「N process」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To speedily process an n-bit-based product-sum operation and a 2n-bit-based product-sum operation by one computing unit.例文帳に追加

ｎビット系の積和演算と、２ｎビット系の積和演算と、を一の演算器で高速に処理すること - 特許庁

An SiC layer 2 is formed with a CVD process on an Si(111) substrate layer 1 doped to an n-type.例文帳に追加

ｎ型にドーピングしたＳｉ(111)基板層１上に、ＣＶＤ法によりＳｉＣ層２を形成する。 - 特許庁

N-TERMINALLY MONOPEGYLATED HUMAN GROWTH HORMONE CONJUGATE, PROCESS FOR THEIR PREPARATION, AND USE THEREOF例文帳に追加

Ｎ末端でモノペグ化されたヒト成長ホルモンコンジュゲート、それらの調製のための方法、およびそれらの使用法 - 特許庁

If communication is continued (Y), the process returns back to step S12 otherwise (N) advances to step S16.例文帳に追加

通信を続行する場合（Ｙ）は、ステップＳ１２に戻り、続行しない場合（Ｎ）は、ステップＳ１６に進む。 - 特許庁

If there are disks yet to be spun up, the internal counter is set at n+1 (S104) and the process is returned to S101.例文帳に追加

スピンアップが済んでないディスクがあれば、内部カウンタをｎ＋１にして（Ｓ１０４）Ｓ１０１に戻る。 - 特許庁

This will increase these other system limits in addition to the maximum number of processes. To adjust your kern.maxusers value, see the File/Process Limits section of the Handbook. 例文帳に追加

n には、 同時に使用したい TCPコネクションの数に応じて 512 から 4096 までの数値を指定できます。 - FreeBSD

Reception signal processing parts 6-1 to 6-N process signals received at each of a plurality of antennas.例文帳に追加

受信信号処理部６−１〜６−Ｎは、複数のアンテナの各々で受信した信号を処理する。 - 特許庁

This arrangement wiring method includes an N times process that puts wiring 3a that can easily generate crosstalk on a wiring grid 1b with N times intervals (N≥2), and a normal process that puts wiring 3b other than the wiring 3a that can easily generate crosstalk on a wiring grid 1a with normal intervals.例文帳に追加

クロストークを生じやすい配線３ａを、Ｎ倍間隔（Ｎ≧２）の配線グリッド１ｂ上に置くＮ倍過程と、クロストークを生じやすい配線３ａ以外の他の配線３ｂを通常間隔の配線グリッド１ａ上に置く通常過程とを経る。 - 特許庁

This processing method comprises a first process of implanting nitrogen (n) ions into a semiconductor substrate 101 of silicon and a second process of forming a cluster-containing layer 103 in the semiconductor substrate 101 by annealing nitrogen (n) ions.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板１０１に窒素（ｎ）イオンを注入する工程と、窒素（ｎ）イオンをアニールすることにより、半導体基板１０１中に窒素を含むクラスター含有層１０３を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

In a thinning-out learning process (S202), conditions of a thinning-out process (thinning-out decision rotational frequency NELRN and thinning-out frequency N) are learnt according to the measured process load and then the conditions of the thinning-out process are changed and set again according to the process load.例文帳に追加

間引き学習処理（Ｓ２０２）では、計測した処理負荷に基づいて間引きの条件（間引き判定回転数ＮＥＬＲＮ、間引き回数Ｎ）を学習することにより、前記処理負荷に応じて当該間引きの条件を変更して設定し直す。 - 特許庁

When a hybrid structure of a silicide type transistor and a non-silicide type transistor is formed, a PSD process (a process of forming P type source and drain regions) is performed first and then an NSD process (a process of forming N type source and drain regions) is carried out.例文帳に追加

シリサイド型トランジスタおよびノンシリサイド型トランジスタの混載構造を作るにあたり、まず、ＰＳＤ工程（Ｐ型ソース・ドレイン領域を形成する工程）を行い、その後に、ＮＳＤ工程（Ｎ型ソース・ドレインを形成する工程）を行う。 - 特許庁

In this production process for 2,2,6,6-tetramethyl-piperidinne-N- oxyl, 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine-N-oxyl is used as a catalyst in the oxidation of N-unsubstituted 2,2,6,6-tetramethyl piperidine with hydrogen peroxide.例文帳に追加

Ｎ−非置換−２，２，６，６−テトラメチルピペリジンの過酸化水素による酸化において、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシルを触媒として使用する２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシル化合物の製造方法。 - 特許庁

A retrieval means 13 on the node 1 transmits a process information acquisition request to the other nodes 2-1 to 2-n when a retrieval condition is input by a user, and a process information reading means 23 responds it, reads the process information stored in the process information storage part 241, and transmits it to the node 1.例文帳に追加

