「N process」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method of a solar battery cell includes: a process in which the aqueous phosphoric acid solution is jetted against the surface of a semiconductor substrate; and a process in which the semiconductor substrate on which the aqueous phosphoric acid solution is jetted is heated so that n-type impurities are diffused in the semiconductor substrate to form an n-type impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の表面にリン酸水溶液を噴霧する工程と、リン酸水溶液が噴霧された半導体基板を加熱することにより半導体基板にｎ型不純物を拡散させてｎ型不純物拡散層を形成する工程とを含む太陽電池セルの製造方法である。 - 特許庁

The method includes a process for forming a Schottky electrode 5 and a surface opening dicing line region 7 on a surface of an SiC wafer (high concentration n-type substrate 1 and low concentration n-type epitaxial layer 2) and forming an ohmic electrode 4 and a rear opening dicing line region 8 on a rear face of the SiC wafer before a dicing process.例文帳に追加

ダイシング工程を行う前に、ＳｉＣウエハ（高濃度ｎ型基板１及び低濃度ｎ型エピタキシャル層２）の表面にショットキ電極５及び表面開口ダイシングライン領域７を形成し、ＳｉＣウエハの裏面にオーミック電極４及び裏面開口ダイシングライン領域８を形成する工程を実行する。 - 特許庁

The number of coded data and the code length per decoding process can substantially be equalized by N pieces of accumulation units (N=plural number) in which N pieces of consecutive variable length coded data respectively are accumulated and a distribution unit which distributes the coded data so as to reduce a difference in their cumulative code lengths in the N pieces of accumulation units.例文帳に追加

連続するＮ個（Ｎは複数）の可変長符号化された符号化データをそれぞれ累積するＮ個の累積部と、前記符号化データを前記Ｎ個の累積部のいずれかに、当該Ｎ個の累積部における前記符号化データの累積符号長の差が小さくなるように振り分ける振分部とにより復号処理ごとの符号化データ数および符号長を略均等化できる。 - 特許庁

The process for predictable coloring of the keratinous fibers, in particular of human keratinous fibers such as the hair is carried out by application to the fibers of a composition comprising at least one oxidation base derived from diamino-N,N-dihydropyrazolone and at least one specific coupler mixed with a "fundamental" composition and/or a "golden fundamental" composition and/or a "golden" composition.例文帳に追加

本発明の主題は、「ファンダメンタル」組成物および/または「ゴールデン系ファンダメンタル」組成物および/または「ゴールデン系」組成物と混合された、ジアミノ-N,N-ジヒドロピラゾロンから誘導された少なくとも1種の酸化ベースおよび少なくとも1種の特定のカプラーを含む組成物を前記繊維に適用することによる、ケラチン繊維、特に、毛髪などのヒトケラチン繊維の予測可能な着色方法である。 - 特許庁

Then, a decoding process in which the coded data are parallelized can be speeded up by N pieces of decoding units which decode each of the coded data accumulated in the N pieces of accumulation units in parallel and a rearrangement unit which rearranges N pieces of decoded data respectively decoded by the N pieces of decoding units to the original order according to how they have been distributed by the distribution unit.例文帳に追加

そして、前記Ｎ個の累積部に累積された前記符号化データをそれぞれ並列して復号するＮ個の復号部と、前記Ｎ個の復号部によりそれぞれ復号されたＮ個の復号データを前記振分部による振分けに従ってもとの順序に並べ替える並替部とにより、符号化データの並列化された復号処理を高速化することができる。 - 特許庁

A method of manufacturing a silicon wafer includes a process S11 of preparing a silicon substrate 11, a first epitaxial process S13 of growing an n-type epitaxial film 12 on the silicon substrate 11, and a second epitaxial process S14 of growing a second epitaxial film 13 in which the device is formed on the epitaxial film 12.例文帳に追加

