「Diamond type」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a light-emitting device achieving improved luminous efficiency in a boron-doped diamond layer (p-type diamond layer) by suppressing the outflow of a hole existing in the boron-doped diamond layer and emitting ultraviolet rays and visible rays having high brightness.例文帳に追加

ホウ素ドープダイヤモンド層（ｐ形ダイヤモンド層）に存在する正孔の流出を抑制して、ホウ素ドープダイヤモンド層での発光効率を向上させ、高輝度の紫外線や可視光線を発する発光素子を提供する。 - 特許庁

The thermionic cathode is equipped with an n-type diamond layer as an electron emission substance on a surface of a substrate, and the n-type diamond layer includes a layer containing a transition metal element on its surface layer part.例文帳に追加

基体の表面上に電子放出物質としてｎ型ダイヤモンド層を備え、該ｎ型ダイヤモンド層がその表層部に遷移金属元素を含有する層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The surface layer 1d has a diamond type carbon structure or amorphous carbon structure containing hydrogen.例文帳に追加

表面層１ｄは、水素を含有するダイヤモンド状カーボン構造もしくは非晶質カーボン構造である。 - 特許庁

The diamond layer 5 has a function of reflecting a propagated pseudo longitudinal wave type leaky surface acoustic wave.例文帳に追加

ダイヤモンド層５は、伝播した擬似縦波型漏洩弾性表面波を反射する機能を有している。 - 特許庁

To provide an n-type semiconductor film of diamond that can be practically used for an electronic element by improving the efficiency of doping a diamond semiconductor film with a group V element.例文帳に追加

ダイヤモンド半導体膜へのＶ族元素のドーピング効率を向上させて、電子素子への実用に供することが可能なダイヤモンドのｎ型半導体膜を提供する。 - 特許庁

Thereby, when a high potential higher than that of the n-type diamond layer 3 is applied to a gate electrode 4, electrons present at an energy level of the lower end of a conduction band of the n-type diamond layer 3 easily reaches the surface 3a.例文帳に追加

これにより、ゲート電極４にｎ型ダイヤモンド層３より高い電位が与えられると、ｎ型ダイヤモンド層３の伝導帯下端のエネルギー準位に存在する電子が表面３ａに容易に達する。 - 特許庁

A capacitor composed of a structure of a p-type diamond (13), a fluoride (14), a PZT (15) and a metal (16) is also provided.例文帳に追加

更に、ｐ型ダイヤモンド（１３）／フッ化物（１４）／ＰＺＴ（１５）／金属（１６）構造からなるキャパシタを提供する。 - 特許庁

The boron-doped diamond thin film shows the characteristics of typical type II superconductor from a magnetization-magnetic field curve.例文帳に追加

このホウ素ドープダイヤモンド薄膜は、磁化−磁場曲線より典型的な第二種超電導体の性質を示した。 - 特許庁

FILM OF SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL OF N-TYPE (100) FACE-ORIENTED DIAMOND DOPED WITH PHOSPHORUS ATOM AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法 - 特許庁

Two pieces of the columnar diamond are provided on the roof type form dresser, both shoulder parts working at the time of dressing are made of the columnar diamond, and the other central part is made of the sintered alloy.例文帳に追加

屋根形のフォームドレッサでは、２本の柱状のダイヤモンドを設け、ドレッシング時に作用する両肩部を柱状ダイヤモンドとし、その他の中央部分は焼結合金にする。 - 特許庁

To provide a diamond semiconductor device oriented to a (100) face with an n-type single crystal diamond semiconductor film, oriented to the (100) face into which phosphorous atoms have been doped.例文帳に追加

本発明は、リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜を備えた（１００）面方位を有するダイヤモンド半導体デバイスを提供することを課題とする。 - 特許庁

The aegagropila-like carbon is made of a globular fine particle, comprising diamond oxide carrying a catalyst, and a carbon nano tube radially grown from the diamond oxide or coin laminated type carbon nano graphite.例文帳に追加

マリモカーボンは、触媒を担持した酸化ダイヤモンドと、この酸化ダイヤモンドから放射状に成長したカーボンナノチューブ又はコイン積層型カーボンナノグラファイトとで球状の微粒子で成っている。 - 特許庁

A pair of the scissors is ground with a belt type grinding paper of a main body by attaching the diamond abrasive grinding paper on the clip type grinder 1, mounting a motor and a pulley on the main body and drawing a pair of the scissors by holding it by placing a blade on the diamond abrasive grinding paper provided with a radius groove.例文帳に追加

