「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(111ページ目) - Weblio英語例文検索

OPTICAL MEMORY DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DEVICE例文帳に追加

光記憶装置および液晶デバイス - 特許庁

An engaging member 100 is engaged with the memory slider 47 accompanied by the movement of the seat and moves the memory slider 47 along the memory rail 46 when the memory slider 47 is not locked with the memory lock part 46a, and can leave the memory slider 47 at the locking position when the memory slider 47 is locked with the memory rail 46.例文帳に追加

係合部材１００は、メモリスライダ４７がメモリロック部４６ａにロックされていないとき、シートの移動に伴いメモリスライダ４７に係合してメモリスライダ４７をメモリレール４６に沿って移動させると共に、メモリスライダ４７がメモリレール４６にロックされているとき、メモリスライダ４７をロック位置に残すことができる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GATE OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のゲート形成方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANAGING FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリの管理方法及び装置 - 特許庁

MEMORY CELL DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

メモリセル装置及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁

MEMORY ARRAY USING SOI-TYPE TRANSISTOR例文帳に追加

ＳＯＩ型トランジスタを用いたメモリアレイ - 特許庁

MEMORY CIRCUIT BY ADIABATIC CHARGE LOGIC例文帳に追加

断熱充電論理によるメモリ回路 - 特許庁

DELAY ADJUSTMENT CIRCUIT AND MEMORY CONTROLLER例文帳に追加

遅延調整回路、およびメモリコントローラ - 特許庁

Of course, the memory is really huge.例文帳に追加

もちろん、記憶容量も巨大です - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

In the test operation, the operation for storing data read out from the determination memory cells in the memory cells and then reading out the storage data from the memory cells to write them in the deciding memory cells, is performed for all memory cells.例文帳に追加

試験動作時に、判定用メモリセルから読み出されたデータをメモリセルに記憶させた後で該記憶データをメモリセルから読みして判定用メモリセルに書き込む動作が、全てのメモリセルに対して行われる。 - 特許庁

For a first memory region having a first memory where data are written and a second memory where the write-in frequency of the data in the first memory is stored as a counter value, data are written in the first memory (110), and the counter value stored in the second memory is counted, and written in the second memory (120).例文帳に追加

データが書き込まれる第１メモリと、第１メモリにデータが書き込まれた回数がカウンタ値として記憶された第２メモリと、を有する第１メモリ領域に対して、第１メモリにデータを書き込み（１１０）、第２メモリに記憶されたカウンタ値をカウントして第２メモリに書き込む（１２０）。 - 特許庁

To improve the test efficiency by testing simultaneously a normal memory cell space and a redundant memory cell space and to easily detect a short circuit between the normal memory cell space and the redundant memory cell space in a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体記憶装置において、ノーマルメモリセル空間と冗長メモリセル空間を同時にテストして、テスト効率の向上、ノーマルメモリセル空間と冗長メモリセル空間とのショート検出を容易に行う。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a laminated structure which reduces variations in memory cell characteristics generated from one memory cell layer to the other by making a lamination order of memory cell layers of the memory cell the same.例文帳に追加

各メモリセルレイヤのメモリセルの積層順序を同じにすることで、メモリセルレイヤ間に生ずるメモリセル特性のばらつきを低減した積層構造の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, memory contents of the DRAM memory 9 can be held without performing processing such that memory contents held in the DRAM memory 9 is evacuated temporarily to another memory.例文帳に追加

これにより、ＤＲＡＭメモリ９に保持されているメモリ内容を一時的に別のメモリに退避するなどの処理を実施することなく、ＤＲＡＭメモリ９のメモリ内容を保持することができるようになる。 - 特許庁

The dummy memory cell DMC has a dummy memory cell column arranged so as to share a normal memory cell MC and a memory cell column with respect to a plurality of normal memory cells MC arranged in a matrix.例文帳に追加

行列状に配置された複数の正規メモリセルＭＣに対して、ダミーメモリセルＤＭＣは、正規メモリセルＭＣとメモリセル列を共有するように、ダミーメモリセル行を形成するように配置される。 - 特許庁

A memory securing means 42 retrieves the memory use information storage part 51 by using the program ID of the program file corresponding to the memory securing request, a request origin memory address and a request memory size as a retrieval key.例文帳に追加

