「COMPRESSIVE STRESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The aluminum alloy hollow shaped member consisting of an Al-Zn-Mg based aluminum alloy has a compressive residual stress in an outer surface of the hollow shaped member.例文帳に追加

Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ系アルミニウム合金からなるアルミニウム合金中空異形材であって、該中空異形材の外表面において圧縮残留応力を有する。 - 特許庁

The hardness of the pulley slope PS is improved by shot blasting and residual compressive stress is additionally imparted thereto, resulting in an increase in the wear resistance of the pulley slope PS.例文帳に追加

また、ショットブラスト処理によりプーリ斜面ＰＳの硬度が向上し、加えて残留圧縮応力の付与がなされるので、プーリ斜面ＰＳの耐磨耗性が引き上げられる。 - 特許庁

A glass base board formed by a down draw method is subjected to etching and then the board is chemically reinforced, so that the main surface of the glass may have a compressive stress layer to obtain the cover glass.例文帳に追加

カバーガラスは、ダウンドロー法により成形されたガラス基板をエッチング加工し、かつ、ガラス主表面に圧縮応力層を有するように化学強化したカバーガラスである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a rolling and sliding member capable of obtaining a long service life by restraining the generation of such a portion that residual compressive stress decreases.例文帳に追加

残留圧縮応力が小さくなる部分の発生を抑制することにより長寿命化を実現した転がり摺動部材を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The aluminum oxide film 12 is formed under film formation conditions to allow two-dimensional compressive stress to work when film formation is carried out on the same substrate as the substrate 2.例文帳に追加

酸化アルミニウム膜１２は、基板２と同じ基板上に成膜したときに２次元的な圧縮応力が働くような成膜条件にて成膜されている。 - 特許庁

The compressive strength Qu of the construction material 2 is obtained on the basis of maximum effective constraint stress σ', received from the sandbag 1 of soil or its substitute stuffed into the sandbag 1 and formed into an approximately box shape, and performance is displayed in relation to the compressive strength of the construction material 2, on the basis of the obtained compressive strength Qu.例文帳に追加

土のう袋１に詰め込まれてほぼ箱状に成形された土またはその代替物が土のう袋１から受ける最大有効拘束応力σ’に基づいて、建設資材２が有する圧縮耐力Ｑｕを求め、求めたこの圧縮耐力Ｑｕに基づいて建設資材２の圧縮耐力に関する性能表示を行う。 - 特許庁

The spectacle lens is characterized in that it has a lens base material, has antireflection films on the surface of the object side and a surface on the eyeball side of the lens base material, the antireflection film provided on the surface on the object side has compressive stress and the antireflection film provided on the surface of the eyeball side has compressive stress smaller than that of the antireflection film provided on the surface of the object side.例文帳に追加

レンズ基材と、レンズ基材の物体側の面及び眼球側の面に反射防止膜を備え、物体側の面に備えられた反射防止膜が圧縮応力を有し、かつ眼球側の面に備えられた反射防止膜が、物体側の面に備えられた反射防止膜に比べ小さい圧縮応力を有することを特徴とする。 - 特許庁

The present invention is related to the semiconductor device and its manufacturing method, and provides a technology for improving the element operation properties by improving the element migration properties, which can be achieved by changing the STI process in designing a transistor particularly, by impressing compressive stress on a PMOS transistor and relatively small compressive stress on an NMOS transistor.例文帳に追加

本発明は半導体素子及びその製造方法に関し、特にＰＭＯＳトランジスタに圧縮応力を印加し、ＮＭＯＳトランジスタに相対的に小さい圧縮応力を印加するようＳＴＩ工程を変更してトランジスタを設計することにより、素子の移動性を改良し素子の動作特性を向上させることができる技術である。 - 特許庁

A nearly cylindrical elastic layer 2 and a thin surface layer 3 are respectively overlappedly laminated on the peripheral surface of a columnar conductive shaft 1, and the compressive stress relaxivity of the elastic layer 2 is set to 1%-7%, and a residual compressive distortion coefficient is set to 1%-5%.例文帳に追加

円柱の導電軸１の周面に略円筒形の弾性層２と薄い表面層３とをそれぞれ重ねて積層し、弾性層２の圧縮応力緩和率を１％〜７％以下とするとともに、残留圧縮歪率を１％〜５％以下とする。 - 特許庁

To provide a metallic forming die which can apply a sufficient compressive stress to a forming member, and does not apply a high tensile stress on the forming member even when a hard and brittle material is used as the forming member, and can lengthen its life, and further to provide its usage.例文帳に追加

成型用部材に十分な圧縮応力を与えることが可能で、硬質脆性材料を成形用部材に使用しても高い引張り応力がかからずに長寿命化が可能な金型とその使用方法を得ること。 - 特許庁