シリコン基板１１を用意する工程Ｓ１１と、シリコン基板１１上にｎ型のエピタキシャル膜１２を成長させる第１のエピタキシャル工程Ｓ１３と、エピタキシャル膜１２上にデバイスが形成される第２のエピタキシャル膜１３を成長させる第２のエピタキシャル工程Ｓ１４とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor wafer includes a first injection process for forming a silicon crystal by a floating zone method and injecting N type impurity of prescribed concentration, and a second injection process for performing neutron irradiation and injecting phosphorus in a prescribed concentration onto the silicon crystal after the first injection process.例文帳に追加

フローティングゾーン法によりシリコン結晶を形成し、所定濃度のＮ型不純物を注入する第１の注入工程と、第１の注入工程の後、シリコン結晶に中性子照射を行い、所定濃度のリンを注入する第２の注入工程を備える。 - 特許庁

In a nucleation process as a previous process, a nucleation process S1 for generating a crystalline nucleus on the substrate is performed by a reactant thermal CVD method or the plasma CVD method using higher-order silane-based gas represented by Si_nH_2n+2 (n=2, 3...) and germanium halide gas for deposition gas.例文帳に追加

また前工程として、前記核生成工程では、Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝２，３,…)で表される高次シラン系ガスとハロゲン化ゲルマニウムガスとを成膜ガスに用いた反応性熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によって基板上に結晶核を生成するための核生成工程Ｓ１を行う。 - 特許庁

At this time, the amount of at least one time transfer among n times transfers and the range of the recording element used for at least one time recording operation among n times recording scannings are adjusted so that the position for performing the cutting when n times transfers have been performed in the image formation process may coincide with the cutter position.例文帳に追加

このとき、その画像形成過程においてｎ回の搬送が行われたときにカットを行う位置とカッタの位置とが一致するよう、ｎ回の搬送のうち少なくとも１回の搬送量とｎ回の記録走査のうち少なくとも１回の記録動作に用いられる記録素子の範囲とを調整する。 - 特許庁

The multiple optical axis photoelectric sensor includes an opposed arrangement of light projecting elements T(1)-T(n) for periodically performing a projective scanning process of sequentially projecting light and light receiving elements J(1)-J(n) for receiving the light from the light projecting elements T(1)-T(n) to output light reception signals depending on the amount of light received.例文帳に追加

この多光軸光電センサでは、順次投光する投光スキャン処理を周期的に行う投光素子Ｔ（１）〜Ｔ（ｎ）と、投光素子Ｔ（１）〜Ｔ（ｎ）からの光を受光して受光量に応じた受光信号を出力する受光素子Ｊ（１）〜Ｊ（ｎ）とが対向して配置されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of an alkaline chitosan gel by which a macromolecular alkaline chitosan gel is obtained by alkali treatment at a low alkali concentration and a low temperature without conducting vacuum treatment, a manufacturing process of chitosan which does not necessitate a vacuum process and a manufacturing process of the fiber of a chitin the various polymers of which are partially and uniformly N-deacetylated.例文帳に追加

低アルカリ濃度、低温でのアルカリ処理にて、高分子のアルカリキトサンゲルを得ることができかつ真空処理が不要なアルカリキトサンゲルの製造方法の提供、キトサンを真空プロセスを要せず得ることのできる製造方法の提供、及びいろいろな均一に分布した高分子の部分Ｎ−脱アセチル化キチン糸の製造方法の提供。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device provided with a CMP treatment process for performing CMP treatment on the insulating inter-layer film 8 is provided with a process for forming an erosion induction part N producing erosion during a CMP treatment process on an area corresponding to a projection face M out of the irregular face formed on the insulating inter-layer film 8 before the CMP treatment process.例文帳に追加

絶縁層間膜８にＣＭＰ処理を行うＣＭＰ処理工程を備える半導体装置の製造方法であって、ＣＭＰ処理工程の前に絶縁層間膜８上に形成される凹凸面のうちの凸面Ｍに対応する領域に、ＣＭＰ処理工程時にエロージョンを発生させるエロージョン誘引部Ｎを形成する工程を備える。 - 特許庁

