault is inputted, a C-plane processing unit 120 notifies refusal of novel call acceptance to UE under the control of the Node B 101 and requests transfer stop of data to be transferred from another Node B via an IP public network/user LAN/WAN 102.例文帳に追加

Ｃプレーン処理部１２０は、経路障害が生じた旨の情報が入力した場合には、Ｎｏｄｅ Ｂ１０１配下のＵＥへの新規呼受付の拒否を通知するとともに、ＩＰ公衆網／ユーザＬＡＮ／ＷＡＮ１０２を介して他のＮｏｄｅ Ｂから転送されるデータの転送停止を要求する。 - 特許庁

Groove flanks (8, 9) at one side of a key have a flank length which is one-half of other groove flanks (9, 8) extending from a key plane (1) to its cross line (10) and therefore at least one of shallow groove flank variations (c, d, cd) is formed.例文帳に追加

一方の溝フランク（８，９）が、鍵平面（１）から交差線（１０）まで延びる他方の溝フランク（９，８）の半分のフランク長さを有していることにより、少なくとも１つの浅い溝のバリエーション（ｃ，ｄ，ｃｄ）が形成されている。 - 特許庁

c. The anode light of a runway edge light shall be such that it is visible within the minimum range listed in the right-hand side section of the following table corresponding to the runway edge light array spacing given in the left-hand side of the table, and in the case of the cross-section of the anode light on the vertical plane perpendicularly intersecting the extended line of a runway edge lights array, the lamp light shall be visible from all the angles up to the minimum limit of 15 degrees from the horizontal plane comprising the light source center and all the bearing directions. 例文帳に追加

ｃ　精密進入用のものの光柱は、着陸しようとする航空機から次の表の上欄に掲げる滑走路灯列の間隔に応じ、それぞれ最小限同表下欄に掲げる範囲で見えるものであり、滑走路灯列線の延長線に直交する鉛直面における光柱の断面は、楕円形であつて、かつ、埋込み式の滑走路灯以外のものにあつては、灯光が光源の中心を含む水平面からその上方最小限十五度までのすべての角度及びすべての方向から見えるものであること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

a. In the case of said light used in a location prescribed under item (x), sub-item "a" and used in the location prescribed under item (xi), the location prescribed under sub-item "c" that is every other location prescribed under said item in descending order from the location prescribed under item (x), sub-item "a" (except the lowest location), the intensity at a level 10 degrees above the horizontal plane comprising the light source center shall be 100 candela or more, and at a level 3 degrees below the horizontal plane comprising the light source center shall be 100 candela or more to 150 candela or less. 例文帳に追加

ａ　第十号イに規定する位置に使用されるもの及び第十一号の物件において第十号イに規定する位置から下方に順に一つ置きの同号ハに規定する位置（最も低い位置を除く。）に使用されるものにあつては、光源の中心を含む水平面上十度における光度は、百カンデラ以上であり、かつ、光源の中心を含む水平面下三度における光度は、百カンデラ以上百五十カンデラ以下であること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The porous electrode substrate in which carbon short fibers (A) dispersed in the two dimensional plane are joined with carbon fiber precursor short fibers which are carbonized and not fibrillated is manufactured in a process dispersing the carbon short fibers (A) and the carbon fiber precursor short fibers which are not fibrillated in a two dimensional plane and manufacturing a precursor sheet; and a process carbonizing the precursor sheet at 1,000°C or higher.例文帳に追加

炭素短繊維（Ａ）と、フィブリル化していない炭素繊維前駆体短繊維とを二次元平面内において分散させて、前駆体シートを作製する工程；および得られた前駆体シートを１０００℃以上の温度で炭素化する工程；を有する方法で、二次元平面内に分散した炭素短繊維（Ａ）同士が、炭素化したフィブリル化していない炭素繊維前駆体短繊維によって接合されている多孔質電極基材を製造する。 - 特許庁

(c) In the case of an object having a width exceeding 45 meters at an elevation of 45 meters, or another object having a width of 45 meters at a point that is at a remarkable proximity to an approach surface, transition surface or horizontal plane, said lights shall be installed at points that indicate the approximate outline of the object and the neighboring points do not exceed a horizontal distance of 45 meters. 例文帳に追加

