「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a circulator in which transmissivity characteristics of received and outputted high frequency signals and isolation characteristics between the input and the output are stable and uniformized in the input and the output.例文帳に追加

入出力される高周波信号の透過特性および入出力間のアイソレーション特性が安定であり、各入出力で均一であるサーキュレータを提供すること。 - 特許庁

In addition, the mask pattern is removed, and a semiconductor layer is epitaxially regrown from the surface of the semiconductor substrate around the element isolation dielectric that projects from the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

さらにマスクパターンを除去し、半導体基板表面から突出する素子分離絶縁膜の周囲に、半導体基板表面から半導体層をエピタキシャルに再成長させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that can obtain superior electric characteristic by improving the end-part shape of an element diffusion layer in contact with an element isolation insulating film.例文帳に追加

素子分離絶縁膜に接する素子拡散層の端部形状を改善することにより、優れた電気的特性を得ることを可能とした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, a changeover SW 19 is switched to an amplification mode side to obtain sufficient isolation even when no electric power is applied to the two-way AMP 1.例文帳に追加

これにより、切換ＳＷ１９が増幅モード側に切り換えられていて、双方向ＡＭＰ１において電源が印加されない場合でも十分なアイソレーションを得ることができるようになる。 - 特許庁

To improve the isolation characteristic of a micro-relay driven by the electrostatic attraction, and to prevent a movable contact from being attracted to a grounding contact.例文帳に追加

本発明は静電引力によって駆動されるマイクロリレーに関し、アイソレーション特性の向上を図ると共に、可動接点がグランド接点へ粘着することを防止することを課題とする。 - 特許庁

Since the isolation of the input of each mixer can be enhanced, the production of LO leakage and the return loss or the like can be suppressed to attain high performance at a low cost.例文帳に追加

これにより、各混合器の入力のアイソレーションを改善することができるため、ＬＯリークやリターンロス等の発生を抑制して高性能化を可能にし且つ低コスト化を可能にする。 - 特許庁

The LOCOS film is divided into the element isolation layer and a highly thickened part for composing the end of the gate oxide film by partially etching the LOCOS film exposed by the etching of the conductive film.例文帳に追加

導電膜のエッチングによって露出したＬＯＣＯＳ膜を部分的にエッチングしてＬＯＣＯＳ膜を素子分離層とゲート酸化膜の端部を構成する高膜厚部とに分割する。 - 特許庁

The semiconductor device has an element isolation region 14 formed on an SOI substrate 10, an n-p-n type bipolar transistor 200 and a p-type field-effect type transistor 100.例文帳に追加

半導体装置は、ＳＯＩ基板１０の上に形成された、素子分離領域１４と、ｎｐｎ型のバイポーラトランジスタ２００と、ｐ型の電界効果型トランジスタ１００と、を有する。 - 特許庁

On the semiconductor, source lines are formed so as to sandwich an element isolation insulation film in a first direction as a longitudinal direction and a second direction perpendicular to the first direction.例文帳に追加

半導体基板上には、第１方向を長手方向として且つ第１方向と直交する第２方向において素子分離絶縁膜を挟むように形成されるソース線が形成される。 - 特許庁

On the other hand, not only a trench isolation film 12 is loaded in the trench of the peripheral voltage withstanding structure 20b but also p^+region 6 is formed on a bottom of the trench closest to the active region.例文帳に追加

一方、周辺耐圧構造部２０ｂのトレンチには、トレンチ絶縁膜１２が充填されるとともに、活性領域に最も近いトレンチの底部にはｐ^+領域６が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit which is formed in an SOI layer and in which an element isolation region can be formed without deteriorating performance of a transistor, and to provide a method for manufacturing the circuit.例文帳に追加

トランジスタの性能を劣化させることなく素子分離領域を形成することができるＳＯＩ層に形成された半導体集積回路及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve isolation characteristics between high-frequency terminals by preventing the leak of a signal between the high frequency terminals when mounting a lead terminal type high-frequency relay.例文帳に追加

リード端子型の高周波リレーを実装する際に、高周波端子間の信号の漏れ込みを防止するようにして、高周波端子間のアイソレーション特性を向上することができるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, as well as, its manufacturing method, which can suppress deterioration in the drain current characteristics caused by increasing the thickness of the gate insulating film near an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域近傍のゲート絶縁膜の膜厚が増すことによるドレイン電流特性の劣化を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an inter-device isolating region, which enables a complete embedding of a trench without a void in inter-device isolation by STI and enables shortening of the processing time.例文帳に追加

ＳＴＩによる素子間分離において、ボイドが無く完全にトレンチを埋め込むことができ、処理時間の短縮化を図ることができる素子間分離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a movement amount restriction device which exhibits a base isolation function and minimizes damage to an upper structure in an expected earthquake and strong wind.例文帳に追加

想定した地震時や強風時等には免震機能が発揮されると共に、上部構造物の被害を最小限に抑えることができる移動量規制装置及び構造物を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which large stress is not applied to a substrate and which has an element isolation region formed of a buried oxide film where no void is formed.例文帳に追加

