「N process」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

According to an embodiment, a semiconductor device manufacturing method comprises a process of exposing a surface of an n-type semiconductor region and a surface of a semiconductor layer, which have relatively different impurity concentrations from each other.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、相対的に不純物濃度が異なるｎ形半導体領域の表面と半導体層の表面とを露出させる工程を有する。 - 特許庁

To provide an N-multiplexed system for a resource management process which can shorten the disruption time for a service to be provided by making a continuous resource access available even if a failure has occurred on a specific server.例文帳に追加

特定サーバに障害が発生しても継続してリソースアクセスできるようにし、サービス提供の中断時間を短縮することができるリソース管理プロセスのＮ重化システムを提供する。 - 特許庁

When the memory is not full (S305; N) and the additional document is totally read (S308; Y), printing of the document image stored in the internal memory is started to complete the process (S309).例文帳に追加

メモリフルにならず（Ｓ３０５；Ｎ）、すべての追加原稿の読み取りが終了した場合（Ｓ３０８；Ｙ）、内部メモリに蓄積された原稿画像の印刷を開始して処理を終了する（Ｓ３０９）。 - 特許庁

A physical process ID (PPID) is stored for each cache block 102 of each set 103, and the number of MAX WAY 105 with respect to each PPID value is stored for each of index values #1 to #n.例文帳に追加

各セット１０３のキャッシュブロック１０２毎に物理プロセスＩＤ（ＰＰＩＤ）が記憶されるとともに、＃１から＃ｎの各インデックス値毎に、各ＰＰＩＤ値に対するＭＡＸ ＷＡＹ数１０５が記憶される。 - 特許庁

Also, the number of core wires is increased in accordance with the desired n value, and a rolling reduction rate in a rolling process after the primary sintering is adjusted in accordance with a single phase degree after the primary sintering.例文帳に追加

また、所望のｎ値に対応して、芯線の数を増加させると共に、一次焼結後における単相度に対応して、一次焼結後の圧延工程における圧延圧下率を調整する。 - 特許庁

The reconfigure devices 110-1 to 110-N receive the packet data stream and execute a hitless reconfiguration process according to the reconfigure identifier R31 and the switched side configuration memory identifier K32.例文帳に追加

リコンフィギュアデバイス１１０−１〜１１０−Ｎは、このパケットデータストリームを受信し、リコンフィギュア識別子Ｒ３１及び切替先コンフィグメモリ識別子Ｋ３２により無瞬断リコンフィグレーション処理を実施する。 - 特許庁

To provide a process for preparing 3-(4-(2,4-difluorobenzyloxy)-3-bromo-6-methyl-2-oxopyridine-1(2H)-yl)-N,4-dimethylbenzamide (compound 1) which is efficient and realizable in a large scale.例文帳に追加

３−（４−（２，４−ジフルオロベンジルオキシ）−３−ブロモ−６−メチル−２−オキソピリジン−１（２Ｈ）−イル）−Ｎ，４−ジメチルベンズアミド（化合物１）の効率的で大規模実現可能な調製方法の提供。 - 特許庁

Thereafter, the silicide process (including at least a kind of Ni, Ti, Co, Pd, Pt, and Er) is conducted to each gate electrode, source region and drain region of the n-channel MISFET and p-channel MISFET.例文帳に追加

その後、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴの各ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にシリサイド化（Ni,Ti,Co,Pd,Pt,Erのうち少なくとも一種類を含む）を行う。 - 特許庁

Since the P contact 11 and N contact 12 are exposed through the washing process, exhaust heat property is good, a service life still becomes longer, the gold line is not disconnected, and the occurrence of halation is also prevented.例文帳に追加

水洗過程によってＰコンタクト１１とＮコンタクト１２とは露出するので、排熱性がよく、使用寿命も更に長くなり、金線は破断することなく、光暈け現象の発生も避けられる。 - 特許庁

Parameters α, n for obtaining the quantity of grinding a work 42 are acquired by an arithmetic process in accordance with two actual working data of a temporal change of a grinding resistance and a relationship between a cutting speed and the grinding resistance.例文帳に追加

ワーク４２の研削量を求めるためのパラメータα，ｎを、研削抵抗の時間変化と、切り込み速度と研削抵抗の関係との２つの実加工データに基づいて演算処理により求める。 - 特許庁

