「Memory Block」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

If there is insufficient memory to allocate the new block, XtNew calls XtErrorMsg.XtNew is a convenience macro that calls XtMalloc with the following arguments specified:例文帳に追加

もし新しいブロックを割り当てることのできる十分なメモリがない場合、XtNew は XtErrorMsg を呼び出す。 - XFree86

The transmission of the data is performed as a block unit in relation to an arbitrary tomographic image forming section 22 from the memory 14.例文帳に追加

メモリ１４から任意断層画像形成部２２に対してブロック単位でデータの転送が行われる。 - 特許庁

A self-test circuit (15) instructs operation start to the cutoff circuit after the prescribed data is written in a memory block in a test for holding data of the memory block, and instructs operation stop to the cutoff circuit to confirm holding of the prescribed data of the memory block after the prescribed time elapses from the instruction of operation start to the cutoff circuit.例文帳に追加

自己試験回路（１５）は、メモリブロックのデータ保持に関する試験の際に、メモリブロックに所定データを書き込んだ後に遮断回路に動作開始を指示し、遮断回路への動作開始の指示から所定時間が経過した後にメモリブロックの所定データの保持を確認するために遮断回路に動作停止を指示する。 - 特許庁

The method for operating the memory system including a flash memory device includes: programming at least one page belonging to a selected memory block of the flash memory device; and determining the selected memory block or the flash memory device to be invalid according to whether the number of times of a loop of the programmed page is out of a reference loop range.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置を含むメモリシステムの動作方法において、前記フラッシュメモリ装置の選択されたメモリブロックに属する少なくとも一つのページをプログラムする段階と、前記プログラムされたページのループ回数が基準ループ範囲を外れるか否かに従って、前記選択されたメモリブロック又は前記フラッシュメモリ装置が無効であることを決定する段階とを有する。 - 特許庁

A flash memory device has an error correction circuit and a block management means, and after the remaining count of reserved blocks reaches a threshold set for the block management means, the flash memory device corrects error data having bit errors below a bad block threshold, sends out the error-corrected data to a host, and refreshes a block in which the error has occurred.例文帳に追加

フラッシュメモリデバイスにエラー訂正回路とブロック管理手段とを設け、予備ブロックの残数が前記ブロック管理手段に設定された閾値に至った後は、ｂｉｔエラーがｂａｄブロック閾値未満であったデータをエラー訂正してホストに送出するとともに、該エラーを生起したブロックをリフレッシュする。 - 特許庁

The nonvolatile ferroelectric memory device is constituted by including a first signal decoder block 20 and a second signal decoder block 30 which are connected to ferroelectric memory cells of a cell array block, and it is arranged at the outside of the cell array block and the area is reduced by dividing the signal decoder area into two and controlling the divided areas.例文帳に追加

不揮発性強誘電体メモリ装置は、セルアレイブロックの強誘電体メモリセルに連結された第１の信号ディコーダブロック２０及び第２の信号ディコーダブロック３０を含んで構成されており、セルアレイブロックの外郭に配置し、信号ディコーダ領域を２つに分けて制御することにより、面積を縮小した。 - 特許庁

Also, when the data of the same block as the block in which the reproduction data is already held in a buffer memory 23 by the past rewriting during data reproduction is reproduced again, it is discriminated whether or not the reproduction data of the same block on the buffer memory 23 is to be overwritten with the reproduction data of the rewritten block.例文帳に追加

また、データ再生時に過去のリライトによりバッファメモリ２３に既に再生データが保持されているブロックと同一のブロックのデータが再度読み出された場合に、エラーブロックフラグおよび反復回数をもとに、リライトされたブロックの再生データでバッファメモリ２３上の同一のブロックの再生データを上書きするかどうかを判定する。 - 特許庁

A dot area recognizing section 20 stores block 1 of image data consisting of some one point (a remarked pixel 1) of the image data and a plurality of neighboring pixels in a block memory A22, an edge decision circuit 23 decides the edge of the remarked pixel 1 in block 1 and stores an edge decision signal in a block memory B24.例文帳に追加

網点領域識別部２０は、画像データのある１点（注目画素１）及びその近傍の複数画素からなるブロック１の画像データを、ブロックメモリＡ２２に格納し、エッジ判定回路２３は、ブロック１の注目画素１に対してエッジ判定を行い、このエッジ判定信号をブロックメモリＢ２４に格納する。 - 特許庁

Each block ease flag is a flag holding whether the memory block corresponding thereto is in an erasable or writable state and a boot block erase control circuit 12 allows the block including the boot area of the single-chip microcomputer 1 to be erased only when the memory blocks which does not include the boot area are all in the erase state.例文帳に追加

