「C-PLANE」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator capable of reducing disturbance due to return light on a semipolar plane of a support base such that a (c) axis of hexagonal group III nitride is inclined in a direction of an (m) axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、戻り光による撹乱の低減を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

At least one of diagonal lines AC, BD is made foldable in a multiple printing surface seal with four plane parts A, B, C and D forming substantially a square.例文帳に追加

平面部ＡＢＣＤ四点を略正四角形とする複数印字面印判において、対角線ＡＣ、ＢＤの少なくとも一箇所を折畳可能とする。 - 特許庁

The gallium nitride substrate 10 has a primary surface 12 which is tilted at an angle θ in the range of 20 to 160° with respect to the C-plane of the GaN single crystal and has a fracture toughness of equal to or more than 1.36 MN/m^3/2.例文帳に追加

窒化ガリウム基板１０は、ＧａＮ単結晶のＣ面に対する主面１２の傾斜角θが２０°以上１６０°以下であり、破壊靭性が１．３６［ＭＮ／ｍ^３／２］以上である。 - 特許庁

The first magnetic layer 3 is made of a ferromagnetic material which includes a CoPd alloy or CoPt alloy having Co and Pd or Co and Pt laminated alternately on an atomically close-packed plane thereof, and has a (c) axis in the direction vertical to the film surface.例文帳に追加

第１磁性層３は、CoとPd、又は、CoとPtが原子稠密面に対して交互に積層されるCoPd合金、又は、CoPt合金を有し、ｃ軸が膜面垂直方向を向く強磁性体から構成される。 - 特許庁

The polymer film is wound with a first plane inside and subjected to heat-treatment at ≥2,000°C, thereby suppressing the deformation 12 of a cylindrical shape after the heat-treatment or splitting of the film at unwinding.例文帳に追加

高分子フィルムの第１面が内側になるようにフィルムを巻いた状態で２０００℃以上の温度で熱処理をおこなうことで、熱処理後の円筒形状の崩れ１２やフィルムを巻き戻す際の裂け不良を抑制することができる。 - 特許庁

The center-in zones IN1-INz are zones where data are arranged in accordance with a first trajectory Jin that goes zigzag toward a center C of a ky-kz plane.例文帳に追加

センターイン領域ＩＮ１〜ＩＮｚは、ｋｙ−ｋｚ面の中心Ｃに向かってジグザグ進む第１のトラジェクトリＪinに従ってデータが配置される領域である。 - 特許庁

The plane C is positioned in the vicinity of a point of contact of the pitch circle 20 of the driving gear with the pitch circle 30 of a gear to be driven and slightly on the side of the driving gear from this point of contact.例文帳に追加

面Ｃは、駆動歯車２のピッチ円２０と被動歯車３のピッチ円３０との接点付近であって、この接点より僅かに駆動歯車２側となる位置にある。 - 特許庁

A β-Ga_2O_3 single crystal wafer, prepared by utilizing an optical floating-zone melting method, is used as a substrate, and then a β-Ga_2O_3 single crystal film is grown on the (100) plane of the substrate at a temperature of ≥800°C by a molecular beam epitaxy method.例文帳に追加

光学式浮遊帯域溶融法を用いて作製したβ‐Ｇａ_2Ｏ_3単結晶ウエハを基板とし、この基板の（１００）面上に分子線エピタキシー法を用いて８００℃以上の温度でβ‐Ｇａ_2Ｏ_3単結晶膜を成長させる。 - 特許庁

The fitting 1 is formed of a mounting part 2, which is fixed to the wall of the building by a fastener, and a supporting part 3, which is fitted into a groove part of the ceiling joist support C, in an approximate L- shape in a plane view.例文帳に追加

金具１は、建物の壁にファスナーで固定される取付部２と、野縁受けＣの溝部に嵌まり込む支持部３とで平面視略Ｌ字状に形成されている。 - 特許庁

Each of the supporting beams A, B, C, D has flexibility capable of moving the loading part 10 in an X direction and a Y direction inside the XY plane.例文帳に追加