基板に大きな応力が加わることがなく、ボイドの形成されない埋め込み酸化膜により形成された素子分離領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same solving the problem of prior art removing a liner nitride film of an element isolation film in a PMOS (P-channel Metal Oxide Semiconductor) region.例文帳に追加

ＰＭＯＳ領域における素子分離膜のライナー窒化膜の除去を行う従来技術による問題を解決した半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide products for tissue dissociation, obtaining isolation results improved in yield, viability and integrity of the cells, a method of production thereof; and to provide use thereof.例文帳に追加

細胞の収量、生存性および完全性に関して改善された単離結果が得られるような、組織解離用の生成物、その製造方法および使用を利用できるようにすること。 - 特許庁

To provide an air gap structure for electrically isolating between an element and a wire of a semiconductor device with which an element isolation region can be formed by a simple method, and to provide a method of forming the structure.例文帳に追加

簡便な方法で素子分離領域を形成できる、半導体装置の素子や配線間を電気的に分離するためのエアギャップ構造体及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method capable of accelerating conversion of polysilazane in an element isolation groove into an oxide film (SiO_2), and improving film quality (an electrical characteristic or permittivity) of an insulating film.例文帳に追加

素子分離溝内のポリシラザンの酸化膜（ＳｉＯ２）化を促進し、絶縁膜の膜質（電気的特性や誘電率）を向上することのできる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a substrate (for example, a P-type semiconductor substrate 3) and an element isolation region 2 isolating an element formation region 1 formed on the substrate from other regions.例文帳に追加

半導体装置１００は、基板（例えば、Ｐ型半導体基板３）と、基板に形成され素子形成領域１を他の領域と分離する素子分離領域２と、を有している。 - 特許庁

To provide the seismic isolation unit which can be manufactured easily and cheaply while the structure is supported effectively to a large scale earthquake and also a minor scale earthquake.例文帳に追加

大規模の地震に対しては勿論のこと、中小規模の地震に対しても構造物を効果的に免震支持できる上に、容易、安価に製造できる免震装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a reverse current in a boundary without forming a deep isolation structure formed between a diode region and an IGBT region.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間に形成される分離構造を深くすることなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 78 of the transistor is formed on a surface of a semiconductor substrate 62 via an insulating film 75, and then a p-type impurity is ion-implanted to form an element isolation region 65.例文帳に追加

半導体基板６２の表面に絶縁膜７５を介してトランジスタのゲート電極７８を形成し、続いて、ｐ型の不純物をイオン注入して素子分離領域６５を形成する。 - 特許庁

To improve impurity concentration distribution of an element isolation region formed at a deep position of a semiconductor substrate or a photoelectric conversion element, by using a commercially available ion implantation device.例文帳に追加

一般的に市販されているイオン注入装置を用いて、半導体基板の深い位置に形成される素子分離領域または光電変換素子の不純物濃度分布を改善する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 of a P type, for example, includes a P+ type element isolation region 12 adjoining an N--type semiconductor layer 11, and an LOCOS insulating film 13 covering it.例文帳に追加

例えばＰ型の半導体基板１０には、Ｎ−型の半導体層１１と隣接するＰ＋型の素子分離領域１２と、それを覆うＬＯＣＯＳ絶縁膜１３が形成されている。 - 特許庁

To secure the safety of passengers and prevent damage to equipment such as an elevator car by avoiding the stop the elevator car at a base isolation structure part greatly quaking when earthquake occurs.例文帳に追加

地震発生時にエレベータの乗りかごを揺れの大きい免震構造部へ停止することを避けることで、乗客の安全確保と、乗りかご等の機器の損傷を防止すること。 - 特許庁

To provide a time-domain switching type base isolation device capable of coping with vertical shaking as well as large/small earthquakes, from that of short period to long period, with reduced cost and environment load.例文帳に追加

短周期から長周期までの大小の地震動や上下動に対応可能で、コストや環境負荷を低減することができる時間領域切替型免震装置を提供する。 - 特許庁

When a liquid leakage occurs, the leaked liquid easily infiltrates into the mesh (hole) 14 of the isolation-insulated core body and smoothly short circuits between the conductors 11, and thus the detection becomes easy.例文帳に追加

漏液が生じれば、絶縁隔離芯体の網目（孔）１４内に容易に漏液は染み込んで導体１１間をその漏液でもって円滑に短絡させるため、検知が容易なものとなる。 - 特許庁

To perform an accurate vibration test by offsetting vibration coupled to the test vibration in an active vibration isolation device having a function of applying the test vibration to a supporting object.例文帳に追加

被支持体へ試験振動を付加する機能を有するアクティブ除振装置において、その試験振動に連成する振動を相殺し、正確な振動試験を行えるようにする。 - 特許庁

To provide a vibration isolation joint capable of easily establishing two requirements compatibly, one to transmit a large torque and the other to suppress generation of a torsional vibration over a wide range of rotating speed.例文帳に追加

大きなトルクを伝達できるとともに広範囲な回転数領域にわたって捩じり振動の発生を抑制できることを容易に両立し得る防振継手を提供する。 - 特許庁

To provide a base-isolated structure which can surely perform base isolation by utilizing a liquefaction phenomenon regardless of the quality of ground, and furthermore which can be executed in a simpler structure.例文帳に追加

