「N process」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The rubber composition includes (A) a diene rubber, (B) a metal soap expressed by formula (I), and (C) a carbon black for rubber compounding that has specific characteristics obtained by a specific production process and meets specific requirements [wherein, M is a metal having an oxidation state of +3 or +4; R is an each independently selected organic portion; and n is the valency of M].例文帳に追加

本発明のゴム組成物は、 （Ａ）ジエン系ゴム、（Ｂ）下記式（Ｉ）で表される金属石鹸、及び（Ｃ）特定の製法により得られる特定の性状を有し、かつ特定の条件を満たすゴム配合用カーボンブラックを含有することを特徴とする。 - 特許庁

To simplify the manufacturing process of a semiconductor apparatus constituting a CMOS circuit by an n-channel MIS transistor and a p-channel MIS transistor forming a gate electrode composed of a metallic material on a gate insulating film composed of a high dielectric material.例文帳に追加

高誘電体材料からなるゲート絶縁膜上に金属材料からなるゲート電極を形成するｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタによってＣＭＯＳ回路を構成する半導体装置の製造工程を簡略化する。 - 特許庁

To provide a countermeasure to increases in a resource requirement and process time for an N-in-1 output in the state of at least two image forming apparatuses serially connected so as to enable an image forming by individually sharing the processes of at least two zones of a recording sheet.例文帳に追加

記録紙の少なくとも２領域をそれぞれ分担して画像形成することが可能に少なくとも２台の画像形成装置が直列に接続された状態において、Ｎｉｎ１出力における資源要求や処理時間の増大に対して対処する。 - 特許庁

A and B company bond systems 20, 30 have account DBs 24, 34, communication control parts 21, 31, N/ W.IFs(network interfaces) 22, 32, inputting parts 25, 35, agreement processing parts 23, 33 that process bond trading information to generate agreement information and outputting parts 26, 36.例文帳に追加

Ａ及びＢ社債券システム２０，３０は、口座ＤＢ２４，３４と、通信制御部２１，３１と、Ｎ／Ｗ・ＩＦ２２，３２と、入力部２５，３５と、債券売買情報を処理し、約定情報を作成する約定処理部２３，３３と、出力部２６，３６とを備える。 - 特許庁

Then, encoded converted data f(y) 1 to 8 are gathered by each converted data obtained in the same process in the processes of conversion based on the conversion rule to obtain N-kinds of groups of converted data, and compression processing of the converted data f(y) 1 to 8 is carried out by each of the groups.例文帳に追加

そして、符号化された変換データｆ(y)1〜8を、前記変換規則に基づく変換の過程のうちの同じ過程で得られた変換データ毎に集めてＮ通りの変換データ群を得、この群の各々毎に、変換データｆ(y)1〜8に圧縮処理を施す。 - 特許庁

The process forming the source-contact electrode 16 includes the processes of: forming a conductor layer to be used as the source-contact electrode 16 on the main surface of the n^-SiC layer 12; and thermally treating the conductor layer as the source-contact electrode 16.例文帳に追加

ソースコンタクト電極１６を形成する工程は、ソースコンタクト電極１６となるべき導電体層をｎ^−ＳｉＣ層１２の主表面上に形成する工程と、導電体層をソースコンタクト電極１６とするため熱処理する工程とを含む。 - 特許庁

When the large-capacity memory device 3 has no data having the same ID as the received data (S102; N) but the received data have a storage command (S105; Y), the received data are stored in the large-capacity memory device 3 as data having a new ID (S104) to complete the process.例文帳に追加

また、受信したデータと同一ＩＤのデータが大容量記憶装置３にないが（Ｓ１０２；Ｎ）、受信したデータが蓄積コマンドである場合（Ｓ１０５；Ｙ）、新たなＩＤのデータとして大容量記憶装置３に蓄積し（Ｓ１０４）、処理を終了する。 - 特許庁

To provide model material being able to simulate a deformation process of a workpiece with small stress such as one-several thousandth or less in plastic working of a metal, wherein a work-hardening factor (n value), a deformation characteristic value, of metallic materials can be adjusted over a wide range.例文帳に追加

金属の塑性加工において、被加工物の変形過程を数千分の一以下の小さい応力で再現できるモデル材料で、金属材料の変形特性値である加工硬化指数（ｎ値）を広い範囲で調整が可能なモデル材料を提供する。 - 特許庁

