「Defect Density」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method that never causes a decline in defect density during a heat treatment, etc. that accompanies the formation of an electrode after forming defects, and reduces an energy loss during switching.例文帳に追加

欠陥を形成した後の電極形成に伴う熱処理等においても、欠陥密度が低くならず、スイッチング時のエネルギー損失が低減できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high quality and high performance single crystal silicon carbide which has a micropipe defect density in the surface of ≤1 piece/cm^2, a broad terrace, and a surface with a high flatness.例文帳に追加

表面のマイクロパイプ欠陥密度が１／ｃｍ^2以下で、幅広なテラスを有し表面の平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶ＳｉＣの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element employing a semiconductor film of low defect density over a large area in which the effect of absorption and scattering of light by a substrate is eliminated.例文帳に追加

大面積にわたって低欠陥密度の半導体膜を用いた半導体素子であって、基板による光の吸収および散乱の影響を排除した半導体素子を提供する - 特許庁

To provide an image forming device which can prevent the occurrence of an image defect known as 'density unevenness' by partial bristle falling of brush fibers without drastically increasing the cost.例文帳に追加

大幅なコストアップを招くこと無く、ブラシ繊維の部分的な毛倒れによる「濃度ムラ」と呼ばれる画像不良の発生を未然に防ぐことができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The PXLEDs are formed with novel fabrication techniques, such as the epitaxial lateral overgrowth technique over a patterned masking layer, yielding semiconductor layers with low defect density.例文帳に追加

ＰＸＬＥＤは、パターン化されたマスク層上で使用されるエピタキシャル横方向過度成長技術のような新しい製作技術で形成され、欠陥密度の低い半導体層が得られる。 - 特許庁

To provide a ceramic green sheet pressing apparatus which does not distort the whole ceramic green sheet and does not cause a structural defect to make the density of a ceramic green sheet laminate uneven.例文帳に追加

セラミックグリーンシート全体に歪みを与えず、セラミックグリーンシートの積層体の密度が不均一となる構造欠陥を引き起こすことのないセラミックグリーンシート圧着装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which does not cause an image defect such as irregularity of toner density even if irregular temperature is caused in an intermediate transfer body, a transfer means and a transfer fixing means.例文帳に追加

中間転写体及び転写手段、転写定着手段での温度ムラが生じても、トナー濃度ムラなどの画像不良を引き起こさない画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride based LED which is realized by making effective use of a surface of a high defect density part formed in an epitaxial layer corresponding to the stripe core of a substrate, the epitaxial layer being formed on a GaN substrate which is the stripe core substrate.例文帳に追加

ストライプコア基板であるＧａＮ基板上に形成したエピタキシャル層中には、基板のストライプコアに対応してエピタキシャル層中に高欠陥密度部が形成される。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of suppressing the occurrence of an image defect such as fogging or density irregularity by positively collecting deteriorated toner and keeping a toner state on a developing roller excellent.例文帳に追加

劣化トナーを積極的に回収し，現像ローラ上のトナー状態を良好に保ち，カブリや濃度ムラ等の画像欠損の発生を抑制した画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon semiconductor film of a low crystal defect density at a high speed in order to obtain an amorphous silicon solar battery with less optical degradation conversion efficiency.例文帳に追加

変換効率の光劣化の少ないアモルファスシリコン太陽電池を得るために、結晶欠陥密度の低いシリコン半導体膜を高速度で形成する方法を提供する。 - 特許庁

To reduce surface defect by reducing the density of dislocation of a crystal layer in a process for forming a crystal layer of a nitride semiconductor using a lateral growth technology of seed crystal.例文帳に追加

種結晶による横方向成長技術を用いて窒化物半導体の結晶層を形成する工程において、結晶層の転位密度を低減し、表面欠陥を少なくする。 - 特許庁

To provide a thermal transfer image receiving sheet which has high density printing characteristics and has no defect in an image such as color omission of an image part, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明の課題は、高濃度の印画特性を有し、かつ画像部の色抜けのような画像内の故障のない感熱受像シートおよびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The amount of information of the image is cut down and recorded at the down and recorded at the same time recording density of an information block is lowered and recorded in a region where the defect detection frequency of the optical disk is high.例文帳に追加

光ディスクのディフェクト検出頻度が高い領域において情報ブロックの記録密度を低下させて記録すると同時に画像の情報量も落として記録する。 - 特許庁

To provide a method by which a thin insulating film having low defect density can be formed at a low temperature, and a method with which a semiconductor device can be manufactured through the use of the method.例文帳に追加

