「C-PLANE」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

An X-ray generation part 12 is rotatably mounted at one end of a C-shaped arm 14 and an X-ray plane detector 16 is mounted at the other end of the C-shaped arm 14 through a freely displaceable link mechanism 20.例文帳に追加

Ｘ線発生部１２をＣ型アーム１４の一端に回転可能に取り付け、Ｘ線平面検出器１６をＣ型アーム１４の他端に自由に変位可能なリンク機構２０を介して取り付ける。 - 特許庁

Although a c surface Sc2 of the InAlGaN layer 21 is inclined relative a normal line axis Ax, the density of misfit dislocation of a slip plane mainly constituted of the c surface is reduced compared with AlGaN.例文帳に追加

ＩｎＡｌＧａＮ層２１のｃ面Ｓｃ２が法線軸Ａｘに対して傾斜しているけれども、ｃ面を主とするすべり面によるミスフィット転位の密度がＡｌＧａＮに比べて低減される。 - 特許庁

Average linear expansion coefficient (A) of the first insulation layer 21 of the substrate 2 between 25°C and the glass transition point in the in-plane direction of the substrate is 3-30 ppm/°C.例文帳に追加

基板２の第一絶縁層２１の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上である。 - 特許庁

The window of a sapphire is formed so as to satisfy the following relational expressions (1) to (4) between an angle ψ formed by the C axis of the sapphire and the polarization plane of a light beam and an angle θ formed by the C axis of the sapphire and the optical axis.例文帳に追加

サファイアの窓は、サファイアのＣ軸と光の偏光面のなす角度ψと、サファイアのＣ軸と光軸とのなす角度θとの間に、次の関係式（１）〜（４）が成立するように形成される。 - 特許庁

The coin dispensing part 88 includes a sliding plane 23 that slides, by the inertia in acceleration, the coins C accelerated by the dispensing and conveying mechanism 86, and holds the slid coins C.例文帳に追加

硬貨払出部８８は、払出搬送機構８６により加速された硬貨Ｃをその慣性によって滑走させる滑走面２３を備え、滑走した硬貨Ｃを保持する。 - 特許庁

After an underlying layer 13 with a film thickness of 3 μm made of GaN is formed on a substrate 11 made of sapphire having a C plane as a main surface, the temperature of the substrate 11 is decreased to 810°C.例文帳に追加

Ｃ面を主面に持つサファイアからなる基板１１の上に、ＧａＮからなり、膜厚が３μｍの下地層１３を形成した後、基板１１の温度を８１０℃にまで降温する。 - 特許庁

At least one of the inside carcass plies is not wound around the annular bead member, and has end parts 1'-4' having a radial directional position in an area C determined by a first plane 28 and a second plane 29 and being inside in the radial direction more than the first plane and outside in the axial direction more than the second plane.例文帳に追加

内側カーカスプライの少なくとも１つは、環状のビード部材の周りに巻きつけられておらず、第１の平面２８と第２の平面２９とによって定められ第１の平面より半径方向内側でかつ第２の平面より軸線方向外側である領域Ｃ内に半径方向位置を有する端部１’〜４’を有している。 - 特許庁

Alternatively, oxygen is doped into the gallium nitride crystal through a facet-plane by preparing a C-plane gallium nitride seed crystal, generating the facet-plane of a reverse hexagonal or dodecagonal pyramid while supplying the material gases including gallium, nitrogen and oxygen to be doped, and performing the vapor-phase growth of the gallium nitride crystal while maintaining the facet-plane.例文帳に追加

または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながら逆六角錐、十二角錐ファセット面を発生させファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させファセット面を通して酸素をドーピングする。 - 特許庁

With this configuration, the housing 2 is fixed to a circuit board C using the first fixing part 7A when an opening surface 2A is directed in a plane direction of a circuit board C and fixed, and using the second fixing part 7A when the opening surface 2A is directed in a direction perpendicular to the plane direction of the circuit board C and fixed.例文帳に追加

