「Defect Density」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a member for a heat treatment and its manufacturing method which can reduce partial deformation during a heat treatment process for prevention of slippage of semiconductor wafers by controlling a bulk micro defect density of the component for the heat treatment.例文帳に追加

熱処理用部材のバルク微小欠陥密度を制御することで、熱処理時における部分的な変形を抑制し、半導体ウエハのスリップの発生を防止できる熱処理用部材、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optimized manufacturing method of a silicon wafer which can obtain the silicon wafer in which oxygen doping concentration having low defect density is at least 4 × 10^17/cm^3 in especially near front surface region.例文帳に追加

特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０^１７／ｃｍ^３ であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a bonding SOI wafer manufacturing method with less defect density in an epitaxial layer in the case where epitaxial growth is performed on a surface of an SOI layer of a bonded wafer manufactured by using an ion implantation peeling method.例文帳に追加

イオン注入剥離法を用いて作製した貼り合わせウエーハのＳＯＩ層の表面上にエピタキシャル成長を行った場合に該エピタキシャル層の欠陥密度が少ない貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The polycrystalline layer thus obtained has high electron emission efficiency, low defect density, and high withstand voltage compared to the conventional silicon layer.例文帳に追加

強電界ドリフト層６が酸窒化した多孔質多結晶シリコン層よりなるので、電子放出効率が高く、また、酸化した多孔質多結晶シリコン層により形成されている場合に比べて欠陥密度が減少し、絶縁耐圧が高くなる。 - 特許庁

To provide a phase change optical recording medium, and its recording method and a recording device with a new third protection layer which can perform high-density recording with high recording linear velocity, and is accompanied with neither an occurrence of a defect nor partial exfoliation.例文帳に追加

高記録線速度で、高密度記録が行なえ、且つ、それに伴う欠陥発生や部分剥離のない、新規な第三保護層を有する相変化型光記録媒体、並びに、その記録方法及び記録装置の提供。 - 特許庁

To provide: an image processor which is achieved in preferable image recording while being suppressed in influences of the irregularity of density resulting from a non-discharge abnormality (defect) and irregularity resulting from the other factor; an image recorder; and an image processing method.例文帳に追加

不吐出異常（不良）ノズルに起因する濃度むらや他の要因に起因するむらの影響が抑制された好ましい画像記録が実現される画像処理装置及び画像記録装置並びに画像処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming device capable of preventing an image defect caused just after the device is left as it is for a long time under high humidity environment especially and obtaining an excellent image whose image density is always stable and which has neither fogging nor roughness.例文帳に追加

特に高湿環境下で長期放置された直後の画像不良を防止することができ、常に画像濃度が安定しカブリやガサツキのない良好な画像を得ることが可能な画像形成装置を提供する。 - 特許庁

In the case of forming a thin film transistor, impurities are implanted to the crystallized silicon film and after that, heat treatment is performed on the crystallized silicon film, whereby a defect density in a channel formation region is reduced and the doped impurities can be activated.例文帳に追加

薄膜トランジスタを作製する場合には、結晶化された珪素膜に不純物をドーピングした後に、加熱処理を行うことで、チャネル形成領域の欠陥密度を減らし、ドーピングされた不純物を活性化させることができる。 - 特許庁

The drawing force generating in molding is absorbed by the ductile adhesive 6 and alleviated to prevent distortion, cracks from being caused on the printed layer 3 or defect such as deterioration or the like of image density of the drawn part from being caused.例文帳に追加

成形時に発生する延伸力は、上記延性接着剤６によって吸収緩和され、印刷層３に歪みやひびわれ、あるいは延伸部分の画像濃度の低下等の欠陥が生ずることが防止される。 - 特許庁

To provide a method through which a compound single crystal with a lower plane defect density can be obtained, which is a method to manufacture compound semiconductor single crystals such as silicon carbide, gallium nitride, etc. by using the epitaxial growth method.例文帳に追加

炭化珪素や窒化ガリウムなどの化合物半導体単結晶を、エピタキシャル成長法を利用して製造する方法であって、面欠陥密度がより低い化合物単結晶を得ることができる方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a developing device which prevents a partial charging defect of toner, a density decrease, etc., by forcibly consuming toner corresponding to toner consumptions by axial areas of a developing roller, and an image forming apparatus mounted with the same.例文帳に追加