When a fault recognition part 71 of a processor 7 detects abnormality occurring to a fan 5, etc., a saving process means 72 saves data which do not have been written to HDDs 3-1 to 3-n yet among the data stored in the cache memory 8 in response.例文帳に追加

プロセッサ７の障害認識部７１がファン５等で発生した異常を検出すると、これを受けて退避処理手段７２がキャッシュメモリ８に記憶されているデータで、ＨＤＤ３−１〜３−ｎへの書込みが完了していないデータの退避処理を実行する。 - 特許庁

When a source voltage V falls below a 1st reference voltage V1 (step S302) and is higher than a second reference voltage V2 (step S303), a function limiting process is performed (step S305) and the reception cycles of the different-frequency signal is made (n) time as long as the cycles T.例文帳に追加

電源電圧Ｖが第１の基準電圧Ｖ１より低くなり（ステップＳ３０２）、第２の基準電圧Ｖ２よりも高い（ステップＳ３０３）場合は、機能制限処理を行い（ステップＳ３０５）、他周波信号の受信周期を、周期Ｔのｎ倍にする。 - 特許庁

Accordingly if image is formed in the margin, the operation is in the stitch mode (Yes at S2), and the number of sheets N left to the binding process exceeds m as prescribed (for example, ten), the binding positions are made more than two as normal according to S6 to S8.例文帳に追加

そこで、余白部に画像形成が形成され、かつステッチモードであり（Ｓ２のＹＥＳ）、かつ綴じ処理に供されるシートの枚数Ｎが所定のｍ枚（例えば１０枚）を超えたときには、Ｓ６〜Ｓ８に従って、綴じ箇所を通常の２箇所よりも多くする。 - 特許庁

This method for producing the cellulose ester film is provided by casting a solution containing the acetyl-based cellulose ester on a supporting material, drying, and after peeling the film, performing a stretching process of stretching in the width direction while imparting a ≥180 N/m tensional force in the conveying direction.例文帳に追加

アセチル系セルロースエステルを含む溶液を支持体上に流延・乾燥し、フィルムを剥離した後、搬送方向に１８０Ｎ／ｍ以上の張力を付与しながら幅手方向に延伸させる延伸工程を行うセルロースエステルフィルムの製造方法。 - 特許庁

This method for manufacturing the functional carbon material comprises a process that heats a polymer having structure represented by general formula (1) (wherein R is a hydrocarbon group and may include a heteroatom, and n is 2-10,000) at a low temperature (100-300°C) and forms a microcrystal carbon material having a polynuclear aromatic hydrocarbon.例文帳に追加

下記一般式（１）で表される構造を有するポリマーに対して、低温加熱処理（１００〜３００℃）を施し、多環芳香族炭化水素を有する微細結晶炭素材料を形成する工程を有する、機能性炭素材料の製造方法。 - 特許庁

The present invention provides a new polymorphic forms and amorphous form of (2R,Z)-2-amino-2-cyclohexyl-N-(5-(1-methyl-1H-pyrazol-4-yl)-1-oxo-2,6-dihydro-1H-[1,2]diazepino[4,5,6-cd]indol-8-yl)acetamide and a process for preparing those.例文帳に追加

（２Ｒ，Ｚ）−２−アミノ−２−シクロヘキシル−Ｎ−（５−（１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−４−イル）−１−オキソ−２，６−ジヒドロ−１Ｈ−［１，２］ジアゼピノ［４，５，６−ｃｄ］インドール−８−イル）アセトアミドの新規多形体および非晶体、ならびにそれらを調製するためのプロセス。 - 特許庁

A determination on abutment is made to see whether or not the frequency (n) of times is equal to or greater than a predetermined value n1; when it is determined that abutment has occurred (the shift shaft has reached the actual maximum mechanical rotation angle), a transition is made to a process for connecting a transmission clutch.例文帳に追加

そして、この回数ｎが所定値ｎ１以上であるか否かの突き当たり判定が行われ、突き当たった（シフトシャフトが実際の機械的最大回転角度に達した）と判定されたことを受けて、変速クラッチの接続工程に移行する。 - 特許庁

The N-UP formatter is operable to process a print parameter of the second group while printing the print job and change the arrangement of at least one page of the rasteraized logical pages while printing the print job based on the print parameter of the second group.例文帳に追加

Ｎ−ＵＰフォーマッタは、印刷ジョブの印刷中に第２の組の印刷パラメータを処理して、第２の組の印刷パラメータに基づき、印刷ジョブの印刷中に、ラスタライズした論理ページのうちの少なくとも１ページの配置を変更するように動作可能である。 - 特許庁

