「N process」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a process for producing N-alkyl-tert-butylamine which is an industrially useful compound, by subjecting tert-butylamine to a vapor-phase catalytic reaction with a primary alkyl alcohol in a high yield.例文帳に追加

本発明は、ｔｅｒｔ−ブチルアミンを第１級アルキルアルコールと気相接触反応させて、工業的に有用な化合物であるＮ−アルキル−ｔｅｒｔ−ブチルアミンを高収率で製造する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In a device provided with normal sequence software and a simulation program for preparing simulated input signals for machine and process states inside a PLC, in the case of performing the simulation, the entire sequence is operated at an n-fold speed.例文帳に追加

ＰＬＣ内に通常のシーケンスソフトウェアと、機械、プロセス状態を模擬的に入力信号を作成するシミュレーションプログラムを持つ装置において、シミュレーションを行なう場合、全体のシーケンスをｎ倍の速度で動作させるものである。 - 特許庁

A processing control unit and a start-position movement amount correction unit sequentially determine, as a sample in a start position of a compression process in a time axis domain of the audio signal, a (multiple of N)-th sample from a start position immediately before the start position.例文帳に追加

処理制御部と開始位置移動量補正部は、オーディオ信号の時間軸領域における圧縮処理の開始位置のサンプルとして、その開始位置の１つ前の開始位置からＮの倍数番目のサンプルを順次決定する。 - 特許庁

The p-type high resistance wafer is provided with a resistance rate of not less than 100 Ωcm and whose p/n converting unit due to the generation of the thermal donor in the manufacturing process of the device is in a depth not contacting with a device activating region or a depletion layer region.例文帳に追加

抵抗率が１００Ωｃｍ以上で、デバイスの製造工程でのサーマルドナー発生によるｐ／ｎ反転部が、デバイス活性領域や空乏層領域には接しない深さにあるｐ型の高抵抗ウェーハ。 - 特許庁

After the N well 7 and thermal oxide film 25 are formed ((c), (d)), boron 27 is ion-implanted in the P substrate 1 using the thermal oxide films 17, 25 as the mask (e) and the IP well and P well are formed simultaneously through the annealing process (f).例文帳に追加

Ｎウエル７及び熱酸化膜２５を形成した後（（ｃ），（ｄ））、熱酸化膜１７，２５をマスクにしてＰ基板１にボロン２７のイオン注入を行ない（ｅ）、アニール処理を施してＩＰウエル５とＰウエル９を同時に形成する（ｆ）。 - 特許庁

An important determining process is created inside the microprocessor to determine a proper resistance value of load for a battery in accordance with battery capacity, initial voltage, and detection requisites including 1/N CCA and loading time.例文帳に追加

バッテリー容量と、初期電圧と、１／Ｎ ＣＣＡ及び負荷時間を有する検出要件とに従って、バッテリーのための負荷の適切な抵抗値を決定するために、マイクロプロセッサーは、内部に重要な決定プロセスを構築する。 - 特許庁

To obtain a polyimide powder which has a high degree of imidization, high solubility in organic solvents, and a low amount N of discoloration by a process in which a polyamic acid, which is a precursor of a soluble polyimide, is chemically imidized and powdered in a poor solvent.例文帳に追加

可溶性ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を化学イミド化させ、貧溶媒中で粉体化する工程において、イミド化率が高く、有機溶剤に対する溶解性が高く、着色量Ｎが低いポリイミド粉体を得る - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the carrier which contains gelatin and gum arabic and carries the ligand comprises a process for manufacturing the carrier by using the ratio (G/A) of 0.5-1.5 of the gelatin (G) to the gum arabic (A) and a process for making the manufactured carrier carry the ligand through the use of a N-hydroxysuccinimide method.例文帳に追加

ゼラチンおよびアラビアゴムを含み、かつリガンドを担持した担体の製造方法であって、アラビアゴム（Ａ）に対するゼラチン（Ｇ）の比率（Ｇ／Ａ）を０．５〜１．５で用いて担体を製造する工程と、製造された前記担体に、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド法を用いてリガンドを担持させる工程とを具備する方法、並びに前記方法により製造される担体。 - 特許庁