To provide a ghost eliminating device that realizes stable ghost elimination processing by avoiding malfunctions in ghost elimination processing process, in response to the S/N ratio of an input video signal even when signal conditions deteriorate.例文帳に追加

信号条件が悪い場合でも、入力映像信号のＳ／Ｎに応じて、ゴースト除去処理過程における誤動作を回避し、安定したゴースト除去処理を実現するゴースト除去装置を提供する。 - 特許庁

When coding is started by a worker on each of worker terminals 30-1 to 30-n, in the case of updating a program, a number of lines of source codes or the like is collected by an agent process and work information is prepared.例文帳に追加

作業者端末３０−１〜３０−ｎで、作業者によりコーディングが開始されると、エージェントプロセスにより、プログラムの更新時にソースコード行数等が収集され、作業情報が作成される。 - 特許庁

In a heat treatment process after the storage node 151 is formed, diffusion of N-type impurities in the storage node 151 is restrained by oxygen in the layer 151a containing oxygen, and junction leakage is prevented.例文帳に追加

ストレージノード１５１の形成後の熱処理工程で、ストレージノード１５１中のＮ型不純物の拡散が酸素含有層１５１ａ中の酸素により抑制され、ジャンクションリークが防止される。 - 特許庁

To provide a diode adapted for an optoelectronic device, which comprises a P-type semiconductor substrate and an N-type transparent amorphous oxide semiconductor layer, to simplify a fabrication process, and to decrease production costs.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板とＮ型透明非結晶酸化物半導体層とを含む、光電デバイス用に採用されるダイオードを提供し、製作プロセスを簡単にするとともに、製造コストを低減する。 - 特許庁

It is judged whether an obtained code is a 4th code or not and when not (S11: N), a nonvolatile memory of a process cartridge 2 is read (S12) to judge whether the code is a 1st code or not (S13).例文帳に追加

得られたコードが第４のコードか否かを判断し、第４のコードでない場合は（Ｓ１１；Ｎ）、プロセスカートリッジ２の不揮発性メモリを読み取り（Ｓ１２）、そのコードが第１のコードか否かを判断する（Ｓ１３）。 - 特許庁

To provide a practical and industrial purification process for 1-mthyl N-[N-[3-(2-hydroxy-substituted phenyl)propyl]-L-α-aspartyl]-L-phenylalanine that has excellent sweet taste with a high degree of sweetness, particularly a process for collecting the objective compound of high purity in the form of crystals, which are stable as the final product separated from the impurities.例文帳に追加

高甘味度甘味料として優れているＮ−［Ｎ−［３−（２−ヒドロキシ−４−置換フェニル）プロピル］−Ｌ−α−アスパルチル］−Ｌ−フェニルアラニン １−メチルエステル誘導体の実用的かつ工業的な精製方法、特にその夾雑する不純物から高純度の目的化合物を結晶として取得する方法及び製品としてより安定性に優れた最終形態であるその結晶体を提供する。 - 特許庁

When a plurality of data are multiplexed in time division and the resulting data are transmitted, an identification information addition means 12 adds identification information ID to each f a plurality of data, and a transmitter side switcher 13 decides any of transmission signal processing sections 14-1-14-n of a succeeding stage to process each of a plurality of the data, based on the identification information ID.例文帳に追加

複数のデータを時分割多重して送信する場合に、識別情報付加手段12で複数のデータにそれぞれ識別情報（ID）を付加し、送信側スイッチャ13で、前記識別情報（ID）によって、複数のデータのそれぞれについて次段の処理すべき送信信号処理部14-1〜14-nを決定する。 - 特許庁

The N well-ion-implantation is carried out in the region where the oxide film 120 is removed, and a second alignment key 220 is formed in the inside of the region key, which is provided by removing the oxide film 120, by etching using a P well mask, in a process where the N well is formed using a P well-ion-implantation mask.例文帳に追加

前記酸化膜１２０が除去された領域にＮウェルイオン注入を実行し、Ｐウェルイオン注入マスクを利用してＮウェル形成工程時、前記酸化膜１２０除去により既設定された領域キーの内部にＰウェルマスクを利用したシリコンエッチングで第２整列キー２２０を形成する。 - 特許庁

