「N process」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Impurities-including 1-mthyl N-[N-[3-(2-hydroxy-substituted phenyl)propyl]-L-α-aspartyl]-L-phenylalanine derivative, in one embodiment, 1-mthyl-N-[N-[3-(2-hydroxy-4-methoxyphenyl)propyl]-L-αaspartyl]-L- phenylalanine, is subjected to the crystallization process whereby the derivative is crystallized.例文帳に追加

不純物を含み、Ｎ−［Ｎ−［３−（２−ヒドロキシ−４−メトキシフェニル）プロピル］−Ｌ−α−アスパルチル］−Ｌ−フェニルアラニン １−メチルエステル等のＮ−［Ｎ−［３−（２−ヒドロキシ−４−置換フェニル）プロピル］−Ｌ−α−アスパルチル］−Ｌ−フェニルアラニン １−メチルエステル誘導体を晶析工程に付して、当該誘導体を結晶化せしめる。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition which forms an n-type diffusion layer at a specific part in a short time without forming an unnecessary n-type diffusion layer in the manufacturing process of a solar cell using a crystal silicon substrate, and to provide a method of forming an n-type diffusion layer, and a method of manufacturing a solar cell.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく、短時間で特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition excellent in dispersion stability, capable of forming an n-type diffusion layer at a specific portion without forming an unnecessary n-type diffusion layer, in a manufacturing process of a solar cell using a crystalline silicon substrate; a method for manufacturing an n-type diffusion layer; and a method for manufacturing a solar cell.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成可能で、分散安定性に優れるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer in a desired form at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using crystal silicon substrates.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を、所望の形状に形成可能であるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

After an n-type GaN layer is grown, a process 109 which supplies an Si source gas without supplying a group III material gas as well as a process to stop supplying the Si source gas are provided before a process 113 where a light-emitting layer is grown.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層を成長後、発光層を成長する工程１１３の前に、III族原料ガスを供給せずにＳｉ源ガスを供給する工程１０９およびＳｉ源ガスの供給を停止する工程を設ける。 - 特許庁

The morphology calculation processing portion 10 calculates an opening gap of the mask image, calculates a minimum dilation repeating number of times necessary to fill the opening gap, and removes the mesh-shaped pattern by executing an erosion process of N times after a dilation process of N times.例文帳に追加

モフォロジー演算処理部１０は、マスク画像のオープニング間隙を算出し、このオープニング間隙を埋めるために必要な最小の膨張繰返回数Ｎを算出し、Ｎ回の膨張処理の後、Ｎ回の収縮処理を実行してメッシュ状のパターンを除去する。 - 特許庁

The slope reinforcing method has a process for fixing a guide fixture D to fixing members 5 driven into the slope N fixing cross sections 4 of reinforcing bars 3 arranged on the slope N in a lattice-like state and a process for driving the anchor A by guiding a bit 6 with the guide fixture D.例文帳に追加

法面Ｎに格子状に配筋された鉄筋３の交叉部４を固定する法面Ｎに打設された固定用部材５に、ガイド治具Ｄを固定する工程と、このガイド治具Ｄでビット６をガイドすることによりアンカーＡを打設する工程とを有する。 - 特許庁

The treatment method contains a process separating the positive electrode unit from the lithium battery, a process separating the positive electrode material from the positive electrode unit, a process heating the positive electrode material together with 0.01-12 N sulfuric acid, and a process recovering insolubles after sulfuric acid heating treatment.例文帳に追加

その方法は、前記リチウム電池から正極ユニットを分離する工程と、前記正極ユニットから前記正電極材を分離する工程と、前記正電極材を０．０１〜１２Ｎの硫酸とともに加熱する工程と、その硫酸加熱処理後の不溶分を回収する工程とを包含する。 - 特許庁

In a decoding apparatus which decodes a picture stream including image data carried out bidirectional predictive coding, N units of decoding parts 21 to 2N (N: two or more natural number) which process a picture stream in parallel are installed.例文帳に追加

双方向予測符号化された画像データを含む画像ストリームを復号する復号化装置内に、画像ストリームを並列に処理するＮ個（Ｎは、２以上の自然数）の復号化部２１〜２Ｎを設ける。 - 特許庁

The platform components may delete the infected portions of the contents of I/O device 190-N if the verification process indicates that the contents of the I/O device 190-N include the infected portions.例文帳に追加

検査プロセスによって、Ｉ／Ｏ装置１９０−Ｎのコンテンツが感染部分を含むことが示された場合、プラットフォーム・コンポーネントは、Ｉ／Ｏ装置１９０−Ｎのコンテンツの感染部分を削除する。 - 特許庁