In this manufacturing method for obtaining the semiconductor device, a low-resistance region in an N-type polycrystalline silicon resistor is formed simultaneously by a process for forming the source and drain of an NMOS transistor, and the low-resistance region in the P-type polycrystalline silicon resistor is formed simultaneously by a process for forming the source and drain of a PMOS transistor region.例文帳に追加

これを得る製造方法においては、ＮＭＯＳトランジスタのソース、ドレインを形成する工程で同時にＮ型多結晶シリコン抵抗体内の低抵抗領域を形成し、また、ＰＭＯＳトランジスタ領域のソース、ドレインを形成する工程で同時にＰ型多結晶シリコン抵抗体内の低抵抗領域を形成するようにした。 - 特許庁

The present invention is a manufacturing method of a semiconductor device having a p-channel MISFET in a pMIS formation region 1A, and an n-channel MISFET in an nMIS formation region 1B, comprises: a process of forming an Al film 8a on an HfON film 5; and a process of forming a Ti-rich TiN film 7a on the Al film.例文帳に追加

本発明は、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｐＭＩＳ形成領域１Ａに有し、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｎＭＩＳ形成領域１Ｂに有する半導体装置の製造方法であって、ＨｆＯＮ膜５上にＡｌ膜８ａを形成する工程と、Ａｌ膜上にＴｉリッチなＴｉＮ膜７ａを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

The cleaning fluid used in a cleaning process of a substrate for a semiconductor device following a chemical mechanical polishing process in manufacturing a semiconductor device contains N-acyl-L-cysteine and an organic quarternary ammonium hydroxide represented by general formula (1), and has pH of 1.5-6.5.例文帳に追加

半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、Ｎ−アシル−Ｌ−システイン及び下記一般式（１）で表される有機第４級アンモニウム水酸化物を含有し、かつｐＨが１．５以上、６．５未満である半導体デバイス用基板洗浄液。 - 特許庁

This method comprises a process to compare relative isotope intensity of the measured isotope peaks (A+1, A+2, ... A+n) with calculated relative isotope intensity of the isotope ion proposed in the experimental formula, and a process to compare relative mass defect of the measured isotope peaks with calculated relative mass defect of the isotope ion proposed in the experimental formula.例文帳に追加

当該方法は、測定同位体ピーク（Ａ＋１、Ａ＋２、・・・Ａ＋ｎ）の相対同位体強度を、実験式案の同位体イオンの算出相対同位体強度と比較すること、並びに測定同位体ピークの相対質量欠損を、実験式案の同位体イオンの算出相対質量欠損と比較することを包含する。 - 特許庁

This method for producing the vinylpyrrolidone polymer has a polymerization process for conducting solution polymerization by using at least the N-vinyl-2-pyrrolidone as the monomer in an organic solvent in the presence of a radical initiator soluble in the organic solvent and a distillation and removal process for adding water to the obtained polymer solution, simultaneously conditioning the solution to be acidic, and then distilling and removing a volatile organic component.例文帳に追加

有機溶媒中で、該有機溶媒に可溶なラジカル開始剤の存在下、少なくともＮ−ビニル−２−ピロリドンをモノマーとして用いて溶液重合する重合工程と、得られた重合体溶液に水を添加し、並びに酸性条件下にして揮発性有機成分を蒸留、除去する留去工程とを有するものとした。 - 特許庁

Fabrication process is simplified by forming a Co silicide layer 20 simultaneously on the surface of the gate electrode 7B, source, and drain (n^+-type semiconductor region 16) of an MISFET constituting a logic LSI, and on the surface of a polysilicon film 7 becoming the gate electrode of an MISFET for selecting the memory cell of a DRAM in a subsequent process.例文帳に追加

ロジックＬＳＩを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極７Ｂ、ソース、ドレイン（ｎ^＋型半導体領域１６）のそれぞれの表面と、後の工程でＤＲＡＭのメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜７の表面とにＣｏシリサイド層２０を同時に形成することによって、製造プロセスの簡略化を実現する。 - 特許庁