Thus, when the vibration arms 53, 54 are subjected to bending vibration in a direction shown by an arrow G in the figure, first regions 110, 112 and second regions 111, 113, on which compressive stress or tensile stress act, are connected thermally.例文帳に追加

これにより、図中矢印Ｇで示す方向に振動腕５３，５４が屈曲振動したときに圧縮応力または伸張応力が作用する第１の領域１１０，１１２と第２の領域１１１，１１３とが熱的に接続されている。 - 特許庁

Since the compressive residual stress is given at the part 15 around the opening of the branching hole 13 in the inner wall of the rail hole 11, tensile stress caused by the internal pressure of pressurized fuel is suppressed and the fatigue strength to the internal pressure is improved.例文帳に追加

レール孔１１の内壁における分岐孔１３の開口周辺部１５においては、圧縮残留応力が付与されているので、加圧燃料の内圧に起因する引張り応力が抑制され、内圧疲労強度が高められている。 - 特許庁

When the cooling medium is made to circulate through the high temperature cooling medium passage 24, the clearance G1 between the fixed insert mold 5 and the template body 4 is eliminated, and compressive stress caused by thermal stress is generated in the fixed insert mold 5.例文帳に追加

高温冷媒流路２４に冷媒を流通させているときには、固定側入れ子５と型板本体４との間の第１の隙間Ｇ１が無くなって、固定側入れ子５に熱応力による圧縮応力が生じるように構成されている。 - 特許庁

The protection membrane 5 covering the organic EL layer of an organic EL element has a three-layered structure made of a high-density silicon nitride membrane 52 having compressive stress and a low-density silicon nitride membranes 51, 53 having tensile stress formed so as to clip it.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層を覆う保護膜５は、圧縮応力を有する高密度なシリコン窒化膜５２と、それを挟むように形成された引っ張り応力を有する低密度なシリコン窒化膜５１，５３とから成る３層構造を有している。 - 特許庁

In the element forming region 1b of a p-MOSFET 3, the Y direction is given the tensile stress by the first insulating film of the STI 6a, and the X direction is given a compressive stress by a second insulating film buried to the STI 6b.例文帳に追加

ｐ−ＭＯＳＦＥＴ３の素子形成領域１ｂは、ＳＴＩ６ａの第１の絶縁膜によりＹ方向に引張応力が与えられ、ＳＴＩ６ｂに埋め込んだ第２の絶縁膜によりＸ方向に圧縮応力が与えられている。 - 特許庁

A compressive stress or a tensile stress is given to the optical waveguide type diffraction grating element 160 fixed on a flexible member 150 as a result of the deflection of the flexible member 150 due to the action of solenoids 120 and 130.例文帳に追加

ソレノイド１２０およびソレノイド１３０の作用により可撓性部材１５０が撓み、この撓みに伴って、可撓性部材１５０に固定された光導波路型回折格子素子１６０に圧縮応力または引張応力が付与される。 - 特許庁

The lattice mismatch of +1.0×10^-3 or over and +2.0×10^-3 or below exists between the embedded layer 16 and the p-type clad layer 14, a compressive stress is applied to an active layer 13, and a compressive strain is caused in advance in the active layer 13.例文帳に追加

埋め込み層１６とｐ型クラッド層１４との間には、＋１．０ｘ１０^-3以上、＋２．０ｘ１０^-3以下の範囲の格子不整合が生じており、これにより活性層１３に対して圧縮応力が加わり、活性層１３には予め圧縮歪みが生じている。 - 特許庁

At this time, strain of the Si layer 5 is increased by applying the Si layer 5 with compressive force that the Si_3N_4 film 9 has and tensile stress that the SiN_3N_4 layer 13 has.例文帳に追加

この際、Ｓｉ_3Ｎ_4膜９が有する圧縮応力と、Ｓｉ_3Ｎ_4膜１３が有する引っ張り応力とをＳｉ層５にそれぞれ作用させてＳｉ層５の歪を増大させる。 - 特許庁

The holder for the needles has a density of 0.05-0.3 g/cm^3, a compressive stress of 1-50 N/30 mmϕ 25%, and a durometer hardness for type FO of not less than 30.例文帳に追加

この針用保持体は、０．０５〜０．３ｇ／ｃｍ^3の密度を有し、２５％圧縮応力が１〜５０Ｎ／３０ｍｍφであり、かつＦＯタイプのデュロメータ硬さが３０以上である。 - 特許庁

Since the thickness from the neutral axis Sa to a surface on the compressive stress generation region side becomes smaller, compression deformation when being subjected to a pulsating bending load can be made smaller.例文帳に追加

中立軸Ｓａから圧縮応力発生領域側の表面までの厚さが薄くなるから、片振りの曲げ荷重の負荷時の圧縮変形を小さくすることができる。 - 特許庁

In addition, the surface of the cavity has compressive residual stress larger than 1200 MPa, and surface roughness not larger than 8 μm Rz, that is one of the surface roughness defined by JIS Standards.例文帳に追加

