「Defect Density」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an image transmission apparatus provided with a plurality of transmission functions for preventing the occurrence of a defect due to an automatic change in linear density.例文帳に追加

複数の送信機能を備えた画像伝送装置において、線密度の自動変更による不具合の発生を未然に防止する。 - 特許庁

Thus, by measuring the dislocation density of the cross section crossing the main surface equivalent to the defect density in the lateral direction, selecting the GaN substrate for which the dislocation density is equal to or lower than the fixed numerical value and using it, the yield of the semiconductor device is improved.例文帳に追加

したがって、この横方向の欠陥密度に相当する主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択して用いることで、半導体デバイスの歩留まりが向上する。 - 特許庁

To provide a device and method for detecting defects of an object to be measured for specifying a defect generating factor by detecting a detailed position of an insulation defect generating part and determining the defect state inside an apparatus such as a miniaturized power module increasing in density.例文帳に追加

小型・高密度化するパワーモジュールのような機器内部の絶縁欠陥発生箇所の詳細な位置検出および欠陥状態の判別をすることで欠陥発生要因の特定を行うことのできる被測定物の欠陥検出装置と方法を提供する。 - 特許庁

A method for measuring a dislocation density of a fluoride crystal comprises a step to generate a defect aggregate 03 in a dislocation line 02 in the fluoride crystal 01, a step to measure the dislocation density by optically detecting the defect aggregate 03 and a step to erase the defect aggregate 03.例文帳に追加

フッ化物結晶の転位密度を測定する方法であって、フッ化物結晶０１中の転位線０２に欠陥集合体０３を発生させる工程と、前記欠陥集合体０３を光学的に検出して転位線密度を測定する工程と、前記欠陥集合体０３を消去する工程とを有するフッ化物結晶の転位密度測定方法。 - 特許庁

To provide a method which makes it possible to minimize hole density in a SeOI (Semiconductor-On-Insulator) structure thin layer, and especially, density of a fatal hole which is a fatal defect.例文帳に追加

ＳｅＯＩ（絶縁体上半導体）構造薄層内のホールの密度、および特に致命的欠陥であるホールすなわち致命ホールの密度を最小化することを可能にする方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SOS (silicon on sapphire) substrate low in the defect density of a surface even in an extremely thin silicon film by solving a problem that defective density increases due to incompatibility in a lattice constant between silicon and sapphire.例文帳に追加

シリコンとサファイアとの格子定数の不適合に起因して欠陥密度が増大する問題を克服し、極めて薄いシリコン膜においても表面の欠陥密度が低いＳＯＳ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method which can suppress the generation frequency of a spike defect even when high-density NH3 is supplied for liquid-phase epitaxial growth of an N-doped GaP layer with high N density.例文帳に追加

Ｎ濃度の高いＮドープＧａＰ層を液相エピタキシャル成長するために高濃度のＮＨ_３を供給してもスパイク欠陥の発生頻度を抑制することができる方法を提供する。 - 特許庁

In the case where the light emitting element Gw in the light emitting element array LB has the pixel defect, normal-density pixels Dc appear mixing with low-density pixels Da and Dc among a pixel group Bc of the image carrier.例文帳に追加

発光素子列ＬＢの中の発光素子Ｇｗに画素欠陥がある場合には、像担持体の画素群Ｂｃでは、濃度の薄い画素Ｄａ、Ｄｃに正常な濃度の画素Ｄｃが混在する。 - 特許庁

To provide high performance TFT characteristics by using the interlayer insulation film of a low defect density in a polysilicon TFT substrate, and to shorten the evaluation period of the TFT substrate by measuring the E' center density of the interlayer insulation film beforehand and predicting the TFT characteristics.例文帳に追加

本発明によるポリシリコンＴＦＴ基板においては、欠陥密度の少ない層間絶縁膜を用いることで、高性能なＴＦＴ特性を提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, a defect in carrying the developer can be prevented by obtaining proper magnetic flux density by setting the normal-directional magnetic flux density at the restriction position to 35 to 45 mT.例文帳に追加

また規制位置における接線方向の磁束密度を、３５ｍＴ以上、４５ｍＴ以下の範囲に設定することで、適切な磁束密度が得られ、現像剤の搬送不良を防止することができる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device includes on a substrate 10 a group III-V nitride semiconductor layer 30 composed of a low defect region 30A made of a crystal having first average dislocation density and of a high defect region 30B made of a crystal having a higher second average dislocation density than the first one.例文帳に追加

基板１０上に、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域３０Ａと、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる高欠陥領域３０Ｂとを有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層３０を備える。 - 特許庁

To drastically reduce the defect density of a structure defect in a semiconductor layer, especially the dislocation density of through dislocation, without requiring complex processes, when forming a thin film such as GaN and a thick-film semiconductor layer on a substrate or the like made of each kind of material.例文帳に追加

各種の材料からなる基板上などにＧａＮなどの薄膜や厚膜の半導体層を形成する場合において、煩雑な工程を必要とすることなしに、当該半導体層中の構造欠陥の欠陥密度、特に、貫通転位の転位密度を大幅に低減させる。 - 特許庁