現像ローラの軸方向領域ごとのトナー消費量に対応した強制消費を行うことによって、部分的なトナーの帯電不良、濃度低下等を防止する現像装置、及びこれを使用する画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a composite semiconductor substrate that lowers defect density in a nitride semiconductor layer and at the same time, an amount of warpage of the composite semiconductor substrate by reducing stress between an Si substrate and a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

複合半導体基板において、Ｓｉ基板とその上の窒化物系半導体層との応力を低減することにより、窒化物系半導体層中の欠陥密度を低くするとともに、複合半導体基板の反り量を小さくする。 - 特許庁

To uniformly disperse a pigment as a colorant in toner and to obtain an image with sufficient image density and no hollow defect or toner scattering even when the particle diameter of the toner is decreased.例文帳に追加

トナー中に着色剤となる顔料が均一に分散されるようにし、トナーの粒径を小さくした場合においても、十分な画像濃度を有すると共に、中抜けやトナー飛散等のない良好な画像が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a strain semiconductor wafer that has solved conflicting propositions such that the defect density of a strained-Si layer is very low and the strained-Si layer is left before a gate oxide film is formed and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ひずみＳｉ層の欠陥密度が十分に低く、しかもゲート酸化膜形成前にひずみＳｉ層が残っているような、相反する命題を解決したひずみ半導体ウェーハおよび半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, by referring to the database, a type of the extracted defect is specified and the density of defects of each type is determined for each manufacturing process of the sample for display.例文帳に追加

また、試料を検査して得られる欠陥の種類を記憶したデータベースを参照して、抽出した欠陥の種類を特定し、試料の製造プロセスごとに欠陥の種類別の欠陥密度を求め、表示するようにしたものである。 - 特許庁

By referring to a database storing the types of defects obtained by inspecting samples, a type of an extracted defect is specified and the density of defects of each type is determined for each region of the sample for display.例文帳に追加

試料を検査して得られる欠陥の種類を記憶したデータベースを参照して、抽出した欠陥の種類を特定し、試料の領域ごとに欠陥の種類別の欠陥密度を求め、表示するようにしたものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride single crystal substrate having small crystal defect density and a large surface area from a gallium nitride single crystal layer laminated on the surface of silicon (Si) single crystal used as a substrate and having low dislocation density, excellent crystal quality and a large diameter and to provide the gallium nitride single crystal substrate manufactured by the same method.例文帳に追加

転位密度が低く結晶品質に優れ、且つ大口径の珪素（Ｓｉ）単結晶を基板として利用し、その表面上に積層した窒化ガリウム単結晶層から結晶欠陥密度の小さい大面積の窒化ガリウム単結晶基板を製造する方法とその方法により製造された窒化ガリウム単結晶基板を提供する。 - 特許庁

By forming an InP metamorphic buffer layer 2 having a thickness of 4 μm or above and a surface defect density of 10^8/cm^2 or less on the GaAs substrate 1, the InP-based semiconductor element 11 having a superior property and a high reliability can be formed on the GaAs substrate.例文帳に追加

GaAs基板１上にInPメタモルフィックバッファ層２を、厚さ４μｍ以上として、その表面の欠陥密度を１０^８／ｃｍ^２以下にすることによって、GaAs基板上に、すぐれた特性と信頼性を有する、InP系半導体素子１１を構成する - 特許庁

To provide a manufacturing method of silicon single crystal, in which the optimum manufacturing condition to control the size and the density of grow-in defect caused by void to be a desired value is precisely obtained at the time of growing silicon single crystal using the CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法を用いてシリコン単結晶を育成する際に、空孔起因のグローンイン欠陥のサイズならびに密度を所望の値とする最適製造条件を的確に求めることができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for pulling a silicon single crystal which improves nonuniformity of BMD (Bulk Micro Defect) density per parts, while the concentration of oxygen from the top side to the bottom side is uniformly maintained in the pulling process of a single crystal.例文帳に追加

