「N process」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

An IPM 6 transmits process data of 4 byte double-precision data W (0-999999) and 2 byte single-precision data N of multiplication rate (1-1000) to a PLC 4.例文帳に追加

ＩＰＭ６はプロセスデータを０〜９９９９９９の４バイト倍精度データＷと、乗率（１〜１０００）の２バイト単精度データＮをＰＬＣ４に伝送する。 - 特許庁

To provide a fingerprint collation device which performs 1-to-N collation and can perform a process including fingerprint input through the collation result output, in a short time.例文帳に追加

１対Ｎ照合を行う指紋照合装置において、指紋入力から照合結果出力までを短時間で行うことができる指紋照合装置を提供する。 - 特許庁

When there is the first coordinate value (n = 1) after the start of a process (S104), the number Kend of samples of averaged coordinate values is set according to its Z coordinate value (S105).例文帳に追加

処理開始後で最初の座標値（ｎ＝１）だったら（Ｓ１０４）、そのＺ座標値に基づいて、平均化する座標値のサンプル数Ｋｅｎｄを設定する（Ｓ１０５）。 - 特許庁

A compound containing a chiral halogenated 1-substituted amino-(n+1)-alkanol is produced from chiral and achiral intermediates by a stereoselective process having high yield.例文帳に追加

キラル及びアキラルな中間体から高収率な立体選択性方法により、キラルなハロゲン化された１−置換アミノ−（ｎ＋１）−アルカノールを含んでなる化合物を製造する。 - 特許庁

ORTHO- AND/OR META-SUBSTITUTED N-ALKYLYAMINO SECONDARY p-PHENYLENEDIAMINE, COMPOSITION FOR DYEING KERATIN FIBER AND CONTAINING THE COMPOUND, PROCESS FOR USING THE COMPOSITION, AND USE OF THE COMPOSITION例文帳に追加

オルト−及び／又はメタ−置換Ｎ−アルキルアミノ第二パラ−フェニレンジアミン、該化合物を含むケラチン繊維染色用組成物、該組成物を使用する方法及びその使用 - 特許庁

The base reactive group is typically reactive under typical photoresist developing conditions, for example, in a single puddle development process with a 0.26 N tetrabutylammonium hydroxide developer composition.例文帳に追加

塩基反応性基は、典型的なフォトレジスト現像条件、例えば、０．２６Ｎのテトラブチルアンモニウムヒドロキシド現像剤組成物でのシングルパドル現像下で典型的に反応性である。 - 特許庁

The present invention relates to an ink jet type printing device wherein source image data are partitioned into a plurality of regions, edge intensification processing is applied thereto, a first N-value process is implemented as banding reduction processing only to a region in which no edge exists and of which a density is a middle tone, and an ordinary N-value process is implemented in the other regions.例文帳に追加

インクジェット方式の印刷装置であって、原画像データを複数の領域に分割すると共にエッジ強調処理を施してから、エッジが存在せずかつ濃度が中間階調の領域に対してのみバンディング低減処理である第１Ｎ値化処理を実施し,その他の領域においてはそのまま通常のＮ値化処理を実施する。 - 特許庁

The method of manufacturing the photovoltaic element including an n-type semiconductor substrate, an amorphous or microcrystalline n-type semiconductor layer provided on the semiconductor substrate, and an amorphous or microcrystalline p-type semiconductor layer provided on the semiconductor substrate includes a process of forming the p-type semiconductor layer after a process of forming the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

本発明に係る光起電力素子の製造方法は、ｎ型の半導体基板と、前記半導体基板上に設けられる非晶質又は微結晶のｎ型半導体層と、前記半導体基板上に設けられる非晶質又は微結晶のｐ型半導体層と、を備える光起電力素子の製造方法であって、前記ｎ型半導体層を形成する工程を経た後に前記ｐ型半導体層を形成する工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for producing useful N-glycolylneuraminic acid by using an unused resource, Cucumaria echinata as a raw material and a method for obtaining a high purity N-glycolylneuraminic acid in a high yield by treating the Cucumaria echinata in accordance with a specific process.例文帳に追加