クリップ型の研磨機１にダイヤ研磨研紙を貼り付け、本体にモーターとプーリーを取り付け、Ｒ形状の溝を設けたダイヤ研磨研紙に刃を当てて、鋏を挟んで引き、本体のベルト式研磨研紙によって鋏を研ぐ。 - 特許庁

To provide an electroconductive diamond electrode which is made by using a thin film of electroconductive diamond and a thick substrate, is more inexpensively made than an independence type electroconductive diamond electrode, besides, has a sufficient mechanical strength so as to be capable of being used in zero-gap type electrolysis, and can smoothly and stably supply water and exhaust a gas for a long period of time without delay.例文帳に追加

導電性ダイヤモンドの薄膜と厚い基材を用い、自立型導電性ダイヤモンド電極よりもコストが安く、しかも、ゼロギャップ電解に使用できるよう機械的強度を十分に有し、かつ、水供給・ガス排出を滞りなく長期間、安定に動作することのできる導電性ダイヤモンド電極の提供。 - 特許庁

HIGH PERFORMANCE SUPER HIGH PRESSURE CUTTING TOOL OF BRAZING TYPE COMPOSED OF DIAMOND GROUP SUPER HIGH PRESSURE SINTERED COMPACT AND SUBSTRATE HARD METAL例文帳に追加

ダイヤモンド基超高圧焼結体と下地超硬合金とからなるろう付けタイプの高性能超高圧切削工具 - 特許庁

To provide a film of a semiconductor single crystal of n-type (100) face-oriented diamond doped with a phosphorous atom, and a process for producing the film.例文帳に追加

リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

It becomes possible to take a screw diameter of a diamond bit part shank of female type engagement large to the maximum and to provide a coolant supply port on the maximum outer peripheral part by machining the diamond bit part shank in female type engagement and machining a shank part main body in male type engagement.例文帳に追加

ダイヤモンドビット部シャンクを雌状かんごう加工し、シャンク部本体を雄状かんごう加工することによって、雌状かんごうであるダイヤモンドビット部シャンクのネジ径を最大限大きく取る事が可能になり、最大限外周部に冷却剤供給口を設けることが可能となる。 - 特許庁

To provide a method for producing a diamond particle dispersion type metal-matrix composite material of superior quality, by reducing damage to diamond particles in the production process through using a discharging plasma sintering method.例文帳に追加

放電プラズマ焼結法を利用することにより、製造過程でのダイヤモンド粒子のダメージを少なくし、品質の優れたダイヤモンド粒子分散型金属基複合材料を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A surface layer 16 composed of a hydrogen terminal diamond layer formed by hydrogen adsorbed on a surface of the diamond layer 13 is arranged and installed at a position corresponding to a flat panel type emitter 1E.例文帳に追加

平面型のエミッタ１Ｅに対応する位置には、ダイヤモンド層１３の表面に水素が吸着することにより形成された水素終端ダイヤモンド層からなるの表面層１６が配設される。 - 特許庁

A high-resistivity semiconductor diamond film 5 having a carrier concentration of 1015 cm-3 or less is provided on an insulator diamond crystal substrate 1, low-resistivity semiconductor diamond films 2a, 2b each having a carrier concentration of 1020 cm-3 or more are provided so as to sandwich that film 5, and the semiconductor diamond films 5, 2a, 2b have the same conductivity type.例文帳に追加

絶縁体ダイヤモンド結晶基板１上にキャリア濃度を１０^15ｃｍ^-3以下の高抵抗率な半導体ダイヤモンド薄膜５を設け、これを挟むようにキャリア濃度が１０^20ｃｍ^-3以上の低抵抗率な半導体ダイヤモンド薄膜２ａ及び２ｂを設け、半導体ダイヤモンド薄膜５、２ａ及び２ｂの伝導型を同じにする。 - 特許庁

An n type semiconductor diamond having more excellent characteristics can be produced by maintaining a substrate temperature at ≥800°C.例文帳に追加

また基板温度を８００℃以上に保持することでさらに特性の良好なn型半導体ダイヤモンドの製造が可能になる。 - 特許庁

CARBON OXIDE THIN FILM, CARBON OXYNITRIDE THIN FILM AND DIAMOND-LIKE CARBON OXIDE THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THESE CARBON OXIDE TYPE THIN FILMS例文帳に追加

酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜とこれら酸化炭素系薄膜の製造方法 - 特許庁

The diamond polycrystal which has a thermal conductivity of 300 W/mK or less and which is composed of ≥95 mass% diamond is obtained by directly converting a non-diamond type carbon raw material under ultrahigh pressure and ultrahigh temperature without adding a sintering aid and a catalyst.例文帳に追加

非ダイヤモンド型炭素原料を超高圧・超高温下で焼結助剤や触媒の添加なしに直接変換して得られる９５質量％以上がダイヤモンドからなる多結晶体であり、熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることを特徴とするダイヤモンド多結晶体。 - 特許庁

To provide a sensor using a boron, carbon and nitrogen type membrane having a wide potential window equaling diamond, and an electrochemical device.例文帳に追加

ダイヤモンドに匹敵する広い電位窓を有するホウ素炭素窒素系薄膜を用いたセンサーおよび電気化学装置を提供すること - 特許庁

To provide a low-resistance n-type semiconductor diamond doped with lithium and nitrogen, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

リチウムをドープしたダイヤモンドに関し、リチウムと窒素をドープした低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An electrode 6 for applying the electric field to the light emitting layer together with the electrode 5 is formed on the p-type semiconductor diamond layer 3.例文帳に追加

更にまた、ｐ型半導体ダイヤモンド層３上に、電極５と共に発光層に電界を印加する電極６を形成する。 - 特許庁

A wheel type diamond brush 1 is constituted by radially implanting bristles of the brush in a cylindrical base part, and rotates around the rotational axis L1.例文帳に追加

ホイール型ダイヤモンドブラシ１は、円筒状の基部にブラシの毛が放射状に植えられて構成され、回転軸線Ｌ１のまわりに回転する。 - 特許庁

To provide an n-type semiconductor diamond of low resistance which can be formed by comparatively few processes, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

抵抗が低く、且つ比較的少ない工程によって形成することが可能なｎ型半導体ダイヤモンド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electron source that works at a room temperature, by using only an injection of current into an n-type diamond semiconductor having a negative electron affinity.例文帳に追加

負の電子親和力を持つｎ型ダイヤモンド半導体への電流注入のみを用いて、室温動作する電子源を提供する。 - 特許庁

To provide a surface covered cemented carbide cutting tool with a diamond type carbon coat of a plasma CVD demonstrating excellent abrasion resistance.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ成膜のダイヤモンド状炭素被膜がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。 - 特許庁

To provide a high performance super high pressure cutting tool of a brazing type composed of a diamond group super high pressure sintered compact and a substrate hard metal.例文帳に追加

ダイヤモンド基超高圧焼結体と下地超硬合金とからなるろう付けタイプの高性能超高圧切削工具を提供する。 - 特許庁

This electron emission device 10 includes a metal electrode 12, an electron injection layer 14, and an electron emission layer 16 made from n-type diamond.例文帳に追加

電子放出デバイス１０は、金属電極１２と、電子注入層１４と、ｎ型ダイヤモンドからなる電子放出層１６とを有する。 - 特許庁

To provide a current injection type pumped ultraviolet light emitting element providing a peak intensity of the FE light emission higher than a band- A light emitting peak intensity using a high quality high-pressure synthetic single crystal diamond and a gas phase synthetic single crystal diamond.例文帳に追加

ＦＥ発光のピーク強度がｂａｎｄ−Ａ発光ピーク強度よりも高い電流注入励起紫外線発光素子を、高品質の高圧合成単結晶ダイヤモンドと気相合成単結晶ダイヤモンドを用いて提供する。 - 特許庁

To provide a superior n-type diamond electron emitting element and an electronic device capable of being constructed thin and flat, having a smaller threshold voltage for electron emission, and allowing effective use of the negative electron affinity force of diamond.例文帳に追加

薄型化及び平板化が可能で電子放出のしきい値電圧が小さく、ダイヤモンドの負の電子親和力を効果的に利用することのできる優れたｎ型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイスを提供する。 - 特許庁

This alumina type grinding wheel or diamond type grinding wheel for removing the bonding material adhering to the spent sputtering target has 30-48% abrasive grain rate, 7-15% binder rate, and 45-63% porosity.例文帳に追加

砥粒率が３０〜４８％、結合剤率が７〜１５％、気孔率が４５〜６３％であるアルミナ系砥石またはダイヤモンド系砥石で、使用済みスパッタリングターゲットに付着する接合材を除去する。 - 特許庁

