「Defect Density」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which an epitaxial layer of high quality with low defect density is formed on a silicon single-crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板上に、欠陥密度が低く高品質なエピタキシャル層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor thin film with few defects and a method for growing the same capable of manufacturing a nitride semiconductor thin film with low defect density.例文帳に追加

欠陥密度の低い窒化物半導体薄膜を製造できる欠陥の少ない窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a double-sided wiring circuit substrate which prevents any defect of a plating layer sufficiently and can realize a wiring pattern of high density, and to provide a manufacturing method of the substrate.例文帳に追加

めっき層の欠陥を十分に防止し、高密度の配線パターンを実現可能な両面配線回路基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The edge defect enhancement filter selects a smaller density if two comparison pixels X1, X2 has different densities, selects one of them if they have the same density, and subtracts the density of an object pixel A, and considers a difference as an enhancement calculation value.例文帳に追加

エッジ欠陥強調フィルタは、２つの比較画素Ｘ１，Ｘ２の各濃度値が異なる場合にはこれら濃度値のうち小さい値、これらの濃度値が等しい場合は各濃度値のうちいずれか一方の値から、対象画素Ａの濃度値を引いた際の差分を強調算出値とする。 - 特許庁

The semiconductor element in which the resistive contact is formed in the high defect-density region of the semiconductor, and the non-resistive contact is formed in the low defect-density region, is used.例文帳に追加

少なくとも一つの抵抗性接触を有する電極と、少なくとも一つの非抵抗性接触を有する半導体素子であって、前記半導体の高欠陥密度領域に抵抗性接触が形成され、かつ低欠陥密度領域に非抵抗性接触が形成されていることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

Further, the sum of the depth-directional thickness of the N^- drift layer 1 and the depth-directional thickness of the field stop layer 3 is smaller than the diffusion length of electrons and holes when the Frenkel defect density of the N^- drift layer 1 is the heat balancing density.例文帳に追加

また、Ｎ^-ドリフト層１の深さ方向の厚さとフィールドストップ層３の深さ方向の厚さとの和は、Ｎ^-ドリフト層１のフレンケル欠陥密度が熱平衡密度である場合の電子および正孔の拡散長よりも小さい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an absorption type multilayer film ND (Neutral Density) filter chip having no burr-shaped defect, by removing a burr-shaped defect generated by press working of an absorption type multilayer film ND filter sheet without giving influence to an optical path part.例文帳に追加

吸収型多層膜ＮＤフィルターシートのプレス加工で発生したヒゲ状欠陥を、光路部分に影響を与えることなく除去して、ヒゲ状欠陥のない吸収型多層膜ＮＤフィルターチップを製造する方法を提供する。 - 特許庁

Although a high-density defect is introduced into an SiGe epitaxial film 11 from an interface to the Si substrate 10, heat treatment is performed at 700 or 1,200°C to change a through dislocation 12 into a loop dislocation defect 12' near an Si substrate interface.例文帳に追加

ＳｉＧｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥が導入されるが、７００乃至１２００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

To obtain a boron phosphide based semiconductor layer exhibiting excellent crystallinity by reducing the density of crystal defect such as twin or lamination defect, and to enhance various characteristics as an element by utilizing the boron phosphide based semiconductor layer.例文帳に追加

燐化硼素系半導体層を双晶や積層欠陥等の結晶欠陥の密度の小さな結晶性に優れたものすることができ、この燐化硼素系半導体層を利用して、素子としての諸特性を向上させることができるようにする。 - 特許庁

To provide a developing device where fogging and image density unevenness onto a recording medium caused by a toner charging defect and a toner carrying defect are suppressed, and excellent image stability can be obtained; to provide an image forming apparatus; to provide an image forming method; and to provide a process cartridge.例文帳に追加

トナーの荷電不良及びトナーの搬送不良による記録媒体上へのカブリ及び画像濃度ムラを抑制し、優れた画像安定性が得られる現像装置、画像形成装置、画像形成方法、及びプロセスカートリッジの提供。 - 特許庁

To provide an image forming device making the image defect caused by the image density lowering or the like when S/D is lowered or even when rotary speed of an electrostatic latent image carrier is accelerated.例文帳に追加

Ｓ／Ｄを下げた時や静電潜像担持体の回転速度を上げた時等でも画像濃度低下等による画像不良が防止される画像形成装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the failure of the contact plug specific to the logic circuit which is caused by crude density (randomness) of a diffusion layer, wiring layer, and contact plug layer, is easily detected for the defect analysis.例文帳に追加