ブロック消去フラグは、それに対応するメモリブロックが消去状態であるか書き込み状態であるかを保持するフラグであり、シングルチップマイコン１のブート領域を含まないメモリブロックがすべて消去状態であるときにのみブート領域を含むブロックの消去を許可するブートブロック消去制御回路１２を備える。 - 特許庁

This memory controller making access to the flash memory including a plurality of blocks on the basis of a logic block address is provided with a detection means detecting an illicit mapping block with an allocated logic block address ineffective for the respective blocks and a deletion means deleting the illicit mapping block detected by the detection means.例文帳に追加

論理ブロックアドレスに基づいて複数のブロックを含むフラッシュメモリにアクセスするメモリコントローラであって、それぞれのブロックにとって有効でない論理ブロックアドレスが割り当てられた不正マッピングブロックを検出する検出手段と、検出手段により検出された不正マッピングブロックをブロック消去する消去手段とを備えている。 - 特許庁

The cache management of processing data in the memory can be performed easily by controlling using an upper-level counter incrementing each time a block counter exceeds a number storable in the memory, in addition to the block counter incrementing at the time one block is completed in each processing means.例文帳に追加

各処理手段の1ブロック終了毎にインクリメントするブロックカウンタに加えて、ブロックカウンタがメモリに格納できる数を超える毎にインクリメントする上位カウンタを組み合わせて制御することで、メモリ上の処理データのキャッシュ管理を容易に行うことができる。 - 特許庁

To write a program for boot block storage in a boot device-mounted external device directly from a boot device into the boot block of a flash memory, to unnecessitate a complicated procedure and to reduce writing time when a boot block of a flash memory is written.例文帳に追加

フラッシュメモリ６の書き替え手順が複雑になること、およびブート用プログラムをコピーする別エリアに十分な容量が無い場合には、前記手順を複数回繰り返す必要があり、フラッシュメモリ６のブートブロック書き込みに要する時間が長くなってしまう。 - 特許庁

When the retransmission of the block is requested in the case that the block of the transmission data are written exceeding the capacity of the FIFO memory 1a, a DMAC activation part 1b activates a DMAC 4 and transfers the block stored in the memory 3 to a communication data controller 1.例文帳に追加

ＤＭＡＣ起動部１ｂは、送信データのブロックがＦＩＦＯメモリ１ａの容量を超えて書き込まれた場合にブロックの再送要求があると、ＤＭＡＣ４を起動して、メモリ３が記憶しているブロックを、通信データ制御装置１に転送するようにする。 - 特許庁

The memory controller provides a means to specify an erased block in the flash memory 2 in respond to a command supplied from a host computer 5, a means to diagnose a status of the erased block and a means to write data into the diagnosed and erased block.例文帳に追加

ホストコンピュータ５より供給される書き込みコマンドに応答してフラッシュメモリ２内の消去済みブロックを特定する手段と、特定された消去済みブロックの状態を診断する手段と、診断された消去済みブロックにデータを書き込む手段とを備える。 - 特許庁

Then, a block reading part 13 reads pieces of block data 31R, 31G, 31B from a plurality of pieces of line data for the respective colors written in the buffer memory 3, and a block image processing part 14 performs predetermined data processing to the pieces of block data 31R, 31G, 31B.例文帳に追加

そして、ブロック読出部１３は、バッファメモリ３に書き込まれた各色についての複数のラインデータからブロックデータ３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを読み出し、ブロック画像処理部１４は、そのブロックデータ３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂに対して所定のデータ処理を行う。 - 特許庁

The block division part 31 stores in a memory 33 a virtual space block coordinate value set which is a set of the virtual space block coordinate value and a predetermined number of virtual space offset block coordinate values obtained by allowing it to be offset with a predetermined distance in a predetermined direction.例文帳に追加

ブロック分割部３１は、仮想空間ブロック座標値と、それを所定方向に所定距離だけオフセットさせて得られる所定数の仮想空間オフセットブロック座標値とのセットである仮想空間ブロック座標値セットをメモリ部３３に記憶する。 - 特許庁

Thereafter, a physical checksum verification procedure is carried out on the data block, when the data block is read from the nonvolatile memory (412), and the presence of damage in the data block is determined after carrying out the logical check on the data contained in the data block.例文帳に追加

その後、データブロックが不揮発性メモリから読出されると、物理的なチェックサム検証手順がデータブロック上で行なわれて（４１２）、データブロック内に含まれるデータ上で論理チェックが行なわれた後にデータブロックが破損したかが判断される。 - 特許庁

In a method of real time rendering of the volume data, first resolution of each block is determined by LOD (level of detail) control; and when a block with the first resolution does not exist in a main memory, a block with second lower resolution is prepared as a backup block.例文帳に追加

