「Defect Density」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

On passing through the filter, the highly ionized arc plasma is essentially rid of particles making a source plasma for reacted as well as un-reacted coatings characterized by high density and near defect free quality.例文帳に追加

フィルタを通過する際に、高度に電離したアークプラズマには基本的に粒子がなく、これによって高密度でほぼ欠点がない品質を特徴とする反応及び未反応コーティングの源プラズマとなる。 - 特許庁

To obtain an excellent image free from an image defect such as irregular image density by stably driving and rotating a belt even in the case of realizing the speed-up of the device by improving toner supplying/peeling ability.例文帳に追加

トナーの供給／剥ぎ取り能力を向上し、装置を高速化する場合においても、ベルトの安定した回転駆動を行い、画像濃度ムラなどの画像不良のない良好な画像を得ることにある。 - 特許庁

To provide a nitrogen-doped silicone single crystal from any part of which is obtained a sliced wafer having a reduced variations in the non-defect region on its surface and in the density of the residual defect after annealing regardless of the doped nitrogen concentration on the silicon single crystal and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

シリコン単結晶にドープされた窒素濃度に影響されることなく、シリコン単結晶の各部位からスライスされたシリコン単結晶ウエーハにおけるアニール後の残留欠陥密度及び表層の無欠陥領域のばらつきが緩和された窒素ドープしたシリコン単結晶及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon wafer capable of effectively exercising a gettering effect also in a thin film device while having BMD (Bulk Micro Defect) in a shallow region of, for example, ≤10 μm from a surface layer with high density, but having no defect in an extreme surface layer functioning as a device active layer.例文帳に追加

表層から例えば１０μｍ以内までの浅い領域にＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）が高密度で存在するが、デバイス活性層として機能する極表層には欠陥が存在せず、薄膜デバイスに対してもゲッタリング効果を有効に発揮しうるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a 3C (cubical)-SiC single crystal, which allows easy growth of a 3C-SiC single crystal having a low defect density and a size being large to an extent that it can be also used as a seed crystal substrate.例文帳に追加

低欠陥密度で種結晶基板としても使用可能な程度に大型である３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を容易に成長させることができる３Ｃ−ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an antimony-doped single silicon crystal wafer having a small crystal defect density on the surface of the wafer and having a high gettering ability, and to provide an epitaxial wafer made to grow using the antimony-doped silicon wafer as a substrate wafer.例文帳に追加

アンチモンドープシリコンウエーハであって、ウエーハ表面の結晶欠陥密度が少なく、ゲッタリング能力が高いアンチモンドープシリコンウエーハ及び該ウエーハを基板ウエーハに用いて成長されたエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating crystallinity of a titanium oxide particle having higher crystallinity in comparison with a previous one and excellent decomposition power by photocatalytic action, and a method for measuring surface defect density of the same particle.例文帳に追加

従来の酸化チタン粒子に比べ結晶性が高く、光触媒作用による分解力に優れる酸化チタン粒子の結晶性評価方法、及び酸化チタン粒子の表面欠陥密度測定方法の提供。 - 特許庁

To provide a polishing method that achieves high flatness of a polished surface of a polishing body after CMP processing, and further reduces the defect density of scratches or the like on the polishing surface of the polishing body compared with the conventional one.例文帳に追加

ＣＭＰ処理後に、被研磨体の研磨面が高い平坦性を有するとともに、被研磨体の研磨面におけるスクラッチなどの欠陥密度を従来に比して低減させることができる研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a superconducting material which improves the defect that it is difficult for an MgB_2 superconducting substance as a metallic compound to synthesize a high density material, therefore the volume fraction of superconduction in the material is low.例文帳に追加

金属化合物のMgB_2超伝導物質は高密度の材料合成が困難であり、それに起因して材料中の超伝導体積分率が低い点を改善する超伝導材料を提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, it becomes unnecessary to introduce a new defect inspection provision or to convert the provision each time when recording density of the magnetic recording medium is changed, and production cost is reduced and an inexpensive magnetic recording medium can be offered.例文帳に追加

さらに、磁気記録媒体の記録密度を変更するたびに新たな欠陥検査設備を導入したり改造したりすることが不要となり、製造コストを低減し安価な磁気記録媒体の提供が可能となる。 - 特許庁

The speed of epitaxial growth is increased by executing irradiation of high energy light when converting the amorphous silicon in the hole part to a single crystal, and defect density generated in passing through the region of the embedded oxide film can be restrained.例文帳に追加

孔部内のアモルファスシリコンを、単結晶化させる場合に高エネルギ光の照射を行うことでエピタキシャル成長速度を速め、埋め込み酸化膜の領域を通過する際に発生する欠陥密度を抑制できる。 - 特許庁

To detect a white-spot with high accuracy even when density is uneven, in a technology for detecting image defect from a read image obtained by reading an image on a recording material on which a test image is formed.例文帳に追加

