「COMPRESSIVE STRESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the surface of the outer layer in the middle part in the axial direction of the roll, compressive residual stress is imparted as the residual stress in the direction parallel to the roll surface.例文帳に追加

また、ロール軸方向中央部の外層表面において、ロール表面と平行な方向の残留応力として圧縮残留応力が付与されていることを特徴とする。 - 特許庁

The nickel silicide film 13 is a material that is subjected to compressive stress from the silicon substrate 1, while the polycrystalline silicon film 12 is a material that is subjected to tensile stress from the silicon substrate 1.例文帳に追加

ニッケルシリサイド膜１３は、シリコン基板１から圧縮応力を受ける材料であり、多結晶のシリコン膜１２は、シリコン基板１から引張応力を受ける材料である。 - 特許庁

In the other form, the tensile stress layer is formed to cover the first portion of the device, and the compressive stress layer is formed to cover the second portion of the device.例文帳に追加

他の形態において、伸張性の応力層は、上記装置の第１部分を覆うよう形成され、圧縮性の応力層は、上記装置の第２部分を覆うよう形成される。 - 特許庁

To easily set the direction of residual compressive stress given to steel to be the same as that of the stress exerted in the steel, and to improve the dimensional accuracy by suppressing the distortion.例文帳に追加

付与される圧縮残留応力の方向が使用時に作用する応力と同一方向となるように容易にでき、かつ歪みの発生を抑制して寸法精度を高める。 - 特許庁

(iv) The value of allowable bending stress, allowable compressive stress and allowable shearing stress of timber in the direction of fibre shall be the value listed in the right column of the following table or less corresponding to the kind of timber listed in the left column of the same table. 例文帳に追加

四　木材の繊維方向の許容曲げ応力、許容圧縮応力及び許容せん断応力の値は、次の表の上欄に掲げる木材の種類に応じ、それぞれ同表の下欄に掲げる値以下とすること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Preferably, the surface of the insulating film 4 has the roughness arithmetic average (Ra) of 1.0nm or less, and the stress of the insulating film 4 is set to 250MPa or less on compressive stress and 400MPa on tensile stress.例文帳に追加

好ましくは、絶縁膜４の表面が、１．０ｎｍ以下の算術平均粗さ（Ｒａ）を有しており、また、絶縁膜４の応力が、圧縮応力で２５０ＭＰａ以下であり、引張応力で４００ＭＰａ以下に設定されている。 - 特許庁

Then, after the tensile stress film TSL1 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 1, the tensile stress film TSL1 on the p-channel type MISFETQp is removed by dry etching, and after the compressive stress film CSL1 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 1, the compressive stress film CSL1 on the n-channel type MISFETQn is removed by dry etching.例文帳に追加

その後、半導体基板１全面上に引張応力膜ＴＳＬ１を形成してから、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐ上の引張応力膜ＴＳＬ１をドライエッチングで除去し、半導体基板１全面上に圧縮応力膜ＣＳＬ１を形成してからｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎ上の圧縮応力膜ＣＳＬ１をドライエッチングで除去する。 - 特許庁

Furthermore, a connection structure in a flexible substrate is provided in such a way that maximum compressive stress applied to the conductor becomes a conductor durability limit or less.例文帳に追加

また、導体に加わる最大圧縮応力が、導体の耐久限度以下となるようなフレキシブル基板中の接続構造にする。 - 特許庁

To provide an EA (Energy Absorption) material and vehicle member which promptly increases compressive stress at a collision and which are large in energy absorbing quantity.例文帳に追加

衝突時に圧縮応力が速やかに増加し、且つエネルギー吸収量の多いＥＡ材及び車両部材を提供する。 - 特許庁

To reduce a leakage current while applying compressive stress to a channel forming region of a P-channel transistor by using an SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を用いてＰチャネル型トランジスタのチャネル形成領域に圧縮応力を印加すると共に、リーク電流を低減する。 - 特許庁