In the case of conducting double density gradation processing where input image data of an n-value (n>3) are converted into binary image data having double resolution in the main scanning direction, an error spread section 22 and a comparison section 23 process the input image data received from an input section 21 to convert the data into ternary image data.例文帳に追加

ｎ値（ｎ＞３）の入力画像データを、主走査方向に２倍の解像度をもつ２値の画像データに変換する倍密度階調処理を行う場合において、入力部２１から入力された入力画像データは、誤差拡散部２２、比較部２３で処理されて３値の画像データに変換される。 - 特許庁

The process for preparing phosphonooxymethyl derivatives comprises the steps of formula (i) and formula (ii), wherein R-OH represents an alcohol- or phenol-containing drug, n represents an integer of 1 or 2, R^1 is hydrogen, an alkali metal ion, or a pharmaceutically acceptable cation, and R^2 is hydrogen, an alkali metal ion, or a pharmaceutically acceptable cation.例文帳に追加

ホスホノオキシメチル誘導体の調製法は、式（i）および式（ii）の段階を含む、ここで、R-OHはアルコールまたはフェノールを含有する薬物を表し、nは1または2の整数を表し、R^1は水素、アルカリ金属イオン、または薬学的に許容されるカチオンであり、R^2は水素、アルカリ金属イオン、または薬学的に許容されるカチオンである。 - 特許庁

The terminals 2 and 3 can be constituted as contact structures between a metallic wiring layer and the N- and P-type well regions and, in addition, as stack VIA structures between many metallic wiring layers and the N- and P-type well regions in accordance with the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit device that realizes the basic cell 1.例文帳に追加

メタル配線層とＮ型及びＰ型ウェル領域とのコンタクト構造として構成することができるほか、基本セル１を実現する半導体集積回路装置の製造プロセスに応じて多層のメタル配線層とＮ型及びＰ型ウェル領域とのスタックＶＩＡ構造として構成することもできる。 - 特許庁

During the execution of the sampling process, the failure detecting apparatus records operating condition parameters (engine speed N, fuel injection quantity W) which shows operating condition of an engine, and detects a failure of the DPF based on the operating condition parameters (the engine speed N and the fuel injection quantity W) and the measured electrostatic capacity changed quantity ΔC.例文帳に追加

また、サンプリング処理を実行している間におけるエンジンの運転状態を示す運転状態パラメータ（回転数Ｎ，燃料噴射量Ｗ）を記録しておき、この運転状態パラメータ（回転数Ｎ，燃料噴射量Ｗ）と、測定された静電容量変化量ΔＣと、に基づいてＤＰＦの故障を検知する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a CMOS semiconductor device having a silicide process structure, a titanium film 38 is formed on silicide forming regions of a P-channel type MOS transistor and an N-channel type MOS transistor, and a silicon film 39A is formed only on the titanium film 38 on the silicide forming region of the N-channel type MOS transistor.例文帳に追加

シリサイドプロセス構造のＣＭＯＳ半導体装置の製造方法において、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ及びＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのシリサイド形成領域上にチタン膜３８を形成し、前記Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ上のシリサイド形成領域上のチタン膜３８上にのみシリコン膜３９Ａを形成する。 - 特許庁

To increase a work function difference between a metal compound used in the gate electrode pattern of a n-channel MOS transistor and a metal compound used in the gate electrode pattern of a p-channel MOS transistor, in the n-channel MOS transistor which is formed in a gate first process and which uses the metal compound as the gate electrode pattern.例文帳に追加

ゲートファーストプロセスで形成できる、金属化合物をゲート電極パターンとして使うｎチャネルＭＯＳトランジスタにおいて、ｐチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極パターンに使われる金属化合物に対し、前記ｎチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極パターンに使われる金属化合物の仕事関数差を増大させる。 - 特許庁

Only silicon tetrachloride is used for an etching gas when a cathode is formed on a n-type semiconductor layer by removing a part of a light emitting layer and a p-type semiconductor layer in reactive-ion etching process after the n-type semiconductor layer, light emitting layer and p-type semiconductor layer are sequentially laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層をこの順序で積層した後、発光層およびｐ型半導体層の一部を反応性イオンエッチング法により除去してｎ型半導体層上に負極を形成する際に、エッチングガスに四塩化珪素のみを用いる。 - 特許庁

To provide a microscopic crystal silicon thin film solar battery, which can be formed using a deposition process that can be utilized at this point of time by forming an n-type hydrogenated amorphous silicon layer on the side of the reflection electrode of the n-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer, and improved output characteristic can be exhibited.例文帳に追加