未利用資源の棘皮動物グミを原料として有用なＮ‐グリコリルノイラミン酸を製造する方法及び棘皮動物グミを特定の工程に従って処理することにより、純度の高いＮ‐グリコリルノイラミン酸を高い収率で得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an n-paraffin, using a straight chain-formed olefin having a high single olefin purity as a raw material, without requiring a purification process, and capable of producing the high purity n-paraffin stably in a good selectivity over a long period.例文帳に追加

単一オレフィン純度が高い直鎖状オレフィンを原料として、精製工程を要することなく、高純度のｎ−パラフィンを選択性よく、しかも長期間に亘って安定的に製造することのできるｎ−パラフィンの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A system microcomputer 8 and a memory controller 9 reads memory contents stored in the memory circuit 6, performs a process for determining an appropriate frequency dividing ratio N by arithmetic processing, and controls a delay amount of the delay circuit 11 and the frequency dividing ratio N of the PLL circuit 7.例文帳に追加

システムマイコン８およびメモリコントローラ９は、メモリ回路６に記憶されたメモリ内容を読み込み、演算処理により適切な分周比Ｎを求めるための処理を行い、遅延回路１１の遅延量およびＰＬＬ回路７の分周比Ｎを制御する。 - 特許庁

This process for producing the RF amide peptide is characterized in that a fused protein or peptide, wherein the RF amide peptide is linked to the N-end of a protein or a peptide having cysteine at the N-end, is subjected to a reaction of cleaving the peptide bond in the amino acid side of the cysteine residue.例文帳に追加

Ｎ末端にシステインを有するタンパク質またはペプチドのＮ末端にＲＦアミドペプチドを連結した融合タンパク質またはペプチドをシステイン残基のアミノ酸側のペプチド結合の切断反応に付すことを特徴とするＲＦアミドペプチドの製造法。 - 特許庁

To provide an image processor and method that can process single color version image data and n-color version image data even when which of them are received and reproduce nearly the same color as a color of image data equivalent to the single color version image data and the n-color version image data.例文帳に追加

単色版画像データ及びｎ色版画像データのいずれが入力されても処理可能であり、単色版画像データ及びｎ色版画像データで等価な画像データに対してはほぼ同じ色再現が可能な画像処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

As a pre-process for embedding an electronic watermark in a picture signal, a means 1 for dividing a picture of single frame into n-pieces and a means 2 for embedding the electronic watermark in each of n-pieces parts divided by the dividing means are provided.例文帳に追加

映像信号に電子透かしを埋め込む前処理として１フレームの映像をｎ個の部分に分割する手段１と、分割する手段によって分割されたｎ個の部分について各部分毎に電子透かしを埋め込む手段２とを具えて構成した。 - 特許庁

In a superposition process, a CPU 21 extracts sound signals of differing intervals within a human voice sound signal X_12-n, superposes the extracted sound signals upon a time axis, and outputs the sound signal X_13-n superposed upon the time axis.例文帳に追加

ＣＰＵ２１は、重ね合わせ処理では、人の音声の音信号Ｘ_１２−ｎ内の異なる区間の音信号を取り出し、取り出した音信号を時間軸上において重ね合わせ、この時間軸上において重ね合わせた音信号Ｘ_１３−ｎを出力する。 - 特許庁

To provide an n-type ohmic electrode having excellent reliability to heat treatment in a manufacturing process, and to use conditions under which large current flows, and having low contact resistance in an n-type ohmic electrode formed on the surface of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体表面に形成されるｎ型オーミック電極に関して、製造工程における熱処理や高電流が流れる使用条件に対して信頼性に優れており、かつ低い接触抵抗が得られるｎ型オーミック電極を提供する。 - 特許庁

Then, after a p-type InP block layer 7 and an n-type InP block layer 8 are formed on both the sides of a ridge 6, the n-type InP block layer 8 formed on the (111) B surface of the p-type InP block layer 7 is removed by a second dry etching process.例文帳に追加

次に、リッジ部６の両側に、ｐ型ＩｎＰブロック層７およびｎ型ＩｎＰブロック層８を形成した後、ｐ型ＩｎＰブロック層７の（１１１）Ｂ面の上に形成されたｎ型ＩｎＰブロック層８を第２のドライエッチングによって除去する。 - 特許庁