厚さが薄くかつ欠陥密度が低い絶縁膜を低温で形成することができる絶縁膜の作製方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, propagation of the defect to a P^+ diamond semiconductor layer 11 and a P^- diamond semiconductor layer 12 is suppressed, so hillock density and abnormal particle density can be made low and generation of a leakage current can be deterred at a level lower than the level of a Schottky barrier.例文帳に追加

これにより、Ｐ^＋ダイヤモンド半導体層１１及びＰ^−ダイヤモンド半導体層１２への欠陥の伝播が抑制されるので、ヒロック密度や異常粒子密度を低くでき、ショットキー障壁のレベルよりも低いレベルでのリーク電流の発生を抑止できる。 - 特許庁

To provide a method and a device for evaluating a semiconductor wafer, which highly accurately evaluate the BMD (Bulk Micro Defect) density distribution by obtaining the BMD density over the entire surface of the semiconductor wafer in a short time period for impurity analysis of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の不純物分析をするために、半導体ウェーハ全面のＢＭＤ密度を短時間で取得し、ＢＭＤ密度分布を高精度に評価することができる半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの評価装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for the growth of a low defect density nitride semiconductor crystal, a nitride semiconductor laminate, and a nitride semiconductor base layer desorption substrate capable of relatively easily releasing a nitride semiconductor layer and the substrate; and to provide manufacturing methods of the substrate for the growth of a low defect density nitride semiconductor crystal, the nitride semiconductor substrate, and the nitride semiconductor base layer desorption substrate.例文帳に追加

低欠陥密度の窒化物半導体結晶成長用基体、窒化物半導体積層体、及び比較的容易に窒化物半導体層と基板とを脱離できる窒化物半導体自立基板の提供、及び低欠陥密度の窒化物半導体結晶成長用基体、窒化物半導体積層体、及び窒化物半導体自立基板の製造方法の提供。 - 特許庁

Preferably, the dislocation defect density of a second clad layer 5 composed of an n-type gallium nitride series semiconductor forming a part of an underlaying layer of the active layer 6 is 10^9 to 10^11/cm^2, and preferably, the gap of a dislocation defect in the second clad layer 5 is 120 to 170 nm.例文帳に追加

活性層６の下地層の一部をなすｎ型窒化ガリウム系半導体からなる第２クラッド層５の転位欠陥密度が１０^９〜１０^１１／ｃｍ^２であることが好ましく、第２クラッド層５における転位欠陥の間隔が１２０〜１７０ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁

The high-resistance silicon wafer has a resistivity of ≥100 Ωcm, an interstitial oxygen concentration of ≤8×10^17 atoms/cm^3 (measured according to ASTM F121-1979) and an oxygen deposit (BMD: Bulk Micro Defect) density of ≤5×10^7 pieces/cm^3.例文帳に追加

１００Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有する高抵抗シリコンウェーハであって、該ウェーハ中の格子間酸素濃度が８×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3（ ASTM F121-1979 )以下で、且つ該ウェーハ内部の酸素析出物（ BMD: Bulk Micro Defect ）密度が５×１０^７個／ｃｍ^３以下であることを特徴とする高抵抗シリコンウェーハ。 - 特許庁

In the surface defect evaluation, the surface area defined by a mismatching measurement point group as the surface defect, on the basis of a distribution density of the mismatching measurement point group, including a plurality of measurement points that do not properly correspond to the reference point and adjacent to one another.例文帳に追加

表面欠陥評価において、基準点と適正に対応せず互いに隣接する複数の測定点からなる誤対応測定点群の分布密度に基づいて当該誤対応測定点群によって規定される表面領域を表面欠陥と判定する。 - 特許庁

To provide an oil-based ink composition for a ball-point pen capable of suppressing discharge defect of the ink as much as possible while imparting a thick handwriting density, suppressing handwriting defect such as blurring, dropping of intermittent ink, splitting of handwriting line and thinning of handwriting in continuous handwriting as much as possible.例文帳に追加

筆跡濃度が濃いものとしながら、インキが吐出不良を極力抑制し得、筆跡かすれ、線飛びインキのボタ落ち、筆跡の線割れ、連続筆記中に筆跡が薄くなるという筆跡の不良を極力抑制したボールペン用油性インキ組成物を提供する。 - 特許庁

The green compact 10 can be continuously molded without causing the defect in the feed of the powder for powder metallurgy or the like, thus the sintered product obtained by sintering the green compact 10 has almost uniform strength and density, and the sintered product having almost uniform and stable strength and density can be produced.例文帳に追加

粉末冶金用粉末の供給不良等を起すことなく、圧粉体10を連続成形することができ、この圧粉体10を焼結した焼結品は、強度及び密度がほぼ均一なものとなり、強度と密度がほぼ均一な安定した焼結品を製造することができる。 - 特許庁