単結晶の引き上げ過程において、トップ側からボトム側までの酸素濃度を均一に保ったまま、部位によるＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）密度の不均一を改善するシリコン単結晶の引き上げ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charging unit that maintains the cleanability of a charging member, hardly pollutes the charging member even when the charging member and a charging member clean-up member are stored in a contact state, and suppresses the occurrence of density unevenness or an image quality defect such as a color point.例文帳に追加

帯電部材のクリーニング性を維持しつつ、帯電部材と帯電部材清掃部材とを接した状態で保管した場合でも、帯電部材を汚染しにくく、濃度むら、色点等の画質欠陥の発生を抑制する帯電装置を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning member for an electrifying member which makes an electrifying member hardly stained and suppresses occurrence of an image quality defect such as irregular density even when it is kept for a long term in such a state that it contacts with the electrifying member while maintaining cleaning performance for the electrifying member.例文帳に追加

帯電部材のクリーニング性を維持しつつ、帯電部材と接した状態で長期に保管した場合でも、帯電部材を汚染しにくく、濃度むら等の画質欠陥の発生を抑制する帯電部材清掃部材を提供する。 - 特許庁

In such a composite substrate, stress caused by the inclusion of different types of materials of silicon and the nitride semiconductor can be reduced, thereby holding the defect density in the nitride semiconductor layer at a low level and minimizing warpage of the composite substrate.例文帳に追加

このような複合基板においては、異種材料のシリコンと窒化物系半導体を含むことによる応力を低減することができ、窒化物系半導体層中の欠陥密度を低く抑えることと複合基板の反りを小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a method of forming a semiconductor layer which has small defect density, good quality and large ion bonding property as a GaN layer etc. has on a semiconductor layer as a silicon carbide layer etc. which has small ion bonding property and strong covalent bonding property.例文帳に追加

炭化珪素層等のイオン結合度が小さく共有結合性の強い材料からなる半導体層上に、欠陥密度が小さく良質な、ＧａＮ等のイオン結合性の大きな半導体層を形成する方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the toner quantity to be cleaned by the belt cleaning device 45 is reduced, and the burden applied on the belt cleaning device 45 is reduced, thereby preventing the occurrence of cleaning defect and chatter without deteriorating the toner density controlling accuracy.例文帳に追加

これにより、ベルトクリーニング装置４５によりクリーニングされるトナー量は低減され、ベルトクリーニング装置４５への負担を軽減することが可能となり、トナー濃度制御の精度を悪化させることなく、クリーニング不良とビビリの発生を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a III-V compound semiconductor crystal which is free from composition separation and subjected to carbon doping with good crystallinity small in hole-type defect density, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the manufacturing method.例文帳に追加

組成分離がなく、かつ空孔型欠陥密度が小さい良好な結晶性で炭素ドーピングを行ったIII−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法及び該製造方法を用いた半導体デバイスの製造方法の提供。 - 特許庁

To improve the lifetime of a semiconductor device, the lifetime or the mobility of the carrier of the operation of the device to a sufficient value for the practical use of the device, by realizing a crystal growing technique for forming a semiconductor layer in an extremely low defect density.例文帳に追加

半導体層を極めて低い欠陥密度で形成する結晶成長技術を実現し、半導体装置の寿命又はこの動作に係るキャリアの寿命もしくは移動度を当該半導体装置の実用化に十分な値に改善する。 - 特許庁

Then, the kind of a defect is discriminated within the image photographed by the imaging device 1, under the condition where the inspected object is lighted by the oblique light source 4, based on a form of density change in the area of the defective portion, in the image processing part 7.例文帳に追加

その後、画像処理部７は、斜方光源４により検査対象を照明した状態で撮像装置１に撮像された画像内において不良部分を含む領域の濃度変化の形により不良の種類を識別する。 - 特許庁

To prevent a print defect by detecting all high-voltage part operation states of an electrophotographic process part of an image forming apparatus or to accurately calculate the life of an ozone filter by measuring ozone density before and behind an ozone filter and calculating the difference.例文帳に追加

画像形成装置において、電子写真プロセス部のすべての高電圧部動作状態を検出し印刷不良を防止する、または、オゾンフィルタ前後のオゾン濃度を測定し、差分を計測する事によりオゾンフィルタの寿命を正確に算出する。 - 特許庁