A real time motion picture processing system for making the number of process choices n more than the number of processable objects m comprises processing object determining means for determining whether or not input motion picture data which is to be one of the process choices is a processing object, and frame skip means for skipping a motion picture decoding process and an image storage process when determined as not being the processing object.例文帳に追加

処理選択肢数ｎ＞処理可能対象数ｍとするリアルタイム動画像処理システムにおいて、処理選択肢となる入力動画像データが処理対象であるか否かを判別する処理対象判別手段と、処理対象外である場合動画像復号処理と画像蓄積処理を省略するフレームスキップ手段と、を備える。 - 特許庁

For example, a pull-down process may be performed using one or more N-channel metal oxide film semiconductor field-effect (NMOS) transistors 220, 222, 224 while a pull-up process may be performed using one or more resistors 210.例文帳に追加

例えば、プルダウン処理は、一以上のＮチャンネル金属酸化膜半導体電界効果（ＮＭＯＳ）トランジスタ２２０，２２２，２２４を用いて実行してもよく、一方、プルアップ処理は、一以上の抵抗２１０を用いて実行してもよい。 - 特許庁

The work process includes first to n-th sub processes capable of carrying out work in parallel with each other, the first sub process has an s(i) number of work stages which are work stages P_i, 1-P_i, s(i), and work is carried out by any one of the sub processes.例文帳に追加

作業プロセスは、互いに並行して作業を行うことが可能な第１〜第ｎサブプロセスを含み、第ｉサブプロセスは作業工程Ｐ_i,1 〜Ｐ_i,s(i)のｓ（ｉ）個の作業工程を有し、いずれかのサブプロセスで作業が行われる。 - 特許庁

The process (1) is a process of supplying a fluidized bed reactor with a raw material gas comprising n-butene and a gas comprising molecular oxygen to allow the same to contact a catalyst comprising an oxide supported by a support to obtain a gas comprising butadiene by an oxidative dehydrogenation reaction.例文帳に追加

工程（１）：ｎ−ブテンを含む原料ガスと分子状酸素含有ガスを流動層反応器に供給し、酸化物を担体に担持した触媒と接触させて酸化脱水素反応によりブタジエンを含むガスを得る工程。 - 特許庁

To provide an economically advantageous process for producing butadiene which excels in activity, butadiene selectivity, the stability of a catalyst, a catalyst life and the like in the process for producing butadiene by subjecting n-butene to gas phase catalytic oxidation by molecular oxygen.例文帳に追加

ｎ−ブテンを分子状酸素により気相接触酸化してブタジエンを製造する方法において、活性、ブタジエン選択性、触媒の安定性、触媒寿命などに優れた、経済的に有利なブタジエン製造法を提供する。 - 特許庁

NMOS(N-type metal oxide semiconductor) transistors 1 and 2 each have a source and a back gate that are short-circuited, and hence threshold voltages Vth1 and Vth2 of the NMOS transistors 1 and 2 respectively depend only on process fluctuations in the NMOS transistors 1 and 2 and not on process fluctuations in other elements.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ１〜２において、ソースとバックゲートとがショートするので、閾値電圧Ｖｔｈ１〜Ｖｔｈ２はＮＭＯＳトランジスタ１〜２のプロセスばらつきだけに依存して他の素子のプロセスばらつきに依存しない。 - 特許庁

To provide an aqueous suspension polymerization process for producing a polymer having an improved color, especially a polyvinyl chloride and a PVDF product, and a process utilizing a combination of an N-substituted hydroxylamine chain stopper and a fixed polymerization initiator.例文帳に追加

色の改良されたポリマー、特にポリ塩化ビニル及びＰＶＤＦ生成物を製造する水性懸濁重合プロセス、Ｎ置換されたヒドロキシルアミン連鎖停止剤と所定の重合開始剤との組合せを利用したプロセスを提供する。 - 特許庁