ハ　四十五メートル以上の高さにおいて四十五メートルを超える幅を有する物件又は進入表面、転移表面若しくは水平表面に著しく近接した部分の幅が四十五メートルを超える物件にあつては、その概形を示す位置であつて、かつ、隣り合つた位置が水平距離で四十五メートルを超えない位置 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A p-type ZnO nanostructure containing phosphorus which is oriented and grown on the c-plane of the surface of a sapphire single crystal substrate is formed by irradiating with a laser beam a ZnO target containing P (phosphorus) arranged in an inner part of a reaction vessel whose pressure and temperature are controlled, using a microcrystal derived from particulates produced by laser ablation as a nucleus.例文帳に追加

圧力及び温度が制御された反応容器の内部に配置されたＰ（リン）を含有するＺｎＯターゲットにレーザー光を照射し、レーザーアブレーションにより生成した微粒子に由来する微結晶を核としてサファイア単結晶基板表面のｃ面に配向成長したリンを含有するｐ型ＺｎＯナノ構造体が形成される。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 1 includes a sapphire substrate 10 having a C-plane as a main surface 11, comb-like electrodes 21, 22 formed in contact with the main surface 11 of the sapphire substrate 10, an aluminum nitride film 30 for covering the comb-like electrodes 21, 22, and a silicon dioxide film 40 formed on the surface of the aluminum nitride film 30.例文帳に追加

弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に接するように形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有する。 - 特許庁

With respect to the optical compensation film, a -C-plate 17 satisfying nx=ny>nz wherein nx and ny represent refractive indices in x and y directions, respectively, in a film plane and nz represents a refractive index in a thickness direction of the film is provided, and is laminated in the vertical alignment liquid crystal panel 1.例文帳に追加

そして、光学補償フィルムとして、フィルム面内のｘ，ｙ方向の屈折率をｎｘ，ｎｙとし、フィルムの厚み方向の屈折率をｎｚとした場合に、ｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚの関係を有する−Ｃ−プレート１７を備えるとともに、この−Ｃ−プレート１７が垂直配向型液晶パネル１の内部に積層された構造とされているものである。 - 特許庁

In the GaN-based semiconductor optical device 11a, the principal plane 13a of a template 13 tilts from a surface perpendicular to a reference axis Cx that extends along the c-axis of this first GaN-based semiconductor in the direction of the m-axis of the first GaN-based semiconductor with the tilt angle in the range of ≥63 degrees and less than 80 degrees.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、テンプレート１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。 - 特許庁

An angle formed by the main surface 11a and the rear surface 11b, and a c-plane of the gallium nitride-based semiconductor crystal is ≥45° and ≤135°, and the optical resonator 10 has an active layer 17 containing indium and epitaxially grown on the main surface 11a, and the optical resonator 50 has an active layer 57 containing indium and epitaxially grown on the rear surface 11b.例文帳に追加

主面１１ａ及び裏面１１ｂと、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面とのなす角は４５°以上１３５°以下であり、光共振器１０は、主面１１ａ上にエピタキシャル成長されたインジウムを含む活性層１７を有しており、光共振器５０は、裏面１１ｂ上にエピタキシャル成長されたインジウムを含む活性層５７を有している。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 1 includes, a sapphire substrate 10 having a C-plane as a main surface 11, an aluminum nitride film 30 formed on the main surface 11 of the sapphire substrate 10, comb-like electrodes 21, 22 formed on the surface of the aluminum nitride film 30, and a silicon dioxide film 40 for covering the surfaces of the comb-like electrodes 21, 22 and the aluminum nitride film 30.例文帳に追加

弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有する。 - 特許庁

The polyester film comprises an ethylene terephthalate unit accounting for ≥90 mol% of all repeating units and is characterized in that the thickness of the polyester film is 100-250 μm, a change in the Young's modulus of the polyester film after heat-treated at 150°C for 24 hours is ≤150 mgf/μm^2 and the plane orientation coefficient of the polyester film is 0.05-0.10.例文帳に追加

全繰り返し単位の９０モル％以上がエチレンテレフタレート単位からなるポリエステルのフィルムであって、フィルムの厚みが１００〜２５０μｍ、１５０℃２４時間の熱処理によるフィルムのヤング率変化が１５０ｍｇｆ／μｍ^２以下、フィルムの面配向係数が０．０５〜０．１０であることを特徴とするタッチパネル用ポリエステルフィルム。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, a surface 10a has a specific plane orientation, and a sulfide of 30×10^10 to 2,000×10^10 pcs./cm^2 in terms of S conversion and an oxide of 2 to 20 at% in terms of O conversion exist in a surface layer 12, thereby preventing C from piling up in an interface between an epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体デバイス１００では、表面１０ａが特定の面方位を有した上で、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。 - 特許庁