「Defect Density」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a toner free from staining, the deterioration of image density, the generation of void due to transfer defect and transfer dust and stable in image reproducibility and the producing method.例文帳に追加

本発明は、上記従来技術の実状に鑑みてなされたものであって、添加剤の適性混合を可能とすることで、地汚れ、画像濃度低下、転写不良による白抜け、転写ちりなどが無い、画像再現性の安定したトナーとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a Group-III nitride semiconductor light-emitting device having high light-emission intensity, by making a hetero-junction light-emitting region and a current diffusion layer disposed on a silicon single crystal substrate from a good-quality Group-III nitride semiconductor crystalline layer with low crystal defect density.例文帳に追加

珪素単結晶基板上に設けるヘテロ接合発光部及び電流拡散層を、結晶欠陥密度の少ない良質のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層から構成することにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

To provide a developer container housing a developer for replenishment, containing no toner aggregate and capable of forming an image without inducing an image defect such as image density unevenness or image roughness when replenished to an image forming apparatus of a trickle developing system.例文帳に追加

本発明の目的は、トナー凝集塊を含有せず、トリクル現像方式の画像形成装置に補給された際に画像濃度ムラや画像荒れの画像不良を発生させずに画像形成が可能な補充現像剤を収容する現像剤容器の提供すること。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting element and its manufacturing method, a low defect region having a defect density of 10^6 cm^-2 or less and a trench region with a recess formed in the surface of a nitride semiconductor substrate and the etching angle θ between the side face of the recess and its bottom side extension line ranges as 75° ≤ θ≤ 140° in a sectional view of the recess.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子及びその製造方法は、窒化物半導体基板の表面に、欠陥密度が１０^6ｃｍ^-2以下の低欠陥領域と、凹部が形成された掘り込み領域とが設けられ、前記凹部の断面形状において、前記凹部の側面部と前記凹部の底面部延長線との間の角度であるエッチング角度θが、７５度≦θ≦１４０度であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polyester monofilament that not only slightly causes white powder scum, but also easily removes a foreign matter such as slightly produced white powder scum etc., has no defect such as warp stripes etc., in an obtained gauze in weaving a screen gauze and is suitable for producing a high-quality and high-density screen gauze.例文帳に追加

スクリーン紗製織時において、白粉スカムの発生が少ないばかりではなく、わずかに発生する白粉スカムなどの異物を容易に除去でき、得られる紗には経筋などの欠点もなく、品位の優れた高密度スクリーン紗を製造するのに好適なポリエステルモノフィラメントを提供すること。 - 特許庁

An image processing device 10 sets an inspection area of ≥45° per image, for areas other than an area 11 of a handhold 2a, and inspects presence or absence of a defect by comparing the density distribution (light quantity value) for the whole 360° circumference.例文帳に追加

記憶装置９に格納された画像に基づいて、画像処理装置１０は取っ手部２ａの領域１１以外に対して、１画像当たり４５°以上の検査領域を設定し、３６０°全周の濃淡分布（光量値）を比較することにより欠陥の有無を検査する。 - 特許庁

Next, on the basis of the differential sum obtained by adding the differential values obtained by differentiating the densities of pixels, it is determined whether it is a small-scale concavity defect about a predetermined differential range in the first direction with the position of a pixel having the minimum density from among the pixels constituting the image as the center.例文帳に追加

次に、画像を構成する画素のうち最小の濃度の画素の位置を中心とする第１の方向での予め定める微分範囲について、画素の濃度を微分した微分値を加算した微分和に基づいて、小規模凹欠陥であるか否かを判定する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method of a silicon wafer capable of extinguishing a crystal defect such as a COP on the surface of a wafer as a device active region, capable of forming a BMD with a high density in a bulk, and capable of suppressing a slip generated in an RTP.例文帳に追加

デバイス活性領域となるウェーハの表面部においてＣＯＰ等の結晶欠陥を消滅させることができ、バルク部においてはＢＭＤを高密度で形成させることができ、さらに、ＲＴＰにおいて発生するスリップを抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法が提供される。 - 特許庁

