「G Pad」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The density (g/cc) of the polishing layer in the polishing pad is determined to be within the range from 0.3 to 0.7 (g/cc).例文帳に追加

研磨層の密度（ｇ／ｃｃ）が、０．３（ｇ／ｃｃ）以上、０．７（ｇ／ｃｃ）以下に規定されている研磨パッド。 - 特許庁

An electrode pad G for grounding is connected to an electrode pad 11, to which a ground line is connected via routing wiring.例文帳に追加

接地用の電極パッドＧは、引き回し配線を介して、接地ラインが接続される電極パッド１１に接続されている。 - 特許庁

The weight of the planted cotton yarn 3W per pad area is 0.12-0.19 g/cm^2.例文帳に追加

植毛された綿糸３Ｗのパッド面積当たりの重量を、０．１２〜０．１９ｇ／ｃｍ^２にする。 - 特許庁

Furthermore, an electrode pad G is connected to a conductive polymer film 7c (cathode).例文帳に追加

また、電極パッドＧは導電性高分子膜７ｃ（陰極）にも接続されている。 - 特許庁

A mesh grid wiring 30 which connects the G pad 28 and a terminal pad 58 is also formed on the protrusion 52, and there are no conductors connected with a mesh grid electrode 24 under the G pad 28, therefore that part is available for another wiring.例文帳に追加

しかも、Ｇパッド２８と端子パッド５８とを接続するメッシュ・グリッド配線３０も凸部５２上に設けられ、そのＧパッド２８の下側にはメッシュ・グリッド電極２４に接続される導体は存在しないため、その部分を他の配線に利用し得る。 - 特許庁

In the method of polishing a glass substrate through polishing of the major surface of the glass substrate while feeding a polishing slurry into the interspace between the glass substrate and a pad surface of a polishing pad 6, the polishing load of the polishing pad is controlled in the range of 1 to 60 g/cm^2.例文帳に追加

ガラス基板と研磨パッド６のパッド表面との間に研磨スラリーを供給してガラス基板の主表面を研磨するガラス基板の研磨方法であって、研磨パッドの研磨荷重を１〜６０ｇ／ｃｍ^２とする。 - 特許庁

Two opposed pad return portions 10c and 10c for elastically pushing a pair of lug parts 6b and 6b of the friction pad 6 are arranged so that the center of gravity G of the friction pad 6 is arranged on a virtual line IL straightly connecting both the pad return portions 10c and 10c to each other.例文帳に追加

摩擦パッド６の一対の耳片６ｂ，６ｂを弾発する対向する２つのパッド戻し部１０ｃ，１０ｃは、両パッド戻し部１０ｃ，１０ｃを直線状に繋ぐ仮想線ＩＬ上に摩擦パッド６の重心Ｇが位置するように配置される。 - 特許庁

A space 21 opened on the inner circumferential side is formed in a cover frame 2 slidably and detachably engaged with the guide shaft G on the outside of it, and a pad 3 including a chemical component such as a lubricating component or a rust-proofing component is contained in the space 21, so that the pad 3 gets in contact with the surface of the guide shaft G.例文帳に追加

ガイド軸(G) に対して摺動自在に且着脱自在に外嵌するカバーフレーム(2) に内周側に開放する空間(21)を形成し、この空間(21)内に潤滑成分又は防錆成分等の薬剤成分を保有したパッド(3) を収容してこのパッド(3) を前記ガイド軸(G) の表面に接触させるようにしたこと。 - 特許庁

A setting member 151 includes each pellet P electrodeposited with diamond abrasive grains G, for example, on the polishing pad contact part side.例文帳に追加

目立て用部材１５１は、研磨パッド接触部側に例えばダイヤモンド砥粒Ｇを電着した各ペレットＰを含む。 - 特許庁

Gate voltage is given to the gate G of the IGBT element 2 from a common gate terminal through a gate pad 3 and a gate resistor 4.例文帳に追加