このような構成によれば、開口面２Ａを回路基板Ｃの板面方向に向けて固定する場合には第１固定部７Ａを、開口面２Ａを回路基板Ｃの板面方向と直交する方向に向けて固定する場合には第２固定部７Ａを、それぞれ使用してハウジング２を回路基板Ｃに固定すれば良い。 - 特許庁

Otherwise, a gallium nitride crystal is doped with oxygen by using a seed crystal having a C-plane as the surface, producing a non-C-plane facet to grow a gallium nitride crystal in a vapor phase in the c-axis direction while keeping the facet by supplying a source material gas containing a gallium source material, a nitrogen source material and oxygen for doping, and allowing oxygen to infiltrate through the facet.例文帳に追加

または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

The first seed 2 whose C-axis is oriented to the direction of an arrow head C is prepared (step 1), and then by using a pulling-down method, a parallel plane with the C-axis at the first seed 2 and a leakage part of the raw material melt are contacted and growth of a crystal is started from the contact part (step 2).例文帳に追加

Ｃ軸が矢印Ｃの方向に配向する第１のシード２を準備し（ステップ１）、続いて引下げ法を用い、第１のシード２におけるＣ軸と平行な平面と原材料融液の漏出部とを接触させ、接触部分より結晶の成長を開始する（ステップ２）。 - 特許庁

The bearings 20a and 20b are fixed by the arm frames 18a and 18b such that the center axial line C_B of each bearing is situated almost in the same plane as the rotation center axial line C_P of the boss 16 and also the center axial line C_B is situated downstream of the nip in the direction of paper conveyance outside the bearing.例文帳に追加

ベアリング２０ａ，２０ｂは、その中心軸線Ｃ_Ｂがボス１６の回転中心軸線Ｃ_Ｐと略同一平面内に位置し且つ中心軸線Ｃ_Ｂがベアリング外側において用紙の搬送方向に関してニップ部の下流側に位置するようアームフレーム１８ａ，１８ｂに固定される。 - 特許庁

To provide a precision orientation polycrystal ceramic sintered compact, whose a-axis or c-axis orientates in a given direction, and another c-axis or a-axis makes an in-plane orientation perpendicular to the former a-axis or c-axis orientated to the given direction; a manufacturing process of the sintered compact; and a device used for the manufacturing process.例文帳に追加

ａ軸又はｃ軸が所定方向に配向し、かつｃ軸又はａ軸が前記所定方向に配向したａ軸又はｃ軸と垂直な方向に面内配向した精密配向多結晶セラミックス焼結体、並びに該焼結体の製造方法、及び該製造方法に使用する装置を提供する。 - 特許庁

Then the positional deviation of each placed element C in the X- and Y-directions with respect to a reference line and a reference point provided on the stage 12 and the deviations in azimuth (θ) of the element C in the X-Y plane are measured by observing the position and azimuth of the ridge section of the element C by means of an image sensor 16.例文帳に追加

次に、半導体レーザ素子のリッジ部の位置及び方位をイメージセンサ１６で観測して、位置合わせステージ上の基準線及び基準点に対する半導体レーザ素子のＸ方向及びＹ方向の位置ずれ、並びにＸ−Ｙ平面内での方位（θ）のずれを測定する。 - 特許庁

(1) The 100% elongation stress of the film is 40-300 MPa at 25°C and 1-100 MPa at 100°C in both longitudinal and lateral directions; (2) the melting point is 200-245°C; and (3) the in-plane orientation degree is ≥0.01 and <0.11.例文帳に追加

（１）フィルムの長手方向及び幅方向における１００％伸張時応力が、いずれも２５℃において４０〜３００ＭＰａ及び１００℃において１〜１００ＭＰａ（２）融点が２００〜２４５℃である（３）面配向度が０．０１以上０．１１未満 - 特許庁

This combination weighing device 10 includes a rotation part 11 for turning and moving a plurality of containers C inside a substantially horizontal plane, a weighing part 13 for weighing a weighed object put inside the container C, and a container arrangement mechanism 20 for changing the order of the containers C.例文帳に追加

