「Defect Density」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a black toner improved in transfer efficiency while maintaining fixing performance and endurance characteristic upon the usage, and reduced in density difference between colors of full color image, which prevents occurrence of an image defect upon the transfer, and outputs an image having satisfactory reproducibility over a long term, and also to provide a method of manufacturing the same, and a process cartridge.例文帳に追加

定着性能、使用時の耐久特性を維持したまま、トナーの転写効率を向上させ、フルカラー画像の色間の濃度差を低減し、転写時に画像欠陥をなくし長期的に再現性の良い画像を出力するブラックトナー、その製造方法及びプロセスカートリッジを提供することを目的とする。 - 特許庁

A method for forming an SiC epitaxial layer 16 above an SiC substrate 10 and manufacturing a semiconductor element by implanting ions into the SiC epitaxial layer 16 and performing heat treatment includes a step of forming a gettering layer 13 having a higher defect density than the SiC substrate 10.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０上にＳｉＣエピタキシャル層１６を形成し、該エピタキシャル層１６にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記ＳｉＣ基板１０よりも欠陥密度の高いゲッタリング層１３を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a porous substrate used as a base substrate for growing GaN crystals, which enables epitaxial growth of GaN single crystals through a conventional crystal-growth process but with a smaller defect density than that of a conventional one, a substrate onto which a GaN semiconductor is mounted and their manufacturing processes.例文帳に追加

従来の結晶成長方法がそのまま適用可能で、かつ従来よりも大幅に欠陥密度の少ないＧａＮ単結晶のエピタキシャル成長を可能とするＧａＮ結晶成長用下地基板としての多孔質基板とその製造方法、ＧａＮ系半導体積層基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a carrier core material for an electrophotographic developer with resistance not varied greatly in a range from a low bias to a high bias, capable of controlling magnetization to prevent a carrier from being deposited, free from an image defect in a long period of use, and capable of obtaining a stable image density, the carrier, and the electrophotographic developer using the carrier.例文帳に追加

低バイアスから高バイアスまで抵抗が大きな変化をすることがなく、かつ磁化を制御可能とすることによって、キャリア付着が発生せず、長期間の使用において画像欠陥がなく安定した画像濃度が得られる電子写真現像剤用キャリア芯材、キャリア及び電子写真現像剤を提供すること。 - 特許庁

A relatively thick third semiconductor layer 14 of n-type gallium nitride having a thickness of approximately 100 μm and a crystal defect density higher than that of each layer 11, 12, 13 constituting the device structure 20 is bonded on the side of the second semiconductor layer 13 opposite to the emission layer 12.例文帳に追加

第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。 - 特許庁

To produce a polished substrate for a magnetic memory disk having small maximum projection roughness Rp, small waving Wa and enhanced flatness FT of the surface, freed of contaminants such as an abrasive slurry remaining after mechanical polishing and blotches of a detergent and capable of giving a defect-free high density magnetic memory disk.例文帳に追加

基板表面の最大突起粗さＲｐ、うねりＷａが小さく、向上した平坦度ＦＴをそなえ、機械的ポリッシュ加工により表面に残留した研磨スラリー、洗剤シミなどの汚れが除去されて、欠陥のない高密度化の磁気メモリーディスクを得ることを可能とする磁気メモリーディスク用ポリッシュ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a developing method by which an image of high quality having high image density at a solid part, no image damage (transfer omission, a fixation defect, etc.) due to carrier sticking, and good solid filling can be obtained by making large an area where a latent image is developed with toner by making the whole developer carrier contribute to development as a development area.例文帳に追加

現像剤担持体全体を現像領域として現像に寄与させることでトナーにより潜像が現像される領域を多くし、ソリッド部における画像濃度が高く、キャリア付着による画像ダメージ（転写抜けや定着不良等）がなく、且つベタ埋まりの良い高品位の画像を得ることができる現像方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mounting structure for a semiconductor element, wherein two semiconductor elements in arbitrary shapes can be mounted freely and at high density, it is possible to deal with high pin counts of the respective semiconductor elements, and a high speed can be realized by eliminating the defect of a conventional mounting structure in which a plurality of semiconductor elements are mounted on a board.例文帳に追加

１枚の基板に複数の半導体素子を実装する従来の実装構造の欠点を解消し、任意のサイズの２つの半導体素子を自由に高密度に実装でき、さらに、それぞれの半導体素子の多ピン化に対応することが可能であり、さらに高速化が可能な半導体素子の実装構造を提供する。 - 特許庁