これにより、拡散層と配線層及びコンタクトプラグ層の粗密（ランダム性）に起因するロジック回路特有のコンタクトプラグ不良を容易に検出し、不良解析できる。 - 特許庁

To prevent a trouble not predicted based on an internal defect density found conventionally from being generated, and enhance a yield to make productivity excellent.例文帳に追加

従来求めていた内部欠陥密度からは予想されない不具合の発生を防止し、歩留り向上して生産性を良好とできる内部欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁

This pores sealing layer 13 can have a low defect density and can be made highly dense, and accordingly makes it possible to obtain a semiconductor substrate having a high-quality and high-strain silicon layer 14.例文帳に追加

この孔封止層１３は低欠陥密度、高濃度化が可能であるため、高品質かつ高歪みシリコン層１４を有する半導体基板が得られる。 - 特許庁

This method allows surface defects to be inspected, even when an image of an object to be inspected includes constant, periodic variations in density, and there is a defect therein.例文帳に追加

この方法により、被検査物の画像が、ある一定の周期的な濃淡を有し、その中に欠陥があるような場合でも、表面欠陥を検査することができる。 - 特許庁

Further, there are also provided a substantially relaxed SiGe-on-insulator, having an SiGe layer in which the flat surface defect density is decreased, and a heterostructure comprising the insulator.例文帳に追加

また、平面欠陥密度が低下したＳｉＧｅ層を有する実質的に緩和したＳｉＧｅ−オン−インシュレータおよびこれを含むヘテロ構造も提供する。 - 特許庁

The pellicle frame 10 constituting the pellicle is made of synthetic quartz glass having 0.2×10^15 to 7.0×10^15 cm^-3 oxygen-deficiency defect density.例文帳に追加

ペリクルを形成するペリクルフレーム１０を、酸素欠乏型欠陥の濃度が０．２×１０^１５〜７．０×１０^１５ヶ／ｃｍ^３である合成石英ガラスで構成する。 - 特許庁

To provide a crystal substrate having a high-quality GaN-based crystal film continuous film small in defect density and suitable for crystal growth of a GaN-based semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体デバイスの結晶成長用に適した、欠陥密度の小さい高品質のＧａＮ系結晶膜連続膜を備えた結晶基板を得る。 - 特許庁

To provide a method for forming a relaxed SiGe-on-insulator substrate having improved relaxation, comparatively low defect density, and improved surface quality.例文帳に追加

向上された緩和、かなり低い欠陥密度、および改善された表面品質を有する緩和されたＳｉＧｅオンインシュレータ基板を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

To efficiently and precisely form a magnetization pattern less in defect in a short time on a magnetic recording medium without damaging the medium and a mask and to provide a magnetic recording medium and a magnetic recording device which are capable of high density recording in a short time and at low costs.例文帳に追加

効率よく精度よく、しかも媒体やマスクを傷つけることなく欠陥発生の少ない磁化パターンを、短時間で磁気記録媒体に形成する。 - 特許庁

To provide a radiographic apparatus capable of accurately correcting a line defect even in the case of using an X-ray grid with an error or an X-ray grid of different density.例文帳に追加

誤差のあるＸ線グリッドや異なる密度のＸ線グリッドを用いた場合でも、正確にライン欠損を補正することができるＸ線撮影装置を提供する。 - 特許庁

To provide a light shielding film for display device which is high in black density, has a high light shielding performance, suppresses occurrence of residue, unevenness, moire and an edge shape defect in development, and attains a clear image display of high contrast.例文帳に追加

黒濃度が高く、高度の遮光性能を有し、現像残渣やムラ、モアレ、エッジ形状の不具合の発生を抑え、高コントラストで鮮明な画像表示を可能とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI substrate with excellent electric characteristics wherein a defect density caused in an SOI layer is low, even after a device manufacturing process.例文帳に追加

デバイス作製工程を経てもＳＯＩ層に発生する欠陥密度が低く、優れた電気特性を有するＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the second nitride semiconductor layers 108-115 are formed under pressure, dislocation density is reduced furthermore and a highly reliable semiconductor laser having reduced defect is fabricated.例文帳に追加