To provide a semiconductive polyamidimide belt having a stable surface resistance value, and in which density unevenness and a spot-shaped defect are hard to occur; to provide a method for producing a semiconductive polyamidimide belt; and to provide an image forming apparatus provided with the semiconductive polyamidimide belt.例文帳に追加

安定した表面抵抗値を有し、濃度ムラ、斑点状ディフェクトを生じ難い半導電性ポリアミドイミドベルト、半導電性ポリアミドイミドベルトの製造方法、及び半導電性ポリアミドイミドベルトを備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same, stabilizing an oxide of a semiconductor, and remarkably improving the reliability and performance of the device by obtaining a dielectric layer low in defect density and high in electron mobility.例文帳に追加

半導体の酸化物を安定化させることができる上、欠陥密度が低くて電子移動度が高い誘電体層を得て、デバイスの信頼性及び性能を大幅に改善することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a region nearby a pn junction where the density of carriers injected in a forward bias state is relatively high or a region nearby an n+n junction, a polysilicon film is formed as a predetermined film having a crystal defect as a center of recombination.例文帳に追加

順バイアス状態で注入されたキャリアの濃度が比較的高いｐｎ接合付近の領域またはｎ+ｎ接合付近の領域に、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、ポリシリコン膜が形成されている。 - 特許庁

Alternatively, the concrete is immersed for many hours in the liquid having the high contrast effect, the contrast medium is permeated into the microcrack, the defect or the like at the inside of the concrete, the X-ray photographing operation is performed, and the deterioration degree of the concrete is evaluated on the basis of the obtained density of an X-ray film.例文帳に追加

また、造影効果の高い液体にコンクリートを長時間浸して、コンクリート内部のマイクロクラック、欠陥等に造影剤を浸透させ、Ｘ線撮影を行い、得られたＸ線フィルムの濃度からコンクリートの劣化度を評価する。 - 特許庁

The central arithmetic processor 3 detects the position of the inspection object from the image data and adjusts the arrangement of respective fine areas so that the fine areas are arranged in the inspection object area, and then detects the density value of each fine area to decide whether there is a flaw or defect from the relative variation quantity of the density value of each fine area.例文帳に追加

中央演算処理装置３は、画像データより検査対象領域の位置を検出し、検査対象領域の検出位置に基づいて、複数の微少エリアが検査対象領域内に配置されるよう各微少エリアの配置を調整した後、各微少エリアの濃度値を検出し、各微少エリアの濃度値の相対的な変化量から傷及び欠陥の有無を判定する。 - 特許庁

To enable a developing device equipped with a toner density detecting sensor, to smoothly supply toner into a development tank by preventing toner concentration from being misdetected owing to sticking of a developer on a sensor surface of the toner concentration detecting sensor, temporary absence of a developer in a periphery of the sensor surface, etc., and then form an image of high density and high picture quality free of an image defect such as fogging.例文帳に追加

トナー濃度検知センサを備える現像装置において、トナー濃度検知センサのセンサ面への現像剤の付着、センサ面周辺における一時的な現像剤の不存在などに起因するトナー濃度の誤検知を防止し、現像槽内へのトナー補給を円滑に実行でき、かぶりなどの画像不良がなく、高濃度かつ高画質の画像を形成する。 - 特許庁

The first and second defect management information areas 108 and 109 are located such that angles θ1 and θ2 made by start blocks thereof fulfill the relationships of 150°≤θ1≤210° and 150°≤θ2≤210° (θ1: in the case of the first recording density, and θ2: in the case of the second recording density).例文帳に追加

第１の欠陥管理情報領域１０８と第２の欠陥管理情報領域１０８とは、第１の欠陥管理情報領域の開始ブロックと第２の欠陥管理情報領域の開始ブロックとのなす角θ１、θ２が、１５０°≦θ１，θ２≦２１０°（θ１：第１の記録密度の場合、θ２：第２の記録密度の場合）という関係を満たすように配置されている。 - 特許庁

To suppress an image density variation due to the deviation of recording positions between dots recorded by different passes and to reduce an image defect due to a stripe while reducing the load of data processing when a recording element group is recorded by M (M is integer of 3 or more) times of relative movement.例文帳に追加