To suppress sweeping, fogging, toner scattering, faulty cleaning and an image defect called vertical streaks of a deep color in an image forming method and an image forming unit by a nonmagnetic one-component jumping development system, and to provide an image forming method and an image forming unit in which neither density lowering under a shielding member nor toner deposition on the shielding member is caused.例文帳に追加

非磁性一成分ジャンピング現像方式における画像形成方法や画像形成ユニットにおいて、掃き寄せ、カブリ、トナー飛散、クリーニング不良、濃色縦スジと呼ばれる画像欠陥を改善し、遮蔽部材による濃度薄や遮蔽部材へのトナー付着を起こさない画像形成方法や画像形成ユニットを提供することにある。 - 特許庁

In the semiconductor multilayer film comprising an Si single crystal substrate, and an Si_1-XGe_X (0<X≤1) film formed thereon, the Si_1-XGe_X film is preferably formed by magnetron sputtering method such that the surface defect density on the Si_1-XGe_X film becomes 10^4/cm^2 or less.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板と、このＳｉ単結晶基板上に形成されたＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ（０＜Ｘ≦１）膜とを具えた半導体積層膜において、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜は好ましくはマグネトロンスパッタリング法で形成し、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜の表面欠陥密度が１０^４／ｃｍ^２以下となるようにする。 - 特許庁

To provide a nonmagnetic single component color toner which satisfies the optimum conditions relating to distribution of the toner particle size, which does not cause an image defect in an initial stage such as fog or cleaning failure, which suppresses increase in the particle size due to toner selection phenomenon in a life test for continuous printing, and which is free from a problem such as increase in the image density.例文帳に追加

トナー粒径分布に関しての最適条件を満足し、かぶりやクリーニング不良などの初期的な画像不良を生じることがなく、連続印字のライフテストにおいても、トナー選択現象による粒径の増大化を抑制し、画像濃度の上昇などの不具合がない非磁性一成分カラートナーを提供することを目的とする。 - 特許庁

The anneal wafer discrimination method is a method to discriminate wafers treated under not less than 1000 °C in reducing atmosphere in which a defect density in 5 μm of the wafer surface layer is not greater than 300/cm^2 and an average scattered light intensity is not greater than 300 (a.u) when measuring with laser wavelength of 680 nm.例文帳に追加

本アニールウェーハの判別方法は、１０００℃以上の還元雰囲気で熱処理するアニールウェーハの判別方法であって、アニールする前のウェーハが、６８０ｎｍのレーザ波長による測定で、ウェーハ表層５μｍ中に観察される欠陥密度が３００個／ｃｍ^２以下であり、かつ、平均散乱光強度が３００（ａ．ｕ）以下である。 - 特許庁

To provide an insulating resin composition having good flexibility of an insulating resin even when crosslink density of the resin is increased and excellent in insulating property with a circuit conductor when allowed to stand under high temperature and humidity without causing defect such as crack in the insulating resin, an adhesive for circuit boards and a circuit board using the composition and a method for producing the circuit board.例文帳に追加

樹脂の架橋密度を高めても絶縁樹脂の可撓性が良好であり、絶縁樹脂に割れなどの欠陥を生じさせることなく、高温・高湿雰囲気下に放置したときの回路導体との絶縁性に優れた絶縁樹脂組成物およびそれを用いた配線板用接着剤ならびに配線板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an artificial quartz crystal having low line defect density in order to solve the extreme difficulty in growing the artificial quartz crystal having the decreased line defects as the generation of growth progresses in the current growth method of using a Y rod or Z plate as the seed quartz crystal.例文帳に追加

現状のＹ棒またはＺ板を種水晶として用いる育成法では、育成の世代が進むにつれて線状欠陥の少ない人工水晶を育成することは非常に困難である．本発明は上記課題を解決するためになされたものであって線状欠陥密度の低い人工水晶を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the number of pixels each brightness value of which is over a specified separation threshold is smaller than a specified determination number, relative to pixels in an inspection domain by using the striped bright domain Db in a density image acquired by the imaging apparatus 3 as the inspection domain, an image processing device 4 determines to be a void defect wherein a void amount occupied in the inspection object is excessive.例文帳に追加

画像処理装置４は、撮像装置３により得られた濃淡画像のうち縞状明領域Ｄｂを検査領域とし検査領域内の画素について、輝度値が規定の分離閾値以上である画素の個数が規定した判定個数以下のときに、検査対象に占めるボイドの量が過剰であるボイド不良と判定する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor which can improve light efficiency of blue light by reducing the depth of a p-type impurity region to be introduced to isolate a photodiode and the surface of a silicon substrate, reduce a determination defect which may occur during an ion implantation process, and improve light characteristics by forming a high-density p-type impurity region.例文帳に追加