支持梁Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄのそれぞれは、素子搭載部１０をＸＹ面内でＸ方向及びＹ方向に関して移動させることが可能な可撓性を持っている。 - 特許庁

As shown in Fig.2(C), the liquid level sensor portion 30 inside the resist supply portion 20 is supported by the support portions 22 so that a sensing portion 30A is substantially in the same plane as an inlet aperture 20B of the resist supply portion 20.例文帳に追加

図２（Ｃ）に示すように、レジスト供給部２０内において液面センサ部３０はセンシング部３０Ａがレジスト供給部２０の吸入口２０Ｂと略同一平面上になるように支持手段２２で支持されている。 - 特許庁

A method for forming the end face of a semiconductor layer comprises the steps of laminating GaN semiconductor layers in a multiplayer manner on a C-plane sapphire board 1 to form a laser structure, and then forming an Ni/Au film 7 thereon.例文帳に追加

Ｃ面サファイア基板１上にＧａＮ系半導体層を多層に積層してレーザ構造を形成した後、その上にＮｉ／Ａｕ膜７を形成する。 - 特許庁

In the absorbent article 1, a length of a transverse line intersecting the absorbent article 1 through a center C in its plane view is longer than a width of the crotch part.例文帳に追加

吸収性物品１は、好ましくは、該吸収性物品１の平面視における中心Ｃを通って該吸収性物品１を横断する横断線の長さが、クロッチ部の幅よりも長い。 - 特許庁

To provide a thermoelectric material capable of reducing an electric resistance by promoting C plane orientation of a Bi2Te3 thermoelectric material and obtaining a high Seebeck coefficient with high homogeneity and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ｂｉ_２Ｔｅ_３系熱電材料のＣ面配向性を助長して電気抵抗を低減させると共に、均質性が高く高いゼーベック係数が得られる熱電材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A zero-amplitude reference plane of resonance produced by the integral vibration of the vibrating unit (220) and the vibration applying unit (221) is located on the vibrating unit (220) (Fig.8 (C)).例文帳に追加

振動部（２２０）と加振部（２２１）の一体となった振動により発生する共振における振幅ゼロの基準面が、振動部（２２０）上に位置する（図８（Ｃ））。 - 特許庁

Here, the total bonding area of the bonding material 13 is 2.5% or more of the area of the main plane area of the semiconductor chip 11 or its glass transition temperature is 130°C or higher or the line expansion coefficient for the lead frame is 4 times or less.例文帳に追加

ここでは、接着材１３の接着総面積が半導体チップ１１の主面の面積の２．５％以上、又はそのガラス転移温度が１３０℃以上、又はそのリードフレームに対する線膨張率比が４倍以下である。 - 特許庁

In this device, a code having a maximum length of 2^m+g×2^1+m/2 is constituted by correcting and coding errors by using an algebraic geometry code which is constituted from an algebraic curved surface having a genus (g) on a projective plane P^c-1(GF(2^m)), where (m) is an positive integer.例文帳に追加

mを正整数とし、射影平面P^c−1(GF(2^m))上、種数gの代数曲面から構成される代数幾何符号を使用して誤り訂正符号化することにより、最大で2^m＋2^1＋m/2gまでの長さの符号を構成する。 - 特許庁

(2) The shape of the inner end of the electrolyte membrane holder 41 is made so that the distance C between the end in plane direction 43 of the diffusion layer and the electrolyte membrane holder 41 at the straight part and the corner may be approximately same.例文帳に追加

（２）電解質膜保持部４１の内側端部形状を、拡散層の面方向端部４３と電解質膜保持部４１との間の距離Ｃを、拡散層の直線部とコーナ部とで、ほぼ等しくする形状とした。 - 特許庁

A pair of seal locking grooves 36, 37 is formed on the inner peripheral faces on both end parts of the outer ring 22 in plane symmetry to a reference face C_L passing through the center of a raceway groove and perpendicular to the direction of the bearing.例文帳に追加