また、該キャビティ面では、圧縮残留応力が１２００ＭＰａよりも大きく、かつＪＩＳ規格で定義される表面粗さの１種である最大高さが８μｍ以下である。 - 特許庁

Obtained glass where a chemically strengthened layer having a thickness of 10 μm or more is formed on its surface and which has a surface compressive stress value of 10 kg/mm^2 or more is difficult to be deflected and scratched.例文帳に追加

得られたガラスは、表面に10μm以上の化学強化層が形成されて、10kg/mm^2以上の表面圧縮応力値を有しており撓みにくく、かつ傷も付きにくいものである。 - 特許庁

The method has a deposition step of forming a reflecting film with compressive stress of 700 to 2,000 MPa on the end surface of a semiconductor laser body by the ECR sputtering method.例文帳に追加

半導体レーザ本体の端面上に、７００〜２０００ＭＰａの圧縮応力を内包する反射膜を、ＥＣＲスパッタ法により形成する成膜工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a seamless belt which has a low compressive elastic modulus in the thickness direction, gives sufficient nip width at transfer, and ensures small elongation deformation due to tensile stress at belt drive.例文帳に追加

厚さ方向の圧縮弾性率が低くて転写時のニップ幅が十分に得られ、かつベルト駆動時の引張り応力による伸び変形が小さなシームレスベルトを提供する。 - 特許庁

The amount of residual austenite in the surface layer portion exceeds 0 vol% but does not exceed 30 vol% and residual compressive stress in the surface layer portion is 500 MPa or more but does not exceed 1,500 MPa.例文帳に追加

また、表層部の残留オーステナイト量は０体積％超過３０体積％以下であり、表層部の圧縮残留応力は５００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下である。 - 特許庁

To reduce a compressive stress, which is generated in a semiconductor substrate in the vicinity of a grooved element isolation region, and to suppress the generation of a crystal defect.例文帳に追加

溝型素子分離領域近傍の半導体基板に発生する圧縮応力を低減して、結晶欠陥の発生が抑制される半導体装置とその製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a practical packing case where a housed article can be easily taken out when cover plates are opened, and which can endure compressive stress applied when a number of packing cases are stacked thereon.例文帳に追加

蓋板を開放したときに収納物を容易に取り出すことができるとともに、多段積みをしたときにかかる圧縮応力に耐えうる実用的な包装箱を提供すること。 - 特許庁

To provide an electric motor suitable for use in high temperature and high pressure states wherein degradation in efficiency is prevented by suppressing reduction of the magnetic permeability of a stator arising from a compressive stress.例文帳に追加

圧縮応力に起因する固定子の透磁率の低下を抑制することによって効率の低下を防ぎながら、高温・高圧状態での使用に適した電動機を提供する。 - 特許庁

In a state where this film formation is completed, the substrate 1 and the optical multilayered thin film 2 have a projected shape downward in a drawing because of compressive stress of the optical multilayered thin film 2.例文帳に追加

この成膜が完了した状態では、多層光学薄膜２の圧縮応力のために、基板１と多層光学薄膜２は、図の下側に凸となるような形状を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a cylindrical member by which it is efficiently determined for all workpieces whether predetermined compressive residual stress has been imparted to the workpiece at the inner wall of the workpiece.例文帳に追加

内壁に所定の圧縮残留応力が付与されている被加工物であるか否かを、被加工物の全数に対し有効に判定可能な筒状部材の製造方法を提供。 - 特許庁

With the presence of the buffer 10, release of the compressive stress in the substrate 1 is suppressed to the minimum to prevent decrease in the warpage of the substrate 1, and therefore, to prevent generation of cracks.例文帳に追加

緩衝部１０があるため、基板１から見た圧縮応力の解放を最小限度に留めて、基板１の反りが小さくなることを防ぎ、もってクラックの発生を防止する。 - 特許庁

Consequently, no tensile stress and compressive force are applied to an adhesive part, even when the air in the space 13 is heated or cooled to become expanded or shrunk, since the air communicates with the open air.例文帳に追加

空間１３内の空気が加熱されたり、冷却されて膨張、収縮しても、外気と連通しているので、接着部に引張応力や圧縮力を加えることが無くなる。 - 特許庁

Shearing stress and compressive force, based on the centrifugal force of a mechanical rotary body which provides at least rω^2=170 m/s^2, are imparted at least to the principal component powder.例文帳に追加

ｒω^２＝１７０ｍ／ｓ^２以上を与える機械的回転体の遠心力に基づくせん断応力および圧縮力を少なくとも前記主成分粉末に付与する。 - 特許庁

To provide a bearing device having a vibration-damping member, having relatively high heat resistance and rigidity, and able to prevent falling while minimizing the residual compressive stress of the vibration-damping member.例文帳に追加

