「In film」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In a protective film and the reflection film between which an organic dyestuff is interposed, a heat transfer quantity from the protective film side is made more than the heat transfer quantity from the reflection film side.例文帳に追加

また、有機色素を挟持する保護膜と反射膜において、保護膜側からの熱移動を反射膜側からの熱移動よりも大とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of the film with a metallic film in which the metallic film and a desired part to be electrically connected to the metallic film can be easily and electrically connected.例文帳に追加

金属膜と該金属膜と導通させたい箇所とを容易に導通させうる金属膜付フィルムの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A conductive polarizing film of the present invention has a support film, an organic dye film, a silicon nitride layer, and a transparent conductive film in this order.例文帳に追加

支持フィルム、有機色素膜、窒化ケイ素層、および透明導電膜をこの順に有することを特徴とする、導電性偏光フィルム。 - 特許庁

In this method, a gate insulating film 13 of the MOS transistor is formed by a film obtained by laminating the film 12 and the film 16.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３は、酸化膜１２とトンネル絶縁膜１６が積層された膜によって形成される。 - 特許庁

The film 104, the film 103 and the film 102 are selectively etched using the film 105 as a mask and a groove 110 is formed in the substrate 101.例文帳に追加

第２Ｓｉ酸化膜をマスクとして灰化保護膜、ＤＬＣ膜、第１のＳｉ酸化膜を選択エッチングし、Ｓｉ基板に溝１１０を形成する。 - 特許庁

A via hole 7 which reaches the Al film 3 is shaped in the TiN film 6, the first Ti film 5 and the second SiO2 film 4.例文帳に追加

次いで、ＴｉＮ膜６、第１のＴｉ膜５及び第２のＳｉＯ_2膜４にＡｌ膜３まで達するビアホール７を開口する。 - 特許庁

The film thickness of the thin film coil 24 is made thicker than that of the thin film coil 21 in the first layer so that the coil resistance of the whole thin film coils 21 and 24 can be reduced.例文帳に追加

薄膜コイル２４を１層目の薄膜コイル２１よりも厚くすることにより、薄膜コイル２１，２４全体のコイル抵抗を小さくする。 - 特許庁

The method further comprises the steps of then dipping the film in an etching liquid, etching the film to a desired depth, then separating the protective film of gold, and cutting the film to obtain the AT cut crystal substrate.例文帳に追加

次にエッチング液に浸漬し、所望の深さまでエッチングした後、金の保護膜を剥離し、切断して、ＡＴカット水晶基板を得る。 - 特許庁

In the method for forming film pattern, droplets containing a film component are discharged to a predetermined film formation region on the substrate 1 and the film pattern is formed.例文帳に追加

膜成分を含有した液滴を、基板１上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法である。 - 特許庁

To provide a film-forming method or the like by which film-forming can be carried out easily and uniformly in forming a thin film by a plasma film-forming method.例文帳に追加

プラズマ成膜法により薄膜を形成する際に、容易に均一に成膜することができる成膜方法等を提供する。 - 特許庁

To deposit a transparent conductive film keeping film uniformity in the film deposition and having excellent quality of film thickness uniformity, transparency and resistance.例文帳に追加

成膜時の膜均一性を保持し、膜厚均一性、透明度、抵抗値などの品質に優れた透明導電膜を作製することを目的とする。 - 特許庁

To provide film forming equipment and a method for controlling film thickness, which can form the thin film while controlling film thickness in high accuracy.例文帳に追加

高精度に膜厚を制御して薄膜を成膜することのできる成膜装置及び膜厚制御方法を提供する。 - 特許庁

When the film having its image read is not a negative film, the cover 151 is opened and the film is conveyed along the cover and is stored in a film storage part 12.例文帳に追加

画像読み取り後のフイルムがネガフイルム以外の場合、蓋１５１が開けられその蓋に沿ってフイルム収容部１２に収容される。 - 特許庁

To minimize occurrence of peeling of a film on the interface of the film, or leakage between adjacent interconnects in an interlayer insulating film having film quality regions different from each other.例文帳に追加

相異なる膜質領域を有する層間絶縁膜において、膜界面における膜剥れや隣接配線間リークの発生を抑制する。 - 特許庁

A film 12 having the same composition as that of a ferrorelectric film 12F and different crystallinity from that of the film 12F is formed in the vicinity of the film 12F.例文帳に追加