To solve a problem that an irregular white streak or a banding (density unevenness) is generated due to interfering beams as a visible defect on a photoreceptor when an optical scanner is used in which the power and the oscillation wavelength are the same for two beams.例文帳に追加

２本のビームのパワーと発振波長がほぼ同一となる光走査装置を利用した場合に生じる感光体上での目に見える欠陥として、干渉するビームによって感光体上で不規則な白筋が発生したり、バンディング（濃淡のムラ）が発生等の問題が生じる。 - 特許庁

To provide a production process of an oxide magnetic substance, capable of enhancing remanent magnetic flux density, which has been considered difficult in prior art, by improving the "the ratio of (remanent magnetization/saturation magnetization)" which has been said as being a defect in dry molding, having a higher molding speed, as compared with wet molding.例文帳に追加

湿式成形に比べて成形速度が速い乾式成形において、乾式成形の欠点であるといわれる「（残留磁化／飽和磁化）の比」を改善して、従来より困難であるとされていた残留磁束密度を向上させることのできる酸化物磁性体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To produce a silicon single crystal wafer which has extremely low defect density throughout the whole surface region of the crystal and particularly from which small pits are eliminated and which has excellent oxide film dielectric strength characteristics, under high-rate production conditions having wide control width and easy controllability, while maintaining high productivity, by using a CZ(Czochraliski) method.例文帳に追加

高速下に制御幅が広く、制御し易い製造条件の下で、結晶の全面の領域において極低欠陥密度で、特に小ピットを排除した、酸化膜耐圧特性に優れたＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを高生産性を維持して製造する。 - 特許庁

To provide a control method of molten steel flow in a mold in a continuous casting, with which a cast slab having no internal defect can be produced by acting magnetic field in the long side direction of sufficient magnetic flux density to the molten steel fluidity control even to the wide width cast slab as the same as the narrow width cast slab.例文帳に追加

広幅の鋳片に対しても狭幅の鋳片に対するのと同様に、溶鋼流動制御に十分な磁束密度の長辺方向磁場を作用させることによって、内部欠陥のない鋳辺を製造することのできる連鋳における鋳型内鋼流の制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a display device, reduced in the defect density of an interface between a gate insulating film and a polycrystalline semiconductor film of a channel region while having the TFT (thin film transistor) characteristics of high performance by improving the breakdown voltage of a gate insulating film, and the manufacturing method of the display device.例文帳に追加

ゲート絶縁膜と多結晶半導体膜のチャネル領域との界面の欠陥密度を低減させると供に、ゲート絶縁膜の耐圧を向上させて高性能なＴＦＴ特性を有する表示装置及び表示装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the semiconductor substrate is exposed to the high-density plasma, a temperature becomes high only on the extreme surface of the substrate and quickly drops along the thickness of the substrate, so that this property is used to repair a spot defect with heat generated on the surface without advancing diffusion.例文帳に追加

高密度プラズマに半導体基板をさらした場合、基板の極表面のみが高温になり基板の厚み方向では急速に温度が低下するので、この性質を利用すれば、拡散を進めることなく、表面に発生した熱により点欠陥を修復することができる。 - 特許庁

Another constitution of this method is to form a semiconductor film having a low crystal-defect density and a large crystal-grain size by irradiating a crystalline semiconductor film formed by a thermal crystallization method utilizing metal elements with a laser light and by heat-treating again.例文帳に追加

また、本発明の他の構成は、金属元素を用いる熱結晶化法を行って形成された結晶性半導体膜に対して、レーザ光を照射し、再度熱処理を行うことで、結晶欠陥の少ない大粒径の結晶粒を有する半導体膜を形成することを特徴としている。 - 特許庁

To highly reliably evaluate the density and the origin of a defect in an insulation film or in a semiconductor film by surely securing an electrical contact for electric detection electronic spin resonance measurement and remarkably reducing noise caused by contact resistance or the like.例文帳に追加