ノード１上の検索手段13は、ユーザによって検索条件が入力されると、他のノード2-1〜2-nに対してプロセス情報取得要求を送信し、これに応答してプロセス情報読み出し手段２３が、プロセス情報記憶部２４１に格納されているプロセス情報を読み出し、ノード1へ送信する。 - 特許庁

The manufacturing method of a nitride semiconductor element includes a process for forming a substrate consisting of an n-type nitride semiconductor, a process for processing the rear surface side of the substrate, a process for reducing dislocation near the rear surface of the substrate, and a process for forming an n-side electrode on the rear surface of the substrate whose dislocation has been reduced.例文帳に追加

ｎ型の窒化物系半導体からなる基板を形成する工程と、前記基板の裏面側を加工する工程と、前記基板の裏面近傍の転位を低減する工程と、前記転位が低減された前記基板の裏面上にｎ側電極を形成する工程とを窒化物系半導体素子の製造方法が備える。 - 特許庁

The amidomalonate N,O-Pt complex having the chemical structure shown in the figure is provided, which is essentially purely obtained by a process including the step of bringing the corresponding amidomalonate O,O'-Pt complex or a mixture of amidomalonate O,O'-Pt and N,O-Pt complex into contact with an aqueous solution of pH 6.0-10.0.例文帳に追加

対応するアミドマロネートO,O'-Pt錯体またはアミドマロネートO,O'-PtおよびN,O-Pt錯体の混合物をpH 6.0〜10.0の水溶液に接触させる段階を含むプロセスによって本質的に純粋に得られる、以下の化学構造を有するアミドマロネートN,O-Pt錯体を用いる。 - 特許庁

This peak determining processing portion 26 makes an interrupt processing portion 27 perform an interrupt process and outputs a drive signal "drive" that turns off the switch element to a drive signal generating portion 28, for example, when the sampling value Isw(n) of the switch current is determined as having exceeded the target value Iref(n).例文帳に追加

ピーク判定処理部２６は例えば、スイッチ電流のサンプリング値Ｉsw(n)が目標値Ｉref(n)を越えたことを判定すると割込み処理部２７に割込み処理を行わせ、駆動信号生成部２８にスイッチ素子をターンオフさせる駆動信号driveを出力させる。 - 特許庁

A method for producing N-vinyl carbazoles of this invention consists of a process in which N-(2-hydroxyethyl)carbazoles are obtained by reacting carbazoles with ethylene carbonate in the presence of diazabicycloic base and/or a process in which hydroxy radical of hydroxyethyl radical of N-(2-hydroxyethyl)carbazoles is induced to sulfonate.例文帳に追加

カルバゾール類と炭酸エチレンとをジアザビシクロ系塩基存在下反応させてＮ−（２−ヒドロキシエチル）カルバゾール類を得る工程、及び／又はＮ−（２−ヒドロキシエチル）カルバゾール類のヒドロキシエチル基の水酸基をスルホネート体に誘導する工程を含むＮ−ビニルカルバゾール類の製造方法。 - 特許庁

The learning section 33 calculates a waveform of a resolver error learning value ΔθL by performing "averaging process" to average dispersion between N resolver error values Δθ1, Δθ2, ..., ΔθN for N waveforms of the N resolver error values Δθ1, Δθ2, ...,ΔθN from one period before the present period to N (N is an integer of 2 or more) periods before the present period.例文帳に追加

学習部３３は、今回周期よりも１周期前からＮ（Ｎは２以上の整数）周期前までのＮ個のレゾルバ誤差値Δθ１，Δθ２，…，ΔθＮの波形に対してそれらの間の散らばりを平均化するための「なまし処理」を施してレゾルバ誤差学習値ΔθＬの波形を算出する。 - 特許庁

There is provided a method for producing an N,N'-alkylated diaminopyrazine, including a process for mixing a diaminopyrazine compound with a carbonyl compound in the presence of a reducing agent.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ’−アルキル化ジアミノピラジンを生成する方法であって、該方法は、ジアミノピラジン化合物とカルボニル化合物とを、還元剤の存在下で合わせる工程、を包含する、方法。 - 特許庁

The section 26 applies a process in accordance with a binaural hearing model to these digital sound signals r(n) and l(n), and estimates the direction of the sound source.例文帳に追加

音源方向推定部２６は、これらのディジタル音響信号ｌ（ｎ）およびｒ（ｎ）に対して両耳聴モデルに従う処理を施すことによって、音源の方向を推定する。 - 特許庁

When pieces of processing (A to D) 11 to 14 process respective lock objects (a to n) 21 to 2n, exclusive operation is needed in the unit of object instances (a to n) 31 to 3n.例文帳に追加