In each process for acquiring the voltage value, the voltage value_1,1,1 and the voltage value_1,1,n are acquired after keeping the current flowing in the superconductive wire material from a constant current source 6 for a fixed time in the state of a fixed frequency and a fixed current value set beforehand.例文帳に追加

上記の電圧値を得る工程の各々において、定電流源６から超電導線材１に流す電流を一定の周波数および一定の電流値に設定した状態で一定時間保持した後で、電圧値Ｖ_1,1,1および電圧値Ｖ_1,1,nを得る。 - 特許庁

The apparatus comprises an image carrier F, a developing means G and a transfer means H, a fixing means I, a guide plate 24 having a plurality of ventilation holes 16c, an exhaust duct 18 having an opening 18a, and the process cartridge N for housing at least the image carrier F and attachable/detachable to the body case S.例文帳に追加

本発明は、像担持体F 、現像手段G と転写手段H 、定着手段I 、複数の通気口16c を有するガイド板24、開口18a を有する排気ダクト18、少なくとも像担持体F を収容して前記本体ケースS に着脱可能なプロセスカートリッジN を備えている。 - 特許庁

According to a normal manufacturing process for double diffused MOSFET, p-base region 2, a p+ contact region 3, an n+ source region 4, a gate electrode layer 5, and a source electrode 15 are provided on the surface layer of an n-type semiconductor base body to form a surface MOSFET.例文帳に追加

通常の２重拡散ＭＯＳＦＥＴの製造工程に従い、ｎ型半導体基体の表面層に、ｐベース領域２とｐ^+コンタクト領域３とｎ^+ソース領域４とゲート電極層５とソース電極１５を設けて表面ＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

The region from a resin metering start position to a metering completing position in a metering process is divided into first-N-th regions and each of the first-(N-1)-th divided regions is divided into a divided metering region and a divided compression region.例文帳に追加

計量工程における樹脂の計量開始位置から計量完了位置までの間を第１〜第Ｎまでの複数領域に分割すると共に、第１〜第（Ｎ−１）までの分割領域をそれぞれ分割計量領域と分割圧縮領域とに分割する。 - 特許庁

To provide a process which enables safer operation and furthermore stable production of butadiene in a high yield in the process for producing a conjugated diene such as butadiene by the catalytic oxidation dehydrogenation of a monoolefin such as n-butene.例文帳に追加

ｎ−ブテン等のモノオレフィンの接触酸化脱水素反応によりブタジエン等の共役ジエンを製造する方法において、より安全に運転ができ、更に高い収率で安定的にブタジエンの製造を行うことができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for producing an olefin polymer using a metallocene-supporting catalyst capable of forming a purified olefin polymer together with a recovered solvent recyclable as a reaction solvent of an olefin polymerization process using a Z-N catalyst.例文帳に追加

メタロセン担持型触媒を使用するオレフィン重合において、精製されたオレフィン重合体と共に、Ｚ−Ｎ触媒を使用するオレフィン重合の反応溶媒としてリサイクル可能な回収溶媒が得られるオレフィン重合体の製造方法。 - 特許庁

Furthermore, in an inter-mobile device group communication process, a certain mobile device in the mobile devices included in the mobile devices receives the first to n-the spread code sequences, and decodes the first bit sequence to n-th bit sequence by converting the first to n-th spread code sequences into bit sequences corresponding to the spread codes for each spread code.例文帳に追加

更に、上記移動体群間通信行程では、他の移動体群に含まれる移動体各々の内の１の移動体が、上記第１〜第ｎ拡散符号系列を受信し、当該第１〜第ｎ拡散符号系列を各拡散符号毎にその拡散符号に対応したビット系列に変換することにより第１ビット系列〜第ｎビット系列を復元する。 - 特許庁

To provide a promising bottom resist layer material as a bottom resist film for a multi-layer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process with a silicon-containing intermediate layer for instance, by having the optimum n-value, and k-value in exposure of short wavelength and having excellent etching resistance in a substrate etching condition.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