外輪22の両端部内周面には、軌道溝の中心を通って軸受軸方向に対して直交する基準面Ｃ_Lに対し面対称に一対のシール係止溝36,37が形成されている。 - 特許庁

A cover housing 4 is rotation-coupled with the socket housing 3, and connects the C-form spring-like contactors 5 to plane terminals of FPC 2 by pressurizing them in such a state that FPC 2 is inserted into the socket housing 3.例文帳に追加

カバーハウジング４は、ソケットハウジング３に回転結合されていると共に、ソケットハウジング３にＦＰＣ２が挿入された状態ではＣ形ばね状接触子５を加圧してＦＰＣ２の平面端末とを接続させる。 - 特許庁

In a plane view A of the part to be stamped, a necessary figure is expressed and presented by positions C marked with or having IC chips embedded therein of 20 sections divided by lines B, whereby the identification can be performed.例文帳に追加

印章で押す部分の平面図（Ａ）とした場合、２０箇所に区画した線（Ｂ）の中に、印●をしたり、ＩＣチップを埋め込んだ箇所（Ｃ）で、必要とする数字を表現し提供することにより、本人の確認ができる。 - 特許庁

The C plane 2 holds the obtained usable resource rates of the user data processing parts 31 to 33, selects a user data processing part having redundancy among 31 to 33, and sends a call setting request for session establishment.例文帳に追加

Ｃプレーン２は入手した各ユーザデータ処理部３１〜３３の使用可能なリソース率を保持し、余剰のあるユーザデータ処理部３１〜３３を選択し、セッション確立のための呼設定要求を送信する。 - 特許庁

The cellulose acylate film has an Re of ≥15 nm, an Rth of ≤-7.5 nm and a tensile stress of 15-100 N/mm^2, when the film is stretched by 20% at 240°C in the direction in which the tensile elasticity modulus becomes maximum in the plane.例文帳に追加

Ｒｅが１５ｎｍ以上、Ｒｔｈが−７．５ｎｍ以下で、引張り弾性率が面内で最大となる方向に２４０℃において２０％伸ばしたときの引張り応力が１５〜１００Ｎ／ｍｍ^2であるセルロースアシレートフィルム。 - 特許庁

When a lower plane 1g is heated by an external heat source from the C direction, the heat exchange medium absorbed into the lower wick 2c evaporates in the lower space 1f, and the vapor is ejected from vapor flow channel 4 to the outside.例文帳に追加

外部熱源により下部平面１ｇがＣ方向から加熱されると、下部ウィック２ｃ内に吸収された熱交換媒体は下部空間１ｆ内で蒸発し、その蒸気は蒸気流路４から外部に排出される。 - 特許庁

Fig. 2 is a pin (preferable in a bolt) C of connecting the plate and a body so as to contact by a plane for solving the damage of the plate, and is an idea provided with a plate fastener E so as to change force of the bar by stopping rotation of the plate D by attaching the rotating plate D.例文帳に追加

図２は板の破損を解決するため面で接するよう（Ｃ）で回転する（Ｄ）を付け（Ｄ）の回転を止めることでバールの力が変化するように（Ｅ）を付けた考案である。 - 特許庁

When the diameter is widened, the expanded band 1 is made to fit a stopper 3B into the gap of the cutting section 2B of the circular member 2 in a rigid guide 3A, and an expanded state is fixed to curve to an upper side toward a plane C.例文帳に追加

拡張バンド１は、拡径の際には、剛性ガイド３Ａ内の環状部材２の切断部２Ｂ間にストッパー３Ｂが嵌込され、拡張状態が固定され、平面Ｃに対して上側に湾曲する。 - 特許庁

The magnetizing direction (the P direction) of fixed magnetic layers configuring the magnetic detecting elements R1 to R4 is directed in the plan view direction C of an external magnetic field working from a plane coil.例文帳に追加

磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を構成する固定磁性層の磁化方向（Ｐ方向）は、平面コイルから作用する外部磁界の平面視方向Ｃを向いている。 - 特許庁