処理（Ａ〜Ｄ）１１〜１４が各ロックオブジェクト（ａ〜ｎ）２１〜２ｎに対して処理を行う場合、オブジェクトインスタンス（ａ〜ｎ）３１〜３ｎ単位で排他的動作が必要となる。 - 特許庁

The device allows a user to analyze N! kinds of possible scheduling routine (algorithm) in the configuration of a desired multi-cluster tool and the process sequence of a desired N step.例文帳に追加

この装置により、任意のマルチクラスタツールの構成及び任意のＮステップの処理シーケンスに対して、ユーザがＮ！通りの可能なスケジューリングルーチン（アルゴリズム）を分析することができる。 - 特許庁

PROCESS FOR PREDICTABLE DYEING OF KERATINOUS FIBER BY APPLICATION OF COMPOSITION COMPRISING DIAMINO-N,N-DIHYDROPYRAZOLONE DERIVATIVE AND OF FUNDAMENTAL OR GOLDEN-HIGHLIGHT COMPOSITION例文帳に追加

ジアミノ−Ｎ，Ｎ−ジヒドロピラゾロン誘導体を含む組成物およびファンダメンタルまたはゴールデン系ハイライト組成物の適用によるケラチン繊維の予測可能な染色方法 - 特許庁

To produce an n-type group III nitride single crystal that has a high quality and a low resistance by a simple process.例文帳に追加

簡単な工程によって、高品質かつ低抵抗であるｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶を製造する。 - 特許庁

First and second double-hetero structures are formed on an n-type GaAs substrate 1 by a crystal growth process.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上には結晶成長工程で第１，第２のダブルへテロ構造が形成されている。 - 特許庁

The printing process of the print data is stopped when the abnormal data printing flag is not raised ("N" in S16).例文帳に追加

異常データ印刷のフラグが立っていなければ（Ｓ１６で「Ｎ」）、その印刷データに対する印刷処理を停止する。 - 特許庁

To provide the method of processing a high voltage p++/n- well junction in a standard submicron CMOS process.例文帳に追加

標準サブミクロンＣＭＯＳプロセスで、高耐圧ｐ^＋＋／ｎ^−ウエル接合部を処理する方法を提供する。 - 特許庁

To realize, by the flux process, the production of a high-quality n-type semiconductor crystal having a high concentration of electrons.例文帳に追加

フラックス法において、高品質な高電子濃度のｎ型半導体結晶を製造できるようにすること。 - 特許庁

(n) Lung cancer or cancer in the upper respiratory organs due to jobs in the chromate or bichromate manufacturing process 例文帳に追加

１４　クロム酸塩又は重クロム酸塩を製造する工程における業務による肺がん又は上気道のがん - 日本法令外国語訳データベースシステム

The result of the processing edit process reflects on each of the client terminals 10-1 to 10-N in real time.例文帳に追加

加工編集処理の結果は各クライアント端末１０−１乃至１０−Ｎにリアルタイムで反映される。 - 特許庁

The concepts of "coherence of calibration process" and "calibration consistency" are introduced to verification on full n-port calibrations.例文帳に追加

フルｎポート校正の検証に「校正仮定の統一性」および「校正の無矛盾性」という概念を導入する。 - 特許庁

In the first process, the N kinds of air filter units 11 are assigned respectively to the M kinds of packing cases 21.例文帳に追加

第１工程では、Ｎ種類のエアフィルタユニット１１のそれぞれをＭ種類のパッキンケース２１に割り当てる。 - 特許庁

CARBON, NITROGEN DOPED RARE EARTH MULTI-BORIDE BASED HIGH TEMPERATURE ACID RESISTANT n-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND ITS PRODUCTION PROCESS例文帳に追加

炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物系高温耐酸性ｎ型熱電材料とその製造方法 - 特許庁

N-(DIHYDROXYALKYL)DIETHYLENETRIAMINES, COMPOSITION THEREOF, AND PROCESS FOR PRODUCING 2-HYDROXY(ALKYL)TRIETHYLENEDIAMINES, USING THE SAME例文帳に追加

Ｎ−（ジヒドロキシアルキル）ジエチレントリアミン類、その組成物、及びそれを用いた２−ヒドロキシ（アルキル）トリエチレンジアミン類の製造方法 - 特許庁

An FEC server 1 includes a plurality of modules 11-1 to 11-n for performing the FEC process of the streams.例文帳に追加