記録素子群をＭ（Ｍは３以上の整数）回の相対移動により記録を行う場合、データ処理の負荷を低減しつつも、異なるパスで記録されるドット同士の記録位置ズレによる濃度変動を抑制し、スジによる画像弊害を軽減する。 - 特許庁

To provide a thermal transfer image accepting sheet which shows a high transfer density particularly in a high-speed processing, scarcely causes an image failure due to heat fusion with ink and a defect in passing properties, brings about no transfer irregularity of a protective layer and enables attainment of an excellent image, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

特に高速処理において転写濃度が高く、インクとの熱融着に起因する画像故障、および通過性の不良が少なく、かつ保護層の転写ムラがない良好な画像が得られる感熱転写受像シートおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A control part 12 determines whether defect candidates are large-scale defects of irregularities on the basis of a differential value obtained by differentiating the density of each pixel in a first direction, for example a rotation direction of a tire, on the basis of a dedicated threshold predetermined for each type of irregularities.例文帳に追加

制御部１２は、第１の方向、たとえばタイヤ回転方向での各画素の濃度を微分した微分値に基づいて、欠陥候補が大規模凹凸欠陥であるか否かを、凹凸の種類ごとに予め定める専用しきい値に基づいて判定する。 - 特許庁

To provide a high quality silicon carbide single crystal in which the warpage of the crystal lattice plane is small and the defect density is low and which is prevented from being cracked when it is processed, to provide a method for producing the same, and to provide a silicon carbide single crystal wafer and a silicon carbide single crystal ingot.例文帳に追加

結晶格子面の反りが小さく、欠陥密度が低く高品質であって、加工時にクラックが発生しない炭化珪素単結晶及びその製造方法、並びに炭化珪素単結晶ウェーハ及び炭化珪素単結晶インゴットを提供する。 - 特許庁

An area to be excluded from an object of the defect judgment is determined on the picture image, based on the reference picture images and on the positions and number associated with the reference picture images while judging the existence of defects, based on density values of pixels outside the determined area.例文帳に追加

基準画像、該基準画像に対応付けられた位置及び個数に基づいて、２次元画像上で欠陥判別の対象から除外されるべき領域を特定し、その特定された領域外における画素の濃度値に基づいて欠陥の有無を判別する。 - 特許庁

To realize optimum smoothing correction by decreasing a defect of abnormality emphasized image edge by referencing pixel density data of an original image in the case of generating smoothing processing data in an image processor that applies smoothing correction to the edge part of multi- valued image data.例文帳に追加

多値画像データのエッジ部分をスムージング補正する画像処理装置において、スムージング処理データを生成する際に、原画像の画素濃度データも参照することにより、画像エッジが異常に強調される不具合を低減し、最適なスムージング補正を実現すること。 - 特許庁

To provide a hydrogen separating permeable membrane with a defect- free hydrogen permeable metal film and metal supports which tightly support the metal film and in which numerous fine concave holes are arranged at high density and to provide a manufacturing method for reliably obtaining the membrane at a low cost.例文帳に追加

欠陥のない水素透過性の金属膜とかかる金属膜を強固に支持し且つ多数の微細な凹孔を高密度で配置する金属支持体とを備えた水素分離透過膜およびこれを低コストで確実に得るための製造方法を提供する。 - 特許庁

The disordered multicomponent hydrogen storage material having remarkably high storage capacity due to a high density of usable hydrogen storage site (defect site of 1023/cm3) and/or remarkably small fine crystalline size shown in a graph in Figure is provided.例文帳に追加

高密度の使用可能な水素吸蔵サイト（１０^２３／ｃｃの欠陥サイト）および／または図中のグラフに示されるような著しく小さい微結晶サイズに起因する、非常に高い吸蔵容量を特徴とする不規則化された多成分水素吸蔵材料が提供される。 - 特許庁

As a result, the area of grooves among the diffraction gratings are expanded so as to improve the removal effect of a mask material to be used during the formation of the diffraction gratings, reduce the density of internal dislocation (crystal defect), and attain the improved reliability for an element.例文帳に追加

その結果、回折格子の間の溝部の領域を拡げられるため、回折格子形成時に用いられるマスク材の除去効果の向上が図られ、内部の転位(結晶欠陥)密度の低減を実現し、素子信頼性の向上効果を得ることができる。 - 特許庁