Compressive residual stress is imparted in each inner surface at the position where the weld part 2 is brought into contact with the constraint member 4 of the piping 1.例文帳に追加

溶接部２および配管１の拘束部材４が接触した位置のそれぞれの内面に圧縮残留応力が付与される。 - 特許庁

Further, the inner layer is formed by the CVD method which can give excellent adhesiveness, and the outermost layer is formed by the PVD method which can give a compressive residual stress.例文帳に追加

そして、内層を密着性に優れるCVD法にて形成し、最外層を圧縮残留応力が付与できるPVD法にて形成する。 - 特許庁

The contact surfaces are finished into mirror surfaces or coated with lubricants to reduce a coefficient of friction, thereby reducing the compressive stress.例文帳に追加

また、接触面を鏡面仕上げし、あるいは潤滑材を塗布し、摩擦係数を低減させることにより圧縮応力を緩和する。 - 特許庁

Optionally, a peening process subsequent to laser cladding can be implemented to introduce compressive stress to the solid layer (30) formed by laser cladding.例文帳に追加

適宜、レーザークラッディングの後にピーニング法を実施して、レーザークラッディングで形成した固体層（３０）に圧縮応力を導入してもよい。 - 特許庁

The piezoelectric device is configured by storing a piezoelectric oscillation element in a package constituted of a first substrate and a second substrate, wherein a stress film made of compression stress materials and/or compressive stress materials for offsetting the residual stress of the package is formed on the surface of the package.例文帳に追加

第一基板と第二基板からなるパッケージ内に、圧電振動素子を収納した圧電デバイスであって、前記パッケージの表面に前記パッケージの残留応力を相殺する、引張応力材料及び／又は圧縮応力材料からなる応力膜が形成されている圧電デバイスとする。 - 特許庁

The film deposition method includes: a stage of applying compressive stress to the in-plane direction of a substrate 30 by a substrate supporting part 20 supporting the substrate 30; and a stage of supplying film deposition particles to the substrate face of the substrate with the compressive stress applied thereto.例文帳に追加

基板３０を支持する基板支持部２０により前記基板の面内方向に圧縮応力を加える工程と、前記圧縮応力が加えられた前記基板の基板面に対し成膜粒子を供給する工程と、を有することを特徴とする成膜方法及び装置。 - 特許庁

The thin-film transistor substrate comprises a plastic base 10, a compressive stress film 12 composed of an inorganic material on the plastic base 10, and a metal electrode film 15 or a semiconductor thin-film 13 formed on the compressive stress film 12.例文帳に追加

プラスチック基材１０と、プラスチック基材１０上に形成された無機材料からなる圧縮応力膜１２と、圧縮応力膜１２上に形成された金属電極膜１５又は半導体薄膜１３とを少なくとも有するようにして、上記課題を解決した。 - 特許庁

By appropriately designing the boundary between a compressive portion 305 and a tensile portion of the dual-stress liner, the compressive stress on a PFET can be reduced in the y direction while maintained or increased in the x direction, whereby the performance of the PFET can be improved.例文帳に追加

二重応力ライナーの圧縮部分３０５と引張り部分との間の境界を適切に設計することにより、ＰＦＥＴ上の圧縮応力を、ｘ方向に維持するかさらに増加しながらｙ方向に減少することができ、ＰＦＥＴ性能を改善することが可能になる。 - 特許庁

Meanwhile, after a second mask 27 having a second opening 29 for exposing a PMOS formation region 6 selectively is formed on the semiconductor layer 4 and then a compressive stress film 22 is formed thereon, the second mask 27 is removed along with the compressive stress film 22 formed on the second mask 27.例文帳に追加

また、半導体層４上に、ＰＭＯＳ形成領域６を選択的に露出させる第２開口２９を有する第２マスク２７が形成され、圧縮応力膜２２が形成された後、第２マスク２７が、第２マスク２７上に形成された圧縮応力膜２２とともに除去される。 - 特許庁

