「C-PLANE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To grow a c-plane GaN having the excellent flatness and crystallinity on an a-plane or c-plane sapphire substrate.例文帳に追加

ａ面またはｃ面サファイア基板上に、平坦性、結晶性に優れたｃ面ＧａＮを成長させること。 - 特許庁

A difference D_C-PP between a plane prediction value P_P predicted by the plane prediction and a pixel c in the plane prediction is obtained, and whether the difference D_C-PP is fitted in a predetermined range R is determined.例文帳に追加

平面予測で予測された平面予測値Ｐ_Pと、平面予測における画素ｃとの差分Ｄ_C-PPを求め、差分Ｄ_C-PPが所定範囲Ｒに収まるか否かを判定する。 - 特許庁

A ridge stripe 20 is parallel to the c-axis and a pair of resonator end surfaces 21, 22 are plane +c and plane -c.例文帳に追加

リッジストライプ２０は、ｃ軸に平行であり、一対の共振器端面２１，２２は、＋ｃ面と−ｃ面である。 - 特許庁

Meanwhile, when the Node B, to which the mobile terminal 2 moved belongs to the U-plane controller which is not subordinate to own C-plane controller, each C-plane controller 41a, 41b inquires another different C-plane controller about the status information of the object U-plane controller, and decides whether the object U-plane controller can add radio link.例文帳に追加

一方、移動機２の移動先のＮｏｄｅ Ｂが自配下ではないＵプレーン制御装置に帰属している場合、別のＣプレーン制御装置に対して対象のＵプレーン制御装置の状態情報を問い合わせ、対象のＵプレーン制御装置にて無線リンク追加が可能か判断する。 - 特許庁

A virtual plane control part 14 changes the color of the virtual plane at which the pointer C is positioned.例文帳に追加

仮想平面制御部１４は、ポインタＣが位置する仮想平面の色を変更する。 - 特許庁

The groove 17 is not parallel to the fifth cleavage plane C and the sixth cleavage plane D.例文帳に追加

この溝１７は、第５の劈開面Ｃ及び第６の劈開面Ｄに対して平行とはならない。 - 特許庁

A virtual plane control part 14 changes a color of the virtual plane where the pointer C is located.例文帳に追加

仮想平面制御部１４は、ポインタＣが位置する仮想平面の色を変更する。 - 特許庁

The torn surfaces 27 and 29 are not formed by dry etching and are different from cleavage planes such as a c plane, an m plane, or an a plane.例文帳に追加

割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 - 特許庁

A semiconductor layer is formed on a second substrate main face as a main face on the plus c plane side of the c plane off substrate.例文帳に追加

ｃ面オフ基板の＋ｃ面側の主面である第２基板主面上に半導体層を形成する。 - 特許庁

Further, the housing 2 has corners around the C plane 8a of the IR cut filter 8 and a C plane 2b is formed at the corners of the housing.例文帳に追加

また、ハウジング２は、ＩＲカットフィルタ８のＣ面８ａの周囲に角部を有し、このハウジングの角部にはＣ面２ｂが形成されている。 - 特許庁

Although the surface 21s is not parallel to the c-plane, the GaN self-supporting 21 functioning as a seed crystal has a planar shape substantially parallel to the c-plane.例文帳に追加

表面２１ｓはｃ面に平行ではないが、種結晶となるＧａＮ自立基板２１は実質的にｃ面に平行な板状である。 - 特許庁

When the difference D_C-PP is fitted in the predetermined range R, the plane prediction value P_P by the plane prediction is selected as a predicted value of the pixel value of the notable pixel.例文帳に追加

差分Ｄ_C-PPが所定範囲Ｒに収まる場合、平面予測による平面予測値Ｐ_Pを、注目画素の画素値の予測値として選択する。 - 特許庁

A matrix section 24d generates a luminance signal Y and color difference signals Cr, Cb from the plane data.例文帳に追加

マトリクス部24d はプレーンデータから輝度信号Y および色差信号C_r, C_bを作成する。 - 特許庁

The CrTiAl pre-seed layer 31 improves in-plane c-axis orientation while maintaining the good orientation ratio (OR).例文帳に追加

CrTiAlプレシード層３１は、良好な配向比(OR)を維持しながら、面内c-軸配向を改善する。 - 特許庁

Unevenness is formed on a -C plane which is a surface of the semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜の表面である−Ｃ面に凹凸を形成する。 - 特許庁

HANDOVER METHOD, C-PLANE WIRELESS CONTROLLER DEVICE, BASE STATION AND TERMINAL STATION例文帳に追加

ハンドオーバー方法、Ｃ−ｐｌａｎｅＷｉｒｅｌｅｓｓＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ装置、基地局および端末局 - 特許庁

The black start plane (e.g., C+M+0.1Y=255) is set in a CMY space.例文帳に追加

ＣＭＹ空間に墨開始面（例えば、Ｃ＋Ｍ＋０．１Ｙ＝２５５）を設定する。 - 特許庁

An image processing part 6 generates C-plane image data along a plane almost parallel with an array plane of an ultrasonic vibrator based on volume data acquired by ultrasonic transmission/reception and displays the C-plane image on a display part 71.例文帳に追加