ＩＧＢＴ素子２のゲートＧには、ゲートパッド３およびゲート抵抗４を介して、共通のゲート端子からゲート電圧が与えられる。 - 特許庁

Lastly, a pad D group 56 is moved to rise in the separating direction, thereby separating the central part 4 of the glass substrate G from the adsorbed sheet 22.例文帳に追加

そして最後に、パッドＤ群５６を剥離方向に上昇移動させ、ガラス基板Ｇの中央部４を吸着シート２２から剥離する。 - 特許庁

A bonding point F on a bonding pad 11 is connected to a bonding point G of a terminal 5 by a bonding wire 8.例文帳に追加

ボンディングパッド１１上のボンディング点Ｆとターミナル部５上のボンディング点Ｇとはボンディングワイヤ８により結線されている。 - 特許庁

The cushion layer for the polishing pad is made of a cross-linked polyolefin based resin foam having an apparent specific gravity of 0.10 to 0.60 g/cm^3.例文帳に追加

研磨パッド用クッション層は、見かけ比重が０．１０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の架橋型ポリオレフィン系樹脂発泡体からなる。 - 特許庁

The pad 18 is formed of rubber having a friction factor different from that of the tread rubber 22 and extended over a tire ground contact end G to the internal part of a ground contact surface.例文帳に追加

このパッド１８は、トレッドゴム２２とは摩擦係数の異なるゴムよりなり、タイヤ接地端Ｇを越えて接地面内に延在している。 - 特許庁

A gap G is formed between an inner periphery of the through hole 13 of the set screw main body 1 and an outer periphery of the cylindrical projection 20 of the pad 2.例文帳に追加

セットスクリュー本体１の貫通孔１３の内周とパッド２の筒状突起２０の外周との間に間隙Ｇを形成する。 - 特許庁

The aperture part is irradiated with carbon dioxide gas laser 8 like (f), and a pad-shaped solder resist aperture part 9 is obtained like (g).例文帳に追加

図１（ｆ）のように、炭酸ガスレーザ８を照射して、図１（ｇ）のように、パッド形状のソルダーレジスト開口部９を得る。 - 特許庁

The contact positions E, F, G and H of the cleaning roller 35 coming into contact with the cleaning pad 63 are changed by a position-varying means.例文帳に追加

清掃パッド６３に当接するクリーニングローラ３５の当接位置Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈは位置変更手段で変えられる。 - 特許庁

At this time, the washing is preferably executed under such conditions under which p×t attains a range of 2,000 to 15,000 when the pressure of the pad is defined as p (g/cm2) and the washing time as t (sec).例文帳に追加

このとき、パッドの圧力をｐ(g/cm^2) 、洗浄時間をｔ(sec) としたとき、ｐ×ｔが２０００〜１５０００の範囲となる条件が望ましい。 - 特許庁

In a grounding pad 7, grounding wires 4D and 5D for the blocks 4, 5 are connected in parallel with the ground G.例文帳に追加

また、グランド用パッド７は、各ブロック４，５のグランド用配線４Ｄ，５ＤをグランドＧに対して並列に接続する。 - 特許庁

The connector 1 has the signal terminals S and ground terminals G connected to pads formed on a board, the length of a contact section 11 with the pad of the signal terminal S is shorter than a contact section 12 with the pad of the ground terminal G.例文帳に追加

本発明に係るコネクタ１は、基板上に形成されたパッドに接続する信号端子Ｓ及びグランド端子Ｇを備え、前記信号端子Ｓの前記パッドとの接触部１１の長さが、前記グランド端子Ｇの前記パッドとの接触部１２より短い。 - 特許庁

A substrate positioning mechanism in a pass unit (PASS_L) for carry-in positions the substrate G using an X-direction pressing pad 146X in a conveying direction (X direction) or positions the substrate G using a Y-direction pressing pad 146Y in the width direction (Y direction) orthogonal to the conveying direction (X direction).例文帳に追加

搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ_Ｌ）内の基板位置決め機構は、搬送方向（Ｘ方向）ではＸ方向押圧パッド１４６Ｘを用いて基板Ｇを位置決めするとともに、搬送方向（Ｘ方向）と直交する幅方向（Ｙ方向）ではＹ方向押圧パッド１４６Ｙを用いて基板Ｇを位置決めする。 - 特許庁