In this reactor apparatus, a surface modification layer is constituted, wherein a highly corrosion-resistant layer serving simultaneously as a compressive stress layer for compressive stress application is achieved in a high-temperature high-pressure fluid environment, on a material surface part of the material to be executed such as a reactor internal structure or piping.例文帳に追加

本発明に係る原子炉機器は、原子炉内構造物、配管等の被施工材の材料表面部に、圧縮応力付与の圧縮応力層を兼ねた高耐食層を高温高圧流体環境中で実現した表面改質層を構成したものである。 - 特許庁

The chemically strengthened glass conventionally difficult to be cut can be cut by using a chemically strengthened glass having a compressive stress layer formed on the surface of the glass and having ≥10 μm to ≤30 μm thickness and ≥30 kgf/mm^2 to ≤60 kgf/mm^2 compressive stress.例文帳に追加

ガラス表面に形成される圧縮応力層の厚さが１０μｍ以上３０μｍ以下、および圧縮応力の値が３０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上６０ｋｇｆ／ｍｍ^２以下である化学強化ガラスを用いることによって、これまで困難であった化学強化ガラスの切断が可能となる。 - 特許庁

Then the compressive stress relaxation rate of the elastic layer 2 is 0 to 7%, the residual compressive strain rate of the elastic layer 2 is 0 to 5%, and the durometer hardness of the surface layer 3 is A1/15 to A80/15.例文帳に追加

そして、弾性層２の圧縮応力緩和率を０〜７％とするとともに、弾性層２の残留圧縮歪率を０〜５％とし、表面層３のデュロメータ硬さをＡ１／１５〜Ａ８０／１５とする。 - 特許庁

The die has a compressive residual stress of more than 0 but up to 1,000 MPa on its surface and a compressive residual stress of 300 Mpa or more but up to a yield stress at a depth of 0.2 mm from the surface in the direction parallel to the surface, and has a maximum surface roughness of 10 μm or less, and has excellent fatigue strength.例文帳に追加

表面の残留応力が０ＭＰａ超〜１０００ＭＰａの圧縮応力であり、表面から深さ０．２ｍｍの位置で表面に平行な方向の残留応力が３００ＭＰａ以上降伏応力以下の圧縮応力であり、かつ粗度の最大高さが１０μｍ以下であることを特徴とする疲労強度に優れた金型。 - 特許庁

At least a portion of the external electrode, which is directly connected to the internal electrode, is composed of a plating layer and the film stress of the plating layer is compressive stress of ≤100 MPa or tensile stress of ≤100 MPa.例文帳に追加

前記外部電極の少なくとも内部電極と直接接続される部分がめっき層からなり、前記めっき層の膜応力が、１００ＭＰａ以下の圧縮応力、または１００ＭＰａ以下の引張応力であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a welding method and a welding equipment for realizing low residual stress in which the thermal efficiency and the mechanical efficiency necessary for converting the tensile residual stress in the surface of a weld part into the compressive stress, and the cost can be sufficiently reduced.例文帳に追加

溶接部表面の引張残留応力を圧縮応力に転換するのに必要な熱的及び機械的な効率が良く、コストの低廉が充分に図れるようにした低残留応力溶接方法と装置を提供すること。 - 特許庁

The upper layer film 36 is provided with tensile stress comparable with compressive stress of the lower layer film 35, and the thin film structure A composed of the lower layer film 35 and the upper layer film 36 is regulated so as to have a weak tensile stress as a whole.例文帳に追加

上層膜３６は、下層膜３５の圧縮応力と同程度の引張応力を有しており、下層膜３５及び上層膜３６からなる薄膜構造体Ａは全体として弱い引張応力を有するように調整されている。 - 特許庁