This grinding wheel 3 is constituted by molding and firing a material of mixing powder of anatase type titanium dioxide TiO_2 with a diamond abrasive grain and a binder.例文帳に追加

砥石３は、ダイヤモンド砥粒および結合剤にアナターゼ型二酸化チタンＴｉＯ_2 の粉末を混合したものを成形・焼成することにより構成されている。 - 特許庁

To provide an electric field emission type cold cathode using a diamond film which is possible to make high electron emission in low electric field and operates stably for a long term.例文帳に追加

低電界において高電子放出が可能であり、かつ長時間安定動作する、ダイヤモンド膜を用いた電界放出冷陰極を提供する。 - 特許庁

The piezoresistor uses, as a semiconductor material, diamond having p-type semiconductor characteristics, at least part of whose surface termination is hydrogen-terminated.例文帳に追加

半導体材料として、表面の終端の少なくとも一部が水素終端とされたｐ型半導体特性を持つダイヤモンドを用いることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor material may be GaN semiconductor, AlN semiconductor, SiC semiconductor, diamond type semiconductor, etc. and uses a mixed crystal semiconductor including InGaN semiconductor, AlGaN semiconductor, etc.例文帳に追加

また、混晶半導体であるＩｎＧａＮ系半導体、ＡｌＧａＮ系半導体なども、本実施形態において使用される半導体材料に含まれる。 - 特許庁

The polycrystal diamond to be used in molding the scribing wheel 50 is obtained by conversion-sintering a graphite-type carbon material with a fine crystal grain texture or amorphous substance as a starting substance directly into diamond under superhigh pressures and temperatures.例文帳に追加

また、スクライビングホイール５０の成形に用いられる多結晶体ダイヤモンドは、微細な結晶粒組織、または非晶質を有するグラファイト型炭素物質を出発物質として、超高圧高温下で直接的にダイヤモンドに変換燒結されたものである。 - 特許庁

Centering by a diamond grindstone 12 shown in (b) of Fig. 1 is taken place after a curve generator process by a cup type diamond grindstone 2 shown in (a), then a coating process indicated in (c) is performed to form a coating film D1 on a side circumferential face T1 of a workpiece W1.例文帳に追加

図１の（ａ）に示すカップ型ダイヤモンド砥石２によるカーブジェネレータ工程の次に、（ｂ）に示すダイヤモンド砥石１２によるセンタリングを行ない、続いて、（ｃ）に示す塗り工程を行ないワークＷ_1 の側周面Ｔ_1 に塗装膜Ｄ_1 を形成する。 - 特許庁

The surface of a flat homoepitaxial diamond film of low surface level density grown on a diamond (111) single-crystal substrate by a vapor-phase growing method using carbon hydride is terminated with oxygen atoms by boiling and washing processing using mixed acid, processing using oxygen plasma, or atmospheric annealing to obtain p-type surface conductive oxygen-terminated (111) diamond.例文帳に追加

ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、ｐ型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。 - 特許庁

To provide a process for synthesizing a diamond-like carbon film which can be synthesized at a low cost and can be applied, in a uniform thickness, onto a member having a surface of a given shape, and a process for synthesizing the diamond-like carbon film having a p- or n-type conductivity.例文帳に追加

低コストで合成でき、任意形状の表面を有する部材にも均一な厚さで被覆することができるダイヤモンド状炭素膜の合成方法並びにｐ型及びｎ型の導電性を有するダイヤモンド状炭素膜の合成方法を提供する。 - 特許庁

The n-type semiconductor diamond contains Li and N in an amount of ≥10 ppm, respectively, at the same depth from the crystal surface and has a sheet resistance of ≤10^7 Ω/square.例文帳に追加

本発明のｎ型半導体ダイヤモンドは、ＬｉとＮが結晶表面から同じ深さにそれぞれ１０ｐｐｍ以上含有しており、シート抵抗が１０^７Ω／□以下である。 - 特許庁

In summer all the Imperial members, court nobles, and the children wore kome ori (a type of silk gauze) with mie dauski (a diamond-shaped pattern), for the older people, they wore light blue and light yellow, the elderly people with white silk fabric. 例文帳に追加

夏は皇族・貴族・童のすべてがこめ織（紗の一種）の三重襷（菱文の一種）となり、若年は濃二藍、年を追って縹・浅黄となり、老人は白平絹。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス