「N so」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

No practical breaking technique has been reported so far with respect to RC4 with standard specifications (word length n=8, number of conditions: 256). 例文帳に追加

標準仕様（ワード長n=8、状態数256)のRC4については、現在のところ、現実的な解読法は提案されていない。 - 経済産業省

An n-type lightly doped drift layer 11 is provided so as to cover an n-type heavily doped drain layer 41 from an internal section side of a p-type silicon substrate 100, and an n-type lightly doped drift layer 12 is provided so as to cover an n-type heavily doped source layer 42 likewise.例文帳に追加

Ｎ型高濃度ドレイン層４１にＰ型シリコン基板１００の内部側から被さるようにＮ型低濃度ドリフト層１１が設けられており、同様にＮ型高濃度ソース層４２に対してＮ型低濃度ドリフト層１２が設けられている。 - 特許庁

The thickness t of the light transmission layer is set so as to be in a range as f(n)-t1≤t≤f(n)+t2, using constants t1 and t2 determined on the basis of the permissive value of aberration and a function f(n) of the refractive index n, so that the aberration is within a specified permissive value.例文帳に追加

更に収差が一定許容値以内となるように、光透過層の厚さｔが、収差の許容値に基づいて決定される定数ｔ１，ｔ２と、屈折率ｎの関数ｆ（ｎ）を用いて、ｆ（ｎ）−ｔ１≦ｔ≦ｆ（ｎ）＋ｔ２の範囲に設定される。 - 特許庁

The conductivity modulation density N is so determined that the cross current Ic is smaller than the operating current Iop/m (m: the number of IGBTs connected in parallel), and n+ buffer layer density nb and n+ buffer layer thickness db are so determined as to obtain the conductivity modulation density N.例文帳に追加

クロス電流Ｉｃが動作電流Ｉｏｐ／ｍ（ｍは並列接続するＩＧＢＴの個数）よりも小さくなるように導電率変調濃度Ｎを決定し、そのような導電率変調濃度Ｎとなるようにｎ＋バッファ層濃度ｎｂ及びｎ＋バッファ層厚ｄｂを決定する。 - 特許庁

To reduce diodes so as to simplify a structure in an N-key rollover keyboard apparatus.例文帳に追加

Ｎキーロールオーバーのキーボード装置におけるダイオード削減と構成の簡素化を目的とする。 - 特許庁

Thereafter, an N type epitaxial layer 4 is formed so as to cover the whole face of the P type Si substrate 1.例文帳に追加

その後、Ｐ型Ｓｉ基板１の全面を覆うように、Ｎ型エピタキシャル層４を形成する。 - 特許庁

The magnets 3A-3G are arranged so that an N-pole and an S-pole of respective magnet face in alternate direction.例文帳に追加

各磁石３Ａ〜３Ｇは、Ｎ極とＳ極とが上下互い違いになるように配列される。 - 特許庁

Then, ion injection into the n--type region 11 is carried out, so that a p-type well layer 12 can be formed.例文帳に追加

そして、ｎ^-型領域１１にイオン注入等を行うことで、ｐ型ウェル層１２を形成する。 - 特許庁

The tip of the n well region 6 is formed so that it can not reach the p^+-collector region 4.例文帳に追加

Ｎウェル領域６の先端は、Ｐ＋型コレクタ領域４に到達しないように形成されている。 - 特許庁

The ruthenium layer is formed so as to be brought into contact with the n-AlGaN layer.例文帳に追加

このルテニウム層は、ｎ−ＡｌＧａＮ層に接するように設けられている。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 115 is so formed as to surround a p^+-type diffusion layer 114b.例文帳に追加

Ｐ^＋拡散層１１４ｂを取り囲むようにＮ型拡散層１１５が形成されている。 - 特許庁

Consequently, the Q of the tank circuit 22 never decreases, so the C/N can be improved.例文帳に追加

これにより、タンク回路２２のＱが低下することは無いので、Ｃ／Ｎを向上させることができる。 - 特許庁

The four magnets 16 are magnetized, so that N-poles and S-poles are alternately arranged.例文帳に追加

この４個の永久磁石１６はＮ極とＳ極とが交互となるように着磁されている。 - 特許庁

A gate electrode 7 is so formed that it overlaps with the end of the n-type body region 4.例文帳に追加

また、Ｎ型ボディ領域４の端部に重なってゲート電極７が形成されている。 - 特許庁

The cameras #1-#n are disposed so that at least a pair of cameras have a common field of view.例文帳に追加

カメラ＃１〜＃ｎは、少なくとも１組のカメラ対が共通視野を持つように配置する。 - 特許庁

The sill 2 is formed so as to have an area loadable on the carriage N of the truck or the like.例文帳に追加

土台２は、トラック等の荷台Ｎに積載可能な広さで形成される。 - 特許庁

To provide a bump inspection device constituted so as to enhance the S/N ratio of an X-ray image to stably inspect a bump.例文帳に追加

Ｘ線画像のＳ／Ｎ比を向上させ、安定してバンプを検査できるようにする。 - 特許庁

The n-type electron supply layer 9 is made to be thin so that a normally-off characteristic can be obtained.例文帳に追加

ノーマリオフ特性が得られるようにｎ型電子供給層９を薄く形成する。 - 特許庁

In this case, the respective bus substrates 3 are so stacked that n optical fibers 2 have the same phase.例文帳に追加

このとき、各バス基板３のｎ本の光ファイバ２が同位相になるように積層する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit that reduces power consumption so as to improve the S/N.例文帳に追加

消費電力を低減化し，ＳＮ比を改善することの可能な半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

The N-type drain region 18 is made so that it does not develop a short circuit with the P-well 14.例文帳に追加

Ｎ型ドレイン領域１８は、Ｐウェル１４と非短絡状態となるように設ける。 - 特許庁

The magnetic member 14 is magnetized so as to form multiple poles in the circumferential direction, and magnetic poles N, S are formed alternately.例文帳に追加

磁性部材１４は周方向に多極に磁化し、交互に磁極Ｎ，Ｓが形成されたものとする。 - 特許庁

The N-type element 5 and a P-type element 3 are connected to each other in two points so as to constituted a circuit.例文帳に追加

Ｎ形素子５とＰ形素子３は互いに２点で接合させて回路を構成する。 - 特許庁

The isolation regions 13 are formed so as to be shallower than the N-type diffusion layer 14.例文帳に追加

この分離領域１３は、Ｎ型拡散層１４よりも浅く形成される。 - 特許庁

Arguments, if supplied, have the following meanings: 0 +n Rotates the stack so that the nth directory (counting from the left of the list shown by dirs , starting with zero) is at the top. 例文帳に追加

引き数を与えた場合には、以下の意味を持ちます:0+nスタックをローテートさせ、n 番目のディレクトリを一番上にします。 このときdirsが表示するリストは左から数え始め、その左端は 0 となります。 - JM

An n-type region 12, higher in concentration than the n- epitaxial layer 4 is formed so as to reach the n- epitaxial layer 4, under the bottom of the trench 10.例文帳に追加

トレンチ１０の底面下には、トレンチの底面１０ａからｎ−エピタキシャル層４に達するように、ｎ−エピタキシャル層４以上の濃度のｎ形領域１２が形成されている。 - 特許庁

An N-type polycrystal silicon film 12 having T-shape is disposed on the N-type epitaxial layer 11 and N-type polycrystal silicon film 8 so as to cover the emitter aperture 19.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層１１及びＮ型多結晶シリコン膜８上には、エミッタ開口部１９を覆うようにＴ型形状を有するＮ型多結晶シリコン膜１２が設けられる。 - 特許庁

An equalizer 70_n shapes the waveform of the data C_n on the basis of a characteristic where coefficients P_na and P_nb are set so as to reduce a peak shift amount L_n, and the equalizer 70_n outputs the reproduced data D_n.例文帳に追加

データＣ_ｎは、イコライザ７０_ｎでピークシフト量Ｌ_ｎが減少するように係数Ｐ_ｎａ，Ｐ_ｎｂが設定された特性に基づいて波形整形され、同イコライザ７０_ｎから再生データＤ_ｎが出力される。 - 特許庁

When acquiring an electric field of some probe #n, a polarization adjustment part 303 reads out the control information of the probe #n from the storage part 305, and adjusts so that the polarization state of light entering the probe #n becomes optimum.例文帳に追加

あるプローブ♯ｎの電界を取得する場合、偏光調整部３０３は、そのプローブ♯ｎの制御情報を記憶部３０５から読み出して、そのプローブ♯ｎに入射される光の偏光状態が最適になるように調整する。 - 特許庁

An N-type impurity region 13, which has a higher impurity concentration than the N^- semiconductor layers 2, is formed so as to reach the dielectric portion 3 from the surfaces of the N^- semiconductor layers 2, as a depletion layer blocking portion.例文帳に追加

Ｎ^-半導体層２の表面から誘電体部３に達するように、空乏層阻止部として、Ｎ^-半導体層２の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有するＮ型不純物領域１３が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, n-type impurity ions are implanted through the insulating film 17 and the side walls 16a and 16b as mask, so as to form n-type source regions 19a and 19c and an n-type drain region 19b.例文帳に追加

その後、絶縁膜１７及びサイドウォール１６ａ、１６ｂをマスクにして、Ｎ型不純物のイオン注入を行い、Ｎ型ソース領域１９ａ、１９ｃ及びＮ型ドレイン領域１９ｂを形成する。 - 特許庁

The distribution of the impurity concentration of the n-type drift region 112 is so set that the concentration is reduced both in the lateral direction and in the longitudinal direction of the n-type semiconductor layer 3 as it goes away from the n++-type drain region 104.例文帳に追加

ｎ形ドリフト領域１１２の不純物濃度の濃度分布は、ｎ形半導体層３の横方向および縦方向いずれもｎ^++形ドレイン領域１０４から離れるにしたがって低くなるように設定してある。 - 特許庁

The division function part 15 duplicates and outputs the waveform data with quantity of N per one input waveform data, so that the period of the waveform becomes N-fold to generate waveforms of N divisions.例文帳に追加

分周機能部１５は入力した１つの波形データにつきＮ個の波形データを複製して出力しているため、波形の周期はＮ倍になり、Ｎ分周した波形を生成することができる。 - 特許庁

A p^+ type semiconductor region 20 is formed in a part of the n^-type semiconductor layer 14 apart from the n^+ type semiconductor region 18, so as to surround the n^+ type semiconductor region 18.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体領域１８から離間してｎ^＋型半導体領域１８を取り囲むようにｎ^−型半導体層１４の一部にｐ^＋型半導体領域２０を形成する。 - 特許庁

Magnet alignment 12 is so arranged that electrons 10 progressing winding their way in the vicinity of positions Z_n (n=1, 2, ...) inside an electron passage 5 are to make a longer turn than when they pass other positions.例文帳に追加

磁石配列１２は、電子通路５内の位置Ｚ_n（ｎ＝１、２、・・・）近傍を蛇行しながら進む電子１０が、他の位置を通過する時に比べて大回りするように設置されている。 - 特許庁

An n^+-embedding layer 31 is formed in a p^--substrate 200 so as to contact the bottom surface of the n-type impurity region 121 while covering at least the lower part of the n^+-type source region 133.例文帳に追加

ｎ^+埋め込み層３１は、少なくともｎ^+型ソース領域１３３の下方を覆いつつ、ｎ型不純物領域１２１の底面に接してｐ^-基板２００内に形成されている。 - 特許庁

Peak detection is carried out with respect to a spectrum to be analyzed while the determination threshold N is increased so as to find a range C in which the number P(N) of detected peaks does not change even when the determination threshold N is increased.例文帳に追加

そこで、判定閾値Ｎを増加させつつ解析対象のスペクトルについてピーク検出を実行し、判定閾値Ｎを増加させても検出ピーク数Ｐ（Ｎ）が変化しない範囲Ｃを見つける。 - 特許庁

A conversion table in which 2^m of m-bit data words are associated with 2^m of code words selected from 2^n of n-bit code words so that the number of a symbol "1" tends to be fewer is prepared.例文帳に追加

２^m個のｍビットデータ語に対し、２^n個のｎビット符号語のうちからシンボル「１」の数が少ない傾向となるように選出した２^m個の符号語を対応づけた変換テーブルを用意する。 - 特許庁

A p^+ type gate region 4 is directly formed on the surface of an n^- type channel layer 2 so that a part away from the n^- type channel layer 2 becomes wide compared to a part contacting the n^- type channel layer 2 out of the p^+ type gate region 4.例文帳に追加

ｎ^-型チャネル層２の表面に直接ｐ^+型ゲート領域４を形成し、ｐ^+型ゲート領域４のうちｎ^-型チャネル層２と接する部分と比較して、ｎ^-型チャネル層２から離れた部分が幅広となるようにする。 - 特許庁

In the main surface of the p-substrate 200, an (n) buried layer 26 is formed which comes into contact with a bottom surface of the n-type impurity region 121 so as not to protrude toward the (p) well 144b more than the side face of the n-type impurity region 121.例文帳に追加

ｐ^-基板２００の主面内には、ｎ型不純物領域１２１の側面よりもｐウェル１４４ｂ側に突出しないように、ｎ型不純物領域１２１の底面に接するｎ埋め込み層２６が形成されている。 - 特許庁

The pulse transit circuit 10 is configured so that a sum of the number of the inverting circuits that the pulse signal transits in an N-th period (N: a natural number) and the number of the inverting circuits that the pulse signal transits in an (N+1)-th period is a power of 2.例文帳に追加

パルス走行回路１０は、Ｎ（Ｎ：自然数）周期目にパルス信号が走行する反転回路の数と、Ｎ＋１周期目にパルス信号が走行する反転回路の数との総和が２のべき乗となるように構成される。 - 特許庁

The (n)th antenna electrode is arranged so that a projection area (S) and a range (R) from the developer carrier 12 satisfy the next relation, Sn-1≤Sn, and Rn-1≤Rn(2<n≤N).例文帳に追加

ｎ番目のアンテナ電極は、現像剤担持体１２からの投影面積（Ｓ）と距離（Ｒ）が、 Ｓｎ−１≦Ｓｎ 且つ Ｒｎ−１≦Ｒｎ （２≦ｎ≦Ｎ） の関係を満たす。 - 特許庁

Namely, feedback control of the bias voltage is performed so as to acquire the equation: n_i-1/n_i=1, and the whole absorption peak P_B of a waveform 80 is maintained between the channels c_i-1 and c_i.例文帳に追加

つまり、n_i-1／n_i＝１となるようにバイアス電圧がフィードバック制御され、波形８０の全吸収ピークＰ_Bがチャンネルc_i-1とc_iの間に維持される。 - 特許庁

A p well 5 is formed in an N-type semiconductor substrate 1, and N-type impurities for deciding the threshold voltage of a depression-type lateral MOSFET are introduced into the P well 5 so as to form an N-type region 6.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１にＰウェル５を形成し、当該Ｐウェル５にデプレッション型ラテラルＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧を決めるためのＮ型不純物を導入してＮ型領域６を形成する。 - 特許庁

The gas detector 10 is constituted so that a sensor output value S(n) is acquired by using a detection circuit 11, and the rise and fall in the concentration of a reducible gas is detected by using the sensor output value S(n).例文帳に追加

ガス検出装置１０は、検出回路１１を用いてセンサ出力値S(n)を取得し、これを用いて還元性ガスの濃度昇降を検知する。 - 特許庁