液状化現象を利用した免震を、地盤の質にかかわらず確実に行うことができ、なおかつより簡単な構造で行うことができる免震構造物を提供する。 - 特許庁

That is, image data of first lines of each of colors are stored in the page memory 81 with a shift by the number of lines calculated on the basis of the isolation distance of adjacent photoreceptor drums and a resolution.例文帳に追加

すなわち、各色の第１ラインの画データが、隣り合う感光体ドラムの離間距離と解像度とに基づいて算出されたライン数分だけ、ずれてページメモリ８１に記憶させている。 - 特許庁

To provide a rolling bearing type base isolation device capable of discharging only invading water without discharging rust prevention oil and of preventing poor operation due to rust of the rolling bearing.例文帳に追加

防錆油が排出されることなく、浸入した水のみを排出することができて、転がり支承の錆による作動不良を防止することができる免震装置を提供する。 - 特許庁

In a first process, the first substrate 103 and second substrate 100 are stuck and bonded together so that the functional region 106 and second isolation layer 115 come into contact with each other.例文帳に追加

第１の工程では、第１の基板１０３と第２の基板１００とを、機能性領域１０６と第２の分離層１１５とが接触する様に貼り合わせて接合する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device fabrication method which enables a reduction in internal stress yielded when forming element isolation while suppressing such a disadvantage as variation in a threshold voltage.例文帳に追加

しきい値電圧がばらつくなどの不都合を抑制しながら、素子分離形成時に発生した内部応力を緩和することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Another portion of the isolation area 16 having no P-type bottom separation area 18 in the vicinity of the bottom does not part the N-type shallow well areas 14 of both sides.例文帳に追加

一方、Ｐ型の底部分離領域１８を底部近傍にもたない他の一部の素子分離領域１６は、両側のＮ型の浅いウェル領域１４を分断していない。 - 特許庁

In this isolation valve 50, a stopper part 63 formed on a spring bearing 60 is applied to a bearing part 64 formed in an outside cylinder wall 51A, so that move of the valve element 58 downward is regulated.例文帳に追加

縁切り弁５０は、ばね受６０に形成されたストッパ部６３と、外側円筒壁５１Ａに形成された受部６４とを当接させることで、弁体５８の下方への移動を規制できる。 - 特許庁

To solve a problem that in an interlayer isolation film of SiOCH film, which is a low dielectric constant film, O_2 ashing resistance is low since a CH_3 group is contained in the film, and adhesion with a SiO_2 film is also low.例文帳に追加

低誘電率膜であるＳｉＯＣＨ膜の層間絶縁膜は、膜中にＣＨ３基が含まれるためにＯ２アッシング耐性が低く、ＳｉＯ２膜との密着性も低い。 - 特許庁

Vibration isolation materials 7 are fitted in an inserted state in a plurality of respective mounting members 6 fixed at a body bottom plate 5 and inserted through respective openings 4a of a pedestal 4 on which the compressor 2 is placed.例文帳に追加

本体底板５に固定されている複数の取付部材６に対して、防振材７を嵌挿し、さらに圧縮機２が載置されている台座４の開口部４ａを通す。 - 特許庁

As the cement-based wall, a reinforced concrete block or PC concrete panel is usable, and the wall is supported by and fixed to the steel structure by use of a steel coil spring as a base isolation material.例文帳に追加

セメント系壁体として補強コンクリートブロックやＰＣコンクリートパネルを使用でき、免震材として鋼製コイルバネを用い、前記の壁体を鉄骨構造体に支持固定した。 - 特許庁

To provide a base isolation device capable of precisely preventing a yawing phenomenon by a simpler constitution, to contribute to reduction in cost and the expansion of a degree of freedom in application.例文帳に追加

より簡単な構成によってヨーイング現象を的確に防止できる免震装置を提供し、延いてはコストの削減や、適用上の自由度の拡大にも資することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a method for fabricating a semiconductor device having a dense wiring part and a wiring isolation part in which erosion is prevented from been caused while preventing microscratches on the surface of an oxide film.例文帳に追加

配線密集部と配線孤立部を含む半導体装置の製造方法において、エロージョンの発生を防止するとともに、酸化膜表面のマイクロスクラッチの発生を防止すること。 - 特許庁

Thereafter, the unwanted oxidation of the polysilicon film 11 is suppressed by means of the impurity-element containing layer 18 at the growing and forming of the element isolation oxide film by forming the pattern of a silicon nitride film 12.例文帳に追加

この後、窒化シリコン膜１２パターンを形成して、熱処理による素子分離酸化膜の成長形成時に、高濃度不純物元素含有層１８によって不要な酸化を抑制する。 - 特許庁

Furthermore, since the light source 12 and the photovoltaic unit 11 generating a high voltage can be brought into so-called a photo-isolation state, the high voltage can be isolated extremely easily and reliably.例文帳に追加

又、光源部１２と高電圧を発生する光発電部１１とを、所謂、ホトアイソレーション状態とすることができるため、高電圧を極めて容易にかつ確実に分離することができる。 - 特許庁