In a process adopting the shallow trench isolation, small dummy patterns 2 are formed inside a p-well 3 and an n-well 4, and large dummy pattern patterns 1 are formed outside the p-well 3 and the n-well 4.例文帳に追加

シャロートレンチアイソレーションを採用するプロセスで、Ｐウェル３とＮウェル４の内側にはダミーパターン小２を形成し、Ｐウェル３とＮウェル４の外側には大きなダミーパターン大１を形成する。 - 特許庁

To provide a solar cell manufacturing method which forms an n-type diffusion layer in a specific area without forming unnecessary n-type diffusion layers in a manufacturing process of solar cells using silicon substrates.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成する太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for taking out in a simple process an N-carboxylic acid anhydride refined to a high purity without using complicated reaction equipment in the manufacture of the N-carboxylic anhydride.例文帳に追加

Ｎ−カルボン酸無水物の製造において、工程が簡略でしかも複雑な反応設備を使用することなく、高純度に精製されたＮ−カルボン酸無水物を取り出す方法を提供すること。 - 特許庁

function suspends the calling process until at least one of the asynchronous I/O requests in the list cblist of length n have completed, a signal is delivered, or timeout is not NULL and the time interval it indicates has passed. 例文帳に追加

関数は、長さnのリストcblistに含まれる非同期 I/O リクエストのうち少なくとも 1 つが完了するか、シグナルが配送されるか、timeoutが NULL でなく、かつその時間が過ぎるまで、呼び出したプロセスを停止 (suspend) する。 - JM

The manufacturing method of the transparent conductor includes a process of making in contact with metal a poly(N-alkyl carbazole) obtained by polymerizing at least one kind of N-alkyl carbazole expressed in the formula.例文帳に追加

下記一般式で表される少なくとも１種のＮ−アルキルカルバゾールを重合させて得られるポリ（Ｎ−アルキルカルバゾール）と、金属とを接触させる工程を含む透明導電体の製造方法。 - 特許庁

To provide an N-acylamino acid composition comprising an N-unsaturated acylamino acid or its salt which inhibits a foreign odor and yellowing caused in the process of circulation and in the step of producing cosmetics or the like.例文帳に追加

流通過程や化粧品などの製造工程中に発生する異臭や黄変を抑えたＮ−不飽和アシルアミノ酸またはその塩を含有したＮ−アシルアミノ酸組成物を提供するものである。 - 特許庁

An element structure and a surface electrode are formed on the front surface side of an n^+ type substrate 1, and thereafter a polishing process is executed to the back face 1b of the n^+ type substrate 1 to form minute irregularity on the back face 1b.例文帳に追加

ｎ^+型基板１の表面側に素子構造や表面電極を形成した後、ｎ^+型基板１の裏面１ｂに研磨処理を行って裏面１ｂに微細な凹凸を形成する。 - 特許庁

For the prediction of a time series of a non-Markov process, a function F handles an (n+m)-dimensional state {z_t} where m-dimensional context information {c_t} is added to an n-dimensional learning sample {x_t}, as time series information.例文帳に追加

非マルコフ過程の時系列を予測するために、関数Ｆはｎ次元の学習サンプル｛ｘ_t｝にｍ次元の文脈情報｛ｃ_t｝を加えた（ｎ＋ｍ）次元の状態｛ｚ_t｝を時系列情報として扱う。 - 特許庁

In a plurality of lots of which one lot is constituted of a plurality of wafers, CMP process is carried out for Δt(n) time to all of a plurality of wafers constituting an n-th lot, and a removal amount ΔToxP(n) of a polishing film on the wafer is obtained.例文帳に追加

１ロットが複数枚のウェーハより構成される複数のロットのうちで、ｎ番目のロットを構成する複数枚のウェーハに対して全てΔｔ（ｎ）時間の間ＣＭＰ工程を行い、前記ウェーハ上の被研磨膜の除去量ΔＴｏｘＰ（ｎ）を求める。 - 特許庁

An n-well of the surface of a p-type silicon substrate 2 is formed by carrying out impurity implantation process twice, and an n-well 70 below an imaging part and an accumulation part and an n-well 90 below a horizontal transfer are formed by making the impurity concentration thereof differ from each other.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板２の表面のＮウェルを２回の不純物の注入工程により形成し、撮像部及び蓄積部の下のＮウェル７０と、水平転送部の下のＮウェル９０とを、互いに不純物濃度を異ならせて形成する。 - 特許庁

When the n+1-th substrate is determined to be manufacturable (YES in step S4), execution instructions for the printing process are issued (step S5).例文帳に追加