Each input circuit for the multi-phase image signals to columnar signal driving circuit 51 is provided with each single phase processing part 1-i consisting of a delay circuit 11, an adding circuit 12, and a D-A converter 13 which process digital image data VIDEOd[i]:(i=1-n).例文帳に追加

列信号線駆動回路５１に対する多相化画像信号の各入力回路に、ディジタル画像データＶＩＤＥＯｄ［ｉ］：（ｉ＝１〜ｎ）を処理する遅延回路１１と加算回路１２とＤ／Ａ変換器１３とからなる各単相処理部１−ｉを設ける。 - 特許庁

A process of transmitting data of each of the remaining (m+1)th to (m+n)th files to be downloaded to the on-vehicle system 1 by L bytes at each time is repeated until the data of the all files to be downloaded are all transmitted.例文帳に追加

また、残りのｍ+1からｍ+ｎ番目のダウンロード対象ファイルについては、各ダウンロード対象ファイルのデータをＬバイトずつ車載システム１に送信する処理を、全てのダウンロード対象ファイルのデータの全ての送信が完了するまで繰り返す。 - 特許庁

A fundamental learning value AG [i] in a fundamental learning region and a multipoint learning value AGdp [n], in a multipoint learning region are defined as a learning value to update each learning value through a learning process carried out in a given cycle.例文帳に追加

基本学習領域についての基本学習値ＡＧ［ｉ］と多点学習領域についての多点学習値ＡＧｄｐ［ｎ］とを学習値として定め、各学習値を所定周期毎に実行される学習処理を通じて更新する。 - 特許庁

The Hall element 1 and a resistor 22 are formed by the same material and in the same manufacturing process (for example, by diffusing an n-type impurity on a p-type semiconductor substrate), and a resistor 23 is formed by a poly-silicon resistance having small dispersion of the characteristic.例文帳に追加

上記ホール素子１と抵抗２２とを同一の材料および製造過程で（例えばＰ型半導体基板にＮ型不純物を拡散させて）形成し、抵抗２３は特性のばらつきが少ないポリシリコン抵抗によって形成する。 - 特許庁

To provide high toughness and high strength ferritic steel which has a tensile strength of ≥1,000 MPa and a Charpy impact value of ≥1 MJ/m^2 by detoxicating O, C, N intruded in the process of mechanical crushing treatment, and preventing the embrittlement of old powder boundaries.例文帳に追加

機械的破砕処理中に混入するＯ，Ｃ，Ｎを無害化し、旧粉末境界の脆化を防止することにより引張強さ１０００ＭＰａ以上，シャルピー衝撃値１ＭＪ／ｍ^2以上の高靭性高強度フェライト鋼の提供。 - 特許庁

Further, the device includes a second operation mode of dividing the whole stream required to read into n-parts so that the individual number does not exceeds the number of allowable streams per HDD to distribute the divided streams to the plurality of HDDs and process the same.例文帳に追加

また、それとともに、読み書きを要求されているストリーム全体を、個々の本数がＨＤＤ１個当りの許容ストリーム本数を越えないようにｎ分割して、それぞれを複数個のＨＤＤに分散して処理する第二の動作モードを備える。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing an optical device, in each of which the deviation values calculated by comparing the temperature at a temperature control point with those at n points parted from the temperature control point can be set in a process condition.例文帳に追加

温度制御点の温度と、その温度と連動し、かつ温度制御点から離れたｎ箇所の温度とを比較して算出されたズレ量をプロセス条件に設定できる光学素子製造装置および光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the steel tube which is manufactured by subjecting a tube stock prepared by a process of resistance welded steel tube to heating and then to diameter-reduction rolling, reduction in wall thickness in the vicinity of a resistance welded zone is prevented, and further, n-value showing plastic deformability, r-value and crystalline texture are regulated to values in specific ranges, respectively.例文帳に追加

電縫鋼管工程で製造した素管を加熱後、縮径圧延して製造した鋼管において、電縫溶接部近傍の肉厚が薄くならないようにし、塑性変形能を示すｎ値、ｒ値、集合組織特定の範囲にする。 - 特許庁