メモリ確保手段４２は、メモリ確保要求に対応するプログラムファイルのプログラムＩＤ、要求元メモリアドレス、要求メモリサイズを検索キーとして、メモリ利用情報記憶部５１を検索する。 - 特許庁

In this semiconductor storage device having a main memory chip and a sub memory chip for alternation, each the main memory chip has a plurality of spare memory blocks inside the same chip as an alternative destination of a broken memory block.例文帳に追加

メインメモリチップとその交替用のサブメモリチップとを持つ半導体記憶装置において、各メインメモリチップは不良化したメモリブロックの代替先として同一チップ内に複数の予備メモリブロックを持つ。 - 特許庁

On this occasion, by executing memory-to-memory data transfer using a free transmission band of the memory bus 26, external data transfer and the memory-to-memory data transfer are executed in parallel to reduce backup processing time.例文帳に追加

その際に、メモリバス２６の空き伝送帯域を用いてメモリ間データ転送を実行することにより、外部データ転送とメモリ間データ転送とを並列に実行し、バックアップ処理時間を短縮する。 - 特許庁

The object address of the memory write and the progress situation of the memory copy are compared, and the memory write to an area where the memory copy is already performed is written to the computer of the memory copy destination as well by the data transfer device.例文帳に追加

メモリ書込みの対象アドレスと、メモリコピーの進捗状況を比較し、メモリコピー済の領域に対するメモリ書込みは、前記データ転送装置によってメモリコピー先の計算機にも書込む。 - 特許庁

To provide a control method of a memory device for performing write leveling operation, a write leveling method of the memory device, a memory controller performing write leveling operation, a memory device and a memory system.例文帳に追加

書き込みレベリング動作を行うためのメモリ装置の制御方法、メモリ装置の書き込みレベリング方法、及び書き込みレベリング動作を行うメモリコントローラ、メモリ装置、並びにメモリシステムを提供する。 - 特許庁

Each of a plurality of memory cells of a semiconductor memory has a nonvolatile memory element and a volatile memory element connected to this nonvolatile memory element, the nonvolatile memory element is connected to one of a pair of data transfer lines, and the volatile memory element is connected to the other of the pair of data transfer lines.例文帳に追加

半導体記憶装置の複数のメモリセルの各々は、不揮発性メモリ素子と、この不揮発性メモリ素子に接続される揮発性メモリ素子とを有し、データ転送線対の一方に前記不揮発性メモリ素子が接続され、前記データ転送線対の他方に前記揮発性メモリ素子が接続される。 - 特許庁

A non-volatile memory 2 and a memory 3 for download are treated on the same memory map, and data read from the prescribed address of the memory 3 for download are written in the corresponding address on the non-volatile memory 2.例文帳に追加

不揮発性メモリ２とダウンロード用メモリ３を同一のメモリマップで扱い、ダウンロード用メモリ３の所定のアドレスから読み込んだデータを不揮発性メモリ２上の対応するアドレスに書き込む。 - 特許庁

The memory sections (23, 24) include: a first memory section (23); a second memory section (24) driven independently from the first memory section (23); and a reset drain (26) resetting a charge supplied to the second memory section (24).例文帳に追加

そのメモリ部（２３、２４）は、第１メモリ部（２３）と、第１メモリ部（２３）と独立に駆動される第２メモリ部（２４）と、第２メモリ部（２４）に供給される電荷をリセットするリセットドレイン（２６）とを備えるものとする。 - 特許庁

The row address code is designed to determine the memory blocks to be simultaneously refreshed out of the memory blocks so that the memory blocks including the sub-standard memory cells which should be refreshed in a shorter cycle than other memory cells can be simultaneously refreshed and the memory blocks which do not include the sub-standard memory cell can be simultaneously refreshed.例文帳に追加

ロウアドレスコードはメモリブロックのうち同時にリフレッシュされるメモリブロックを決定し、他のメモリセルよりさらに短い周期でリフレッシュするべきサブスタンダードメモリセルを含むメモリブロックが同時にリフレッシュでき、サブスタンダ−ドメモリセルを含まないメモリブロックが同時にリフレッシュできるように設計される。 - 特許庁

The memory controller compares the high-priority memory access request and the low-priority memory access request, determines execution order of memory commands, and performs control to select and execute the high-priority memory access request and the low-priority memory access request according to the execution order of the memory commands.例文帳に追加