A CPID generation part 20 periodically gathers the load rates of CPU modules (8-1 to 8-n) of the main control part 2 and makes the CPU modules (8-1 to 8-n) having smaller load rates process more data from the peripheral function part 4.例文帳に追加

ＣＰＩＤ生成部２０は、主制御部２のＣＰＵモジュール８−１〜８−ｎの負荷率を定期的に収集し、負荷率の小さいＣＰＵモジュール８−１〜８−ｎにより多く、周辺機能部４からのデータを処理させるようにする。 - 特許庁

To provide a purification method for obtaining extremely high-purity N-vinyl-2-pyrrolidone while reducing the number of stages of crystal precipitation process and raising efficiency of energy to be consumed and to obtain N-vinyl-2-pyrrolidone purified by the purification method.例文帳に追加

結晶析出工程の段階数を減らして消費されるエネルギーの利用効率を高めつつ、極めて高純度のＮ−ビニル−２−ピロリドンを得ることのできる精製方法と、該精製方法により精製されたＮ−ビニル−２−ピロリドンを提供する。 - 特許庁

When input signals have (n+a) bits and output signals have n bits, an error spreading processing circuit 1 executes an error spreading process onto the input signals in order to express gradation that is more than the expression to be actually displayed on a screen.例文帳に追加

入力信号を（ｎ＋ａ）ビットとし、出力信号をｎとした場合において、誤差拡散処理回路１は、入力信号に対して、画面に実際に表示するときより多くの階調を表現するために誤差拡散処理を施す。 - 特許庁

Preferably, prior to the hot-dip galvanization process, a compound containing an element X which is at least one of S, Cl, Na, K, Ni, C, N, B, Se and Br is deposited on the sheet surface satisfying [X]≥(1/600)×[M], and the sheet is subjected to recrystallization annealing.例文帳に追加

好ましくは、溶融亜鉛めっき処理を施すに先立ち、まず、元素XとしてS、Cl、Na、K、Ni、C、N、B、Se、Brの少なくとも１種以上を含有する化合物を、下記（１）式を満足するように鋼板表面に付着させ、次いで、再結晶焼鈍する。 - 特許庁

Each of the section filters 310-0 to (N-1) executes a process for extracting section data for only a section 700 which is input from the packet filter 210 indicated by respective packet filter connection information 410-0 to (N-1).例文帳に追加

セクションフィルタ３１０−０乃至（Ｎ−１）の各々は、それぞれパケットフィルタ接続情報４１０−０乃至（Ｎ−１）が示すパケットフィルタ２１０から入力されるセクション７００のみを対象としてセクションデータを抽出する処理を実行する。 - 特許庁

A collector layer 12 composed of n-type gallium nitride, a base layer 13 composed of p-type silicon germanium, and an emitter layer 14 composed of n-type gallium nitride are successively formed on a semiconductor substrate 11 composed of p-type silicon according to selective growth process.例文帳に追加

ｐ型シリコンからなる半導体基板１１上には、ｎ型窒化ガリウムからなるコレクタ層１２、ｐ型シリコンゲルマニウムからなるベース層１３、及びｎ型窒化ガリウムからなるエミッタ層１４が、選択成長法により順次形成されている。 - 特許庁

To provide a method efficiently recovering N-methyl-2-pyrrolidone by general facilities and enabling miniaturization and cost reduction of distillation facilities of after-process in order to industrially recover N-methyl-2-pyrrolidone from slurry in polyarylene sulfide production.例文帳に追加

ポリアリーレンスルフィド製造におけるスラリーからＮ−メチル−２−ピロリドンを工業的に回収する上で、一般的な設備で効率良く回収し、抽出設備、また後工程の蒸留設備の小型化とコスト低減を可能化する方法を提供する。 - 特許庁

In the process of (N-1) revolution, an output shaft 4 has one rotation in opposition to the direction of revolution, and an envelope of the track of a grinding member (a grinding wheel) 7 mounted on the output shaft 4 forms a regular polygon with N-pieces of sides.例文帳に追加