To provide a substrate holder for evaluating a film, which can evaluate the defect density in a formed film on a large-scale substrate containing a sodium content, such as soda glass, and provide a method for evaluating film.例文帳に追加

ソーダガラス等のナトリウム成分を含んだ大型基板に製膜される膜の欠陥密度評価を行うことが可能な膜評価用基板ホルダ及び膜評価方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a storage medium capable of eliminating the defect that the detection accuracy of a wobbling signal can not be secured due to an increase in density, and a method and a device for recording using the same.例文帳に追加

本発明は高密度化に伴いウォブル信号の検出精度が確保できないという欠点を克服できる記憶媒体、及びそれを用いる記録方法，記録装置を提供することである。 - 特許庁

To provide an SOI wafer, whose HF defect density is low by using thermal treatment in a reducing atmosphere, a thermal treatment method of the SOI wafer, a semiconductor device having the SOI wafer, and to provide a method for manufacturing the SOI wafer.例文帳に追加

本発明は還元性雰囲気中での熱処理を用いてＨＦ欠陥密度の低いＳＯＩウェハ、その熱処理方法、それを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When current-carrying is performed in a wiring part of the semiconductor circuit chip, the defect section such as void has a smaller sectional area than that of a normal section, and hence the current density becomes large enough to generate heat.例文帳に追加

これにより、半導体回路チップの配線部分に通電を行ったとき、ボイド等の欠損部分は、正常部分と比較して、断面積が小さいために電流密度が大きくなるので発熱する。 - 特許庁

To provide a Ge light receiving element having high photosensitivity and low dark current characteristics, and to provide a method for manufacturing the same by establishing a method for forming a Ge of a large area and low defect density on an Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に大面積且つ低欠陥密度のGeを形成する手法を確立し、高い受光感度と低暗電流特性を有するGe受光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A Frenkel defect of higher than heat balancing density is introduced in the N^- drift layer 1 and the sum of the lifetime of electrons and the lifetime of holes in the N^- drift layer 1 is 0.1 to 60 μs.例文帳に追加

Ｎ^-ドリフト層１には熱平衡密度以上のフレンケル欠陥が導入されており、Ｎ^-ドリフト層１における電子のライフタイムと正孔のライフタイムとの和が０．１μｓ以上６０μｓ以下となっている。 - 特許庁

To provide an image reader for acquiring suitable shading correction reference data free of an image defect having a density difference in a width direction of an image formed from image data after shading correction.例文帳に追加

シェーディング補正後の画像データから形成される画像の幅方向に濃度差が表れる画像不良が発生しない、適正なシェーディング補正基準データを取得できる画像読取装置を提供する。 - 特許庁

An Si substrate where an SiGeC crystal is deposited is subjected to heat annealing, thus relieving the SiGeC crystal, at the same time, depositing an SiC microcrystal for reducing defect density, and hence manufacturing the thin, relaxation buffer layer with less defects.例文帳に追加

SiGeC結晶を堆積したSi基板を熱アニールすることで、SiGeC結晶を緩和させると同時に、SiC微結晶を析出させて欠陥密度を低減し、薄くても欠陥の少ない緩和バッファ層を製造する。 - 特許庁

To provide a magnetic carrier causing no image defect such as white void and giving high image density and excellent dot reproducibility in a developing system of rotating a developing sleeve and a photoreceptor in the forward direction.例文帳に追加

現像スリーブと感光体を順方向回転させて現像する方式においても白抜けなどの画像欠陥がなく、高画像濃度で、ドット再現性に優れる磁性キャリアを提供することにある。 - 特許庁

Sub-pixels are driven by the pixel driving TFTs 33 which suppress variation in defect density among the active layers 33c and are relatively low in threshold voltage, so the display unevenness and power consumption are suppressed.例文帳に追加

活性層33cの欠陥密度のばらつきを抑制しかつ閾値電圧が相対的に低い画素駆動用ＴＦＴ33によって副画素を駆動するので、表示むらおよび消費電力を抑制できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate that forms an epitaxial layer of a high quality having a low defect density on a silicon layer or a silicon substrate by using a small number of steps at a low cost.例文帳に追加

シリコン層又はシリコン基板上に、欠陥密度が低く高品質なエピタキシャル層を、少ない工程で低コストに形成することが可能な半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface of the SiC substrate 4 manufactured by this method has a defect density of ≥1.1×10^2 defects/cm^2 and ≤1.0×10^9 defects/cm^2.例文帳に追加