本発明は、電気検出電子スピン共鳴測定に対して、電気的接触の確実な確保が可能となり、接触抵抗等に由来するノイズを大幅に低減し、絶縁膜、もしくは、半導体膜中の欠陥の密度、起源の、信頼性の高い評価することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor crystal growth method and apparatus which relaxes a stress exerted on a seed crystal in crystal growth, prevents damage to the seed crystal, a grown crystal and a crucible, and can well reproducibly manufacture a low defect-density semiconductor single crystal.例文帳に追加

結晶成長時に種結晶に加わる応力を緩和すると共に、種結晶、成長結晶、及びルツボの破損を防止して、低欠陥密度の半導体単結晶を再現性よく製造することのできる半導体結晶成長方法及び半導体結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a layer structure having an extremely thin semiconductor layer, in addition, extremely low HF defect density in manufacturing a semiconductor substrate having a support wafer 2 and a layer 8 comprising a single-crystal semiconductor material provided on a surface of the support wafer 2.例文帳に追加

支持体ウェハ２とこの支持体ウェハ２の１つの面に設けられた単結晶半導体材料から成る層８を有する半導体基板の製造にあたり、きわめて薄い半導体層をもち同時にＨＦ欠陥密度も著しく僅かな層構造を提供する。 - 特許庁

The tissue repair device includes a scaffold adapted to be placed in contact with the defect in the meniscus, the scaffold comprising a high-density, dry laid nonwoven polymeric material and a biocompatible foam.例文帳に追加

上記の組織修復装置は一定の半月板の中の一定の欠損部分に接触して配置することに適合している一定の支持骨格を含み、この支持骨格は一定の高密度で乾式の不織状の高分子材料および一定の生体適合性の発泡体を含む。 - 特許庁

The plurality of liquid drop discharge ports 5a-5c are arranged on a straight line to the line forming direction and enable to increase the liquid drop density in the formed line to suppress the film-thickness unevenness (coating unevenness), and to repair the line by coating on a defect such as a line disconnection.例文帳に追加

前記複数の液滴吐出口５ａ〜５ｃは、ライン形成方向に対して直線上に配置することにより、形成ラインにおける液滴密度を増加させて膜厚ムラ（塗布ムラ）を抑制し、かつライン途切れなどの欠陥を塗布しながらライン修復することを可能にする。 - 特許庁

To provide toner which has low-temperature fixability, assures hot offset resistance and blocking resistance, does not give rise to a dispersion defect of a toner configuration material, provides a satisfactory image of high image density free of transfer unevenness and surface staining, and reduces the degradation of image quality even during outputting of a large number of sheets.例文帳に追加

低温定着性を有し、耐ホットオフセット性と耐ブロッキング性を確保し、トナー構成材料の分散不良が起こらず、画像濃度が高く転写ムラや地肌汚れのない良好な画像が得られ、多数枚出力時においても画質の悪化が少ないトナーを提供すること。 - 特許庁

To manufacture easily and in a simple process nitride based III-V compound semiconductor substrates on which nitride based III-V compound semiconductor layers exhibiting a low defect density and a high quality can be grown, and to manufacture high-performance and long-life semiconductor devices by using them.例文帳に追加

欠陥密度が低い高品質の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を簡単なプロセスで容易に製造し、これを用いて高性能かつ長寿命の半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which is made smaller in the diameter of a developing roller and in which high-definition images of high copying density are stably formed for a long period of time by preventing the occurrence of an image defect like image fogging, contamination of the inside of the image forming apparatus, and the back staining of a recording medium, etc.例文帳に追加

現像ローラが小径化された画像形成装置において、画像かぶりなどの画像欠陥、画像形成装置内部の汚染、記録媒体の裏汚れなどの発生を防止し、コピー濃度の高い高画質画像を長期間にわたって安定的に形成する。 - 特許庁