強誘電体膜１２Ｆの近傍に、前記強誘電体膜１２Ｆと同一組成であって結晶性が異なる膜１２を形成する。 - 特許庁

PRODUCTION OF BIAXIALLY ORIENTED FILM, FILM PRODUCED THEREBY, AND USE OF THE FILM IN SMD FILM CAPACITOR例文帳に追加

２軸延伸フィルムの製造方法および当該製造方法により製造されたフィルムならびに当該フィルムのＳＭＤフィルムコンデンサ—への使用 - 特許庁

As a result, while the oxidizing rate of the oxide film is highly maintained to a certain degree, both the in-plane uniformity of the oxide film and the characteristics of the film quality of the oxide film are raised.例文帳に追加

これにより、酸化レートをある程度高く維持しつつ、酸化膜の面内均一性と膜質の特性を共に向上させる。 - 特許庁

After the SiN film 21, the mask 19 and the Si film 20 are removed, a SiO2 film 23 is formed on the entire surface, and the SiO2 film 23 is removed only in the upper part of the cylinder.例文帳に追加

SiN膜21、マスク19およびSi膜20を除去した後、SiO_2膜23を全面に形成し、円柱の上部のみSiO_2膜23を除去する。 - 特許庁

To provide a film deposition device capable of forming a film of intended film thickness without irregularity in film thickness by using a method different from conventional one.例文帳に追加

従来とは異なった方法で、膜厚にばらつきが無くかつ所望の膜厚の膜を形成することが可能な成膜装置を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LAMINATED FILM, METHOD OF DETECTING DEFECT IN LAMINATED FILM, DETECTOR FOR DETECTING DEFECT OF LAMINATED FILM, LAMINATED FILM, AND IMAGE DISPLAY例文帳に追加

積層フィルムの製造方法、積層フィルムの欠陥検出方法、積層フィルムの欠陥検出装置、積層フィルム、及び画像表示装置 - 特許庁

To provide a film thickness measuring apparatus and a film thickness measuring method capable of accurately measuring temporal changes in the film thickness of an film-like object to be measured.例文帳に追加

膜状の測定対象物の膜厚の時間変化を精度良く測定することが可能な膜厚測定装置、及び膜厚測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer in which the diffusion of a metal component of a metal plating film formed on a barrier metal film from the metal plating film into an interlayer insulating film is prevented.例文帳に追加

バリアメタル膜上に形成される金属めっき膜から、その金属成分が層間絶縁膜に拡散することを防止すること。 - 特許庁

When maintaining flatness of the substrate for film deposition, the stress direction of the film is opposite to the stress direction in the film-deposited face of the substrate for film deposition.例文帳に追加

成膜用基板の平坦度の維持を目的とする場合、膜の応力方向と、成膜用基板の成膜面での応力方向とを逆方向とする。 - 特許庁

To suppress increase in the film thickness of a base oxide film which is formed on the interface between a gate insulation film and a silicon substrate, when forming the gate insulation film having high dielectric constant.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜を形成する際に、シリコン基板との界面に形成されるベース酸化膜の増膜を抑制する。 - 特許庁

In the metal film transfer film for the electronic component, a release agent layer and the metal film are formed in this order on the plastic film, and a film thickness of the metal film is 500-30,000 angstrom.例文帳に追加

プラスチックフィルム上に離型層および金属膜がこの順に成膜された構造を有しており、 該金属膜の膜厚が５００〜３００００オングストロームであることを特徴とする電子部品用金属膜転写フィルムである。 - 特許庁

In forming an oxidized film on the surface of the Al film and patterning an ITO film, the erosion of the Al film is prevented and the Al oxidized film/the ITO film exhibit the function as antireflection films in the pixel electrodes 66.例文帳に追加

また、Ａｌ膜の表面に酸化膜を形成しておき、ＩＴＯ膜をパターニングする際、Ａｌ膜が侵されるのを防止し、かつ、画素電極６６では、Ａｌ酸化膜／ＩＴＯ膜が反射防止膜としての機能を発揮させる。 - 特許庁