ｎ＋１番目の基板が生産可能と判定された場合（ステップＳ４でＹＥＳ）、印刷処理の実行指示が発せられる（ステップＳ５）。 - 特許庁

In the parallel packet processing apparatus, a load distribution unit 1 distributes inputted packets to a plurality of packet processing units 2-1 to 2-N to process the packets in parallel.例文帳に追加

負荷分散部１は入力されるパケットを複数のパケット処理部２−１〜２−Ｎへ振り分けてパケットの並列処理をさせる。 - 特許庁

The peeling agent is used to peel a resist used for the copper wiring process and contains N-alkylmorpholine as the essential component.例文帳に追加

銅配線プロセスに使用されるレジストを剥離する剥離剤であって、Ｎ−アルキルモルホリンを必須成分とするレジスト剥離剤を用いる。 - 特許庁

If the peep determining means 22 determines that the image does not have (n) or more faces, the information processor normally ends a process.例文帳に追加

覗き見判定手段２２がｎ個以上の顔が含まれないと判定した場合、情報処理装置は、そのまま処理を終了する - 特許庁

To manufacture a transistor with a simple process and form a p-type or n-type region regardless of the kind of semiconductor.例文帳に追加

簡単な工程でトランジスタを製造すると共に、半導体の種類によらずｐ型またはｎ型領域を形成できるようにする。 - 特許庁

The p-type and n-type thermoelectric elements are respectively adhered to the contacts on the first and second heat sinks by flip-chip soldering process.例文帳に追加

ｐ型およびｎ型熱電素子は、フリップチップ・ハンダ・プロセスによって、それぞれ第１および第２の熱シンク上のコンタクトに接着される。 - 特許庁

The wireless base unit 10 includes radio control units 12 with an n+1 configuration, which process communication data to be exchanged by the radio units R.例文帳に追加

無線基地部１０には、無線部Ｒにて送受信する通信データを処理するｎ＋１構成の無線制御部１２を備える。 - 特許庁

At this time, the depth of ion implantation is controlled, thus creating the regions of n and p channels in the same process.例文帳に追加

このとき、イオン注入深さを制御することにより、ｎチャネル及びｐチャネルの領域を同一プロセスで作り分けることが可能である。 - 特許庁

Each of transmission processes 10-1 to 10-n previously requests the notice registration of the emergency message to an emergency communication control process 50.例文帳に追加

各送信プロセス１０−１〜ｎは、緊急通信制御プロセス５０に対し、緊急メッセージの通知登録を予め要求しておく。 - 特許庁

To provide an image processing system and program that are able to apply a color bleed correction process in a halftone processed N-value image.例文帳に追加

ハーフトーン処理されたＮ値画像に色にじみの補正処理を適用することができる画像処理装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

PROCESS FOR PREPARING 3-(4-(2,4-DIFLUOROBENZYLOXY)-3-BROMO-6-METHYL-2-OXOPYRIDINE-1(2H)-YL)-N,4-DIMETHYLBENZAMIDE例文帳に追加

３−（４−（２，４−ジフルオロベンジルオキシ）−３−ブロモ−６−メチル−２−オキソピリジン−１（２Ｈ）−イル）−Ｎ，４−ジメチルベンズアミドを調製する方法 - 特許庁

(a) A process in which an optically active N-carbamate protected β-aminoepoxide is treated with an acid to obtain an optically active 5-hydroxymethyl-2-oxazolidinone.例文帳に追加

（ａ）光学活性Ｎ−カルバメート保護β−アミノエポキシドを酸処理し、光学活性５−ヒドロキシメチル−２−オキサゾリジノンを得る工程。 - 特許庁

This process is successively repeated so that the master unit 1 accepts the Clav signals from all the slave units 0 to n.例文帳に追加

この工程を、マスタユニット１がスレーブ０〜スレーブｎの全てのスレーブユニットからのＣｌａｖ信号を受け付けるように、順次繰り返していく。 - 特許庁

When the response packet is received within the fixed time, the CPU 2 detects that the power source is not in the state with the power source turned off (S46; N) and terminates the process.例文帳に追加

応答パケットを一定時間内に受信した場合、電源オフの状態でないと検知し（Ｓ４６；Ｎ）、処理を終了する。 - 特許庁

The invention relates to the process for producing the N-vinylpyrrolidone graft polymer comprising a process reacting a vinyl monomer to the N-vinylpyrrolidone polymer, wherein the N-vinylpyrrolidone polymer to be reacted as a raw material is regulated so as to have a 2-pyrrolidone content of 10,000 ppm or lower.例文帳に追加