ボリュームデータの実時間レンダリング方法において、LOD制御によって各ブロックの第１の解像度を決定すると共に、第１の解像度のブロックが主メモリに存在しない場合に、より低い第２の解像度のブロックをバックアップブロックとして用意する。 - 特許庁

To achieve a memory management device that can hold down the increase of execution frequency of garbage collection and can prevent the reduction of substantial speed of access to a flash memory without increasing the memory capacity of a reserved memory, for the garbage collection, allocated in a block in the flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのブロック内に確保しておくガーベージコレクション用の予約メモリの記憶容量を増やすことなく、ガーベージコレクションの実行頻度の増加を抑え、フラッシュメモリに対する実質的なアクセス速度の低下を防止することができるメモリ管理装置を実現する。 - 特許庁

The program method of the nonvolatile memory device includes: a stage 510 for performing the program operation on a selected memory cell block; a stage 520 for discharging an electric charge which is charged to the channel of memory cell strings contained in unselected memory cell blocks; and a stage 530 for performing a verify operation on the selected memory cell block.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、選択されたメモリセルブロックに対してプログラム動作を行う段階５１０と、非選択のメモリセルブロックに含まれたメモリセルストリングのチャネルに充電された電荷を放電させる段階５２０と、前記選択されたメモリセルブロックに対して検証動作を行う段階５３０を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In s memory cell array 1, a memory cell range being a unit of data erasion is made one block, assembly of blocks of one to plural is made one core and plural cores are arranged.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、データ消去の単位となるメモリセル範囲を１ブロックとし、１乃至複数のブロックの集合を１コアとして複数コアが配列される。 - 特許庁

Sense amplifiers 17, 18 are arranged respectively between a bit line BL1 of a memory cell block in which memory cells 29 are arranged and adjacent bit lines BL0, BL2.例文帳に追加

メモリセル２９を配置したメモリセルブロックのビット線ＢＬ１と、隣接ブロックのビット線ＢＬ０，ＢＬ２との間に、それぞれセンスアンプ１７，１８を介設する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a system for switching the address of a word line performing replacement is switched for each memory block and a system for fixing the address of the word line can be switched.例文帳に追加

置換を行うワード線のアドレスをメモリブロック毎に切換える方式と固定する方式とを切換え可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a block (BLK), a plurality of first memory cells (DR) and a plurality of second memory cells (RDR) for storing control data are disposed in rows and columns.例文帳に追加

ブロック（ＢＬＫ）は、行及び列に複数の第１のメモリセル（ＤＲ）と制御データを記憶する複数の第２のメモリセル（ＲＤＲ）が配置されている。 - 特許庁

The memory controller 20 has a second data buffer and transfers invalid data during the transfer of a read burst data block from the NAND flash memory 13 to the host computer 10.例文帳に追加

メモリコントローラは、第２のデータバッファを有し、NANDフラッシュメモリからホストコンピュータへリードバーストデータブロックを転送する期間中に無効データを転送する。 - 特許庁

Each test block TB is provided with a substitution judgment part for each of the combination of order for successively performing the substitution of memory cell columns and memory cell rows.例文帳に追加

各テストブロックＴＢには、メモリセル行とメモリセル列を順番に置換する順序の組合せのぞれぞれについて、置換判定部が設けられる。 - 特許庁

The reserved signal and write data are supplied to a memory driving signal generation/read data buffer block 2 and a prescribed memory driving signal is generated.例文帳に追加

この予約された信号と書き込みデータがメモリ駆動信号発生／読み出しデータバッファブロック２に供給されて所定のメモリ駆動信号が発生される。 - 特許庁

The memory is disposed, before the interleaver and interleaving points which serve as NULL are skipped in the block interleaving to read the data out of the memory.例文帳に追加

上記メモリを上記インターリーバの手前に置き、上記ブロックインターリーブにおいて、ＮＵＬＬとなるインターリーブポイントを飛ばし、上記メモリからデータを読み出す。 - 特許庁

A block B activation control circuit 207 stops retrieval operation in the memory array B in accordance with voltage of the match line MLA after the retrieval of the memory array A.例文帳に追加

ブロックＢ活性化制御回路２０７は、メモリアレイＡの検索後のマッチラインＭＬＡの電圧に応じて、メモリアレイＢでの検索動作を中止させる。 - 特許庁

To provide a controller of a non-volatile memory in which retrieval operation of a block to be a compaction processing target candidate, does not influence an access speed of access to a main memory.例文帳に追加

コンパクション処理の対象候補となるブロックの検索動作がメインメモリへのアクセス速度に影響しない不揮発性メモリのコントローラを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which is provided with a protect-function for write-in or erasure for a selected arbitrary memory block.例文帳に追加