The method for making a planographic printing plate is carried out by exposing a photographic material having a silver halide emulsion layer, developing (without including a process of silver complex salt diffusion transfer development), and then treating with a treating liquid containing a pyridine-N-oxide compound having a mercapto group in the molecule.例文帳に追加

ハロゲン化銀乳剤層を有する写真材料を露光し、現像処理（銀錯塩拡散転写現像を含まない）後、分子中にメルカプト基を有するピリジン−Ｎ−オキシド化合物を含有する処理液で処理する平版印刷版の作成方法。 - 特許庁

The method for producing the coated α-lipoic acid powder comprises a process mixing and agitating the α-lipoic acid powder with the fat having excess 40°C of melting point and 0.1-50 μm of average particle diameter under conditions under which collision average load attains 0.01 to 10 N.例文帳に追加

αリポ酸粉体被覆物の製造方法は、４０℃以上の融点を有し、平均粒子径０．１〜５０μｍの油脂系被覆材料の粉末を、０．０１〜１０Ｎの衝突平均荷重にて、αリポ酸の粉末と混合撹拌する工程を含む。 - 特許庁

In an impurity injection process, injection ranges of impurities are controlled into relation, such that an n-type semiconductor region 13 and a p-type semiconductor region 14 appear adjacent on the top surface of a semiconductor substrate 9, and impurities are injected into the semiconductor substrate 9.例文帳に追加

不純物注入工程では、半導体基板９の表面にｎ型半導体領域１３とｐ型半導体領域１４が隣接して出現する関係に不純物の注入範囲を管理して、不純物を半導体基板９に注入する。 - 特許庁

The ink jet direct drawing process is used to form an active layer island comprising a laminate of a silicon semiconductor layer SI and an n+ contact layer NS, in addition to introducing the ink jet direct drawing process into any one of processes of a source electrode SD1 and a drain electrode SD2 including gate wiring, gate electrodes GT and data wiring of the liquid crystal display panel or into several processes thereof.例文帳に追加

液晶表示パネルのゲート配線とゲート電極ＧＴ、データ配線を含めたソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２の何れかの工程、又はそれらの幾つかの工程にインクジェット直描プロセスを導入することに加えて、シリコン半導体層ＳＩとｎ＋コンタクト層ＮＳの積層からなる能動層アイランドの形成にインクジェット直描プロセスを用いる。 - 特許庁

The method for producing the toluene dicarbamate is characterized by having a carbamate-producing process of reacting toluene diamine, urea and/or an N-nonsubstituted carbamic acid ester, and an alcohol to produce the toluene dicarbamate, and a benzoylene urea-reducing process of reducing a disubstituted benzoylene urea substituted with methyl group and amino group, and a derivative thereof to ≤10 moles per 100 moles of the toluene dicarbamate.例文帳に追加

トルエンジカルバメートの製造方法が、トルエンジアミンと、尿素および／またはＮ−無置換カルバミン酸エステルと、アルコールとを反応させて、トルエンジカルバメートを製造する、カルバメート製造工程と、メチル基およびアミノ基で置換されている２置換ベンゾイレン尿素およびその誘導体を、トルエンジカルバメート１００モルに対して、１０モル以下に低減する、ベンゾイレン尿素低減工程とを備える。 - 特許庁

The selenium-containing wastewater treatment method comprises the wastewater treatment process where selenium-containing wastewater is brought into contact with an alloy or mixture of metallic titanium and other metals, and a part of the other metals is eluted to reduce selenium, and the acid washing process where an acid-containing aqueous solution whose acid concentration is 0.03 N or more is brought into contact with the alloy or mixture.例文帳に追加

セレン含有排水を、金属チタンと他の金属との合金又は混合物と接触させ、該他の金属の一部を溶出させることによりセレンを還元する排水処理工程と、酸濃度０．０３Ｎ以上の酸含有水溶液を、該合金又は混合物と接触させる酸洗浄工程とを有することを特徴とするセレン含有排水の処理方法。 - 特許庁

In the Schottky diodes, the semiconductor area forming a Schottky interface is formed in the same process in which an N well area forming the channel region of a PMOS transistor or a P well area forming the channel region of an NMOS transistor is formed, and the metal area forming the Schottky interface is formed in the same process in which a silicide area forming the contact area of a MOS transistor is formed.例文帳に追加