第２の窒化物半導体層１０８〜１１５を加圧成長させると、より転位密度が低く抑えられ、欠陥の少ない信頼性の高い半導体レーザが作製される。 - 特許庁

To provide an image that roughness in a highlighted part is prevented, sufficient image density is obtained and any defect is not caused by abnormal discharge by applying appropriate developing bias.例文帳に追加

適切な現像バイアスの印加により、ハイライト部のがさつきを防止し、画像濃度が十分に得られ、かつ異常放電による不良のない画像を得ることである。 - 特許庁

Consequently, in-plane unevenness is suppressed in all density regions and image quality defect (e.g. false contour line) caused by in-plane unevenness correction processing can be prevented from being actualized.例文帳に追加

これにより、全ての濃度領域における面内むらを抑制し、かつ、面内むら補正処理に起因する画質欠陥（擬似輪郭など）の顕在化を防止することができる。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device in which an active layer with a reduced defect density is formed on a substrate made of silicon carbide, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

炭化ケイ素からなる基板上に欠陥密度の低減された活性層が形成された炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The monthly fatal defect density of a reference product that is different in wiring pattern from, but identical in manufacturing process with the prediction subject product is calculated from measured data.例文帳に追加

予測対象製品とは配線パターンが異なるが製造プロセスが同じであるリファレンス製品について、実測データから月別致命欠陥密度を算出する。 - 特許庁

In addition, a function that expresses yield, which measures defect density depending on the value of wiring intervals, is also used to calculate wiring balance that improves yield.例文帳に追加

また、配線間隔の大きさによって欠陥密度の大きさを計る歩留まりを表現する関数も有し、これによって歩留まりが向上する配線バランスも行う。 - 特許庁

The upper limit value of the pulling speed required to suppress the defect density within the allowable range is previously calculated from the distribution state of the grow-in defects in the cross section of the crystal.例文帳に追加

結晶断面におけるgrown-in欠陥の分布状態からその欠陥密度を許容範囲内に抑制するのに必要な引上げ速度の上限値を予め求めておく。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and a method for manufacturing the semiconductor substrate, with which GaAs is made to grow heteroepitaxially on an Si-off substrate with low defect density.例文帳に追加

Ｓｉオフ基板上にＧａＡｓを低欠陥密度でヘテロエピタキシャル成長させることのできる半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon on insulator (SOI) structure has a low defect density device layer and, optionally, a handle wafer having improved gettering capabilities.例文帳に追加

欠陥密度が低いデバイス層を有し、かつ改良されたゲッタリング能を必要に応じて有するハンドルウエハを有するシリコン・オン・インシュレーター（「ＳＯＩ」）構造体を提供する。 - 特許庁

Carbon remaining on the interface 15 of SiC and SiO_2 is removed and the defect is inactivated by nitriding and thereby interface level density decreases greatly.例文帳に追加

窒化処理により、ＳｉＣとＳｉＯ_2との界面１５に残っていた炭素が除去されるとともに欠陥が不活性化され、界面準位密度が大きく低下する。 - 特許庁

To provide an image forming method for forming an image having high image density, high light resistance and defect-free high image quality using a high sensitivity optical recording material.例文帳に追加

画像濃度及び画像耐光性が高く、かつ欠陥のない高画質な画像を、高感度な光記録材料を用いて形成するための画像形成方法を提供する。 - 特許庁

The image-processing device 12 is provided with a means for discriminating the defect of the film 2 based on the density of the detected image, or the amount of density and the density change, and a means for discriminating the detect of the film, based on an integration value obtained by integrating a plurality of images being detected for each small move of the film.例文帳に追加

画像処理装置１２は、検出された画像を濃度、または濃度ならびに濃度変化量に基いてフィルム２の欠陥を判別する手段、およびフィルムの微少移動毎に検出された複数の画像を積算して積算値に基いてフィルムの欠陥を判別する手段を備えている。 - 特許庁

To provide a circuit board free of lamination defect (resin-unfilled part), and having a fewer variations in the sectional area of an electrical circuit, less influence on the resistance, and a fewer variations in impedance between a low density portion and a high density portion of the electrical circuit, thereby having a leeway for circuit design.例文帳に追加

積層カスレの発生がなく、電気回路の断面積のバラツキや抵抗値への影響が少なく、電気回路の低密度部分と高密度部分とでインピーダンスのばらつきが小さくて回路設計に余裕がある回路基板を提供する。 - 特許庁