The wires R, G transmit sounds for right ear to a horn 2R while those L, G transmit for left ear to a horn 2L contacts 5, 6 are provided in the left ear pad 3L.例文帳に追加

配線はＬ、Ｒ、Ｇの３本であり、Ｇが共通線となり、右耳への音声は配線Ｒと配線Ｇによってホーン２Ｒに伝送され、左耳への音声は配線Ｌと配線Ｇによってホーン２Ｌに伝送される。 - 特許庁

Subsequently, a pad B group 52 for sucking and holding the edge part 2 of the glass substrate G is moved to rise in the separating direction, thereby separating the edge part 2 of the glass substrate G from the suction sheet 22.例文帳に追加

次に、ガラス基板Ｇの縁部２を吸着保持するパッドＢ群５２を剥離方向に上昇移動させ、ガラス基板Ｇの縁部２を吸着シート２２から剥離する。 - 特許庁

A pad A group 50 for adsorbing and holding the corner part 1 of the glass substrate G is moved to rise in the separating direction, thereby separating the corner part 1 of the glass substrate G from the adsorbed sheet 22.例文帳に追加

そして、ガラス基板Ｇの角部１を吸着保持するパッドＡ群５０を剥離方向に上昇移動させ、ガラス基板Ｇの角部１を吸着シート２２から剥離する。 - 特許庁

On a part of the lower edge part 24a, a pad 6 for jaw is formed which extends below the jaw part G from the lower edge part 24a while the mask is worn and can be brought into contact with the jaw part G from the lower side.例文帳に追加

下縁部分２４ａの一部には、マスクの着用状態において下縁部分２４ａから顎部Ｇの下方に延びて、下方から顎部Ｇに当接可能である顎当て用パッド６が形成されている。 - 特許庁

There is provided a grinding pad packaged item in which a grinding pad is packaged with a gas barrier film having an oxygen transmittance of 2 cc/m^2 day or less and water vapor transmittance of 2 g/m^2 day or less.例文帳に追加

研磨パッドが酸素透過率２ｃｃ／ｍ^２・ｄａｙ以下、かつ水蒸気透過率２ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下のガスバリア性フィルムで梱包されている研磨パッド梱包物。 - 特許庁

In this continuous-type polishing device 10, a polishing pad 28 of a polishing machine 16 is connected to a rotating/revolving mechanism, and the rotating/revolving mechanism rotates and revolves the polishing pad 28 to polish a glass plate G.例文帳に追加

連続式研磨装置１０において、研磨機１６の研磨パッド２８を、自転公転運動機構に連結し、この自転公転運動機構によって研磨パッド２８を自転公転運動させながらガラス板Ｇを研磨する。 - 特許庁

The fixing device includes: a support member 617 for supporting a peeling pad 64; and a spring member (not shown in the figure) for pushing the peeling pad 64 in a direction indicated in an arrow G in the figure.例文帳に追加

定着装置は、剥離パッド６４を支持する支持部材６１７と、剥離パッド６４を図中矢印Ｇに示す方向に押圧するばね部材（不図示）とを備えている。 - 特許庁

A contact terminal 50 g is provided with a projecting part 50 g to be fitted to any one of recessed parts 26 on a contact pad part 27 of a card 20 when the card 20 is loaded, and this projecting part 50 g is functioned as a stopper for blocking the load of the card when the card is erroneously inserted while inverting the front and the rear.例文帳に追加

カード２０が装填された際に前記カード２０の接触パッド部２７の凹部２６の何れかに嵌まり込む凸部５０ｇをコンタクト端子５０に設け、この凸部５０ｇをカードが前後を逆にして誤挿入されたときのカード挿入阻止のためのストッパとして機能させる。 - 特許庁

A glass substrate G as a workpiece is held by the upper surface plate 50 and the lower surface plate 60, and the glass substrate G is ground by the grinding pad 10 by relatively moving the glass substrate G, and the upper surface plate 50 and the lower surface plate 60 to each other.例文帳に追加