ショットキーダイオードは、ショットキー界面を構成する半導体領域が、ＰＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＮウェル領域、または、ＮＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＰウェル領域と同一の過程で形成し、ショットキー界面を構成する金属領域はＭＯＳトランジスタのコンタクト領域を構成するシリサイド領域と同一の過程で形成する。 - 特許庁

Each of the manufacturing machine management devices 1-n determines a process schedule (time-series data) within an operation period based on the production command, the delivery data for each product number-manufacturing machine number, and a manufacturing process section, forms an object program for PLC to be managed by itself based on the information, and downloads the program to a corresponding PLC through a LAN 20.例文帳に追加

製造機械管理装置１〜ｎの各々は、この生産指令、品番−製造機械番号毎の引き渡しデータ、及び分担する製造工程区分とに基づいて、稼働期間内における工程スケジュール（時系列データ）を割り出し、これらの情報に基づいて、自己が管理するＰＬＣ用のオブジェクトプログラムを作成し、ＬＡＮ２０を介して、対応するＰＬＣにダウンロードする。 - 特許庁

To use a metal gate electrode to prevent depletion of majority carriers and Fermi level pinning which will occur in a gate electrode made by using polysilicon or silicide, and to easily form the metal gate electrode for an n-type MOSFET and for a p-type MOSFET separately by a simple process, in manufacturing a semiconductor device including the n-type MOSFET and the p-type MOSFET.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、ｎ型ＭＯＳＦＥＴとｐ型ＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置を作製する場合、ポリシリコンもしくはシリサイドを用いたゲート電極で発生する空乏化やフェルミレベルピンニングを抑止する為、メタルゲート電極を用い、しかも、ｎ型ＭＯＳＦＥＴとｐ型ＭＯＳＦＥＴの各メタルゲート電極を簡単な工程で、且つ、容易に作り分けることを可能にする。 - 特許庁

The method is accomplished, as a result of researching simple, low cost, and industrially applicable methods of producing N-methylcyclobutylamine, by a finding that the above object can be achieved by producing the same via a synthetic route comprising a reaction process of removing tert-butyloxycarbonyl from tert-butylcyclobutyl(methyl)carbamate without using a waterfree condition and without isolating the resulting product by column chromatography.例文帳に追加

本発明者らは、工業的生産に耐えうる、簡便で安価なN-メチルシクロブチルアミンの製造法について検討し、tert-ブチル シクロブチル(メチル)カルバマートのtert-ブチルオキシカルボニル除去反応の工程を含む合成経路を用いて製造することにより、禁水性条件を使用する必要がなく、カラムクロマトグラフィーによる生成物の単離等を伴うことなく、これらの目的を達することができることを見出し、本発明を完成した。 - 特許庁

Since conduction type of the gate electrode 10n of the n-channel MISFET and conduction type of the gate electrode 10p of the p-channel MISFET are different from each other, isolation is performed in order to prevent the interdiffusion of dopant, and both are connected electrically through metal wiring formed in a later process.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１０ｎとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１０ｐは、互いの導電型が異なることから、不純物の相互拡散を防ぐために分離し、後の工程で形成する金属配線を介して両者を電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process for depositing n-type and p-type zinc oxide-based transparent conducting oxides (TCOs), which are excellent in optical and electrical properties, on glass or temperature-sensitive materials such as plastics and a polymers at a low temperature.例文帳に追加

ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、優れた光学的および電気的性質を有するｎ型およびｐ型酸化亜鉛系透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を低温で堆積させる、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスを提供する。 - 特許庁

After forming an oxide film 15 (silicide protection) and a sidewall 16 in the manufacturing process of the semiconductor device comprising a CMOS element and a resistor element, a p^+ source/drain area 14 is formed by injecting impurities into both sides of a gate electrode 7A in an n well 4.例文帳に追加

ＣＭＯＳ素子部と抵抗素子部とを有する半導体装置の製造工程において、酸化膜１５（シリサイドプロテクション）とサイドウォール１６とを形成した後に、Ｎウエル４内におけるゲート電極７Ａの両側に不純物を注入してＰ＋ソース／ドレイン領域１４を形成する。 - 特許庁

This method for producing the 4-amino-5-chloro-2-ethoxy-N-[[4-(4-fluorobenzyl)-2-morpholinyl]methyl]benzamide includes a process for reacting 4-amino-5-choloro-2-ethoxybenzoic acid or its reactive derivative with 2-aminomethyl-4-(4-fluorobenzy)morpholine in the presence of a ketone-based solvent.例文帳に追加