The method includes a first process for injecting N-type impurities in a dicing portion in a P-type semiconductor region, at the rear face of the semiconductor wafer; a second process for forming the first layer over the entire rear face of the semiconductor wafer; and a third process for forming the second layer, on the rear face of the first layer by a wet plating method.例文帳に追加

この方法は、半導体ウェハの裏面のＰ型の半導体領域のダイシング部に、Ｎ型の不純物を注入する第１工程と、半導体ウェハの裏面全体に第１層を形成する第２工程と、湿式めっき法によって第１層の裏面に第２層を形成する第３工程とを含んでいる。 - 特許庁

To provide a resist undercoat-forming material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process or for a three-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly to short-wavelength exposure light, that is, has high transparency, optimum n value and k value, and excels in etching resistance in substrate processing.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用又は３層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material having an optimum n value and k value in exposure to short-wavelength light, excellent also in etching resistance under substrate etching conditions, and having promise as a resist underlayer film for a multilayer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process using a silicon-containing intermediate layer film.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層膜による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

A method for finishing surface of concrete containing lightweight aggregate has a process wherein a surface of the concrete after placing is pressed by a reticulate body such as a wire net and the like, a process for detaching the reticulate body, and a process wherein poly-N-vinylacetoamide series aqueous high polymeric solution is sprayed onto the surface of the concrete.例文帳に追加

軽量骨材を含むコンクリートの表面仕上げ方法であって、打設後のコンクリートの表面を金網等の網目体にて押圧する工程と、前記網目体を取り外す工程と、前記コンクリートの表面にポリ−Ｎ−ビニルアセトアミド系の水溶性高分子溶液を散布する工程とを含むコンクリートの表面仕上げ方法。 - 特許庁

A stock control computer temporarily allots the automated warehouse allotted to the oldest time and date, in a process of step S25, and transmits a conveyance instruction to a conveyer control panel, in a process of step S27, only when the stock quantity of the loads in the automated warehouse temporarily allotted is less than N-1, in a process of step S26.例文帳に追加

在庫管理コンピュータは、ステップＳ２５の処理にて最も古い日時に引当てられた自動倉庫を仮引当てし、ステップＳ２６の処理にてその仮引当てした自動倉庫に関わる荷の在荷数がＮ−１以下のときのみステップＳ２７の処理にて搬送指示をコンベア制御盤へ送信する。 - 特許庁

In this processing, the step data concerned with a condition specified by operating a condition specifying key in the processing of s360 is retrieved while going back the process in reverse order from the (n-1)-th step.例文帳に追加

この処理においては、ｓ３６０の処理で条件指定キーの操作により指定された条件に該当するステップデータが、第ｎ−１ステップから順番に遡りながら検索される。 - 特許庁

The control process group device 100 performs prescribed control processing by communication between MPUs 21 (1) to 21 (n) and a PC 10 through a one-to-one two-way communication connecting function part.例文帳に追加

制御処理群装置１００はＭＰＵ２１（１）〜２１（ｎ）とＰＣ１０との各相互間を１対１の両方向通信接続機能部１１による通信で所定の制御処理を行う。 - 特許庁

Then the composite image for the nup printing wherein intermediate data of (n) pages including the intermediate data that the stamp image is put together with on one sheet is generated (formation process).例文帳に追加

そして、スタンプ画像が合成された中間データを含むｎページの中間データを１シート上に配置してｎｕｐ印刷を行うための合成画像を生成する（形成工程）。 - 特許庁

To provide an optical microscope capable of suppressing unnecessary response light as a background and detecting desired response light in nonlinear optical response process with a good S/N ratio.例文帳に追加

非線形光学応答過程による所望の応答光を、バックグラウンドとなる不要応答光の発生を抑制して、良好なＳ／Ｎで検出できる光学顕微鏡を提供する。 - 特許庁

A PC carries out a process of compensating for the variability of the discharging amounts of ink droplets discharged from the n pieces of nozzles for K using the characteristic data, thereby forming binary data.例文帳に追加