ＦＥＣサーバ１は、ストリームをＦＥＣ処理するための複数のＦＥＣモジュール１１−１〜１１−ｎを有する。 - 特許庁

FILM OF SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL OF N-TYPE (100) FACE-ORIENTED DIAMOND DOPED WITH PHOSPHORUS ATOM AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法 - 特許庁

When the engine speed S is still zero, operation times T1, T2 are reduced again and third process is executed after termination of secondary process, completing the number of process times N in three.例文帳に追加

それでもエンジン回転数Ｓが０の場合、二次の処理工程終了後、作動時間Ｔ１，Ｔ２を再度低減させて三次の処理工程を行い、処理工程回数Ｎが３回で終了する。 - 特許庁

The organic waste treatment method comprises an explosive crushing process performing explosive crushing treatment of the cellulose and lignin based high C/N ratio low moisture content waste and a methane fermentation process integrally performing methane fermentation treatment of the products produced from the explosive crushing process together with the night soil and garbage based low C/N ratio high moisture content waste.例文帳に追加

セルロース・リグニン系高Ｃ／Ｎ比低水分廃棄物を爆砕処理する爆砕工程と、該爆砕工程の産出物を、別送された屎尿・厨芥系低Ｃ／Ｎ比高水分廃棄物とともに一体的にメタン発酵処理するメタン発酵工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

When applying the underfill resin 8 in several small batches, an Nth (N≥2) underfill resin application process is performed before a fillet 11, which is formed with small batches of the underfill resin 8 that have been applied before and in the N-1th application process, is minimized.例文帳に追加

アンダーフィル樹脂８を複数回に分けて塗布するに際して、Ｎ回目（Ｎ≧２）のアンダーフィル樹脂塗布工程を、（Ｎ−１）回目までに塗布されたアンダーフィル樹脂８によって形成されたフィレット１１が最小化する前に実施する。 - 特許庁

In a separation composition process including specific colors and an overprint of the specific colors, cases not requiring N-color rendering are discriminated in advance, and when no N-color rendering is required, the specific colors are separated into process colors before the rendering and CMYK rendering is executed.例文帳に追加

特色を含む分版合成や特色のオーバプリントにおいて、Ｎ色レンダリングが不要なケースを事前に判別し、Ｎ色レンダリングが不要な場合には、レンダリング前に特色をプロセスカラーに分解しＣＭＹＫレンダリングを行う。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 8 of the protection element 1 and an N-type diffusion layer 19 of the MOS transistor 15 are formed in the same process, while a diffusion width W3 of the N-type diffusion layer 8 is larger than a diffusion width W4 of the N-type diffusion layer 19.例文帳に追加

そして、保護素子１を構成するＮ型の拡散層８とＭＯＳトランジスタ１５を構成するＮ型の拡散層１９を同一工程で形成するが、Ｎ型の拡散層８の拡散幅Ｗ３が、Ｎ型の拡散層１９の拡散幅Ｗ４よりも広くなる。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition capable of forming an n-type diffusion layer in a specific part without forming an unwanted n-type diffusion layer, in a manufacturing process of a solar cell element using a silicon substrate, a method for manufacturing the n-type diffusion layer, and a method for manufacturing a solar cell element.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。 - 特許庁

In the film deposition method, film deposition is carried out according to a plasma CVD process using any material for the insulating film selected from n-butyl dimethyl methoxy silane, n-butyl methyl silane, n-butylidene methyl methoxy silane, n-butylidene silanon, allyl dimethyl methoxy silane, allyl methyl silanon, allylidene methyl methoxy silane, allylidene silanon, vinyl ethyl methyl methoxy silane, vinyl ethyl silanon, etc.例文帳に追加

絶縁膜用材料として、ｎ−ブチルジメチルメトキシシラン、ｎ−ブチルメチルシラノン、ｎ−ブチリデンメチルメトキシシラン、ｎ−ブチリデンシラノン、アリルジメチルメトキシシラン、アリルメチルシラノン、アリリデンメチルメトキシシラン、アリリデンシラノン、ビニルエチルメチルメトキシシラン、ビニルエチルシラノンなどを用い、プラズマＣＶＤ法によって成膜する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, metal silicide films 64 are so formed by a silicide process on a gate electrode 30 and an n^+-type source region 53 of an LDMOSFET as to form no metal silicide film on an n^--type offset drain region 33, an n-type offset drain region 51, and n^+-type drain region 52.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳＦＥＴのゲート電極３０およびｎ^+型ソース領域５３上にサリサイド工程により金属シリサイド膜６４を形成し、ｎ^-型オフセットドレイン領域３３、ｎ型オフセットドレイン領域５１およびｎ^+型ドレイン領域５２上にはこの金属シリサイド膜を形成しない。 - 特許庁

To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using silicon substrates.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