（Ｎ−１）回公転する間に前記出力軸４が公転方向と逆の方向に１回自転し、且つ出力軸４に取りつけた研削部材（トイシ）７の軌跡の包絡線がＮ個の辺を持つ正多角形になるように構成する。 - 特許庁

Since a first threshold value setting process is performed to settle the threshold value TH (N) before getting the height position of the substrate surface 3a, the threshold value TH (N) is set as the value reflecting the condition inside the nozzle and the air passage 67 at the setting point of time.例文帳に追加

また、基板面３ａの高さ位置を求める前に、第１閾値設定処理を実行して閾値ＴＨ（Ｎ）を設定しているので、閾値ＴＨ（Ｎ）はその設定時点でのノズル内部や空気経路６７の状態を反映した値となる。 - 特許庁

In the LEC (liquid encapsulated Czochralski) growth process of the GaAs single crystal, the crystal and a crucible for a raw material are rotated in opposite directions with a relative rotating speed n (rpm) of the crystal and the crucible set within the range of 10≤n≤30.例文帳に追加

ＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶の成長方法において、結晶と原料用ルツボを互いに逆方向に回転させ、その結晶と原料用ルツボとの相対回転数ｎ（ｒｐｍ ）を１０≦ｎ≦３０の範囲に設定する。 - 特許庁

The refining method includes a process for selectively preparing N-type scrap silicon lumps containing only specified impurity elements, a process for crushing the prepared scrap silicon lumps, a process for placing the crushed silicon in a vacuum vessel, a process for melting the crushed silicon placed in the vacuum vessel by irradiating it with an electron beam, so as to evaporate the impurity elements, and a process for solidifying the obtained molten silicon.例文帳に追加

特定の不純物元素のみを含有するＮ型スクラップシリコン塊を選択的に準備する工程と、この準備したスクラップシリコン塊を破砕する工程と、この破砕されたシリコンを真空容器内に置く工程と、真空容器内に置かれた破砕シリコンに電子ビームを照射して溶融させ、不純物元素を蒸発させる工程と、得られた溶融シリコンを凝固させる工程とを含む。 - 特許庁

A CPU 81 carries out a halftone process with using two methods separately depending on whether pixels showing a value of a level data LD of 0 continue by N or not.例文帳に追加

各画素ごとにハーフトーン処理を実行する際、階調値が値０となる画素がＮ画素以上連続したか否かによって２つのハーフトーン処理方法を使い分ける。 - 特許庁

In a step S5, the difference D1 between an (n+1)th higher frequency of the sampling frequency and the reception frequency is obtained and the same process as one for D1 is carried out even for D2.例文帳に追加

ステップＳ５ではサンプリング周波数のｎ＋１次高調波と受信周波数の差Ｄ２を求め、Ｄ２に対してもＤ１に対すると同様な処理を行う。 - 特許庁

Then, the V/III ratio of a supply raw material in the process of epitaxially growing the group-III nitride semiconductor with the N polarity surface as a growth surface is set to be small.例文帳に追加

そして、Ｎ極性面を成長面とするIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる工程における供給原料のＶ／III比を小さく設定する。 - 特許庁

For example, a semi-insulative i-layer 2 is formed on an n-type semiconductor substrate 1 by an epitaxial growth process, and a p-type region 3 is formed on the i-layer 2.例文帳に追加

たとえばｎ形半導体基板１上に半絶縁性のｉ層２がエピタキシャル成長されており、そのｉ層２にｐ形領域３が形成されている。 - 特許庁

Low concentration impurity layers 50, 40 for the first and second high withstand voltage transistors 100P, N and wells 36, 34 of the low withstand voltage transistors are formed in the same process.例文帳に追加

第１、第２高耐圧トランジスタ１００Ｐ，Ｎのための低濃度不純物層５０，４０と低耐圧トランジスタのウェル３６，３４の形成を同一の工程で行う。 - 特許庁

In the fair blind signature process, a user converses with a signer to complete a 7-tuple (A, e, s, t, x_u, x, m) so that A^e=a_0a^x_1a^m_2a^xu_3a^t_4a^s_5(mod n) may be satisfied.例文帳に追加