そして、優先度の高いメモリアクセス要求と、優先度の低いメモリアクセス要求とを比較し、メモリコマンドの実行順序を決定し、メモリコマンドの実行順序に従って、優先度の高いメモリアクセス要求と優先度の低いメモリアクセス要求とを選択して実行するよう制御する。 - 特許庁

The memory card includes a non-volatile memory having memory capacity larger than the maximum memory capacity defined in the first standard, and a control part for controlling access to the non-volatile memory.例文帳に追加

本発明のメモリカードは、第１の規格で定められた最大メモリ容量よりも大きいメモリ容量を有する不揮発性メモリと、不揮発性メモリへのアクセスを制御する制御部と、を備える。 - 特許庁

A memory array is divided into a first memory cell array MAT in which positive data is programmed in each memory cell and a second memory cell array MAR in which reverse data of the positive data is programmed in each memory cell.例文帳に追加

メモリアレイは、各々のメモリセルに正データがプログラムされる第１のメモリセルアレイＭＡＴと、各々のメモリセルに正データの反転データがプログラムされる第２のメモリセルアレイＭＡＲに分割されている。 - 特許庁

Moreover, the initialization mode for initializing the memory includes a first memory initialization mode for erasing data in the memory once and initializing a file system in the memory and a second memory initialization mode for initializing the file system in the memory without erasing data in the memory.例文帳に追加

そして、このメモリを初期化するための初期化モードは、メモリ内のデータを一度消去してからメモリ内のファイルシステムを初期化する第１のメモリ初期化モードと、メモリ内のデータを消去せずにメモリ内のファイルシステムを初期化する第２のメモリ初期化モードとを含むものである。 - 特許庁

The memory circuit 20 is provided with a plurality of memory clocks identically structured with each other, a redundant memory block identically structured with the memory block, and a switching circuit which makes defective memory blocks into memory unavailable state and the redundant memory block available, in response to the switching signal.例文帳に追加

メモリ回路２０は、互いに同一構成の複数のメモリブロックと、該メモリブロックと同一構成の冗長メモリブロックと、該切換信号に応答して該複数のメモリブロックのうち欠陥のあるメモリブロックを不使用状態にし該冗長メモリブロックを使用状態にする切換回路とを備えている。 - 特許庁

The maximum existing time of a memory area captured by a memory is managed, and the memory area which is not opened even after the lapse of this time is opened by a memory management process so that it is possible to surely prevent memory leak.例文帳に追加

プロセスが獲得したメモリ領域の最大生存時間を管理し、この時間を過ぎても開放されていないメモリ領域をメモリ管理プロセスが開放することで、確実にメモリリークを防止する。 - 特許庁

To carry out a memory test at a high speed by evading that the path of an input signal for the memory test or an output signal of the memory becomes the critical path for a memory test, and to reduce further the number of terminals at the memory test.例文帳に追加

メモリテスト時にメモリテスト用入力信号やメモリの出力信号の経路がクリチカルな経路となることを回避してメモリテストを高速に行い、さらにメモリテスト時の端子数を削減する - 特許庁

Each active layer is so formed zigzag in the shape of a Z character as to form in itself inclusively each access transistor of each memory cell, and the access transistor of the memory cell belonging to the memory-cell row and memory-cell column adjacent to each memory cell.例文帳に追加

活性層は、メモリセルのアクセストランジスタと、隣接するメモリセル行であり、かつ隣接するメモリセル列のメモリセルのアクセストランジスタとを形成するようにＺ字形状にジグザグに形成される。 - 特許庁

In a phase change memory 40, a memory cell array is prepared, which consists of a memory cell portion in which a plurality of memory cells are connected in series, to which a memory transistor and a phase change film are connected in parallel, and a select transistor portion.例文帳に追加

相変化メモリ４０では、メモリトランジスタと相変化膜が並列接続されるメモリセルが複数個直列接続されたメモリセル部とセレクトトランジスタ部から構成されるメモリセルアレイが設けられる。 - 特許庁

To provide a host apparatus, a memory card, a memory capacity change method, a memory capacity change program and a memory capacity charge transfer method that can change the capacity of memory space in dependence on charge.例文帳に追加