４−アミノ−５−クロロ−２−エトキシ安息香酸またはその反応性誘導体と２−アミノメチルー４−（４−フルオロベンジル）モルホリンとをケトン系溶媒の存在下反応させる工程を含む４−アミノ−５−クロロ−２−エトキシ−Ｎ−［［４−（４−フルオロベンジル）−２−モルホリニル］メチル］ベンズアミドの製造方法。 - 特許庁

In the measurement of an error rate performed in the process to optimize the signal channel parameter of the disk device, the error rate is deteriorated by means of deteriorating the S/N ratio of an input signal, thereby the decision of the optimized parameter value is attained by the error rate test of less transfer bits.例文帳に追加

ディスク装置の信号チャンネルパラメータの最適化の過程で行われるエラーレートの測定において、入力信号のＳ／Ｎ比を劣化させることにより、エラーレートを劣化させ、より少ない転送ビットのエラーレート試験で最適化パラメータ値を決定することを可能にする。 - 特許庁

Low-resolution images generated by repeating a process of reducing high-resolution images for M frames to be converted to low-resolution images, and dividing each frame of the next N frames into a plurality of frames to be converted to low-resolution images are encoded to generate a reduced compression image stream and a divided compression image stream.例文帳に追加

高解像度画像を、Ｍフレームは縮小して低解像度画像にし、次のＮフレームは各フレームを複数フレームに分割して低解像度画像にする処理を繰り返して生成した低解像度画像を符号化し、縮小圧縮画像ストリームと分割圧縮画像ストリームを生成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which dispenses with a patterning process of a lanthanum oxide film, relating to the semiconductor device in which a high-K gate insulating film is constituted by laminating a high-K dielectric film and a lanthanum oxide film, in an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタにおいてｈｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜をｈｉｇｈ−Ｋ誘電体膜と酸化ランタン膜の積層により構成した半導体装置において、酸化ランタン膜のパターニングプロセスを不要とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

According to the method of manufacturing a silicon wafer, since the n-type first epitaxial film 12 formed under the second epitaxial film 13 in which the device is formed functions as a barrier layer, heavy metal introduced from the reverse-surface side of the silicon wafer in the device post-process never reaches a device region.例文帳に追加

本発明によれば、デバイスが形成される第２のエピタキシャル膜１３の下部に形成されるｎ型の第１のエピタキシャル膜１２がバリア層として機能することから、デバイス後工程でシリコンウェーハの裏面側から導入される重金属がデバイス領域に到達することがない。 - 特許庁

An IFFT process part 16 performs inverse discrete Fourier transformation on the reciprocal spectrum T(n), and as a result, and since secondary or higher harmonic components of wraparound waves are removed and primary components of direct waves and the wraparound waves are left behind, it is possible to more easily obtain the characteristics of the wraparound waves.例文帳に追加

ＩＦＦＴ処理部１６により逆数のスペクトルＴ(ｎ)を逆離散フーリエ変換した結果では、回り込み波の２次以上の高調波成分が除去され、直接波と回り込み波の１次成分とが残存するので、より容易に回り込み波の特性を取得することができる。 - 特許庁

If no work is judged to be in a container, it is subjected to at least one of rocking, inclination and internal agitation in S6 and the work recognizing process is repeated anew until a counter is incremented over n in S7 and S8.例文帳に追加

画像処理装置によるワーク認識処理でワークがあると判定したときにそのピッキングを行い（Ｓ２〜Ｓ５）、入れ物内にワークが無いと判定されたとき、入れ物を揺すり／傾け／入れ物内かき混ぜの少なくとも１つを行い（Ｓ６）、ワークを再認識する処理をカウンタがｎ回になるまで行う（Ｓ７，Ｓ８）。 - 特許庁

The such-converted data signal and clock are performed data process by a main circuit 4, whereby when operations of the main circuit 4 are tested by a tester, a various-purpose logic tester operating in synchronism with the clock of a frequency f/N is directly connected to the main circuit 4, thereby inspecting it.例文帳に追加

このように変換されたデータ信号とクロックを主回路４でデータ処理を行うようにすることで、該主回路４の動作をテスタで検査するとき、周波数ｆ／Ｎのクロックに同期して動作する汎用のロジックテスタを主回路４に直接接続して検査することができる。 - 特許庁