フェア・ブラインド署名プロセスで、ユーザは、Ａ^e＝ａ_0ａ^x_1ａ^m_2ａ^xu_3ａ^t_4ａ^s_5（ｍｏｄ ｎ）になるように７タプル（Ａ，ｅ，ｓ，ｔ，ｘ_u，ｘ，ｍ）を完成するために署名者と対話する。 - 特許庁

The Cr-B-Si-N alloy film 4 is coated on the outer peripheral sliding surface (a part corresponding to the sliding surface) of the nitriding layer 3 by a PVD (physical vapor deposition) process.例文帳に追加

Ｃｒ−Ｂ−Ｓｉ−Ｎ合金皮膜４は、ＰＶＤ（物理的蒸着）法によって窒化層３の外周摺動面（摺動面相当部）に被覆されている。 - 特許庁

The N-channel depletion type transistor has process fluctuations that are linked with those of a detection transistor, and hence a short-circuit current may be set accurately without trimming.例文帳に追加

Ｎｃｈデプレッション型トランジスタは検出用トランジスタとプロセスばらつきが連動するためトリミングを行うことなく短絡電流を正確に設定することが出来る。 - 特許庁

There is provided the process for preparing the N-[2-(2-pyridinyl)ethyl]carboxamide derivative of formula (I) or a salt thereof using an intermediate of formula (II) and an intermediate of formula (III).例文帳に追加

式（ＩＩ）の中間体及び式（ＩＩＩ）の中間体を用いた式（Ｉ）のＮ−［２−（２−ピリジニル）エチル］カルボキサミド誘導体またはこの塩の調製方法。 - 特許庁

In a process for manufacturing a field effect transistor composed of a group III nitride semiconductor, an n-type GaN layer 2 and a p-type GaN layer 3 are formed on a substrate 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタの製造工程において、まず、基板１２の上にｎ型ＧａＮ層２およびｐ型ＧａＮ層３が形成される。 - 特許庁

Therefore, in cleaving process of the wafer 1, the electrode peeling-off starting from the n-side electrode 13 with bad adhesiveness to the substrate can be prevented.例文帳に追加

そのため、ウエハ１を劈開する際に、基板と密着性の悪いｎ側電極１３を起点とした電極剥がれが発生することを抑制することが可能となる。 - 特許庁

By repeating the process, a plurality of depletion parts 12a are generated in an epitaxial layer 12 to provide a hetero N- buffer structure.例文帳に追加

そして、この工程を繰り返すことにより、エピタキシャル層１２中に複数の空洞部１２ａを作り込んで、ヘテロなＮバッファ構造を実現する構成となっている。 - 特許庁

In the transfer process, first, an image information recording part (d) is conveyed and stopped at a transfer start position N by driving a drive motor M1 for a transfer film supply spool 47.例文帳に追加

転写の際に、まず転写フィルムの供給スプール４７の駆動モータＭ１を駆動して画像情報記録部ｄを転写開始位置Ｎにまで搬送して停止させる。 - 特許庁

To provide IC for receiver, which can be made into single IC by means of a MOS transistor technique (process) and the like and which can obtained the required electric characteristic of an S/N and the like.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ技法（プロセス）等で単一ＩＣ化可能であり、必要とするＳ／Ｎ比等の電気的特性も得られる受信機用ＩＣを提供すること。 - 特許庁

To provide magnetic powder capable of constituting a high storage density medium of low noise, high output and high C/N suitable for a GMR head and the like, by preventing sintering in a reduction process.例文帳に追加

還元過程での焼結を防止して、ＧＭＲヘッドなどに適した低ノイズ、高出力、高Ｃ／Ｎの高記録密度媒体を構築可能な磁性粉末を提供する。 - 特許庁