料金に応じてメモリ領域の容量を変更することができるホスト機器、メモリカード、メモリ容量変更方法、メモリ容量変更プログラム及びメモリ容量料金授受方法を提供する。 - 特許庁

Each of the nodes is provided with a memory control part which moves data of a part of a first memory decided to be put in a high load state to a second memory of the other node, and performs interleave by the first memory and the second memory.例文帳に追加

複数のノードの各々は、高負荷状態と判定された第１メモリの一部のデータを、他のノードの第２メモリに移動し、第１メモリと第２メモリとでインタリーブを行うメモリ制御部を備える。 - 特許庁

This telephone set is provided with a memory 4, that includes memory areas for a simple automatic answering function and memory areas for a memory dial registration function and with an assignment means, which assigns the memory areas for the simple automatic answering function to the memory areas for the memory dial registration function by entry from an operation section 6.例文帳に追加

本発明は、簡易留守録音用メモリエリアとメモリダイヤル登録用メモリエリアとを含むメモリ４を備え、簡易留守録音用メモリエリアを操作部６からの入力によりメモリダイヤル登録用メモリエリアに割り付ける割付手段を有することを特徴としている。 - 特許庁

In transferring plotting data from the graphic memory 7 to the system memory 9 and writing the data in the system memory 9, plotting data stored in the graphic memory 7 are cleared by the graphic memory controller 6 in parallel with the transfer and writing.例文帳に追加

これにより、グラフィックメモリ７からシステムメモリ９に描画データを転送し、書き込みする際に、これと平行してグラフィックメモリコントローラ６によりグラフィックメモリ７内の描画データをクリアする。 - 特許庁

A memory card 10 includes one or more memory chips 40(1) to 40(N) which store memory quality data including a memory capacity value, respectively, and certificate storage means (a certificate storage unit 24) which stores a memory capacity certificate including a total memory capacity value of one or more memory chips.例文帳に追加

メモリカード１０は、記憶容量値を含むメモリ品質データがそれぞれ格納された１以上のメモリチップ４０（１）〜４０（Ｎ）と、１以上のメモリチップの合計記憶容量値を含む記憶容量証明書を記憶する証明書記憶手段（証明書記憶部２４）とを備える。 - 特許庁

In the case of deciding that the residual memory quantity is not increased, image data are stored until the memory becomes full, and when the memory becomes full, the cause of memory full is displayed so that the operator can recognize the memory full.例文帳に追加

また、メモリ残量が増えないと判断した場合、メモリフルになるまで画像データの蓄積を行い、メモリフルになれば、メモリフルの原因をオペレータが認識できるように表示するものである。 - 特許庁

A redundant control circuit invalidates the defective memory cell column corresponding to a defective address stored in the redundant memory circuit in a memory block including the defective memory cell column, and validates a redundant memory cell column.例文帳に追加

冗長制御回路は、不良メモリセル列を含むメモリブロックにおいて、冗長記憶回路に記憶された不良アドレスに対応する不良メモリセル列を無効にし、冗長メモリセル列を有効にする。 - 特許庁

The memory controller 25 is of a specification that allows the memory controller 25 to access-control up to one memory slot to which the memory module is attached in addition to an onboard memory which is to be directly mounted on the main circuit board 5 for operation.例文帳に追加

メモリコントローラ２５は、メイン回路基板５に直接実装されて動作するオンボードメモリに加えて、メモリモジュールが装着される１つのメモリスロットまでをアクセス制御可能な仕様である。 - 特許庁

In the illustrative array of the thermally supported magnetic memory structure, each magnetic memory structure is provided with memory cells (350), writing conductors (310) which are in contact with the memory cells (350), and heating systems (360) which are in contact with the memory cells (350).例文帳に追加

熱支援型磁気メモリ構造の例示的なアレイにおいて、磁気メモリ構造の各々は、メモリセル(350)、メモリセル(350)と接触する書込み導体(310)、及び、メモリセル(350)と接触する加熱システム(360)を備える。 - 特許庁

MEMORY CARD CONTROL METHOD AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

メモリカード制御方式及び電子機器 - 特許庁

INFORMATION PROCESSOR AND MEMORY MAPPING METHOD例文帳に追加

情報処理装置及びメモリマップ方法 - 特許庁