To provide a process for producing an oxide magnetic body in which remanent magnetic flux density can be enhanced, although it has been difficult hitherto, by improving the defect of dry molding, i.e. so-called "the ratio of remanent magnetization/saturation magnetization" in dry molding having high molding speed as compared with wet molding.例文帳に追加

湿式成形に比べて成形速度が速い乾式成形において、乾式成形の欠点であるといわれる「（残留磁化／飽和磁化）の比」を改善して、従来より困難であるとされていた残留磁束密度を向上させることのできる酸化物磁性体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a developed image of high quality by preventing a developer of a low toner concentration ratio peeled from magnetic brush rollers by peeling magnetic poles after the end of development from directly readhering to clamping magnetic poles thereby preventing the image defect to bring about the degradation in image density in a part of the toner image.例文帳に追加

現像終了後に剥離磁極にて磁気ブラシローラから剥離したトナー濃度比の低い現像剤が、つかみ磁極に直接再付着するのを防止して、トナー画像の一部に画像濃度の低下を来たす画像欠陥を防止して、高画質の現像画像を得る。 - 特許庁

To provide a method of heat-treating a silicon wafer, the method eliminating a crystal defect of a COP etc., at a surface part of the wafer to become a device active region, generating a BMD at a bulk part with high density, and further suppressing a slip generated during an RTP.例文帳に追加

デバイス活性領域となるウェーハの表面部においてＣＯＰ等の結晶欠陥を消滅させることができ、バルク部においてはＢＭＤを高密度で形成させることができ、さらに、ＲＴＰにおいて発生するスリップを抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an oxide magnetic material having improved residual magnetic flux density that has been difficult heretofore by improving "the ratio of the residual magnetization to the saturation magnetization", that is thought a defect in dry molding, in dry molding higher in molding speed in comparison with wet molding.例文帳に追加

湿式成形に比べて成形速度が速い乾式成形において、乾式成形の欠点であるといわれる「（残留磁化／飽和磁化）の比」を改善して、従来より困難であるとされていた残留磁束密度を向上させることのできる酸化物磁性体の製造方法を提供する。 - 特許庁

It is made possible to gradually etch the feature of the high aspect ratio such that it is adapted to a depth desired for both high and low feature density regions on a substrate and the limit size of a vertical profile without generating a defect and/or the overetching of a lower layer using the flat and uniform passivation layer.例文帳に追加

平坦で均一なパッシベーション層により、欠陥及び／又は下層のオーバーエッチングを起こすことなく、高アスペクト比のフィーチャを、基板上の高及び低フィーチャ密度領域の双方に所望の深さ及び垂直プロファイルの限界寸法に適した形で徐々にエッチングすることが可能となる。 - 特許庁

To provide a production method of an oxide magnetic body, capable of enhancing remanent magnetic flux density, which has been considered difficult in prior art, by improving the "the ratio of (remanent magnetization/saturation magnetization)" which has been said as being a defect in dry molding, having a higher moding speed, as compared with wet molding.例文帳に追加

湿式成形に比べて成形速度が速い乾式成形において、乾式成形の欠点であるといわれる「（残留磁化／飽和磁化）の比」を改善して、従来より困難であるとされていた残留磁束密度を向上させることのできる酸化物磁性体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plasma etching silicon electrode plate is made by a single crystal silicon or a casted silicon material having unilaterally solidified composition, with a COP(Crystal Originated Particle) defect density of 104 pcs/cm3 or less.例文帳に追加

成長欠陥（Ａｓ−ｇｒｏｗｎｎ欠陥）の一つであるＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）欠陥の密度が１０^4個／ｃｍ^3以下の単結晶シリコンまたは一方向凝固組織を有するシリコン鋳造体からなるプラズマエッチング用シリコン電極板。 - 特許庁

The image processing apparatus 201 records a value of an average density for photographing at an optimum exposure in a photographing point where the camera apparatus 101 is set up so as to obtain the image with a few out-of-focus and a few exposure defect, and achieves an iris control to the camera apparatus 101 referring to the value.例文帳に追加