The electrode sections of the drain region and source region of n-type or p-type double gate MOS transistor structure are provided with each gate electrode by self-alignment (simultaneously positioned at one time of a lithography process).例文帳に追加

島状半導体結晶層内に形成されたＮ形またはＰ形二重ゲートＭＯＳトランジスタ構造のドレイン領域およびソース領域の電極部は各ゲート電極と自己整合（一回のリソグラフィー工程で同時に位置決めされること）で設ける。 - 特許庁

Also, the method for producing the lubricant base oil includes a process of performing the hydrocracking of raw material oil containing a n-paraffin so that the obtained treated material has the ≤7 mass% urea adduct value, and ≥100 viscosity index.例文帳に追加

また、本発明の潤滑油基油の製造方法は、ノルマルパラフィンを含有する原料油について、得られる被処理物の尿素アダクト値が７質量％以下、粘度指数が１００以上となるように、水素化分解を行う工程を備える。 - 特許庁

To provide a production method by which an N-spiro-quaternary ammonium salt useful as a phase transfer catalyst and having axial asymmetry is obtained in high purity and high yield by a shortened process; and to provide an intermediate used for the method.例文帳に追加

相関移動触媒として有用な、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩を、短縮された工程で、より高純度かつ高収率で得ることのできる製造方法ならびにその方法に使用される中間体を提供する。 - 特許庁

To provide an optical element having an oriented film where resin is soluble without using solvent having large polarity such as N-methyl-2-pyrrolidone, and dispensing with an annealing process at high temperature in forming the film.例文帳に追加

本発明においては、Ｎ−メチル−２−ピロリドンのような、極性が大きい溶剤を用いることなく、樹脂を溶液化することが可能で、形成の際に、高温でのアニールを要しない配向膜を備えた光学素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of lowering the threshold voltage of both an n-type MIS transistor and a p-type MIS transistor while suppressing degradation in electric characteristics of the MIS transistor or lowering in yield thereof, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタの電気的特性の劣化や歩留まりの低下を抑制しながら、ｎ型ＭＩＳトランジスタとｐ型ＭＩＳトランジスタの両方でしきい値電圧を下げることができる半導体装置およびその製造技術を提供する。 - 特許庁

In a digital camera 10, when a quick view flag F is zero in step S118, the process of any one of the steps S126 to S130 is performed, and quick image data corresponding to a counter value n indicating the number of photographs is created and stored in a quick view VRAM.例文帳に追加

デジタルカメラ１０では、ステップＳ１１８でクイックビューフラグＦがゼロのときには、ステップＳ１２６〜Ｓ１３０のいずれかの処理を実行して撮影枚数を表すカウンタ値ｎに応じたクイックビュー画像データを作成してクイックビューＶＲＡＭに保存する。 - 特許庁

A process of injecting polymerizable composition into a hollow tube, thereafter, polymerizing the composition so as to form a layer is repeatedly carried out, and first to n-th layers 30 to 33 having high/low distribution of refractive index are successively formed from the outside of the diameter to the center.例文帳に追加

中空管の中に重合性組成物を注入後、重合させて層を形成させる工程を繰り返し行い、径の外側から中心に向かって屈折率の高低分布を有する第１〜第ｎ層３０〜３３を順に形成する。 - 特許庁

To provide a modified diene-based polymer rubber in which both terminals and places at arbitrary positions (n-2) in a chain are modified, excellent in a saving property of a fuel cost and to provide a production method in which the process number is simplified and to provide a rubber composition using the polymer.例文帳に追加

両末端および鎖中の任意の位置（ｎ−２）個所が変性された、省燃費性に優れる変性ジエン系重合体ゴム、その工程数が簡略化された製造方法及び該重合体ゴムを用いたゴム組成物を提供する。 - 特許庁

The polyester film contains what is represented by formula (1), wherein n is an integer of 3 or more, and has a thickness of 20-100 μm, wherein the polyester film has a phosphorus content of 0.30-2.00 wt.% and a melting point of 247°C or more and includes a coating layer provided in a film production process.例文帳に追加

下記式（１）を含有する、厚さ２０〜１００μｍのポリエステルフィルムであり、ポリエステルフィルム中のリン含有量が０．３０〜２．００重量％であり、２４７℃以上の融点を有し、フィルム製造工程内で設けられた塗布層を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element such as a MOSFET provided with parallel pn layers wherein an n-type region and a p-type region are alternately arranged as a drift layer that prevents concentration of current in a reverse recovery process of a built-in diode so as to enhance the reverse recovery breakdown.例文帳に追加

ドリフト層としてｎ型領域とｐ型領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を備えるＭＯＳＦＥＴ等において、内蔵ダイオードの逆回復過程における電流集中を防止し、逆回復耐量を向上させる。 - 特許庁

The valve spring retainer is formed of a titanium alloy material comprising 0.8-1.2 wt.% Fe, 0.24-0.32 wt.% O, 0.02-0.05 wt.% N and the balance Ti with unavoidable impurities, through a cold forging process.例文帳に追加

バルブスプリングリテーナが、０．８ｗｔ％≦Ｆｅ≦１．２ｗｔ％、０．２４ｗｔ％≦Ｏ≦０．３２ｗｔ％、０．０２ｗｔ％≦Ｎ≦０．０５ｗｔ％および不可避不純物を含む残部Ｔｉから成るチタン合金素材の冷間鍛造により成形される。 - 特許庁

An important determining process is created inside the microprocessor to determine loading time for a battery in accordance with battery capacity, battery voltage, and detection requisites including 1/N CCA and loading time inputted from the inputting device.例文帳に追加

バッテリー容量と、バッテリー電圧と、入力装置から入力される１／ＮＣＣＡ及び負荷時間を有する検出要件とに従って、バッテリーのための負荷時間を決定するために、前記マイクロプロセッサーは、内部に重要な決定プロセスを構築する。 - 特許庁

To ensure a sufficient job function difference of a gate electrode and remarkably improve drive characteristic of transistor without a manufacturing process that is unnecessarily difficult in execution in an n-channel transistor and a p-channel transistor of CMOS transistor or the like.例文帳に追加

ＣＭＯＳトランジスタ等において、ｎチャネル型トランジスタとｐチャネル型トランジスタとで、徒に実行困難な製造プロセスを伴うことなくゲート電極の十分な仕事関数差の確保を可能とし、トランジスタの駆動特性を大幅に向上させる。 - 特許庁

This method for modifying the cellulose is characterized by comprising a process of oxidizing an alkali-treated cellulose or a regenerated cellulose in a neutral or an acid reaction solution containing an N-oxyl compound and an oxidant for oxidizing an aldehyde group.例文帳に追加

本発明のセルロースの改質方法は、Ｎ−オキシル化合物と、アルデヒド基を酸化する酸化剤とを含む中性又は酸性の反応溶液中で、アルカリ処理セルロース又は再生セルロースを酸化させる工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

After the growth of an epitaxial layer is terminated for electronic device structure having an objective n-type non-alloy contact layer 7, the growth of the objective epitaxial layer for electronic device structure having the n-type non-alloy contact layer 7 is again performed after a process is performed in which a large amount of heat-insulated and compressed nitrogen gas is sent into the reaction furnace in a burst-like state.例文帳に追加

目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を終了した後、断熱圧縮された窒素ガスを反応炉内に多量、且つバースト状に送り込むプロセスを行い、その後に再び目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を行う。 - 特許庁

The method is to produce an N-vinyl cyclic lactam polymer by performing polymerization of monomer components containing a (meth)acrylic monomer and an N-vinyl cyclic lactam compound, and comprises a process of performing polymerization of the monomer components in coexistence of a chain transfer agent and a hydroxy group-containing compound in the aprotonic solvent.例文帳に追加

（メタ）アクリル系単量体とＮ−ビニル環状ラクタム化合物とを含む単量体成分を重合してＮ−ビニル環状ラクタム重合体を製造する方法であって、該製造方法は、非プロトン系溶媒中で、連鎖移動剤及び水酸基含有化合物の共存下に単量体成分を重合する工程を含むことを特徴とするＮ−ビニル環状ラクタム重合体の製造方法。 - 特許庁