被研削物としてのガラス基板Ｇが上定盤５０及び下定盤６０で狭持され、ガラス基板Ｇと上定盤５０及び下定盤６０とを相対的に移動させることでガラス基板Ｇが研削パッド１０により研削加工される。 - 特許庁

There are provided a polishing pad obtained by cleaning by solvent a polishing pad containing 0.1 to 50 mass% of a water-soluble substance having 1 g/100 g or more solubility into water at 25°C, and a polishing method for polishing a polished material by using the polishing pad.例文帳に追加

２５℃での水への溶解度が０．１ｇ／１００ｇ以上である水溶性物質を０．１〜５０質量％含有する研磨パッドを溶剤で洗浄することにより得られる研磨パッドおよびそれを用いて被研磨物を研磨する研磨方法により上記課題が解決される。 - 特許庁

In the high frequency parts 1 where a required electrode out of a plurality of electrodes formed in a lamination 2 is taken as a ground electrode g and an auxiliary pad 6 for mounting which is mechanically joined to a circuit board is provided in the center of a mounting surface, the ground electrode g and the auxiliary pad 6 for mounting are made conductive through a through hole 20.例文帳に追加

積層体２の内部に形成された複数の電極のうち、所要の電極をグランド電極ｇとすると共に、実装面の中央に回路基板と機械的に接合される実装用補助パッド６を備えた高周波部品１において、前記グランド電極ｇと実装用補助パッド６とをスルーホール２０を介して導通させた。 - 特許庁

In the method of mounting the conductive balls 4, the conductive balls 4 are mounted on the pad 1 of a substrate 10, and then an adhesive roller 5 is rolled on the substrate 10 by providing a gap G larger than the diameter of the conductive balls 4 and smaller than the double of the diameter against the pad 1.例文帳に追加

基板１０のパッド１上に導電ボール４を搭載した後、基板１０上に粘着ローラ５をパッド１との間に導電ボール４の直径より大きくかつ該直径の２倍より小さな隙間Ｇを空けて転動させることを特徴とする導電ボール４の搭載方法である。 - 特許庁

The die pad 12 and a base part 26 of the die pad lead 20 has its upper surface in the same plane as with the upper surface of the lead terminal (non-soldered joint surface), with its thickness being smaller than that of the lead terminal by a thickness G for resin-sealing of the resin sealing body.例文帳に追加

ダイパッド１２及びダイパッドリードの基部２６は、その上面がリード端子の上面（非半田接合面）と同じ面内にあって、かつ厚さがリード端子の厚さより樹脂封止体の樹脂封止に要する厚さＧだけ薄い。 - 特許庁

Glass substrates 1 are moved in a lateral direction by a transferring device 2, guided in parallel grooves Y, Y' arranged at a ceiling surface pad 9 and a bottom surface pad 10 in a box main body 4 and further guided in a lateral direction and guided in vertical grooves G in side pads 11.例文帳に追加

ガラス基板１は搬送装置２によって横方向に移動され、ボックス本体４内の天井面パッド９及び底面パッド１０に設けられた平行溝Ｙ，Ｙ’内に誘導され、更に横方向に移動され、側面パッド１１の縦溝Ｇ内に誘導される。 - 特許庁

A glass plate G is sucked and fixed to a table 2 after a defect is detected on the surface of the glass plate G by a detecting means 4, and the position of the defect D detected by the detecting means 4 and its surrounding area are polished by a polishing pad 34 having a smaller outer form size than that of the glass plate G, so that the defect D is removed without an entire polishing to be made.例文帳に追加

検出手段４によりガラス板Ｇ表面の欠陥を検出した後にガラス板Ｇをテーブル２へ吸着固定し、ガラス板Ｇの外形サイズよりも小さい外形サイズの研磨パッド３４により検出手段４により検出された欠陥Ｄの位置とその周囲を研磨することにより、全面研磨せずとも欠陥Ｄを除去する。 - 特許庁

The front gather G is positioned at the crotch part and in front thereof so that the diaper deforms matching a shape of the crotch part or the outline of the urine pad 8 to elastically fit on the crotch part.例文帳に追加