フォトダイオードとシリコン基板の表面との間の隔離のために導入されるＰ型不純物領域の深さを浅くしてブルー系の光の光効率を改善し、イオン注入時に生じる決定欠陥を抑制し、高濃度のＰ型不純物領域を形成することにより光特性を改善させるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Then the arithmetic processing unit compares mask pattern inspection data to the mask pattern image data so as to specify a defective portion of the mask pattern, generates positional information of the defective portion, and identifies a tendency of occurrence of the defect on the photomask, based on the positional information and the density information for the respective plurality of small regions.例文帳に追加

そして、前記演算処理部（２５）は、前記マスク検査用データ（１３）と前記マスクパターン画像データとを比較して前記マスクパターンの欠陥部分（Ｅ１〜Ｅ４）とし、前記欠陥部分（Ｅ１〜Ｅ４）の位置情報を生成し、前記位置情報と前記複数の小領域ごとの密度情報（［Ａ］〜［Ｃ］）とに基づいて、前記フォトマスクに発生する欠陥の発生傾向を特定する。 - 特許庁

To provide a method for jointing a ceramic powder molded product which does not need the high accuracy processing of the jointing surface of the molded product, has high jointing strength possible to process similarly to the molded product, and, before and after baking, can make the molded product having a jointing part of characteristics equivalent to a matrix material without a defect, density nonuniformity, etc.例文帳に追加

本発明は、成形体の接合面の高精度の加工が不要であり、成形体と同様の加工が可能な高強度の接合強度を有すると共に、焼成前及び焼成後において、欠陥や密度の不均一等が無い母材と同等の特性の接合部を有する成形体とすることのできるセラミックス粉末成形体の接合方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The black AlN-based ceramic contains an aluminum oxynitride (AlON) phase having lattice defect caused by the reaction of aluminum oxide with aluminum nitride when a powdery mixture consisting of 1-30 wt.% aluminum oxide and the balance being aluminum nitride is molded and sintered, comprises practically 2 phases of AIN and AION, has density 90% of the theoretical value and turns black.例文帳に追加

本発明の黒色ＡｌＮ系セラミックスは、１〜３０重量％の酸化アルミニウムと残部が実質的に窒化アルミニウムより成る混合粉体を成形・焼結し、焼結中に酸化アルミニウムと窒化アルミニウムとの反応により生じる格子欠陥を有するＡｌＯＮ相を含有し、実質ＡｌＮとＡｌＯＮの２相とから成り、密度が理論値の９０％以上で黒色を呈する。 - 特許庁

To enhance the reliability of automatic opening/closing of a platen by eliminating a defect such as a decrease in the precision of the automatic opening/closing of the platen, while satisfying the purpose of improving the easiness of the adjustment of a stop position of an FT lever; and to enhance the reliability of control for switching a printing speed and switching the setting of printing density by determining printing paper for use.例文帳に追加

本発明は、ＦＴレバーの停止位置調整の容易性向上の目的を満足しつつ、プラテン自動開閉の精度低下といった欠点をなくし、プラテン自動開閉の信頼性向上を図り、印刷速度の切り替えおよび使用印字用紙を判断し印字濃度の設定切り替えを実施する制御の信頼性向上を達成することを課題とする。 - 特許庁

To provide a technology related to a reversible thermal recording medium having a protective layer for well protecting the reversible thermal recording medium which obtains the favorable ground skin density of the surface of the reversible thermal recording medium, obtains favorable conveying properties with no sticking during thermal printing, and has no damage, a hit mark and a printing defect on the surface of the recording medium.例文帳に追加

良好な可逆性感熱記録媒体表面の地肌濃度を得ること、サーマル印刷時のスティッキング発生がない良好な搬送性を得ること、記録媒体表面の損傷、打痕や印字不良のないことなどの可逆性感熱記録媒体を良好に保護する保護層を有する可逆性感熱記録媒体に関する技術を提供することである。 - 特許庁

A surface layer 4, at least high in seed defect density, is removed in a first conductive silicon carbide epitaxial film 2 grown from the front surface of the first conductive silicon carbide single crystal substrate 1 by chemical vapor deposition method, and thereafter, a second conductive silicon carbide epitaxial film 3 is made to grow from the front surface of the silicon carbide epitaxial film 2, whose surface layer 4 is removed.例文帳に追加