To provide a thermal transfer image receiving sheet which can obtain a high density, a small defect and a good image quality also in a different printing speed.例文帳に追加

異なるプリント速度においても高濃度で画像欠陥の少ない良好な画像品質が得られる感熱転写受像シートを提供する。 - 特許庁

To prevent a welding defect, to realize an adequate heat density distribution of an arc in a groove, and to enable a welded metal to have an excellent toughness.例文帳に追加

溶接欠陥の防止を目指し、開先内に適正なアーク熱密度分布を実現し、また、溶接金属の靱性を良好に保持可能とする． - 特許庁

To provide a method for producing a silicon carbide single crystal, by which a high-quality 4H-SiC single crystal having a low defect density can be obtained.例文帳に追加

欠陥密度の少ない高品質な４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を得ることが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a manufacturing method of an electrophotographic photoreceptor by which uniform picture of high grade having no defect and density uneveness can be obtained.例文帳に追加

画像欠陥及び画像濃度ムラの無い均一で高品位の画像を得ることが出来る電子写真感光体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To surely obtain a nitride semiconductor substrate which is low in defect density and is excellent in productivity without the occurrence of cracks, etc.例文帳に追加

クラック等を発生させることなく、さらに、欠陥密度が小さく且つ生産性に優れた窒化物半基板を確実に得られるようにする。 - 特許庁

To provide a method for depositing a GaN-based compound semiconductor layer having a low crystal defect density and almost free from production of piezo spontaneous polarization.例文帳に追加

結晶欠陥密度が低く、しかも、ピエゾ自発分極が生じ難いＧａＮ系化合物半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a GaN-based compound semiconductor layer in which a crystal defect density is low and moreover any piezo spontaneous polarization is hard to occur.例文帳に追加

結晶欠陥密度が低く、しかも、ピエゾ自発分極が生じ難いＧａＮ系化合物半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a developing device and an image forming apparatus wherein image defect such as uneven density in an image hardly occurs as compared with the conventional ones.例文帳に追加

従来よりも画像に濃度ムラ等の画像不良を生じにくくすることができる現像装置及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor multilayer film having an Si_1-XGe_X film of low surface defect density on an Si single crystal substrate.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板上において、表面欠陥密度の少ないＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜を有する半導体多層膜を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for semiconductor element provided, on the surface thereof, with a silicon carbide epitaxial film having a high crystallinity and a low defect density.例文帳に追加

高い結晶性と結晶の欠陥密度の低い炭化珪素エピタキシャル膜を表面に有する半導体素子用基板を提供する。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a silicon semiconductor wafer by which the defect density can be made very low and the silicon semiconductor wafer containing satisfying GOI can be produced.例文帳に追加

欠陥密度を可能な限り小さくでき、かつ満足されるＧＯＩを含むシリコン半導体ウェーハを製造できるプロセスを提供する。 - 特許庁

Hereby, the growth from the second surface is performed to cover the first surface 1, whereby defect density can be reduced.例文帳に追加

これにより、第２の表面２からの成長が第１の表面１の成長に覆うように成長して、欠陥密度を低減させることができる。 - 特許庁

To provide a developing device that suppresses an image defect including density unevenness by ensuring proper amount of developer to be discharged even with developer having high aggregation degree.例文帳に追加

現像剤の凝集度が高くなっても、現像剤が排出される量を適正にして、濃度ムラなどの画像不良を抑制する。 - 特許庁

To provide an image recorder in which a high quality print image having no image defect (image quality defect), e.g. uneven density of image due to droop phenomenon, can be obtained even when a halftone image is formed.例文帳に追加

ハーフトーン画像を形成する場合であってもドループ現象による画像の濃度むら等の画質欠陥（画質ディフェクト）のない高品位なプリント画像を得ることのできる画像記録装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A release layer for controlling the position of a boundary defect formed during film growing is formed and patterned on the base substrate (step 1020), and the low defect density film is grown on the release layer (step 1060).例文帳に追加

膜成長の間に形成される境界欠陥の位置を制御するためのリリース層をベース基板に生成且つパターニングし（ステップ１０２０）、リリース層上に低欠陥密度膜を成長させる（ステップ１０６０）。 - 特許庁

In the production of silicon wafer, size of grown-in defect is made small by doping nitrogen when silicon ingot is pulled up and a defect-free layer is formed on the surface of wafer and oxygen deposit is produced in high density in the interior and whisker-like defect is produced by carrying out heat treatment.例文帳に追加

シリコンウェーハ製造に際し、シリコンインゴット引上げ時に窒素をドープすることにより、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のサイズを小さくし、熱処理を行うことによりウェーハ表面に無欠陥層を形成し、内部に高密度に酸素析出物を生成させかつヒゲ状欠陥を生成させる。 - 特許庁

When the sensor output x is obtained in an actual inspection, the speed V of the inspection pig is measured, flux density B is calculated according to the function and the extent of a defect is calculated based on the flux density B thus calculated.例文帳に追加