The upper transmission member 24 is held so as to be deformable only in the acting direction (C direction) of the hydraulic dampers 26, 28 owing to the restrictive members 40, 42, and the displacement in the before and behind direction (plane direction) is restricted.例文帳に追加

上部伝達部材２４は、規制部材４０，４２により油圧ダンパ２６，２８の動作方向（Ｃ方向）にのみ変位可能に保持され、前後方向（面方向）への変位が規制される。 - 特許庁

The light emitting end face (1a) of the light guide (1) is obliquely polished so that an angle (θ) formed by the emitting end face and a plane (A) orthogonally crossing the center axis (C) of the light guide lies in the range of 5-35°.例文帳に追加

ライトガイド（１）の出射端面（１ａ）を出射端面とライトガイドの中心軸（Ｃ）に直交する面（Ａ）とのなす角度（θ）を５度〜３５度の範囲となるよう、出射端面を斜研磨する。 - 特許庁

The cross section of the coil 2 by a plane containing the winding center axis C is formed into two almost trapezoidal cross sections 22, and the inner side leg 221 on the inner side of the coil 2 is shorter than the outer side leg 222 on the outer side of the coil 2 in each trapezoidal cross section 22.例文帳に追加

コイル２は、巻回中心軸Ｃを含む平面による断面が、二つの略台形状の台形断面２２となり、各台形断面２２は、コイル２内側の内側辺２２１がコイル２外側の外側辺２２２よりも短い。 - 特許庁

In order to set the strength of the {100} plane to be at least 4 times, and the degree of superheat (temperature of molten steel when casting) - (temperature of liquidus of molten steel) of molten steel is set to be ≥70°C.例文帳に追加

｛１００｝面強度を４倍以上とするために、溶鋼の過熱度（鋳造時の溶鋼温度−溶鋼の液相線温度）を７０℃以上とする。 - 特許庁

The tip 53b of the grounding electrode 53 in axial direction A and the tip 60a of the first to the third atomization control side poles 61, 62, 63 in axial direction A are positioned on a first virtual plane 71 crossing the axis C perpendicularly.例文帳に追加

軸線方向Ａの接地電極５３の先端５３ｂと、軸線方向Ａの第１から第３の噴霧制御側柱６１，６２，６３の先端６０ａとを、軸線Ｃを垂直に横切る第１の仮想平面７１上に位置させる。 - 特許庁

An n-type AlGaN clad layer 2a on the LD1 side comprises a plane A which reflects a C-surface of the substrate, while an n-type AlGaN clad layer 2b on the LD2 side comprises a slope B.例文帳に追加

ＬＤ１側のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２ａは、基板のｃ面を反映した平面Ａを有し、ＬＤ２側のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２ｂは、傾斜面Ｂをもって形成される。 - 特許庁

This pole rising-cable supporting metal fitting 1 comprises a supporting crossarm 2 almost horizontally attached to the pole P, and two lateral crossarms 3 that are almost vertically arranged on the same plane with respect to the supporting crossarm, and support the rise of the cable C.例文帳に追加

電柱用立上ケーブル支持金物１は、電柱Ｐに略水平に取付けられる支持腕金２と、該支持腕金に対し同一平面上で略直角に設けられてケーブルＣを立上支持する２つの横腕金３とを有する。 - 特許庁

Alternatively, the method for manufacturing the molybdenum or molybdenum alloy plate comprises subjecting the plate material to the above heat-treatment employing a temperature of 900-1,100°C and evenly applying a load corresponding to a contact pressure of 3-35 MPa to a plane of the plate material.例文帳に追加

また、上記処理条件として、処理温度９００〜１１００℃、面圧３〜３５ＭＰａとなる荷重を板材の平面に均等にかけつつ熱処理を行なうモリブデンまたはモリブデン合金板の製造方法。 - 特許庁