また、上記製造方法により得られたＳｉＣ基板４であって、その表面の欠陥密度が１．１×１０^2個／ｃｍ^2以上１．０×１０^9個／ｃｍ^2以下であるＳｉＣ基板４である。 - 特許庁

Thereby, in the each pixel 20R1, 20G1, 20B1 for R, G, B; pixel pattern density of corresponding pixel circuit become equal one another, and a pattern defect rate is reduced as a whole pixel circuit.例文帳に追加

これにより、Ｒ，Ｇ，Ｂ用の各画素２０Ｒ１，２０Ｇ１，２０Ｂ１において、対応する画素回路の画素パターン密度が互いに均等となり、画素回路全体としてのパターン欠陥率が低減する。 - 特許庁

Furthermore, after the second conductive silicon carbide epitaxial film 3 is grown, a surface layer 6 high at least in the seed defect density is removed in the second conductive silicon carbide epitaxial film 3.例文帳に追加

また、第２導電型の炭化珪素エピタキシャル膜３を成長させた後、この第２導電型の炭化珪素エピタキシャル膜３における少なくとも種欠陥密度が高い表層６を除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor photodetector, having a light-receiving layer which provides a wide detecting sensitivity in the long-wavelength zone and suppresses dark current by reducing defect density, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

長波長域に検出感度が広くあり、欠陥密度を小さくして暗電流を抑制することが可能な受光層を有する半導体受光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To accurately control the image density and to stably obtain a high- quality color image by forming a patch on a transfer belt without causing an image defect or the retransfer of the image to an image carrier.例文帳に追加

転写ベルト上にパッチを画像不良や像担持体への再転写を発生させることなく形成して、正確な画像濃度制御を行い、高品質なカラー画像を安定して得ることである。 - 特許庁

To provide an amorphous-crystalline junction thin film solar cell in which defect density is reduced in the crystalline semiconductor layer, and sufficient light confinement effect can be attained by a texture structure of protrusions and recesses.例文帳に追加

結晶質半導体層中の欠陥密度が低減され、かつ凹凸テクスチャー構造による光閉込効果が十分に得られるアモルファス−結晶質接合型薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

It is possible to prevent the occurrence of holes caused by the epitaxial parameter error by the self-bonding epitaxial growth technique, thereby reducing the defect density, improving the quality of the epitaxial layer, and improving the inner quantum efficiency.例文帳に追加

自己接合エピタキシャル成長技術によりエピタキシャルパラメータ誤差のもたらす孔の発生を防止でき、欠陥密度を減らし、エピタキシャル層の品質を高め、これにより内部量子効率を向上する。 - 特許庁

In this case, a dislocation defect density existing in an interface between at least any one of the first and second Fe(001) layers and the single crystal MgO(001) is 25-50 pcs./μm or low.例文帳に追加

この際、第１あるいは第２のうち少なくともいずれか一方のＦｅ（００１）層と単結晶ＭｇＯ（００１）との間の界面に存在する転位欠陥の密度が２５〜５０個／μｍ以下である。 - 特許庁

To suppress transfer of a back layer to the surface of a magnetic layer, to reduce signal defect and irregular noise even if a magnetic body consisting of fine particles is used and to obtain satisfactory running stability, in high density recording.例文帳に追加

高密度記録において、バック層の磁性層表面への写りを抑制し、微粒子の磁性体を用いても信号欠陥・変調ノイズを低減し同時に良好な走行安定性を得ること。 - 特許庁

To provide a developer carrier capable of obtaining a high-quality image where the defect of image quality such as the lowering of image density, ghost, scattering, a white stripe, blotch and solid white fogging is not caused over a long term.例文帳に追加

画像濃度低下・ゴースト・飛び散り・白スジ・ブロッチ・ベタ白かぶりといった画質不良の発生しない高品質の画像を、長期に亘って得ることができる現像剤担持体を提供することにある。 - 特許庁

The effective critical area value therefor, defect density in the production line of the target product, and a specified yield model are used to calculate yield of the target product.例文帳に追加

前記対象製品の回路要素別の実効クリティカルエリア値と、前記対象製品の製造ラインにおける欠陥密度と、所定の歩留まりモデルとを用いて、前記対象製品の歩留まりを算出する。 - 特許庁

Next, the relation (fig. 2) between the size and the density of the grow-in defect caused by the void and the growing rate of the silicon single crystal is obtained by the simulation using the computer.例文帳に追加

次いで、結晶内部に導入される空孔起因のグローンイン欠陥のサイズならびに密度とシリコン単結晶の成長速度との関係（図２）を、電子計算機を用いたシミュレーションにより求める。 - 特許庁