ＰＣは、上記の特性データを用いて、ｎ個のＫ用ノズルから吐出されるインク滴の吐出量のバラツキを補償する処理を実行することによって、二値データを生成する。 - 特許庁

In this system, a physical layer processor 1-1-1-n retrieves a packet by processing a SDH termination as a physical layer process of OSI referring model for input data of respective HW.例文帳に追加

物理レイヤ処理部１−１〜１−ｎは、各ＨＷ毎の入力データに対しＯＳＩ参照モデルの物理レイヤ処理としてＳＤＨ終端を行ってパケットを抽出する。 - 特許庁

To provide a highly efficient solar battery by lowering a contact resistance between a collecting electrode in the light receiving surface side and a high concentration n-type layer of the solar battery itself with the simplified process.例文帳に追加

簡便な工程で太陽電池の受光面側の集電電極と高濃度ｎ型層の接触抵抗を低くして高効率の太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since the n times frequency signal is not generated by the processing of an analog signal, the characteristics of the frequency multiplying circuit is not affected by a process condition or the usage condition, etc.例文帳に追加

よって、アナログ信号の処理でｎ倍の周波数の信号を生成するのではないので、プロセス条件や使用条件等に特性が影響されない周波数逓倍回路となる。 - 特許庁

To produce an N-alkyl-α-dialkylaminoacetohydroxamic acid compound in high yield by a process necessitating short reaction time and forming suppressed amount of by-product by carrying out the reaction in a mixed system composed of water and a specific aprotic polar organic solvent.例文帳に追加

反応時間が短く、副生物の生成が抑制され、目的物が収率良く得られるＮ−アルキル−α−ジアルキルアミノアセトヒドロキサム酸化合物の製造方法を提供する。 - 特許庁

Oxygen derived from water molecules generating associated with generation of the gallium hydride gas is used as a n-dopant to dope the gallium nitride crystal in a process of growing the gallium nitride crystal.例文帳に追加

その水素化ガリウムガスの発生に伴って発生する水分子由来の酸素を、窒化ガリウムの結晶を成長させる工程においてｎ型ドーパントとして窒化ガリウム結晶にドープする。 - 特許庁

To prevent a crack from occurring on a nitride semiconductor light-emitting element, simplify a process of mounting an n-type electrode on the light-emitting element, and also reduce its chip area.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子におけるクラックの発生を防止し、かつ窒化物半導体発光素子におけるｎ型電極の取り付け工程を簡易化しつつ、そのチップ面積を削減する。 - 特許庁

To strike a balance between the heavily doped diffusion of an n-type dopant into a photoelectric conversion layer and the formation of a buffer layer with an optimal thickness, and also to simplify the manufacturing process and reduce the equipment cost.例文帳に追加

光電変換層へのｎ型ドーパントの高濃度拡散と最適な膜厚のバッファ層の形成とを両立させ、かつ製造工程および設備コストの簡素化を図る。 - 特許庁

To provide a process for producing a polyelectrolyte emulsion, which removes a good solvent such as N-methyl pyrrolidone contained in a polyelectrolyte dispersion in a short time, and yields a slight amount of liquid waste.例文帳に追加

高分子電解質分散液に含まれるＮ−メチルピロリドンなどの良溶媒を短時間で除去でき、また廃液量が少ない高分子電解質エマルションの製造方法を提供する。 - 特許庁

To form silicon oxide films with different thicknesses on a p-type diffusion region and an n-type diffusion region formed on the same silicon layer without need of a complicated process.例文帳に追加

複雑なプロセスを必要とせずに、同一のシリコン層に形成されたｐ型拡散領域およびｎ型拡散領域に、それぞれ異なる膜厚でシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

The NiSi film 42 is formed on gate electrodes 12, 22 and source-drain regions 14, 24 of both a p-MOS transistor 10 and an n-MOS transistor 20 (silicide film forming process).例文帳に追加

Ｐ−ＭＯＳトランジスタ１０およびＮ−ＭＯＳトランジスタ２０双方のゲート電極１２，２２およびソース・ドレイン領域１４，２４上にＮｉＳｉ膜４２を形成する（シリサイド膜形成工程）。 - 特許庁