By the method for producing the indium compound, the indium compound can be easily produced from a ferrous chloride solution containing indium (for example, a waste solution produced in an etching process for etching an ITO material or the like by ferric chloride) by using a chelate resin having a polyamine group or N-methylglucamine group.例文帳に追加

本発明者らは、インジウムを含有する塩化第一鉄液（例えばＩＴＯ材等の塩化第二鉄によるエッチング廃液より）からインジウムを回収する方法を鋭意検討した結果、インジウムを含有する塩化第一鉄液からポリアミン基またはN−メチルグルカミン基を有するキレート樹脂を用いることによりインジウム化合物を容易に製造することができることを見出して完成させた。 - 特許庁

A process of production of low-grade olefin, comprising methanol in gaseous phase and the constituents expressible as aM2O・bM'O・Al2O3・cSiO2・nH2O (where M = alkali metal and/or hydrogen atom, M' = alkali earth metal, a = 0-1.5, b = 0.2-40, except a+b >1, c = 12-3,000 and n = 0-40) heated to 500-600oC in contact with alkali earth metal including crystal alminocilicate zeolite catalyst having X-ray defecation pattern indicated as xxx. 例文帳に追加

メタノールを気相で、aM2O・bM′O・Al2 O3・cSiO2・nH2O（式中Mはアルカリ金属及び／又は水素原子、M′はアルカリ土類金属、aは０～1.5、bは0.2～40、ただしa＋b＞１、cは12～3,000及びnは０～40である）で表される組成を有し、かつ×××で示されるX線回折パターンを有するアルカリ土類金属含有結晶アルミノシリケートゼオライト触媒と、500～600℃の温度で、接触させることからなる低級オレフィンの製造方法。 - 特許庁

A lightly doped region Y where both n+-type impurities and p+-type impurities do not exist is made on a gate electrode 14 by providing a predetermined interval between the openings of ion implantation masks, when forming the source/drain diffusion layer 37 in an n MOSFET region and the source/drain region 38 in a p MOSFET region in a self alignment process at the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に自己整合的にｎＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３７およびｐＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３８を形成する際に、それぞれのイオン注入マスクの開口部間に所定の間隔を設けて、ゲート電極１４上に、ｎ＋型不純物とｐ＋型不純物とがともに存在しない低濃度な領域Ｙを形成する。 - 特許庁

With such a structure, the lower n-type semiconductor layer 19 and the upper n-type semiconductor layer 23, which surround the group III-V compound semiconductor layer 21 on both sides of the main surface, can act as a so-called protective film to suppress hydrogen from mixing into the group III-V compound semiconductor layer 21 in various kinds of manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

このような構成により、III−Ｖ族化合物半導体層２１を主面両側で囲んでいる下部ｎ型半導体層１９および上部ｎ型半導体層２３は、半導体デバイスの種々の製造工程において水素がIII−Ｖ族化合物半導体層２１に混入することを抑制するためのいわゆる保護膜として作用することができる。 - 特許庁

When there is a poor ejection nozzle, the process of executing nozzle inspection again after cleaning is executed (S260, 270, and S230) is repeated within a range wherein an execution number of times of cleaning N does not exceed the maximum number of times Nmax until there is no poor ejection nozzle.例文帳に追加

そして、吐出不良ノズルがあるときは、クリーニングを実行したあと再びノズル検査を実行する処理（Ｓ２６０，２７０，Ｓ２３０）をクリーニング実行回数Ｎが最大回数Ｎｍａｘを超えない範囲で吐出不良ノズルがなくなるまで繰り返す。 - 特許庁

To provide a fiber-reinforced ceramic composite material composed of an Si-N-B-C quaternary ceramic having amorphous structure even at a high temperature of ≥1,800°C and oxidation resistance at ≥1,700°C as a parent phase ceramic, and a process for producing the same.例文帳に追加

本発明は、１８００℃以上の高温でも非晶質構造を有し、また１７００℃以上の温度で耐酸化性であるＳｉ−Ｎ−Ｂ−Ｃ四元系セラミックスを母相セラミックスとする繊維強化セラミックス基複合材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