A compressive stress and a tensile stress are applied to the element in a machined bar state during a head producing process, and changes in electromagnetic change characteristics before and after the application are measured so that resistance to the mechanical stress change is evaluated.例文帳に追加

ヘッド作製工程途中における加工バー状態において、素子に圧縮応力及び引張応力を印加し、その前後の電磁変化特性の変化を計測することによって機械的な応力変化に対する耐性を評価する。 - 特許庁

To provide a means capable of bonding an IPN gel to an adherend with such a high strength as to be endurable even when being arranged in an environment where various kinds of stresses (tensile stress, compressive stress, shear stress and the like) are continuously applied as in the application such as artificial cartilage.例文帳に追加

人工軟骨といった、様々な応力（引張応力、圧縮応力、せん断応力等）が継続的に加わる環境に配された場合にも耐えられる程の高強度で、ＩＰＮゲルと被着材料と接着可能な手段の提供。 - 特許庁

To provide a wiring substrate which restrains generation of tensile stress and compressive stress of conductive film wiring formed on a substrate and can reduce stress even if generated, and an electro-optic device and an electronic apparatus using it.例文帳に追加

基板上に形成した導電膜配線の引張り応力および圧縮応力の発生を抑制し、仮に応力が発生してもそれを低減することのできる配線基板、それを用いた電気光学装置及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The stress concentration at the end face and the toe is reduced by providing the plastic deformation in the end, and smoothing the shape of the surface of the weld joint 1, and the compressive residual stress is provided.例文帳に追加

また、当該端部において塑性変形を与え、溶接継手１表面の形状を平滑にして、端面および止端の応力集中を低減すると共に圧縮残留応力を与える。 - 特許庁

To provide a new strain technology capable of effectively applying a compressive stress to a channel region of a p-channel transistor and a tensile stress to the channel region of n-channel transistor, even with a miniaturized transistor.例文帳に追加

微細化されても、ｐチャネルトランジスタのチャネル領域には圧縮歪を、ｎチャネルトランジスタのチャネル領域には引っ張り歪をそれぞれ効果的に印加できる新しい歪技術を提供する。 - 特許庁

To provide a structure welding method which is performed by calculating through an analytical method, a welding condition causing residual stress in a proximity to a weld zone to be compressive residual stress, before actual welding is implemented.例文帳に追加

実際の溶接を実施する以前に溶接部の近傍を圧縮残留応力にする溶接条件を解析的手法により算出して行う構造物の溶接方法を提供する。 - 特許庁

The active layer 20 of a semiconductor optical amplifier comprises the alternately combined layers of solid sub-layers which have the same bandgap width and are subjected to a tensile stress 21 and a compressive stress 22 alternately.例文帳に追加

半導体光増幅器の活性層（２０）は、引っ張り応力（２１）と圧縮応力（２２）を交互に受ける、同じ禁制帯幅を有する固体サブレーヤの一連の交互になる層で構成される。 - 特許庁

The photoreceptor 1 is produced by applying a photosensitive layer 6 on the outer peripheral face of a drum type substrate 2 in such a manner that the compressive circumferential stress is ≥16 MPa or the tensile circumferential stress is ≥16 MPa.例文帳に追加

ドラム状基板２の外周面に、圧縮円周応力が１６ＭＰａ以上もしくは引張り円周応力が１６ＭＰａ以上になるように感光層６を被覆した感光体１。 - 特許庁

A protective film 15 having compressive stress such that the product of thin-film stress and film thickness is equal to or greater than 50 (Pa m) is formed on etching processing surfaces of the first base material substrate 1 and second base material substrate 2.例文帳に追加

第１母材基板１、及び第２母材基板２のエッチング処理面に、薄膜応力×膜厚が５０Ｐａ・ｍ以上となる圧縮応力を有する保護膜１５をそれぞれ形成する。 - 特許庁

To provide a connection structure of a column and a horizontal member having a simple structure and equipped with strength capable of sufficiently resisting both compressive stress caused by bending moment and tensile stress and a frame structure with a simple structure.例文帳に追加