このフロントギャザーＧは着用者の股間部およびその前方に位置して、おむつが股間部の形状または尿取りパッド８の外形に合わせて変形し、股間部に弾性的にフィットできる。 - 特許庁

In this case, the electrode pad of a grand electrode B of the semiconductor chip 5 and a lead terminal 7(G) that is connected to a substrate to be a ground potential are connected.例文帳に追加

このとき、半導体チップ５のグランド電極Ｂの電極パッドと、基板に接続されて接地電位とされるリード端子７（Ｇ）とが接続される。 - 特許庁

This composition for a chemical mechanical polishing pad comprises: (A) a polymer containing 1,2-polybutadiene, (B) a water-soluble substance, (C) carbon black having an iodine adsorptive amount of 200 mg/g or less, and (D) a crosslinker.例文帳に追加

化学機械研磨パッド用組成物は、（Ａ）１，２−ポリブタジエンを含む重合体、（Ｂ）水溶性物質、（Ｃ）ヨウ素吸着量が２００ｍｇ／ｇ以下のカーボンブラックおよび（Ｄ）架橋剤を含有する。 - 特許庁

Two parallel circuit boards 10, 10' are disposed with a fixed space (g), and catalyst nucleus forming layer 26 for selectively growing the nano-wires 14 are provided on pad surfaces with contact pads 12a, 12a' facing those 12b, 12b'.例文帳に追加

平行な２つの回路基板１０，１０′を一定の間ｇを空け、接触パッド１２ａ，１２ａ′及び１２ｂ，１２ｂ′が対向するよう配置してナノワイヤ１４を選択的に成長させる触媒核形成層２６をパッド表面に設ける。 - 特許庁

Then, a pad C group 54 is moved to rise in the separating direction, thereby separating a part 3 inside the edge part 2 of the glass substrate G from the suction sheet 22.例文帳に追加

次いで、パッドＣ群５４を剥離方向に上昇移動させ、ガラス基板Ｇの縁部２よりも内側に位置する部分３を吸着シート２２から剥離する。 - 特許庁

When the finger is rotated with a curve trajectory (g) after being moved with a linear trajectory (b) in a first function area 16 of an input surface of an input pad 7, a vertical scroll operation is continued.例文帳に追加

入力パッド７の入力面の第１の機能領域１６で指を直線軌跡（ｂ）で移動させた後に、曲線軌跡（ｇ）で回転させると、縦方向のスクロール動作を継続する。 - 特許庁

A polishing pad is provided, which has micro rubber A hardness of 80 degrees or higher, the number of independent air bubbles is 150-2,500 (number/mm2), density is 0.6-0.95 (g/cm3), and equilibrium water-absorption factor is 5% or higher.例文帳に追加

マイクロゴムＡ硬度が８０度以上で、かつ独立気泡数が１５０〜２５００（個／ｍｍ^2）の範囲で、かつ密度が０．６〜０．９５(g/cm^3)の範囲で、かつ平衡吸水率が５％以上であることを特徴とする研磨パッド。 - 特許庁

In the terminal stage of the rolling 4, it is transfered from the tooth profile- binding groove 10 to the escape groove 11 with the shifting motion of the backup roller 4, and the pad section is cut with the cutting roller 22 without binding the side surface of the tooth profile G.例文帳に追加

転造末期に至ったならばバックアップローラ４のシフト動作により歯形拘束溝１０から逃げ溝１１に切り換え、歯形Ｇの側面を拘束することなく切断ローラ２２にて余肉部を切断する。 - 特許庁

The cam 28 is fixed, at a position where a position vector (r) toward the center of gravity G of the unit part from the shaft 15b becomes substantially parallel to the center-of-gravity direction, when the vertex 28a of its projecting part comes into contact with the center of the friction pad 30.例文帳に追加

カム２８は、その凸部の頂点２８ａがフリクションパッド３０の中心に接するときに、軸１５ｂからユニット部の重心Ｇへ向かう位置ベクトルｒと重力方向がほぼ平行となる位置で固定される。 - 特許庁