組合せ計量装置１０は、複数の容器Ｃを略水平面内において旋回移動させる回転部１１と、容器Ｃに投入された被計量物の計量を行う計量部１３と、容器Ｃの順番を入れ替える容器入替機構２０と、を備えている。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor apparatus having a nitride-gallium semiconductor layer having a growing main plane other than a c-face and having a flat plane and less crystal defect, and to provide a nitride semiconductor manufacturing method for forming such a nitride-gallium semiconductor layer.例文帳に追加

ｃ面以外の成長主面を持ち、平坦でかつ結晶欠陥が少ない窒化ガリウム半導体層を有する窒化物半導体装置およびそのような窒化ガリウム半導体層を形成するための窒化物半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride substrate capable of reducing an abnormal growth of a compound semiconductor at a boundary part of a defect formed by a facet plane growth and a region formed by a C plane growth and to provide a manufacturing method of the gallium nitride substrate.例文帳に追加

ファセット面成長により形成された欠陥とＣ面成長により形成された領域との境界部における化合物半導体の異常成長を低減できる窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes: an n-type semiconductor layer including a nitride semiconductor whose c plane is a principal plane; a p-type semiconductor layer including a nitride semiconductor; and a light-emitting part provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｃ面を主面とする窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

At the time of polishing, temperatures at different positions in the plane of a silicon wafer W are measured from the rear side of the wafer by means of five thermocouples 17A-17E and a control section C creates temperature distribution in the plane of the wafer W based on the detection signals.例文帳に追加

研磨時、シリコンウェーハＷの面内の各異なる位置の温度を、ウェーハ裏面側から５本の熱電対１７Ａ〜１７Ｅにより測定し、その検出信号に基づき、制御部ＣによりウェーハＷの面内の温度分布を作成する。 - 特許庁

An operating means 13 of an operation unit 10 is housed in a spherical holder 12 by making a semi spherical operation plane 13a face toward a circular opening 12a and turnable in 360 degree around the center C of the semi spherical operation plane 13a.例文帳に追加

操作ユニット１０の操作部１３は、球形状のホルダ部１２内に、半球形状の操作面１３ａを円形開口部１２ａに臨ませた状態で収納され、操作面１３ａに係る半球形状の中心Ｃを支点に３６０度方向へ回動操作可能になっている。 - 特許庁

The device C for automatically drilling goods comprises a drilling machine 38 provided with a main shaft head provided with a drill in an X-Y direction in plane coordinates and in an up-and-down direction movably and a goods retaining device 39 for retaining an attached contacting board arranged downward in the plane movement region of the main shaft head in the drilling machine 38.例文帳に追加

物品自動穿孔装置Ｃは、ドリルを備えた主軸頭を平面座標のＸ−Ｙ方向および上下方向に移動可能に備えた穿孔機３８と、穿孔機３８における主軸頭の平面移動領域の下方に配設されて添接板を保持する物品保持装置３９とから構成される。 - 特許庁

Further, even when soft handover bridged over the C plane controller, the U plane controller 42 is kept used, a conventional connection path interconnecting the RNCs is not needed, and a delay passing through the RNCs can be eliminated.例文帳に追加

また、Ｃプレーン制御装置をまたがるソフトハンドオーバの時でも、同じＵプレーン制御装置を利用し続けることができ、ＲＮＣ間を接続する従来の接続パスが不要になり、またＲＮＣを経由することによる遅延をなくすことができる。 - 特許庁

When the inside mounting portion 30 is viewed in the axial direction, with the spiral spring mounted in the inside mounting portion 30, a distal end 14a of the first locking portion 14 is located between an intermediate position C of the first plane 32 and an end portion D on the fourth plane side.例文帳に追加

渦巻きばねを内側取付部３０に取付けた状態で内側取付部３０をその軸方向から見ると、第１係止部１４の先端１４ａが第１平面３２の中間の位置Ｃから第４平面側の端部Ｄまでの間に位置している。 - 特許庁

Thereby, the tray gear is rotated a little temporarily, since a cam groove C provided at an upper plane of a large diameter gear part 8a of the tray gear 8 pushes out a little a boss 6g projected from a lower plane pf a cam slider 6 engaged with this, the cam slider 6 is slid to the left side slightly in a figure.例文帳に追加

これにより、トレイギア８が一時的に若干回転し、トレイギア８の大径歯車部８ａ上面に設けたカム溝Ｃが、これに係合していたカムスライダー６下面より突設するボス６ｇを若干押し出すので、カムスライダー６が図の左側へと少しスライドする。 - 特許庁

The semipolar primary surface 17a is the {20-21} plane of the hexagonal group-III nitride semiconductor or inclines at an angle from -0.2 degrees or more to 0.2 degrees or less from the {20-21} plane of the hexagonal group-III nitride semiconductor along the c-axis.例文帳に追加

半極性主面１７ａは、六方晶系III族窒化物半導体の｛２０−２１｝面であるか、若しくは六方晶系III族窒化物半導体の｛２０−２１｝面に対してｃ軸の方向に−０．２度以上０．２度以下の範囲内で傾斜している。 - 特許庁

More specifically, the laser pointer 10 is shifted upward by a distance D from the center O of the radiation plane 8 of the infrared radiator 6 such that the optical axis C of the laser pointer 10 is in parallel with a direction normal to the radiation plane 8 of the infrared radiator 6.例文帳に追加

即ち、レーザポインタ１０の配置位置は赤外線輻射器６の輻射面８の中心Ｏから上方向に所定距離Ｄだけ離れ、レーザポインタ１０の光軸Ｃが赤外線輻射器６の輻射面８に垂直な方向に対して平行であるようにする。 - 特許庁

Moreover, the intermediate layer 4 is an in-plane magnetization film at a room temperature, and is a magnetic layer in which its Curie temperature is reached at about 140°C lower than reproducing temperature, in which magnetization disappears only in a region which reaches the Curie temperature, and in which other region holds in-plane magnetization.例文帳に追加

また、中間層４は、室温で面内磁化膜であり、再生温度より低い１４０℃程度でキュリー温度に達し、そのキュリー温度に達した領域のみ、磁化が消滅し、それ以外の領域は面内磁化を保持する磁性層である。 - 特許庁

A conventional hollow stabilizer shown in the figure 3 (a) is formed by respective two-dimensional bending in a plane C and a plane Y from a point a to a point B in the figure and three dimensional bending by combining the bending in each of the planes.例文帳に追加

図３(ａ）に示す従来の中空スタビライザでは、図中Ａ点からＢ点へ至るまでに平面Ｘ及び平面Ｙ内で平面的な曲げ加工がそれぞれ行われ、各平面内での曲げ加工を組み合わせて立体的な曲げ加工を行っている。 - 特許庁

The high thermal conductivity member contains carbon (C) as a main component, and is obtained by dispersing a prescribed amount of metal particles or metal compound particles into a graphite structure wherein the a-b axis is oriented in a direction (plane direction) nearly parallel to the main plane.例文帳に追加

この目的を達成する本発明に係るは、高熱伝導性部材主組成が炭素(Ｃ)からなる高熱伝導性部材であって、主面に対して平行な方向(面方向)にａ−ｂ軸が略配向したグラファイト構造体に、所定量の金属あるいは金属化合物粒子が分散されている。 - 特許庁

An oxide superconducting thin film includes a substrate and a superconducting layer containing: an oxide superconductor formed on one principal plane of the substrate and oriented along the c-axis in the vertical direction relative to the one principal plane; and a different phase particle having crystal orientation different from that of the oxide superconductor and having an average particle size of 100 nm or more and 500 nm or less.例文帳に追加

基板と、基板の一主面上に形成され、一主面に対して垂直方向にｃ軸配向した酸化物超電導体と、酸化物超電導体とは異なる結晶配向を有して平均粒径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の異相粒と、を含有した超電導層と、を備える。 - 特許庁

The sheet is made of a thermoplastic polymer having ≥150°C glass transition temperature and has a sheet thickness of 150-1,000 μm, an in-plane thickness tolerance (R max) of ≤20 μm, the sheet surface roughness of ≤0.1 μm and a sheet plane retardation of ≤20 nm.例文帳に追加