ｎ型水素化微結晶シリコン層の反射電極側にさらにｎ型水素化アモルファスシリコン層を形成することによって、現時点で利用可能な堆積プロセスを使用して形成されることができる、改善された出力特性を発揮できる微結晶シリコン薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

When an n^+-GaN layer 6 is selectively etched with respect to an n^+-AlGaN layer 5 in the manufacturing process of the GaN semiconductor device, dry etching is performed with gas plasma whose concentration of gas including Cl atom is set to be 60 to 90% by using gas including the Cl atom and gas including a F atom.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体デバイスの製造工程において、ｎ^+ −ＧａＮ層６をｎ^+ −ＡｌＧａＮ層５に対して選択的にエッチングを行う際に、Ｃｌ原子を含むガスとＦ原子を含むガスを用い、そのＣｌ原子を含むガスの濃度を６０〜９０％としたガスプラズマにてドライエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a method of testing an optical fiber having a branch capable of monitoring increase in loss or the like in an N-branch optical fiber network, in a branched part of an optical fiber, by a simple process.例文帳に追加

本発明の課題は、簡単なプロセスにより、Ｎ分岐光ファイバネットワークの損失増加等のモニタリングを、分岐部以下の光ファイバにおいて可能とする分岐を有する光ファイバの試験方法を提供することにある。 - 特許庁

In the manufacturing method, a deposition process S2 for depositing the silicon thin film, including a crystal structure on the substrate, is performed by a plasma CVD method using higher-order silane-based gas expressed by Si_nH_2n+2 (n=2, 3...) and hydrogen gas for deposition gas.例文帳に追加

Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝２，３,…)で表される高次シラン系ガスと水素ガスとを成膜ガスに用いたプラズマＣＶＤ法により、結晶構造を含むシリコン薄膜を基板上に成膜する成膜工程Ｓ２を行う。 - 特許庁

In a process for forming a separation groove for separating into chips by dry etching and then surface-roughening a surface where the n-type nitride semiconductor layer 2 is exposed, the side of the active layer 3 is melted and the width is narrowed.例文帳に追加

チップに分離するための分離溝をドライエッチングで形成した後、ｎ型窒化物半導体層２が露出した表面の粗面加工を行う工程で、活性層３の側面が溶けて幅が狭くなったものである。 - 特許庁

The interpolation point number calculation process seeks a value made by adding one to a value obtained by dividing the number of microphones L by the minimum observation point number M+1, as a number of observation points N used for interpolation to interpolate the radiation orientation characteristics.例文帳に追加

補間点数算出過程は、マイクロホンの数Ｌを最低観測点数Ｍ＋１で除した値に１を加えた値を、放射指向特性を補間する補間に用いる観測点の個数Ｎとして求める。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an N-type MOS transistor for ESD protection, which suppresses an off-state leakage current and has a satisfactory ESD protection function, without increasing the process steps and the footprint.例文帳に追加

工程の増加や占有面積の増加もなくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent gate insulating film penetration in a dry etching process when forming a gate electrode pattern in a semiconductor apparatus in which gate structures of an n-channel and that of a p-channel are different from each other and which has metal gate electrodes.例文帳に追加

ｎチャネル及びｐチャネルのゲート構造が異なり且つメタルゲート電極を有する半導体装置において、ゲート電極パターン形成時のドライエッチングでゲート絶縁膜の突き抜けが発生しないようにする。 - 特許庁

The temperature threshold Ts is a critical temperature at which a required fixing target temperature is ensured to perform a process that needs fixing, after processing for the number of remaining unprocessed sheets N is finished at the point in time.例文帳に追加

温度閾値Ｔｓは、その時点で未処理の残り枚数Ｎの処理を終え、その後、定着の必要なプロセスの処理を行う時に必要な定着目標温度を確保できると推定される限界温度である。 - 特許庁

A control section 30 of a PCL controller 3 forms image data for image outputting by executing a command analyzing process for printing data which is received through a communication network N and stored in a spooler 34.例文帳に追加

ＰＣＬコントローラ３の制御部３０は、通信ネットワークＮを介して受信してスプーラ３４に記憶してある印刷データに対してコマンド解析処理を実行して画像出力用の画像データを生成する。 - 特許庁