This shows that a composition of the well layer of the light-emitting layer 40 of the multiple quantum well structure changes extremely smoothly from above the (c) plane of the surface of the GaN layer 35 to above a facet surface.例文帳に追加

これは、多重量子井戸構造の発光層４０の井戸層の組成が、ＧａＮ層３５表面のｃ面上部からファセット面上部にかけて、極めて滑らかに変化していることを示している。 - 特許庁

To provide a thin film that has better optical and electrical characteristics by controlling the polarity of a GaN-based group III nitride growing on C surface of a sapphire substrate to the (0001) plane.例文帳に追加

サファイアＣ面基板上に成長するＧａＮ系III族窒化物薄膜の極性を（０００１）に制御することにより、従来よりも光学的、電気的特性に優れた薄膜を提供すること。 - 特許庁

When vapor phase growth is performed using this substrate, the recess-projection shape suppresses growth in the lateral direction and promotes growth in the C axis direction, thereby affording a base surface capable of forming a facet plane.例文帳に追加

この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。 - 特許庁

The heat insulating wall 16 provides heat insulation by suppressing the heat radiation from the surface in the section of 1,300°C from the melting point side in the lower part of the single crystal to be pulled up and grown, thereby making the axial temperature gradient at the plane cross section of the single crystal in this section uniform.例文帳に追加

保温壁１６は引上げ育成される単結晶の下部の融点側から１３００℃の区間を表面からの放熱を抑制することで保温し、同区間の単結晶平断面の軸方向温度勾配を均一化する。 - 特許庁

The first and second linear conductors are excited by equal amplitudes in opposite phases, and are provided to be symmetrical in relation to a second plane surface which is vertical to a tangent line of a circular arc in the bisecting point of the circular arc C and passes through the bisecting point.例文帳に追加

第１、第２の線状導体は、円弧Ｃの２等分点における円弧の接線に対し垂直でかつ２等分点を通る第２の平面に関して、面対称となるように設置される。 - 特許庁

The Expression (1) is represented by X={(CL)^2/A}×(100/4π), where A [μm^2]represents an area of a pattern capable of projecting the toner particle two-dimensional-plane-likely, and C [μm] represents a circumferential length of the pattern.例文帳に追加

Ｘ＝｛（ＣＬ）^２／Ａ｝×（１００／４π） ・・・ （Ｉ）（ただし、Ａ［μｍ^２］は、トナー粒子を２次元平面状に投影してできる図形の面積であり、ＣＬ［μｍ］は、前記図形の周長である。） - 特許庁

The grating plane is divided into regions A, B, C, with each region having a different inclined angle of the rectangular wave from one another.例文帳に追加

第１の媒質２と第２の媒質３の境界面に、立ち上がり・下がり部が傾斜した矩形波状の凹凸を設け、格子面をＡ、Ｂ、Ｃの領域に分割し、それぞれの領域毎に、上記の傾斜角を異ならせる。 - 特許庁

In installation position relation between the front side bush 11 and the trailing arm 4, a center (c) of an installation width (a) of a bush shaft of the front side bush 11 and a bush installation surface 6 of the trailing arm 4 are disposed on the same plane.例文帳に追加

前側ブッシュ１１とトレーリングアーム４との取付位置関係は、前側ブッシュ１１のブッシュ軸の取付幅ａの中心ｃと、トレーリングアーム４のブッシュ取付面６を同一平面上に配設している。 - 特許庁

The element positioning mechanism is provided with a base part 1, an element loading part 10, and four supporting beams A, B, C, D which support the loading part 10 with respect to the base part 1 and extend inside an XY plane.例文帳に追加

素子位置決め機構は、基部１と、素子搭載部１０と、基部１に対して素子搭載部１０を支持しＸＹ面内にて延在する４つの支持梁Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄとを備える。 - 特許庁

When vapor grown is carried out by using this substrate, the concavo-convex shape suppresses growth in the lateral direction and promotes growth in a C axial direction, thereby affording a base surface capable of forming a facet plane.例文帳に追加

この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。 - 特許庁