また、画像処理装置２０１は、ピンぼけや露出不良の少ない画像を得るため、カメラ装置１０１が設置される撮影ポイントにおいて最適露出で撮影するための平均濃度の値を記録し、この値を参照してカメラ装置１０１に対しアイリス制御を行う構成とした。 - 特許庁

To attain extremely high magnetic flux density B8 and further to effectively solve the defect of film characteristics substantially inherent in Bi- containing steel, at the time of producing a grain oriented silicon steel sheet, by solving the instability of secondary recrystallization which has been feared in the case Bi is utilized as an inhibitor.例文帳に追加

方向性電磁鋼板の製造に際し、インヒビターとしてBiを利用した場合に懸念された２次再結晶の不安定性を解消して、極めて高い磁束密度Ｂ_8 を達成すると共に、Bi含有鋼に本質的に内在する被膜特性不良を効果的に解消する。 - 特許庁

Although a portion grown on the exposed part and below the facet has at first many dislocations between the ground substrate and itself, the dislocation density in the portion is gradually reduced because the dislocations are eliminated to outside by the growth of the facet and accumulated in the crystal defect aggregation region H, and the portion adjacent to the region H becomes a single crystal.例文帳に追加

露呈部の上でファセットの下に成長した部分は初めは下地基板との間に多数の転位を持つが、ファセット成長によって転位が外側へ排除され、結晶欠陥集合領域Ｈに蓄積されるので次第に低転位となり、この隣接部分は単結晶となる。 - 特許庁

To obtain semiconductor on insulator substrates with a reduced SECCO defect density less than 100 defects/cm^2, the implanting is carried out with a dose less than 2.3×10^16 atoms/cm^2 and the thinning step includes a step of oxidation at a temperature below 925°C.例文帳に追加

１００defects／ｃｍ^2未満の低減されたＳＥＣＣＯ欠陥密度を有するセミコンダクタ・オン・インシュレータ基板を獲得するために、注入することは、２．３×１０^16atoms／ｃｍ^2未満の分量で実行され、薄層化するステップは、９２５℃未満の温度で酸化するステップを含む。 - 特許庁

To provide an apparatus for adjusting the thickness of a paste coating film by which the thickness of an undried paste coating film after the coating of a chip type electronic component is adjusted to suppress the variation of the dimension of the paste film and as a result, the packaging defect of the chip type electronic component is reduced to realize high density packaging.例文帳に追加

チップ型電子部品に塗布した後の未乾燥のペースト膜の厚みを調整することが可能であり、そのペースト膜寸法のバラツキを抑制し、結果として、チップ型電子部品の実装不良を低減し、高密度実装を可能とするペースト塗布膜の厚み調整装置を提供すること。 - 特許庁

A relatively thick third semiconductor layer 14 of n-type gallium nitride having a thickness of about 100 μm and a crystal defect density higher than that of each layer 11, 12, 13 constituting the device structure 20 is bonded onto the side of the second semiconductor layer 13 opposite to the emission layer 12.例文帳に追加

第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。 - 特許庁

By adopting this configuration, the functional layers (lower layer nonmagnetic layer 3 and the backcoat layer 7) are surely prevented from being peeling off while ensuring sufficient strength and durability, and additionally, high reliability can be obtained even when performing high density recording because a coating defect can easily be detected by using visible light.例文帳に追加

この構成を採用することで、十分な強度および耐久性を確保しつつ、機能層（下層非磁性層３とバックコート層７）の剥離を確実に防止することができ、しかも、塗布欠陥を可視光を利用して簡易に検出できるため、高密度記録化したときにも高い信頼性を得ることができる。 - 特許庁

The SiC epitaxial wafer is an SiC epitaxial wafer in which an SiC epitaxial layer is formed on a 4H-SIC single crystal substrate made to incline by 0.4°-5° of an off angle, and is characterized in that the defect density of the triangle shape of the surface of the SiC epitaxial layer is at most 1 piece/cm^2.例文帳に追加