検査用画像が形成された記録材を画像読み取りして得た読取画像から画像欠陥を検出する技術に関し、濃度ムラが発生している場合でも白抜け検出を精度良く行えるようにする。 - 特許庁

Lower defect rates are obtained through the lower power density at a cathode 12 which suppresses arcing, while runoff is minimized by the cathode to planet geometry without the use of a mask.例文帳に追加

カソード１２における低電力密度によって低欠陥率が得られ、低電力密度は、アーク放電を抑制し、一方、マスクを使用することなく、遊星幾何形状に対するランオフがカソードによって最小になる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon wafer suppressing a reduction in oxygen concentration in a device active region and greatly reducing the defect density of the device active region without performing again mirror polishing.例文帳に追加

再度、鏡面研磨等を行う必要がなく、デバイス活性領域における酸素濃度の低下を抑制し、かつ、デバイス活性領域の欠陥密度を大きく低減することができるシリコンウェーハの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an optimized method of manufacturing a silicon wafer capable of obtaining a silicon wafer having a low defect density especially in a region near the surface and an oxygen doping concentration of at least 4×10^17/cm^3.例文帳に追加

特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０^17／ｃｍ^3であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供する。 - 特許庁

When the electrostatic latent image is sharpened by raising the latent image charge density on the photoreceptor drum, in order to output the high quality image, transfer defect is liable to occur by a strong electric confining field with regard to the toner.例文帳に追加

高画質出力を行うべく感光ドラム上の潜像電荷密度を高くして静電潜像をシャープなものにすると、トナーに対する強い閉じ込め電界によって転写不良が発生しがちとなる。 - 特許庁

The silicon single crystal is grown by selecting the growing rate to control the size and density of the grow-in defect caused by the void introduced into the inside of the crystal to be a desired value based on the simulation result.例文帳に追加

そして、そのシミュレーション結果に基づいて、結晶内部に導入される空孔起因のグローンイン欠陥のサイズと密度とが所望の値となるように成長速度を選択し、シリコン単結晶を育成する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal which yields an epitaxial wafer which has no epitaxial defect and shows a good in-plane uniformity concerning oxygen precipitation density and an excellent IG (intrinsic gettering) effect, the epitaxial wafer and their manufacturing processes.例文帳に追加

エピタキシャル欠陥の発生がなく、酸素析出物密度の面内均一性が良好で、かつｌＧ（Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）効果にすぐれたエピタキシャルウェーハが得られるシリコン単結晶とエピタキシャルウェーハ並びに製造方法の提供。 - 特許庁

To manufacture a single crystal silicon ingot having homogeneous vacancy defect density and distribution in a radial direction by removing minute vacancy defects not larger than a critical size that adversely affects the voltage-resistance characteristics of an oxide film.例文帳に追加

酸化膜耐圧特性に悪影響を及ぼす臨界サイズ以下の微細なベイカンシ欠陥を除去し、半径方向に均一なベイカンシ欠陥密度及び分布を有するシリコン単結晶インゴットを製造すること。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a buffer layer, by which the thickness of a fabricated buffer layer can be more precisely controlled, the defect density is reduced, and the deposition temperature can be reduced as compared with prior art.例文帳に追加

従来技術に比較して、形成されたバッファ層の厚さをより正確に制御することができ、欠陥密度を減少させ、蒸着温度を下げることができるバッファ層を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photodiode where a high integration, high density, and shallow pinning layer are formed, and a method for manufacturing this; and to provide a photodiode where any substrate surface defect is minimized and a noise is reduced, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

高集積、高濃度及び浅いピンニング層のフォトダイオード及びその製造方法並びに基板表面欠陥を最小化して、ノイズの少ないフォトダイオード及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a liquid developer which is free of fogging of images, image density unevenness, the defect on the images occurring in fine impurities, etc., and is capable of realizing high image quality and the liquid developer.例文帳に追加

画像のカブリ、画像濃度ムラ、微細な不純物に起因する画像上の欠陥等のない、高度な画像品質を実現することができる液体現像剤の製造方法及び液体現像剤を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming method capable of forming a high-quality image having less density unevenness and a few transfer defect, and an image forming apparatus which forms an image by the image forming method.例文帳に追加

濃度ムラや転写抜けの少ない高画質の画像を形成することのできる画像形成方法およびその画像形成方法により画像を形成する画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Inverting the PXLED to expose the pattern of the masking layer or using the Talbot effect to create an aligned second patterned masking layer allows the formation of PXLEDs with low defect density.例文帳に追加

マスク層のパターンを露出させるためにＰＸＬＥＤを逆にするか、又は、「タルボット」効果を用いて整列した第２のパターン化マスク層を作り出すことにより、欠陥密度の低いＰＸＬＥＤを形成することができる。 - 特許庁