化学気相蒸着法によって第１導電型の炭化珪素単結晶基板１の表面から成長させた第１導電型の炭化珪素エピタキシャル膜２における少なくとも種欠陥密度が高い表層４を除去した後、表層４を除去した炭化珪素エピタキシャル膜２の表面から第２導電型の炭化珪素エピタキシャル膜３を成長させる。 - 特許庁

To provide a solar cell of high energy conversion efficiency by reducing recombination of carrier by partially providing an insulating layer to a junction interface between a back electrode film and a semiconductor thin film which becomes a light absorbing layer, and by reducing defect density and improving carrier concentration by adding Ia group element or Vb group element to a partial insulating layer and diffusing it to the semicondcutor thin film.例文帳に追加

裏面電極膜と光吸収層となる半導体薄膜の接合界面に部分的に絶縁層を設けることによりキャリアの再結合を低減し、かつ部分的な絶縁層にＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を添加することにより半導体薄膜へ拡散させて、欠陥密度の低減やキャリア濃度の向上を行い、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method includes a step of providing a substrate provided with a pixel region and a circuit region located in the peripheral part of the pixel region; a step of forming a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, respectively on the pixel region and the circuit region; and a stage of increasing the lattice defect density of the first semiconductor layer surface, by selectively performing the surface treatment of the first semiconductor layer.例文帳に追加

画素領域及び前記画素領域の周辺部に位置する回路領域を備える基板を提供する段階と，前記画素領域及び前記回路領域上に第１の半導体層及び第２の半導体層を各々形成する段階と，前記第１の半導体層を選択的に表面処理して前記第１の半導体層表面の格子欠陷密度を増加させる段階と，を含む。 - 特許庁

To provide a method for producing a tungsten sputtering target having high density and fine crystal structure so far impossible to attain by the conventional pressure sintering method alone and also having greatly improved transverse rupture strength by the improvement of the sintering characteristics and manufacturing conditions of tungsten powder to be used, hereby suppressing the occurrence of particle defect on a sputter-deposited film, and stably manufacturing the tungsten target at a low cost.例文帳に追加

使用するタングステン粉末の焼結特性及び製造条件を改善することによって、従来の加圧焼結法だけでは達成できなかった高密度かつ微細結晶組織を有し、抗折力を飛躍的に高めたスパッタリング用タングステンターゲットを作成し、これによってスパッタリングによる成膜上のパーティクル欠陥の発生を抑え、同タングステンターゲットを低コストかつ安定して製造できる方法を得る。 - 特許庁

To provide a high-resistivity silicon wafer that has high resistance optimum for manufacturing a diode for high frequencies, secures defect density caused by the deposition of oxygen required for gettering, can effectively suppress the generation of oxygen donors in a device heat-treatment process, has sufficient mechanical strength, and dispenses with the formation of a recombination center in a high specific-resistance layer when manufacturing the diode for high frequencies.例文帳に追加

高周波用ダイオードの作製に最適な高抵抗なものであり、ゲッタリングに必要な酸素析出起因欠陥密度が確保され、デバイス熱処理工程での酸素ドナーの発生を効果的に抑制でき、十分な機械的強度を有し、高周波用ダイオードを作製する場合に高比抵抗層における再結合中心を形成する必要がない高抵抗率シリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus that prevents an image defect which is caused owing to deterioration in a cleaning device to fail to obtain an excellent image without replacing an image carrier when electrostatic latent images are formed on at least one or more image carriers and developed with developers of different colors to form an image and a toner which has a different coloring density range is used for at least one of the colors.例文帳に追加

少なくとも一つ以上の像担持体上に静電潜像を形成し、該静電潜像を異なる色の現像剤で現像して画像を形成し、少なくとも一色については着色濃度域が異なるトナーを用いる場合、クリーニング装置が劣化して画像不良になり、像担持体を交換しなければ良好な画像が得られなくなることに対して、画像不良にならないようにする画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A bonding pad is formed on part of the translucent ohmic electrode layer, and a current block layer is provided between the translucent ohmic electrode layer and the high defect density part of the p-type layer, the bonding pad being disposed above the current block layer.例文帳に追加

該ｐ型層は、高欠陥密度部と、該高欠陥密度部よりも欠陥密度の低い低欠陥密度部とを有しており、透光性オーミック電極層が、該ｐ型層の該高欠陥密度部上から該低欠陥密度部上にわたって形成されており、ボンディングパッドが、該透光性オーミック電極層上の一部に形成されており、該透光性オーミック電極層と該ｐ型層の該高欠陥密度部との間には電流ブロック層が設けられており、該ボンディングパッドは該電流ブロック層の上方に配置されている。 - 特許庁