画像処理部６は、超音波の送受信によって得られたボリュームデータに基づいて、超音波振動子の配列面と略平行な面に沿ったＣ面画像データを生成し、表示部７１にＣ面画像を表示させる。 - 特許庁

There is prepared a c plane off substrate which includes the wurtzite type crystal structure, and a crystal c plane which is inclined to a first substrate main face as at least a main face on the minus c plane side at a predetermined angle around an a axis.例文帳に追加

ウルツ鉱型の結晶構造を有し、少なくとも−ｃ面側の主面である第１基板主面に対して結晶ｃ面がａ軸の回りに所定角度傾いたｃ面オフ基板を用意する。 - 特許庁

The scintillator material includes a zinc oxide single crystal having grown on the +C plane or the -C plane of a platy seed crystal of zinc oxide having the C plane as a principal plane, and contains In and Li in the zinc oxide single crystal.例文帳に追加

Ｃ面を主面とする板状の酸化亜鉛の種結晶の＋Ｃ面上又は−Ｃ面上に結晶成長した酸化亜鉛単結晶からなり、前記酸化亜鉛単結晶中にＩｎとＬｉとを含有するものをシンチレータ材料とする。 - 特許庁

As light beams from output points A, B and C on a plane P are imaged at view points a, b and c, image sequences P(a), P(b) and P(c) are obtained.例文帳に追加

各視点ａ，ｂ，ｃでＰ面上の出射点Ａ，Ｂ，Ｃからの光線を撮像することは画像配列Ｐ（ａ），Ｐ（ｂ），Ｐ（ｃ）を求めることになる。 - 特許庁

Each C-plane controller 41a, 41b stores into the own memory and manages the status information (traffic/bandwidths/alarm information) for each U-plane controller subordinated to the C-plane controller concerned.例文帳に追加

Ｃプレーン制御装置４１ａ，４１ｂは、自配下のＵプレーン制御装置毎に該Ｕプレーン制御装置の状態情報（トラヒック／帯域／アラーム情報）を自メモリに記憶して管理する。 - 特許庁

The curve F is connected to the reflecting surface S, and when dF is a differential plane forming the curve F, dS is a differential plane forming the reflecting surface S, and (a, b)are normal vectors of the differential plane dF, curve F =∫dFdS = ∫(ax + by + c)dS.例文帳に追加

カーブＦは反射面Ｓに繋がっており、dFがカーブＦを構成する微分平面、dSが反射面Ｓを構成する微分平面、（ａ、ｂ）が微分平面dFの法線ベクトルである時に、カーブＦ＝∫dFdS＝∫(ax＋by＋c)dSである。 - 特許庁

The coin slope 111 has a first inclined plane 112 through which the coin C passing through the first slit 103 slides down and a second inclined plane 113 steeper than the first inclined plane 112 which follows the first inclined plane 112.例文帳に追加

硬貨スロープ１１１は、第１のスリット１０３を通過した硬貨Ｃが滑落する第１傾斜面１１２、及び第１傾斜面１１２に続くより急傾斜な第２傾斜面１１３を有する。 - 特許庁

The support base 13 has a principal plane 13a of the semipolar plane, and the principal plane inclines in a predetermined off direction at an off angle within 10-40 degrees from the c plane of the hexagonal system GaN.例文帳に追加

支持基体１３は、半極性面の主面１３ａを有しており、この主面は、該六方晶系ＧａＮのｃ面から１０度〜４０度の範囲内のオフ角度で所定のオフ方向に傾斜している。 - 特許庁

The reason why the seed crystal is held at the m-plane is that the m-plane has a crystal growth speed slower than that of the a-plane and the desired c-plane growth is not hindered.例文帳に追加

この様に、種結晶をｍ面で支持する理由は、ｍ面がａ面よりも結晶成長速度が遅いことと、所望のｃ面成長を阻害させないためである。 - 特許庁

Furthermore, the average linear expansion coefficient (B) of a second insulator layer 23 in the substrate in-plane direction between 25°C and glass transition point is equal to the average linear expansion coefficient (C) of a third insulator layer 25 in the substrate in-plane direction between 25°C and glass transition point.例文帳に追加

また、第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、第三絶縁層２５の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しい。 - 特許庁

A point on a course line from the vertical plane including ILS Point A to the vertical plane including ILS Point C 例文帳に追加

ＩＬＳ・Ｂ点を含む垂直面からＩＬＳ・Ｃ点を含む垂直面までの間のコースライン上にある点 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A GaN layer 2 is formed on a sapphire C plane ((0001) plane) substrate 1, and then a titanium film 3 is formed on the GaN layer 2.例文帳に追加

サファイアＣ面（（０００１）面）基板１上にＧａＮ層２を形成した後、その上にチタン膜３を形成する。 - 特許庁

A diffraction grating GR of a plane P_C is arranged in a conjugate position of the analysis plane P_D through focal systems O_2, O_3, O_4.例文帳に追加