選択した任意のメモリブロックに対して書き込みあるいは消去に対するプロテクト機能を持たせることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The block B includes the memory PHY, a second CPU, and a command conversion section which issues a command to the memory when receiving a request from the second CPU.例文帳に追加

ブロックＢは、前記メモリーＰＨＹと、第二ＣＰＵと、前記第二ＣＰＵのリクエストを受けて前記メモリーに対するコマンドを発行するコマンド変換部と、を含む。 - 特許庁

To provide moving image decoding and encoding devices capable of preventing complication/enlargement of a memory bus structure, between a decoding/encoding processing block and a memory module.例文帳に追加

デコード/エンコード処理ブロックとメモリモジュール間のメモリバス構成の複雑化・肥大化を避けることのできる動画像復号、符号化装置を提供する。 - 特許庁

2N pieces, for example, 4 pieces of twin memory cells 100 are provided in the 1 block region 214, and adjacent twin memory cells are connected to a connection line 600.例文帳に追加

１ブロック領域２１４には、２^N個例えば４個のツインメモリセル１００が設けられ、隣り合うツインメモリセル同士は接続線６００にて接続される。 - 特許庁

A memory cell array block 310 of the MRAM 300 is arrayed with a plurality of magnetic memory cells 311 at the intersection points of word lines, digit lines and bit lines.例文帳に追加

ＭＲＡＭ３００の、メモリセルアレイブロック３１０には、ワードライン、デジットライン、及びビットラインの交差点に複数個の磁気メモリセル３１１が配列される。 - 特許庁

An output is provided with two memory blocks 5 and 6 connected with a delayed addition part 7 and a received signal is digitalized and is stored in the first memory block 5.例文帳に追加

出力が遅延加算部７に接続された２つのメモリブロック５、６を備え、受信信号はディジタル化され、第１のメモリブロック５に記憶される。 - 特許庁

A ferroelectric memory 30 is provided with a memory cell block MCB, a sense amplifier SA0, SA1, and SAn-1, isolation transistors, and column selection transistors.例文帳に追加

強誘電体メモリ３０にはメモリセルブロックＭＣＢ、センスアンプＳＡ０、センスアンプＳＡ１、センスアンプＳＡｎ−１、分離トランジスタ、及びカラム選択トランジスタが設けられる。 - 特許庁

To achieve compatibility between a memory window and charge retention characteristics which are sufficient to actualize a multi-value memory by using a metal oxide film for a block layer of an SONOS structure.例文帳に追加

ＳＯＮＯＳ構造のブロック層に金属酸化膜を用い、多値を実現するのに十分なメモリーウインドウと良好な電荷保持特性を両立する。 - 特許庁

A second image processing block 17 reads the image data from the memory 4 as required to perform various kinds of image processing for outputting the data to the memory 4 via the CPU 3.例文帳に追加

第２の画像処理ブロック１７は、メモリ４から画像データを随時読み出して各種画像処理を行い、ＣＰＵ３を介してメモリ４に出力する。 - 特許庁

It is confirmed at predetermined time intervals whether the required block is stored in a main memory 60 and if not stored, the data are loaded to the main memory 60 (S10).例文帳に追加

そして所定の時間間隔で、必要なブロックがメインメモリ６０に格納されているか確認し、格納されていなければメインメモリ６０にロードする（Ｓ１０）。 - 特許庁

The image information written to the source image memory 6 is supplied to a compression block 7 and compressed image information is written to a compressed image memory 8.例文帳に追加

この元画像メモリ６に書き込まれた画像情報が圧縮ブロック７に供給され、圧縮された画像情報が圧縮画像メモリ８に書き込まれる。 - 特許庁

A device and method of executing YUV (or YCrCb) video compression before decompression when a block is stored into a memory and is extracted from the memory for are provided.例文帳に追加

メモリ内への記憶及びメモリからのブロック取出し時の解凍の前にＹＵＶ（又はＹＣｒＣｂ）ビデオ圧縮を実行する装置及び方法。 - 特許庁

Therefore, as activation is performed with an associative memory word block unit, power consumption can be reduced by activating only a required associative memory word.例文帳に追加

従って連想メモリワードブロック単位で活性化が行われるので、必要な連想メモリワードのみを活性化することにより消費電力を削減することができる。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device has a plurality of cell blocks Block-0, 1 which are arranged in matrix shape and each of which includes a plurality of memory cells.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、マトリックス状に配置され、それぞれが複数のメモリセルを含む複数のセルブロックＢｌｏｃｋ−０，１を有している。 - 特許庁

Indeed, itis required to use the same memory API family for a given memory block, so that the risk of mixing different allocators is reduced to a minimum.例文帳に追加

実際、あるメモリブロックに対する操作は、異なるメモリ操作機構を混用する危険を減らすために、同じメモリ API ファミリを使って行うことが必要です。 - Python