To provide a method for forming an image capable of obtaining the image with a high quality having an improved gas resistance and scuff resistance, and capable of being preserved for a long time, and having a high density and no defect on the image, and to provide a printed article.例文帳に追加

画像のガス耐性、耐擦過性が向上し、長期の画像保存に耐え、かつ高濃度で画像欠陥のない高画質な画像をえることができる画像形成方法および印画物を提供する。 - 特許庁

The formed boule is of microelectronics device quality, such as having a transverse dimension greater than 1 cm, a length greater than 1 mm, and a top surface defect density of less than 10^7 defects per 1 cm^2.例文帳に追加

形成されるブールは、マイクロエレクトロニクス・デバイス品質を含み、例えば、１ｃｍより大きい断面寸法、１ｍｍを超える長さ、および１ｃｍ^2あたり１０^7未満欠陥の上面欠陥密度を有する。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride single crystal laminated substrate which has an aluminum nitride single crystal film having improved crystallinity and a low defect density on the surface of a crystalline α-alumina substrate.例文帳に追加

結晶α−アルミナ基板表面に窒化アルミニウム単結晶膜を有する窒化アルミニウム積層基板において、結晶性が向上し欠陥密度の低い窒化アルミニウム単結晶膜を有する基板を提供する。 - 特許庁

To provide a process for continuous galvanizing of a metal strip capable of attaining an extremely low defect density for satisfying the request of a customer demanding a surface free from visual defects, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

外観欠陥のない表面を求める顧客の要求を満足させるだけの、きわめて低い欠陥密度を達成することのできる、金属ストリップの連続亜鉛めっきプロセスおよび装置を提供する。 - 特許庁

To provide a developing device which can be easily designed, by which developer inside a developer container can be stably circulated by first and second stirring means, and a density irregularity, fogging and density defect, etc., can be prevented, a process cartridge and an image forming device provided with the developing device.例文帳に追加

本発明は、設計が容易で、第一撹拌手段及び第二撹拌手段によって現像剤容器内の現像剤を安定して循環させ、濃度ムラ、カブリ、濃度不良等を防止することのできる現像装置及びこの現像装置を備えるプロセスカートリッジ並びに画像形成装置の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a developer regulating member, a developing device, a process cartridge and an image forming apparatus with which a stable developing thin layer is formed, the set image defect of a developing roller that a sharp line whose density is thick is caused on an image is avoided, and the high-quality image whose density is stable is formed.例文帳に追加

安定した現像薄層を形成することができ、画像に濃度の濃い鋭い線が発生する現像ローラセット画像不良を回避し、画像濃度の安定した、高画質な画像を形成することが可能な、現像剤規制部材、現像装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method for a semiconductor which can shorten an operation time and lower manufacture cost by greatly decreasing the defect density of structure defects in the semiconductor layer, especially the density of penetration dislocation, without requiring complicated processes.例文帳に追加

煩雑な工程を必要とすることなしに、当該半導体層中の構造欠陥の欠陥密度、特に、貫通転位の転位密度を大幅に低減させることができるようにして、作業時間の短縮化を図ることができるとともに、製造コストを低減することのできる半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

This silicon wafer is a silicon wafer which is obtained from a silicon single crystal rod grown by doping with nitrogen by CZ method, has 2-12 μm defect-free layer depth after gettering heat treatment and after device production and heat treatment of silicon wafer and 1×108 to 2×1010 defects/cm3 internal fine defect density after gettering heat treatment and after device production and heat treatment.例文帳に追加

ＣＺ法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒から得たシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが２〜１２μｍであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が１×１０^８〜２×１０^１０ケ／cm^3であるシリコンウエーハ。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-quality silicon single crystal wafer and a silicon single crystal wafer, which can be appropriately used for forming the operating area of a semiconductor device, by eliminating a grown-in crystal defect over all the surface and internally forming the oxygen deposition bulk micro-defect (BMD) of density sufficient for presenting an IG effect.例文帳に追加

全面にわたってグローン・イン結晶欠陥がなく、かつ、内部にはＩＧ効果を発揮するために十分な密度の酸素析出バルク微小欠陥（ＢＭＤ）が形成されることにより、半導体素子の動作領域の形成に好適に用いることができる、高品質なシリコン単結晶ウエハを製造する方法およびシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic device which is free of density unevenness due to irregularity of electrostatic charging and an image defect such as a ghost image, whose electrophotographic receptor has long print-resisting life, and which can stably supply a copy image of high quality.例文帳に追加

帯電の不均一による濃度ムラやゴースト画像等の画像欠陥の発生がなく、電子写真感光体の耐印刷寿命が長く、高品質のコピー画像を安定して供給できる電子写真装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide an image correcting method for making an accurate image correction of a part requiring image correction by accurately detecting streak-like density unevenness that appears adjacent to a line defect of a photographed image, and a radiation imaging apparatus.例文帳に追加