このシートは、ガラス転移点１５０℃以上の熱可塑性高分子からなり、シート厚み１５０〜１０００μｍ、シートの面内厚み公差(Ｒｍａｘ)２０μｍ以下、シート表面の粗さ０.１μｍ以下であり、かつシートの平面リタデーション２０ｎｍ以下である。 - 特許庁

Shear force is applied separately to a thermoelectric semiconductor material as it is kept vertical to a compressive force and the direction of compression, whereby a C plane as the base plane of a crystal (hexagonal crystal structure) is oriented strongly in a direction vertical to the direction of compression, and the thermoelectric semiconductor material is averaged finely in crystal grain diameter and increased in density.例文帳に追加

図３（ａ）に示すように圧縮力とこの圧縮方向に対して垂直方向にせん断力が独立に作用することにより、圧縮方向に対して垂直方向に結晶（六方晶構造）の基底面であるＣ面が強く配向するとともに、結晶粒径が微細に平均化され緻密化する。 - 特許庁

A present photographing day displayed on a liquid crystal panel is superposed on a subject image and exposed on the outside of the exposure image plane 81 of size C (89 mm×127 mm) being a 2nd printing mode and at a right upper part in the exposure image plane 82 of size H (89 mm×158 mm) being a 1st printing mode.例文帳に追加

液晶パネルで表示されている現在の撮影日が、第２プリントモードであるＣサイズ露光画面８１の外側で、且つ、第１プリントモードであるＨサイズ露光画面８２内の右上に、被写体像と重複して露光される。 - 特許庁

Fabricating the grating trim retarder with anti-reflection coatings and/or a segment where the -C-plate and A-plate gratings overlap enables the in-plane and out-of-plane retardances to be tailored independently according to the desired application.例文帳に追加

反射防止コーティング、および／または−ＣプレートおよびＡプレート格子が重なるセグメントを有する格子トリム・リターダを製作することにより、所望の用途に従って、面内リターダンスおよび面外リターダンスを独立に調整することが可能になる。 - 特許庁

A secondary shaft (35) composing a guide means for a pickup to guide the reciprocation of the pickup part (23) in the radial direction (C, D) of a disk is disposed in the state inclined to a principal shaft (34) in an intra-plane parallel to the table plane of the disk.例文帳に追加

ピックアップ部（２３）をディスク半径方向（Ｃ，Ｄ）に往復移動するのを案内するピックアップ用ガイド手段を構成する副軸（３５）を、ディスクテーブル面と平行な面内で、主軸（３４）に対して傾けた状態で配置する。 - 特許庁

The method includes growing a nitride semiconductor layer on a GaN substrate having a non-polar or semi-polar crystal plane, the upper surface of which has a predetermined angle of intersection with respect to the c plane, patterning the nitride semiconductor layer, and forming light emitting cells separated from one another.例文帳に追加

この方法は、上部表面がｃ面に対して一定の交差角をなす非極性または半極性の結晶面を有するＧａＮ基板上に窒化物半導体層を成長させ、前記窒化物半導体層をパターニングし、互いに分離された発光セルを形成することを含む。 - 特許庁

The conductive substrate has an ITO film formed thereon, in which the integrated intensity ratio A/C of the integrated intensity A of 2θ peak corresponding to (222) plane and the integrated intensity of 2θ peak corresponding to (440) plane by the X-ray diffraction method is not less than 5.0.例文帳に追加

Ｘ線回折法による（２２２）面に相当する２θピークの積分強度Ａと（４４０）面に相当する２θピークの積分強度Ｃとの積分強度比Ａ／Ｃが５．０以上であるＩＴＯ膜が形成されていることを特徴とする、導電性基板。 - 特許庁

Furthermore, even in soft handover over the C plane control equipment, the same U plane control equipment can be continuously utilized, a conventional connecting path connecting RNCs is not required any more, and delay caused by passing through RNCs can be eliminated.例文帳に追加

また、Ｃプレーン制御装置をまたがるソフトハンドオーバの時でも、同じＵプレーン制御装置を利用し続けることができ、ＲＮＣ間を接続する従来の接続パスが不要になり、またＲＮＣを経由することによる遅延をなくすことができる。 - 特許庁