平面（Ｐ_Ｃ）の回折格子（ＧＲ）は、合焦系（Ｏ_２、Ｏ_３、Ｏ_４）によって解析平面（Ｐ_Ｄ）と共役な位置に配置になる。 - 特許庁

A rotor (a) having the guide groove (c) on the plane is fixed to a shaft end so as to coaxially oppose the plane of the rotor.例文帳に追加

平面に誘導溝（ｃ）を有する回転子（ａ）を軸端に固着し、同軸上に回転子の平面を対向させる。 - 特許庁

A seed crystal 14 is a rectangular parallelepiped group III nitride semiconductor whose longitudinal direction is m axis direction and sides along the longitudinal direction are a-plane and c-plane.例文帳に追加

種結晶１４は、長手方向をｍ軸方向、長手方向側面がａ面、ｃ面である直方体状のIII族窒化物半導体。 - 特許庁

A semiconductor laminated layer 19 of a group III nitride semiconductor laser element 11 is manufactured not on a c-plane of a substrate 17, but on a semi-polar plane 17a thereof.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１の半導体積層１９は、基板１７のｃ面ではなく半極性面１７ａ上に作製される。 - 特許庁

In the interfaces J1, J2, and J3, lattice relaxation does not occur in the semiconductor layers because the c-plane serves as a slip plane.例文帳に追加

これらの界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３において、ｃ面がすべり面として働いて当該半導体層に格子緩和を生じさせていない。 - 特許庁

In this case, the tangential plane of a face 1a-3:C which is partially removed intersects a plane 1a-1, which includes the bottom of the rectangular parallelepiped, at an acute angle.例文帳に追加

そのとき、一部が取り除かれた部分の面１ａ−３：Ｃの接平面は、直方体の底面を含む平面１ａ−１に対して鋭角に交わる。 - 特許庁

Since a c-axis of the GaN semiconductor of the base 13 extends from a side face 13c to a side face 13d, a substrate principal plane is a m- or a-plane.例文帳に追加

支持体１３のＧａＮ半導体のｃ軸は、側面１３ｃから側面１３ｄに伸びているので、基板主面は、ｍ面またはａ面である。 - 特許庁

A principal plane 13a of a p-type semiconductor region 13 extends along a plane inclined to a (c) axis (<0001> axis) of hexagonal group III nitride.例文帳に追加

ｐ型半導体領域１３の主面１３ａは該六方晶系III族窒化物のｃ軸（＜０００１＞軸）に対して傾斜した平面に沿って延在する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which has excellent ohmic contact on a p-type principal plane inclined to a (c) plane.例文帳に追加

ｃ面に対して傾斜したｐ型主面において良好なオーミック接触を有する半導体素子を提供する。 - 特許庁

A mark 12 is provided in a crystal direction C from the center O of the principal plane 10s when viewed from the side of the principal plane 10s.例文帳に追加

また、主面１０ｓ側から見て、主面１０ｓの中心Ｏから結晶方向Ｃにマーク１２が設けられている。 - 特許庁

The main plane 23a of a support base material 23 of a light-emitting diode 21a is inclined at an off-angle greater than 10° and less than 80° with respect to the c-plane.例文帳に追加

発光ダイオード２１ａの支持基体２３の主面２３ａは、ｃ面に対して１０度より大きく８０度未満のオフ角で傾斜する。 - 特許庁

This film is the laminating polyester film used for the process paper of the high density DVD light transmission protection layer, and average roughness of a center plane (SRa(A)) of one film plane (A plane) is 20 nm or less, and average roughness of a center plane (SRa(C)) of the other film plane (C plane) is larger than SRa(A).例文帳に追加

高密度ＤＶＤ光透過保護層の工程紙として使用されるポリエステルフィルムであって、一方のフィルム面（Ａ面）の中心面平均粗さ（ＳＲａ（Ａ））が２０ｎｍ以下であり、もう一方のフィルム面（Ｃ面）の中心面平均粗さ（ＳＲａ（Ｃ））がＳＲａ（Ａ）よりも大きいことを特徴とする積層ポリエステルフィルム。 - 特許庁

The FePt alloy has a face-centered-tetragonal structure with its c-axis generally in the plane of the layer.例文帳に追加

ＦｅＰｔ合金は、そのｃ軸が全般的に層の平面内にある面心正方構造を有する。 - 特許庁

The first magnetic layer 3 is an in-plane magnetization film at room temperature and changes into a perpendicular magnetization film at 100 to 150°C.例文帳に追加

第１磁性層３は室温で面内磁化膜であり、１００〜１５０℃で垂直磁化膜となる。 - 特許庁

The lens housing groove 13 and the engaging projecting parts 11c are arranged on the same plane C.例文帳に追加

レンズ収容溝１３と係合突部１１ｃとを同一の面Ｃ上に配置する。 - 特許庁

The method of forming a fine pattern begins with a step of providing a c-plane hexagonal semiconductor crystal.例文帳に追加

微細パターンの形成方法は、ｃ面六方晶系半導体結晶を設ける段階から始まる。 - 特許庁