After a barrier film 40 is formed on a plug 39, a silicon nitride film 41 and a silicon oxide film 42 are formed in order in an silicon oxide film 34, and a hole 43 is formed by etching the silicon oxide film 42 and the silicon nitride film 41.例文帳に追加

プラグ３９上にバリア膜４０を形成後、シリコン酸化膜３４上にシリコン窒化膜４１、シリコン酸化膜４２を順次堆積し、シリコン酸化膜４２およびシリコン窒化膜４１をエッチングして孔４３を形成する。 - 特許庁

To inhibit increase in film thickness calculated in terms of the film thickness of a silicon oxide film as the whole gate insulating film and to constitute an ultrathin gate insulating film containing an insulating film having a high dielectric constant as its main component.例文帳に追加

ゲート絶縁膜全体として、シリコン酸化膜換算膜厚の増加を抑制し、高誘電率を有する絶縁膜を主体とした極薄ゲート絶縁膜を構成すること。 - 特許庁

Over the whole face of a thin film main surface in the semiconductor single crystal thin film, a plurality of film thickness measurement points 211 are decided, and in each of the film thickness measurement points 211, a film thickness of the semiconductor single crystal film is measured by an FT-IR and the like.例文帳に追加

半導体単結晶薄膜の薄膜主表面の全面に渡って複数の膜厚測定点２１１を定め、個々の膜厚測定点２１１において半導体単結晶薄膜の膜厚をＦＴ−ＩＲ等により測定する。 - 特許庁

Next, the difference in film thickness between a thin film formed, without installing the film thickness correction guide rod 8 and a thin film formed by installing only a piece of the film thickness correction guide rod 8, i.e., the width of decrease in the film thickness is measured (step S3).例文帳に追加

次に、膜厚補正ガイド棒８を設置することなく形成された薄膜と、膜厚補正ガイド棒８を１本だけ設置して形成した薄膜との膜厚の差、すなわち、膜厚の減少幅を測定する（ステップＳ３）。 - 特許庁

A capacitor film in which a first electrode film, a dielectric film, a second electrode film are laminated is arranged on the first surface and the conductive film of the support substrate in a directional state that the second conductive film is put on the side of the support substrate.例文帳に追加

第１の電極膜、誘電体膜、及び第２の電極膜が積層されたキャパシタ膜が、第２の電極膜が支持基板側になる向きで支持基板の第１の表面及び導電膜上に配置されている。 - 特許庁

In the display device provided with a thin-film transistor which has a microcrystalline semiconductor film, a gate insulating film in contact with the microcrystalline semiconductor film, and a gate electrode overlap with each other, an antioxidant film is formed on the surface of the microcrystalline semiconductor film.例文帳に追加

微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜に接するゲート絶縁膜と、ゲート電極とが重畳する薄膜トランジスタを備えた表示装置において、微結晶半導体膜の表面に酸化防止膜が形成されている。 - 特許庁

In the gate insulating film, the drain side is composed of a silicon oxide film 9 of one layer, and the source side is composed of an insulating film of three layers in which a silicon oxide film 7, a silicon nitride film 8, and a silicon oxide film 9 are laminated.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、ドレイン側が１層の酸化シリコン膜９で構成され、ソース側が酸化シリコン膜７と窒化シリコン膜８と酸化シリコン膜９とを積層した３層の絶縁膜で構成される。 - 特許庁

The film thickness correction mechanism is composed of a first film thickness distribution correction plate and a second film thickness distribution correction plate, and the second film thickness distribution correction plate goes in and out from the particle shielding region of the first film thickness distribution correction plate in the process of film deposition.例文帳に追加

膜厚補正機構は第一の膜厚分布補正板と第二の膜厚分布補正板からなり、製膜中に第一の膜厚分布補正板の粒子遮蔽領域から第二の膜厚分布補正板が出入りする。 - 特許庁

There plurality of dielectric films include a nitride film SIN and an oxide film SIO on the nitride film, and a charge trap distribution in the film thickness direction of a laminated layer consisting of the nitride film and the oxide film localizes in the region around a structure transition layer formed between the nitride film and the oxide film.例文帳に追加

この複数の誘電体膜が、窒化膜ＳＩＮと、当該窒化膜上の酸化膜ＳＩＯとを含み、窒化膜と酸化膜とからなる積層膜内の膜厚方向における電荷トラップ分布が、当該窒化膜と酸化膜との間に形成された構造遷移層を中心とした領域に局在している。 - 特許庁