Such a heating cooker is provided that a heating plate 12 is heated to the high temperature of about 500°C, and protruding parts 14, with the contact area of less than 30% of a heating plane, are formed, and the taste and palatableness of food is prevented from spoiling by heating the food with the radiation from a plane part 13 with which the food does not contact.例文帳に追加

加熱プレート１２を約５００度もの高温に加熱昇温させるとともに、加熱面の３０％以下となる突起部１４を設け、食材と非接触の平面部１３からの輻射熱で食材を加熱することで、食材の食味や食感を損なわない加熱調理器具を提供する。 - 特許庁

A projection lens which has a main plane 203c is provided at such a position and an angle that the optical axis 203 of the projection lens reaches a projection surface along a plane 103 perpendicular to the projection image which contains a diagonal a"-c" of the projection image 109 and an LCD 201 is also arranged obliquely to a plane 203b perpendicular to the optical axis 203 of the projection lens.例文帳に追加

主平面２０３ｃを持つ投影レンズを、投影レンズの光軸２０３が投影画像１０９の対角線ａ”−ｃ”を含む投影画像に垂直な平面１０３に沿って投影面に達する位置および角度に設けると共に、ＬＣＤ２０１を投影レンズの光軸２０３に垂直な面２０３ｂに対して傾けて配置する。 - 特許庁

The inspection device of the glossy plane includes an annular floodlight projection part (a) positioned almost horizontally, the table (b) which is arranged on the central part of the floodlight projection part to load an inspection target having the glossy plane, the camera (c) arranged above the table to photograph the glossy plane of the inspection target and a shaking mechanism (d) capable shaking the table.例文帳に追加

本発明の光沢平面検査装置は、ａ）略水平に位置する円環状の投光部と、ｂ）投光部の中央部に配設され、光沢平面を有する被検査物を載置するテーブルと、ｃ）テーブルの上方に配設され、被検査物の光沢平面を撮影するカメラと、ｄ）テーブルを揺動可能に構成される揺動機構とを備える。 - 特許庁

The porous electrode base material in which carbon short fibers dispersed inside a two-dimensional plane are bonded with fibril-like carbon is manufactured in: a step of manufacturing a precursor sheet by dispersing carbon short fibers and carbonizable fibril-like fibers inside the two-dimensional plane; and a step of carbonizing the precursor sheet at ≥1000°C without performing oxidation treatment at 200-300°C.例文帳に追加

炭素短繊維と、炭素化可能なフィブリル状繊維とを二次元平面内において分散させて、前駆体シートを作製する工程；および前記前駆体シートを、２００℃以上３００℃未満の温度での酸化処理をせずに、１０００℃以上の温度で炭素化する工程；を有する方法で、２次元平面内において分散した炭素短繊維同士が、フィブリル状炭素によって接合されている多孔質電極基材を製造する。 - 特許庁

If the maximum value in the distance between a point included in a sectional drawing of the EGR inlet 3 on a reference plane and a point included in a vertical projection drawing of the tip end of the EGR inlet 3 onto the reference plane is defined as a maximum occupancy diameter C at an insertion time, an insertion-part opening diameter A is larger than the maximum occupancy diameter C at the insertion time.例文帳に追加

そして、基準平面上のＥＧＲインレット３の切断図に含まれる点と、ＥＧＲインレット３の先端の基準平面への垂直投影図に含まれる点との距離の最大値を挿入時最大占有径Ｃと定義すると、挿入部開口径Ａは挿入時最大占有径Ｃよりも大きい。 - 特許庁

In an optical compensatory sheet having a cellulose acylate film or an optically anisotropic layer formed from a liquid crystal compound, the in-plane retardation value measured at 20°C and 20% relative humidity is in the range of 97 to 103%, based on the in-plane retardation value measured at 10°C and 20% relative humidity.例文帳に追加

セルロースアシレートフイルムまたは液晶化合物から形成した光学異方層を有する光学補償シートにおいて、温度２０℃、相対湿度２０％で測定した面内レターデーション値が、温度１０℃、相対湿度２０％で測定した面内レターデーション値の９７乃至１０３％の範囲内にする。 - 特許庁