When a count value N reaches a prescribed value "3", a timer 19 starts to set a handover inhibit period T, thereby inhibiting the handover process during the setting of the inhibit period T.例文帳に追加

そして、そのカウント値Ｎが所定値「３」に達した場合に、タイマ１９を起動してハンドオーバ禁止期間Ｔを設定し、このハンドオーバ禁止期間Ｔの設定中におけるハンドオーバ処理を禁止するようにしたものである。 - 特許庁

The process release paper is constituted of a laminate of the base paper and the releasable resin layer provided on at least one surface of the base paper and the N content of the base paper is set to 10-60 weight %.例文帳に追加

工程剥離紙を、基紙と、この基紙の少なくとも一方の面に設けられた離型性樹脂層との積層体からなる構成とし、基紙のＮ材含有量を１０〜６０重量％の範囲内とする。 - 特許庁

The process for producing N-alkyl-tert-butylamine includes subjecting tert-butylamine to a vapor-phase catalytic reaction with a primary alkyl alcohol in the presence of a catalyst containing palladium as an element.例文帳に追加

元素としてパラジウムを含有する触媒の存在下、ｔｅｒｔ−ブチルアミンを第１級アルキルアルコールと気相接触反応させることを特徴とするＮ−アルキル−ｔｅｒｔ−ブチルアミンの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the hydrogen storage body has a process for applying at least one of rapid temperature rising heat treatment and energy irradiation treatment to a polymer having a structure represented by formula (1) (wherein, R is a hydrocarbon group and may contain a hetero atom end n is 2-10,000).例文帳に追加

下記一般式（１）で表される構造を有するポリマーに対して、急速昇温加熱及びエネルギー照射処理の少なくとも１種を施す工程を有する、水素吸蔵体の製造方法。 - 特許庁

Thus, when the voice lamp control device 113 receives the prize information command, in the case where there is variable presentation still in process or the number of special pattern holding balls N is 1, continuous change combination presentation can be performed.例文帳に追加

よって、音声ランプ制御装置１１３が入賞情報コマンドを受信した際に、実行中の変動演出があるか、或いは特図保留球数Ｎが１であれば、連続チャンス目演出を行うことができる。 - 特許庁

To prevent a large current from flowing owing to variance of a process, etc., by controlling the operations of a P-channel transistor and an N- channel transistor of the output stage in a power circuit which drives a load on a push-pull basis.例文帳に追加

プッシュプル方式により負荷を駆動する電源回路において、出力段のＰチャネルトランジスタとＮチャネルトランジスタの動作を制御することによって、プロセス等のばらつきにより大電流が流れることを防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing heavy nitrogen by enrichment which is aimed at shortening time to be spent until ^15 N of desired concentration can be manufactured by enrichment from the start of operation of a device for manufacturing heavy nitrogen by enriching process.例文帳に追加

重窒素濃縮製造装置の運転開始から所望とする濃度の^１５Ｎを濃縮製造することができるまでの時間を短縮するための重窒素濃縮製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a thermoelectric element in which temperature difference power generation (thermal power generation) by Seebeck effect or electronic cooling/heat generation by Peltier effect can be attained using P type and N type thermoelectric semiconductor materials.例文帳に追加

本発明は、Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料を用いて、ゼーベック効果による温度差発電（熱発電）や、ペルチェ効果による電子冷却・発熱を可能とする熱電素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

By a plasma CVD method using a silane-based gas represented by Si_nH_2n+2 (n=1, 2, 3, ...) and a germanium halide gas as source gases, a process for depositing the silicon thin film containing a crystalline structure on a substrate is performed.例文帳に追加

Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝１，２，３,…)で表されるシラン系ガスと、ハロゲン化ゲルマニウムガスとを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により、結晶構造を含むシリコン薄膜を基板上に成膜する工程を行う。 - 特許庁

Impurity concentration of the impurity diffusion region 29 is set equal to that in the N-LDD region 31 of a fine CMOS device being integrated on the same substrate 1 and they are formed by performing ion implantation process only once.例文帳に追加

不純物拡散領域２９の不純物濃度を、同一基板１上に集積される微細ＣＭＯＳデバイスのＮ−ＬＤＤ領域３１と同じ濃度とし、それらを一度のイオン注入工程で形成する。 - 特許庁