本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which can prevent an image from having a defect such as density unevenness by supplying a developer to a developer carrier axially uniformly by reducing partiality of the developer in a developing device when conveying means which agitate and convey the developer in the developing device are arranged one over the other.例文帳に追加

現像装置内の現像剤を攪拌、搬送する搬送手段が上下に配置された場合に、現像装置内の現像剤の片寄りを軽減し、現像剤担持体への現像剤の供給が軸方向に均一に行われ、濃度ムラ等の画像不良の発生を防ぐことのできる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of stacked ceramic electronic component whereby reduction in the density and production of holes of a ceramic green sheet and segregation in an organic binder hardly take place in a dry process, corrosion of the ceramic green sheet due to a solvent in internal electrode paste is hardly caused, and a defect due to short-circuit between internal electrodes hardly takes place.例文帳に追加

乾燥工程におけるセラミックグリーンシートの密度の低下や孔の発生並びに有機バインダーの偏析等が生じ難く、内部電極ペースト中の溶媒によるセラミックグリーンシートの侵食が生じ難く、内部電極間の短絡不良が生じ難い、積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal wafer consisting of an N-region where neither V-rich region nor I-rich region is present and the defect density is extremely low in the entire surface of the crystal produced by the CZ method, under the condition that can be controlled easily in a wide range, while maintaining high yield and high productivity.例文帳に追加

制御幅が広く、制御し易い製造条件の下で、Ｖ−リッチ領域およびＩ−リッチ領域のいずれも存在しない、結晶全面に亙って極低欠陥密度であるＮ−領域からなるＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを、高歩留り、高生産性を維持しながら製造する方法を提供する。 - 特許庁

Facets 1 are formed as inclined surfaces over an arranged surface of an underlying semiconductor layer 2 on which a plurality of the facets 1 are arranged, and a semiconductor device body is formed in a low defect density region formed in a selective growth embedded semiconductor layer 3 covering an underlying semiconductor layer 2, to improve the characteristics.例文帳に追加

複数のファセット１が配列された下地半導体層２の配置面に対して、ファセット１が傾斜面として形成され、下地半導体層２を覆う選択成長埋込み半導体層３に形成される低欠陥領域に半導体素子本体が形成され特性の改善が図られる。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a strained Ge-containing layer on the front surface of an Si-containing substrate, implanting ions into the interface of the Ge-containing layer/the Si-containing substrate or under the interface, and forming the substantially-relaxed SiGe alloy layer, in which the flat surface defect density is decreased.例文帳に追加

本発明の方法は、Ｓｉ含有基板の表面上に歪みＧｅ含有層を形成するステップと、Ｇｅ含有層／Ｓｉ含有基板の界面にまたは界面の下にイオンを注入するステップと、加熱を行って、平面欠陥密度が低下した、実質的に緩和したＳｉＧｅ合金層を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

To easily control the charge amount of toner as a charge amount suitable to develop an electrostatic latent image, to suppress image defect such as the deterioration in image density and fogging, and to develop and form an image of high image quality.例文帳に追加

トナーの帯電量を簡易に静電潜像現像に適する帯電量に制御することができ、画像濃度低下、カブリ等の画像不良を抑制して高画質の画像を現像形成できる現像装置及び該現像装置を搭載することでそれだけ良好な画像を形成できる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which performs fixation processing, based on the pixel density of a side end of an unfixed image, even if the temperature of the end of a fixing member is not high enough to have no fixation defect at the side end, and also acceletes energy saving by shortening a time of recovery from a preheat mode "waiting time" etc.例文帳に追加

定着部材の端部の温度が十分な温度になくとも、未定着画像の側端部の画素密度に基づいて定着処理を行い、側端部に定着不良がなく、予熱モード等からの復帰時間“待ち時間”を短縮し、省エネルギー化を促進する画像形成装置を提供する。 - 特許庁