制振部材を備えた軸受装置において、耐熱性と剛性が比較的高く、且つ、制振部材の残留圧縮応力を最小限としつつ脱落を防止できる軸受装置とする。 - 特許庁

To provide a bearing device that has a vibration-damping member, has relatively high heat resistance and rigidity, and can prevent falling while minimizing the residual compressive stress of the vibration-damping member.例文帳に追加

制振部材を備えた軸受装置において、耐熱性と剛性とが比較的高く、且つ、制振部材の残留圧縮応力を最小限としつつ脱落を防止できる軸受装置とする。 - 特許庁

Thus, each elastic support section 36 is pressed by the diameter-contracted portion 38 from the inside in the radial direction toward the outside in the radial direction, and compressive stress is applied to each elastic support section 36.例文帳に追加

これにより、各弾性支持部３６が縮径部３８によって径方向内側から径方向外側に向かって押圧されて各弾性支持部３６には圧縮応力が作用する。 - 特許庁

The reliable semiconductor mechanical quantity detection sensor can be provided, and can reduce the temporal change in comparison with a conventional method for applying an initial displacement by a compressive stress film.例文帳に追加

そのため、従来の圧縮応力膜によって初期変位を与える方法に比べ、経時変化が少ない高信頼性の半導体力学量検出センサを提供することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for filling a trench with a silicon oxide without forming any seams and without generating any high compressive stress near the trench.例文帳に追加

シームを形成せず、トレンチ近傍に高い圧縮応力を生じさせることなく、トレンチ内に酸化シリコンを充填することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A compressive stress is applied to the forming member 1 by reducing the diameter of the collet chuck 3 by engaging a nut 6 arranged on the upper side or the lower side of the casing 4 with the male screw portion 3a.例文帳に追加

ケーシング４の上方又は下方に配置されたナット６を雄ねじ部３ａに締結することによりコレットチャック３を縮径させ、成形用部材１に圧縮応力を作用させる。 - 特許庁

Since residual compressive stress of 400 MPa or more is imparted to the nitrided layer 2 by shot peening, the piston ring for the internal combustion engine with an excellent crack resistance and peeling resistance can be provided.例文帳に追加

窒化処理層には400ＭPa以上の残留圧縮応力がショットピーニングにより付与されているため、耐クラック性及び耐剥離性に優れた内燃機関用ピストンリングが得られる。 - 特許庁

The compressive stress varies a vibration mode of a nano crystal lattice to shift the energy position of a corresponding raman phonon band higher or lower, which can be read by a spectroscopic means.例文帳に追加

該圧縮応力は、ナノ結晶格子の振動モードを変化させ、分光学的手段により読み取り可能である、対応するラマンフォノンバンドのエネルギー位置を上下にシフトさせる。 - 特許庁

This has been realized by having so-called functionally-gradated structure that the cutting edge is hard, and the hardness is gradually decreased to the core, which makes compressive residual stress generate at the cutting edge. 例文帳に追加

これは刃先は硬く、芯に向かうと硬さが徐々に下がるいわゆる傾斜機能構造を持つことで圧縮残留応力を刃先に発生させることで実現されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This rolling member is formed by covering the surface of base material with a high tenacity film with a hardness of Hv 900-1500 and a compressive residual stress of 3.0 GPa or less.例文帳に追加

本発明の転動部材は、基材の表面に硬度がＨｖ９００〜１５００で、かつ圧縮残留応力が３．０ＧＰａ以下である高靱性皮膜が被覆されたものである。 - 特許庁

The semiconductor device having a CMOS-FET circuit includes at least one of a pretension film (119) provided at a part of an isolation film (102) on the periphery of an NMOS forming region and having pretension, and a compressive stress film (120) provided at a part of the isolation film (102) on the periphery of a PMOS forming region and having compressive stress.例文帳に追加

ＣＭＯＳ−ＦＥＴ回路を備える半導体装置において、ＮＭＯＳ形成領域周辺の素子分離膜（１０２）の一部に設けられ引張応力を有する引張応力膜（１１９）と、ＰＭＯＳ形成領域周辺の素子分離膜（１０２）の一部に設けられ圧縮応力を有する圧縮応力膜（１２０）と、の少なくとも一方を備えている。 - 特許庁

A compressive stress is applied to a channel region of a PFET by a structure including an independent stress-producing dielectric element that entirely underlies the bottom surface of an active semiconductor region in which a source, a drain and a channel region of the PFET are disposed.例文帳に追加

ＰＦＥＴのソース、ドレイン、及びチャネル領域が配置される活性半導体領域の底面の下全面に存在する独立した応力を発生する誘電体エレメントを含む構造体によって、圧縮応力がＰＦＥＴのチャネル領域に加えられる。 - 特許庁