To reduce the time of a collation process by narrowing down data to be collated, without placing an extra burden on a user, while maintaining the way of using one-to-N authentication that achieves identification based only on the basic operation of biological authentication which includes presenting biological information such as a fingerprint or a vein.例文帳に追加

指紋や静脈等の生体を提示するという生体認証の基本操作だけで本人確認を行う１対Ｎ認証の利用形態を保ったまま、利用者に余分な負担を強いず、照合対象のデータの絞り込みを行い、照合処理の時間を短縮する。 - 特許庁

Then the moving contact 38a is in contact with the first fixed contact 38b to allow the noise reduction section 32 to process the Bayer data N times and thereafter the moving contact 38a is in contact with the second fixed contact 38c to transmit the Bayer data to the pixel interpolation section 33 of the post-stage.例文帳に追加

そして、可動接点３８ａを第１固定接点３８ｂに接触させることにより、ベイヤーデータをＮ回ノイズ低減部３２で処理し、しかる後に、可動接点３８ａを第１固定接点３８ｂに接触させることにより、ベイヤーデータを後段の画素補間部３３に送出する。 - 特許庁

In an implantation process for manufacturing CMOS structure provided with an ESD (ESD HVnMOS), an (n) well area is covered with a mask, P-well is implanted to form a p-well.例文帳に追加

静電気放電（ＥＳＤ）による劣化に対処する保護装置としての応用のための横型ｎｐｎトランジスタの大電流能力は、アバランシェを起こしているｐｎ接合からウエハの裏面コンタクト（１０）へ流れるコレクタ電流が通る材料の電気抵抗値を調節することによって改善される。 - 特許庁

The isotopic enrichment process keeps a stable isotopes of the silicon enriched by performing isotopic exchange between an aqueous solution containing at least two components of H_2O-H_2SiF_6-nSiF_4 (wherein, n≥0) and a gas containing the SiF_4.例文帳に追加

本発明に係る同位体濃縮方法は、Ｈ_２Ｏ−Ｈ_２ＳｉＦ_６・ｎＳｉＦ_４（式中、ｎ≧０である。）の２成分を少なくとも含む水溶液と、前記ＳｉＦ_４を含む気体との間での同位体交換により、前記Ｓｉの安定同位体を濃縮することを特徴とする。 - 特許庁

This plant monitoring device 100 displays information indicating an operating state of a plant 10, in a display device 15 on the basis of a plurality of measurement values of process data detected by a plurality of sensors 1, 2, ..., n installed at respective places of apparatuses constituting the plant 10.例文帳に追加

プラント監視装置１００は、プラント１０を構成する機器の各所に設置された複数のセンサ１，２，…，ｎにより検出される複数のプロセスデータの測定値に基づいて当該プラント１０の運転状態を示す情報を表示装置１５に表示するものである。 - 特許庁

In the process where a paste for the electrode mainly comprising hydrogen absorbing alloys as an active agent is coated on the conductive base and dried, poly N-vinyl acetamide is contained in the paste and ultra-red rays are made to irradiate the paste when dried on the base.例文帳に追加

水素吸蔵合金を活物質とする電極用ペ—ストを導電性基材に塗布し、乾燥する水素吸蔵合金電極の製造方法において、前記電極用ペースト中にポリＮ−ビニルアセトアミドを含有するとともに、前記電極用ぺ−ストの乾燥時に赤外線を照射して乾燥する。 - 特許庁

Because the Schottky electrode 24 is Schottky-connected with the N-silicon region 21, an electrode material compatible with a semiconductor process can be used, and therefore, it is possible to form the Schottky barrier diode 20 on a semiconductor substrate 11 identical to that of the vertical P-channel power MOSFET 10.例文帳に追加

ショットキー電極２４は、Ｎ−シリコン領域２１とショットキー接続するため、半導体プロセスと整合性のある電極材料を用いることができるので、縦型ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ１０と同一半導体基板１１上にショットキーバリアダイオード２０を形成することができる。 - 特許庁

In a process for growing a first nitride compound semiconductor layer in which a nitride semiconductor substrate is doped with n-type impurities, the main surface of the nitride semiconductor substrate is partially heavily doped and the first semiconductor layer is grown.例文帳に追加

本発明では、窒化物半導体基板上にｎ型不純物をドーピングした第１の窒化物化合物半導体層を成長する工程において、窒化物半導体基板の主面を部分的に前記不純物で高濃度化した後に第１の半導体層を成長する。 - 特許庁