撮影した画像の線欠陥に隣接して現れるスジ状の濃度むらを精度良く検出し、画像補正が必要な箇所に正確に画像補正することができる画像補正方法および放射線画像撮影装置を提供する。 - 特許庁

To provide a fixing device in which a fixing defect, such as density non-uniformity or image omission does not occur, by making a surface temperature of a fixing belt uniform in the peripheral direction and the lengthwise direction and by uniformly heating a toner image stuck on a surface of a sheet.例文帳に追加

定着ベルトの表面温度を周方向及び長手方向に均一とし、用紙表面に付着しているトナー像を均一に加熱して、濃度ムラ、画像ヌケ等の定着不良を発生させない定着装置を提供する。 - 特許庁

The crosslinked fluorocarbon resin particles are also excellent in light transmitting property, and even when the film thickness of a charge transporting layer is increased to further extend the life of the photoreceptor, the particles do not induce an image defect such as reduction in image density.例文帳に追加

加えて、架橋フッ素樹脂粒子は光透過性にも優れており、感光体のさらなる長寿命化のために、電荷輸送層の膜厚を大きくしても、画像濃度の低下等の画像欠陥を発生させることもない。 - 特許庁

To obtain an image forming apparatus capable of adjusting a distance from an exposure point to a transfer point and restraining the defect of image quality (density variation) associated with the speed variation of a photoreceptor, and an image quality adjusting method for the image forming apparatus.例文帳に追加

露光点から転写点までの距離を調整可能として、感光体の速度変動にともなう画質ディフェクト（濃度変動）を抑制可能な画像形成装置と、この画像形成装置における画質調整方法を得る。 - 特許庁

To establish a production method for producing a needle-like crystal of R_1Ba_2Cu_3O_7 and to produce the high quality needle-like crystal having a very low defect density.例文帳に追加

Ｒ_１Ｂａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７の針状結晶及びその有効な製造方法を確立し、極めて欠陥の少ない高品位針状結晶を製造して、未だ実現していない超伝導エレクトロニクス素子実用化への道を拓くことである。 - 特許庁

To provide a colored resin composition which suppresses a reduction in voltage retention of a liquid crystal and display defect due to a material which comes into indirect and direct contact with a liquid crystal layer while satisfying the demand for high transmission and high density.例文帳に追加

高透過、高濃度の要求を満たしつつ、液晶層と間接的、直接的に接触する材料に起因する液晶の電圧保持率低下ならびに表示不良を抑制した着色樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To suppress an occurrence of a crystal defect, an interface state density or the like at a main surface side of a semiconductor substrate in a method for manufacturing an element isolation in a semiconductor memory or a semiconductor arithmetic processing unit.例文帳に追加

本発明は半導体記憶装置や半導体演算処理装置における素子分離の製造方法に関し、半導体基板の主表面側における結晶欠陥や界面準位等の発生を抑制することを目的とする。 - 特許庁

To effectively prevent density variation of a solid image and an image defect such as fogging and also to prevent back staining of recording material even when image formation by an image continues whose pixel rate is low over a long term.例文帳に追加

長期間に亙って画素率の低い画像による画像形成が継続された場合でも、ベタ画像の濃度変動やカブリ等の画像不良の発生を効果的に防止するとともに、記録材の裏汚れをも良好に防止する。 - 特許庁

To provide a method of inspecting surface defects and an apparatus for inspecting surface defects for detecting defects stably, even when an image of an object to be inspected includes constant, periodic variations in density, and there is a defect therein.例文帳に追加

被検査物を撮像した画像が、ある一定の周期的な濃淡を有し、その中に欠陥があるような場合でも、欠陥を安定して検出できる表面欠陥検査方法および表面欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a III-V compound semiconductor crystal whose hole type defect density is low and which is free from composition separation, and a semiconductor device and a semiconductor laser having good electric conductivity, a light emission property and a rapid modulation property.例文帳に追加

空孔型欠陥密度が小さく、かつ組成分離のないIII−Ｖ族化合物半導体結晶、並びに良好な電気伝導性、発光特性及び高速変調特性を有する半導体デバイス及び半導体レーザの提供。 - 特許庁

Thus, when the developing unit 20Y is driven, positional relation between the drum 14 and the roll 54Y is kept normal, and the density irregularity of the image, fogging and the defect of image quality are prevented from occurring, whereby the stable image is obtained.例文帳に追加

これによって、現像器２０Ｙを駆動させたとき、感光体ドラム１４Ｙと現像ロール５４Ｙの位置関係が正常に保たれ、画像の濃度ムラ、かぶり、画質欠陥等の発生を防止することができ、安定した画像が得られる。 - 特許庁