構造が簡単で、曲げモーメントにより生じる圧縮応力、引っ張り応力の両方に十分に耐える強度を備えた柱と横架材との接続構造及びフレーム構造を提供する。 - 特許庁

Thus, a strong compressive stress remains in the gate electrode 14, strong tensile stress is applied to the channel region under it, and the carrier mobility of the nMOS transistor is improved.例文帳に追加

それにより、ゲート電極１４内に強い圧縮応力が残留すると共に、その下のチャネル領域には強い引っ張り応力が印加され、当該ｎＭＯＳトランジスタのキャリア移動度は向上する。 - 特許庁

This allows the tendon 12 to resist to the tensile stress in the lower flanges of the beam ends and not to resist to the compressive stress, so that tension fracture properties of the beam ends can be effectively improved.例文帳に追加

こうすることで、緊張材１２は梁端の下フランジの引張応力に抵抗し、圧縮応力には抵抗しないため、梁端の引張破壊性状を効果的に改善することができる。 - 特許庁

Internal stress of the insulating film 39 is compressive stress, and a semiconductor device 7 is mounted on the insulating film 39 across the anisotropic conductive adhesive 46.例文帳に追加

絶縁膜３９の内部応力が圧縮応力とされ、半導体装置７が絶縁膜３９との間に異方導電性接着材４６を挟んで絶縁膜３９上に搭載されている。 - 特許庁

Moreover, the concentration of solid-solution carbon in an inner race transfer area 12D as a stress-applying part which is a part to be subjected to compressive stress is higher than the concentration of solid-solution carbon in an inner race body part 12E.例文帳に追加

そして、圧縮応力が付与されるべき部位である応力付与部としての内輪転走領域１２Ｄにおける固溶炭素濃度は、内輪本体部１２Ｅにおける固溶炭素濃度よりも高い。 - 特許庁

Inclinations of an oval ring-shaped contact of the IC receptacle are made in reverse directions, thereby the compressive stress is not applied as shearing stress when the LGA package is mounted.例文帳に追加

本発明では、ＩＣソケット中の楕円リング状コンタクトの傾きを交互に逆向きとすることで、ＬＧＡパッケージを取り付ける際の圧縮応力をボス部へのせん断応力として現れない構成とした。 - 特許庁

The first fiber layer 21 consists of a compressive stress region 21A which is an upper region with respect to the neutral axis Sa and a tensile stress region 21B which is a lower region with respect to the neutral axis Sa.例文帳に追加

第１繊維層２１は、中立軸Ｓａに対する上側領域である圧縮応力領域２１Ａと、中立軸Ｓａに対する下側領域である引張応力領域２１Ｂを有している。 - 特許庁

To provide an inexpensive ferrite material having high initial magnetic permeability, excellent anti-stress characteristics, little change in the inductance against compressive stress, and loose change in the magnetic permeability with temperature change.例文帳に追加

高い初透磁率をもち、抗応力特性に優れて圧縮応力に対するインダクタンス変化が少なく、温度変動に伴う透磁率変化が緩やかなものであり、かつ、安価なフェライト材料を提供する。 - 特許庁

To obtain a foamed article excellent in balance between remaining compressive stress rate which is an indicator of a shape retaining property, and BIT which is an indicator of kneading property.例文帳に追加

形状保持特性の指標となる残存圧縮応力率と混練性の指標となるＢＩＴのバランスに優れた発泡体を得る。 - 特許庁

To an outer diameter face 1d of the power transmitting shaft 1, residual compressive stress of 750 MPa or greater is granted with shotpeening treatment.例文帳に追加

動力伝達シャフト１の外径面１ｄには、ショットピーニング処理により７５０ＭＰａ以上の残留圧縮応力が付与されている。 - 特許庁