Ｎ−ビニルピロリドン系重合体にビニル系単量体を反応させる工程を含むＮ−ビニルピロリドン系グラフト重合体の製造方法であって、上記製造方法は、原料となるＮ−ビニルピロリドン系重合体中の２−ピロリドンの含有量を１００００ｐｐｍ以下として反応させるＮ−ビニルピロリドン系グラフト重合体の製造方法。 - 特許庁

The method for treating the sludge is provided with a concentration process for concentrating the sludge M by a concentration means 2 and a drying process for supplying the concentrated sludge N concentrated in the concentration process with a water content nearly as it is to a drying means 4 and drying.例文帳に追加

汚泥Ｍを濃縮手段２によって濃縮する濃縮工程と、この濃縮工程で濃縮させられた濃縮汚泥Ｎを略そのままの含水率で乾燥手段４に供給して乾燥する乾燥工程とを備える。 - 特許庁

The integral circuit device includes a correction circuit 300 for performing a correction process for image data PD; and data line driving circuits 200-1 to 200-n for supplying a multiplexed data signal to data signal supply lines S1 to Sn (n is a natural number) in response to image data GD after the correction process.例文帳に追加

集積回路装置は、画像データＰＤの補正処理を行う補正回路３００と、補正処理後の画像データＧＤを受けて、データ信号供給線Ｓ１〜Ｓｎ（ｎは自然数）に対してマルチプレクスされたデータ信号を供給するデータ線駆動回路２００−１〜２００−ｎと、を含む。 - 特許庁

The method for producing the COP structure includes: a solution preparation process of preparing a polymer solution where a COP is dissolved in a mixed solvent of an aromatic hydrocarbon solvent and N, N-dialkylformamide (DMF); and a formation process of forming the COP structure from the polymer solution.例文帳に追加

本発明に係るＣＯＰ構造体製造方法は、芳香族炭化水素溶剤とＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド（ＤＭＦ）との混合溶媒にＣＯＰが溶解したポリマー溶液を用意する溶液調製工程と、該ポリマー溶液からＣＯＰ構造体を形成する成形工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method for the charging roller includes a washing process for cleaning glass beads with a solvent 1 and an additional cleaning process, repeatedly carrying out cleaning of the glass beads by a solvent 2 for n times (n is a natural number which is two or more), until a condition (A) is fulfilled.例文帳に追加

ガラスビーズを溶剤１で洗浄する洗浄工程、条件（Ａ）を満たすようになるまで、溶剤２によりガラスビーズの洗浄をｎ回（ｎは２以上の自然数である）、繰り返し行う追洗浄工程、を有することを特徴とする帯電ローラの製造方法。 - 特許庁

After the process (f), there is provided another process (g) which uses a rule being a function of the N results, to allocate pertaining indexes of wide ranges, including indexes to be allocated to the N generated additional word groups and relative indexes to be allocated in consideration of the start word.例文帳に追加

工程ｆ）の後で、Ｎ個の生成された追加ワード群に割り当てられるものと、開始ワードを考慮する中で割り当てられる相対的なものとの、両方とも広域的な所属インデックスを割り当てるために、Ｎ個の結果の関数であるルールを使用する別の工程ｇ）を提供する。 - 特許庁

The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

When it is determined that the electronic sorting function is not selected (S12;N), the image forming apparatus does not carry out the electronic sorting process and carries out ordinary copying process (S14) to end processing.例文帳に追加

一方、電子ソート機能が選択されていないと判断された場合（Ｓ１２；Ｎ）、画像形成装置は、電子ソート処理を実行せず通常の複写処理を実行し（Ｓ１４）、処理を終了する。 - 特許庁

A packet stream of variable-length packets which arrive and are received and arrayed is supplied to parallel process paths of the packet processor 40, and demultiplexed into N substreams of variable-length packets or virtual process paths.例文帳に追加

パケット・データ及びパケット情報を含む可変長パケットの処理のためのパケット処理装置及びパケット交換アダプタが、パケットを幾つかの並列で同一の処理経路に分配するディストリビュータを含む。 - 特許庁

To eliminate a mask for doping from a manufacturing process, without complicating the manufacturing process in a manufacturing method of a semiconductor device having a P-channel transistor and a N-channel transistor on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上にＰチャネル型トランジスタ及びＮチャネル型トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、作製工程を複雑にせずに、ドーピング用マスクを作製工程からなくす。 - 特許庁

To provide a process for producing N^4-acyl-5'-deoxy-5-fluorocytidine compounds, which process does not require isolation and/or generation of intermediate products, thereby reducing the overall manufacturing time and cost.例文帳に追加

中間体生成物を単離及び／又は生成をする必要がなく、全体的なコスト及び生成時間を低下させたＮ^4−アシル−５’−デオキシ−５−フルオロシチジン化合物の製造方法を供する。 - 特許庁