The film thickness t_1 of the Si film 11 and the film thickness t_2 of the silicon nitride film 12 are present within a range X formed by sequentially connecting points A1 to A36 listed in Table 1, in Fig.1 that shows the relationship of the film thickness t_1 of the Si film and the film thickness t_2 of the silicon nitride film.例文帳に追加

Ｓｉ膜１１の膜厚をｔ_１、窒化ケイ素膜１２の膜厚をｔ_２としたとき、Ｓｉ膜の膜厚ｔ_１と窒化ケイ素膜の膜厚ｔ_２との関係を表す図１において、（ｔ_１、ｔ_２）が表１で表される点Ａ１〜Ａ３６を順次直線で結んで形成される範囲Ｘ内にあることを特徴とする。 - 特許庁

In the optical fiber pigtail 1, a chrome thin film, a chrome-copper alloy thin film, a copper thin film and a gold thin film, or the chrome thin film, the copper thin film, a nickel thin film and the gold thin film are laminated at least in this order on the side of a covering elimination part of the optical fiber.例文帳に追加

光ファイバピグテイル１において、光ファイバの被覆除去部側面にクロム薄膜、クロム−銅合金薄膜、銅薄膜、金薄膜もしくは、クロム薄膜、銅薄膜、ニッケル薄膜、金薄膜を少なくともこの順で薄膜を形成する。 - 特許庁

A BPSG film (interlayer insulating film) 15 for flattening is formed on the thin film resistor 14 and the USG film 13, and contact holes 16, 18 are formed in the BPSG film and in the USG film for exposing the connecting portion of the thin film resistor 14 and a portion for connecting the thin film resistor.例文帳に追加

そして、薄膜抵抗体１４およびＵＳＧ膜１３上に平坦化用のＢＰＳＧ膜（層間絶縁膜）１５を形成し、薄膜抵抗体１４の接続部およびその薄膜抵抗体と接続する部分を露出させるためのコンタクト孔１６、１８をＢＰＳＧ膜およびＵＳＧ膜に形成する。 - 特許庁

In addition, because of small number of layers in the antireflection film, neither cracking nor peeling occurs in the antireflection film.例文帳に追加

更に、反射防止膜の層数が少ないため、反射防止膜にクラックや剥離が生じることもない。 - 特許庁

In particular, in unstructured image areas in film mode images, a film mode is not reliably detected.例文帳に追加

特に、フィルムモードの不規則な画像領域では、確実にフィルムモードが検出できない。 - 特許庁

To provide a surface protection film excellent in rigidity of the film, and excellent also in cutting performance even in a transverse direction thereof.例文帳に追加

フィルムの剛性と、横方向においても、切断性に優れる表面保護フィルムを提供する。 - 特許庁

In addition, the relation between the haze value and the film thickness satisfies (formula 1) H/T<0.55 wherein H: haze value in % and T is film thickness in μm.例文帳に追加

Ｈ／Ｔ ＜ ０．５５ （式１） Ｈ：ヘイズ値（％） Ｔ：膜厚（μｍ） - 特許庁

To prepare a film excellent in heat resistance and rigidity, and excellent in optical characteristics even in a thin film.例文帳に追加

耐熱性、剛性に優れ、薄膜であっても光学特性に優れたフィルムを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the retardation film has a process of stretching a cellulose-based resin film in a width direction of the film in a range of 1.5 to 2.0 times and contracting the film in a longitudinal direction of the film in a range of 0.5 to 0.7 times.例文帳に追加

本発明の位相差フィルムの製造方法は、セルロース系樹脂フィルムを、該フィルムの幅方向に１．５〜２．０倍の範囲で延伸させ、該フィルムの長手方向に０．５〜０．７倍の範囲で収縮させる工程を含む。 - 特許庁

To apply a coating soln. to a film uniformly in the lateral direction thereof even if there is the distribution of tension in the film as seen in a film during film formation process in a floatation type film coating apparatus.例文帳に追加

浮上方式のフィルムの塗布装置において、製膜中のフィルムのようにフィルムに張力の分布があっても幅方向に均一に塗布できるフィルムの塗布装置。 - 特許庁