そして、実際の検査においてセンサの出力ｘが得られたとき、そのときの検査ピグの速度Ｖを測定し、前記式に基づいて磁束密度Ｂを計算して、それに基づいて欠陥の程度を判別する。 - 特許庁

To provide a film deposition method capable of forming a few defect density film of silicon dioxide by a low temperature process without using film deposition under a vacuum atmosphere.例文帳に追加

本発明は、真空雰囲気での成膜を用いずに低温プロセスで欠陥密度の少ない酸化シリコン膜の成膜を実現することを可能にする。 - 特許庁

To provide a method of detecting damaged material by which the damaged state of a material can be grasped by making the defect density distribution in the material measurable.例文帳に追加

欠陥密度分布を計測可能にすることで材料の損傷状態を把握することのできる材料損傷検出方法を提供することである。 - 特許庁

To provide an edge defect detecting method for accurately detecting edge defects whose density difference between a pattern is minute without use of a reference image.例文帳に追加

基準画像を用いずに、パターンとの濃度差が微小なエッジ欠陥をも精度よく検出することができるエッジ欠陥検出方法の提供。 - 特許庁

To provide a thin film solar cell which has an enough light trapping effect, is equipped with a silicon layer that is reduced in defect density, and superior in efficiency.例文帳に追加

十分な光閉込効果を有しつつ、欠陥密度を低減させたシリコン層を有する高効率な薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A substantially reduced defect density is maintained within the axially grown material that is based on the laterally grown first stage material.例文帳に追加

実質的に減少した欠陥密度は、横方向に成長した第１の段階の材料に基づく軸方向に成長した材料中で維持される。 - 特許庁

The protective layer 120 is coated with color plasma or the like in order that the protective layer has a sufficient density and does not have any defect.例文帳に追加

保護層が十分な密度を有すると共に欠陥のないものとするために、カラープラズマ被覆や類似の処理が保護層を被覆させるために用いられる。 - 特許庁

To clarify the defect of a driving system by eliminating color variation in a low density imaging area and adjusting an apparatus with a corrected test pattern.例文帳に追加

低濃度の画像形成領域の色変動をなくし、補正されたテストパターンで装置を調整して、駆動系の持つ不具合を明確にするようにする。 - 特許庁

A method for controlling the flow rate of slurry and reducing defect density in the chemical mechanical polishing system (100) of a semiconductor wafer is provided.例文帳に追加

半導体ウエハの化学的機械的研磨を行う研磨システム（１００）においてスラリ流量を制御し欠陥密度を低減させる方法である。 - 特許庁

To produce a large-size large-area and high-quality group-III nitride crystal having a practical size and having more reduced defect density compared to a conventional crystal.例文帳に追加

従来よりもより一層、欠陥密度が低減された、実用的な大きさの大型，大面積の高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を作製する。 - 特許庁

The carrier density of the defect cluster 14a of the semiconductor laser 50 is high and its electrical resistance is significantly decreased.例文帳に追加

この半導体レーザ５０の欠陥集合部１４ａは、結晶欠陥が多いことから、キャリア濃度が高くなっており、電気抵抗が有意に低減されている。 - 特許庁

Accordingly, defect inspection can be performed in the state where a pattern of a polycrystal is not reflected on the image and a density image can be acquired only from a defective spot.例文帳に追加

このことにより、多結晶体の模様が画像に映ることがないようにし、欠陥個所のみ濃淡のある画像を得ることにより欠陥検査を行う。 - 特許庁

To provide a molding technique for a thin sheet-shaped green compact which makes it possible to obtain a prescribed weight and density and is defect-free as a sintered material.例文帳に追加

所定の重量および密度が得られるとともに、焼結材料として欠陥のない、薄板形状圧粉体の成形技術を提供する。 - 特許庁

To provide a data storage medium attaining high recording density and a high data transfer rate by solving a defect of a conventional technique and to provide a method for forming thereof.例文帳に追加

従来技術の欠点を解決し、高記録密度と高データ転送レートとを実現させるデータ蓄積媒体とその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board which has capacitors inside at high density and is low in defect generation rate and to provide a manufacturing method for the printed wiring board.例文帳に追加

コンデンサを高密度で内蔵し、不良品発生率が低いプリント配線板およびプリント配線板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of pulling up a silicon single crystal, by which the silicon single crystal having a uniform BMD(bulk micro defect) density in the axial direction can be obtained, and to provide a silicon wafer obtained from the silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶引上方法及びシリコンウェーハにおいて、シリコン単結晶の軸方向において均一なＢＭＤ密度を得ること。 - 特許庁

To provide a substrate for epitaxial growth, which can obtain such a structure that a GaN-based semiconductor crystal with low dislocation defect density is grown on a PSS.例文帳に追加

転位欠陥密度の低いＧａＮ系半導体結晶がＰＳＳ上に成長た構造が得られるエピタキシャル成長用基板を提供すること。 - 特許庁