To provide an electrogalvanizing bath which is capable of plating of good brightness to secondary formed goods, such as bolts, without the occurrence of the burnt deposit in high-current density areas and the throwing away defect of low-current density areas.例文帳に追加

高温浴や不溶性陽極を使用した場合でも、ボルト等の二次成形品に対して高電流密度部位の焼けや低電流密度部位の付き回り不良を起こさずに光沢のよいめっきが可能な電気亜鉛めっき浴を開発する。 - 特許庁

By maintaining the inclination angle within a range from 0.05 to 0.2 degrees, a step density on the sapphire substrate is optimally controlled to keep a very flat front face and reduce the defect density, thereby obtaining a nitride-based compound semiconductor film with improved electrical and optical characteristics.例文帳に追加

傾斜角を０．０５°から０．２°に保つことによりサファイア基板上のステップ密度を最適に制御し、極めて平坦かつ欠陥密度を低減し、電気的光学的特性を向上した窒化物系化合物半導体膜が得られる。 - 特許庁

By keeping the inclination angle within a range of 0.05 to 0.2°, the step 202 density on the sapphire substrate can be optimally controlled and the nitride-based compound semiconductor element being extremely flat and having a reduced defect density and improved electrical and optical characteristics can be obtained.例文帳に追加

傾斜角を０．０５°から０．２°に保つことによりサファイア基板上のステップ２０２密度を最適に制御し、極めて平坦かつ欠陥密度を低減し、電気的光学的特性を向上した窒化物系化合物半導体素子が得られる。 - 特許庁

In the surface defect data display management device 3, a risk level calculation part 33 calculates an influence degree of a defect upon yield of the final product on the basis of a defect size of the wafer detected by an appearance inspection device 12 and a review device 10 and a pattern density obtained from design data of a pattern figure corresponding to neighbors of the position of the defect.例文帳に追加

表面欠陥データ表示管理装置３において、危険率算出部３３は、外観検査装置１２やレビュー装置１０によって検出されたウェーハの欠陥サイズと、その欠陥の位置の近傍に対応するパターン図の設計データから得られるパターン密度とに基づき、その欠陥が最終製品の歩留まりに影響を及ぼす影響度を表面欠陥の危険率として算出する。 - 特許庁

To provide a pattern inspection method and device that can inspect a pattern defect formed on a substrate with high accuracy in a short time, and specially, sufficiently prevent degradation of detecting sensitivity and inspection accuracy of a defect to a boundary part of pattern density of an element.例文帳に追加

基板上に形成されたパターンの欠陥検査を高精度且つ短時間で行うことができ、殊に、素子のパターン疎密の境界部に対しても、欠陥の検出感度及び検査精度の低下を十分に防止できるパターン検査方法及び装置を提供する。 - 特許庁

With respect to the processing method of the nitride semiconductor substrate, first, there is prepared a disk-like nitride semiconductor substrate 20 having a plurality of stripe regions 12 each of which comprises a defect concentrating region having a crystal-defect density higher than the ones of its peripheral single-crystal regions 14.例文帳に追加

この窒化物半導体基板の加工方法では、まず、周囲の単結晶領域１４よりも結晶欠陥密度が高い欠陥集中領域からなる複数のストライプ領域１２を備えた円盤状の窒化物半導体基板２０を準備する。 - 特許庁

The SiO2 film 17 is formed, resist 18 is applied and then the resist 18 and the SiO2 film 17 other than the area separated for about 2 μm from an end on one side of the area 16a of the low defect density of the groove part are removed.例文帳に追加

SiO_2膜17を形成し、レジスト18を塗布後、上記溝部の欠陥密度の低い領域16ａの片側に端から２μｍ程度離れた領域以外のレジスト18とSiO_2膜17を除去する。 - 特許庁

To provide a high-reliability flat plate type electrochemical cell which is easily made high in energy density, small-sized and thin and free of a defect in connection with a collector due to deformation and breakage of a lead terminal.例文帳に追加

高エネルギー密度且つ小型・薄型化が容易で、リード端子の変形、破損による集電体との接続不良発生が無く信頼性の高い平板型電気化学セルの提供。 - 特許庁

To provide an intermediate transfer belt which does not cause density unevenness and dotty defect even in high speed printing and is wide in an application range of an apparatus.例文帳に追加

高速印刷においても濃度ムラ、斑点状ディフェクトがなく、装置の適用範囲の広い中間転写ベルト、及び該中間転写ベルトを備える画像形成装置を提供する。 - 特許庁