「N so」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A stripe constituted of N data strips and different types of M pieces of parity strips are stored so as to be distributed to N+M pieces of disks so that data can be made redundant.例文帳に追加

Ｎ個のデータストリップと異なる種類のＭ個のパリティストリップからなるストライプをＮ＋Ｍ個のディスクに分散して格納することで、データの冗長化を実現する。 - 特許庁

For axial rotors 1 and 2, permanent magnets 5 and 6, in which N and S poles are arranged alternately in its circumferential direction, are counterposed coaxially so as to face each other, and are supported so that they can rotate individually around a common axis O.例文帳に追加

アキシャルロータ1, 2を、N,S極の円周方向交互配置になる永久磁石5,6が向かい合うよう同軸に対向配置し、共通軸線Oの周りで個別に回転し得るよう支承する。 - 特許庁

In the imaging element 100, a first n-type semiconductor area 124 and the n well 122 of a PMOS area 112 are formed by the same step, so that the n-type impurity concentration profile in the direction of the depth of the first n-type semiconductor area 124 is made nearly the same as that of the n well 122 of the PMOS area 112.例文帳に追加

固体撮像素子１００において、第１Ｎ型半導体領域１２４とＰＭＯＳ領域１１２のＮウェル１２２とを同一の工程で形成することにより、第１Ｎ型半導体領域１２４とＰＭＯＳ領域１１２のＮウェル１２２との深さ方向Ｎ型不純物濃度プロファイルを略同一にしている。 - 特許庁

Before generating a determination d(n) by the comparator concerning the input sample z(n), an average sample zfa(n) is generated by averaging filtered samples zf(n) and zf(n-k) by adopting the averaging circuit so that reliability in the determination to be performed concerning the correspondent sample can be improved.例文帳に追加

平均化回路を採用して、決定ｄ（ｎ）がコンパレータにより入力サンプルｚ（ｎ）について生成される前に、フィルタリングされたサンプルｚｆ（ｎ）およびｚｆ（ｎ−Ｋ）を平均化して、平均サンプルｚｆａ（ｎ）を生成することで、対応するサンプルについて行われる決定の信頼性を改善する。 - 特許庁

N channel MOS TRs are newly added to the conventional level shift circuit so as to always bring the gate potential for the N channel MOS TRs in cross connection a Vtn or over when it is turned on, independently of the capability of the MOS TRs so as to permit state transition even when P channel MOS TRs with an extremely high capacity are not employed.例文帳に追加

レベルシフト回路にNチャネル型MOSトランジスタを新たに追加することにより、たすきがけになるNチャネル型MOSトランジスタがONになる際のゲート電位をMOSトランジスタの能力に関係なく、必ずVtn以上にすることにより、Pチャネル型MOSトランジスタを極端に大きくしなくても、状態を遷移することができる。 - 特許庁

At this time, the amount of at least one time transfer among n times transfers and the range of the recording element used for at least one time recording operation among n times recording scannings are adjusted so that the position for performing the cutting when n times transfers have been performed in the image formation process may coincide with the cutter position.例文帳に追加

このとき、その画像形成過程においてｎ回の搬送が行われたときにカットを行う位置とカッタの位置とが一致するよう、ｎ回の搬送のうち少なくとも１回の搬送量とｎ回の記録走査のうち少なくとも１回の記録動作に用いられる記録素子の範囲とを調整する。 - 特許庁

A trench 61 formed to reach the n^+ type silicon substrate 1 from the principal surface 72 of the n^+ type silicon substrate 1 so as to contact with the n^- type silicon region 3 having the high resistance, is filled with a conductive body 5 through an insulating material 4, and the conductive body 5 is electrically connected to a source electrode 13.例文帳に追加

また、高抵抗のｎ^−型シリコン領域３に接してｎ^＋型シリコン基板１の主面７２からｎ^＋型シリコン基板１に達するトレンチ６１内に、絶縁体４を介して導電体５を充填し、前記導電体５を電気的にソース電極１３に接続させる。 - 特許庁

The M transfer transistors TX are divided into N groups, and the N switches FDX1, FDX2 are arranged so that either of N switches in each group is turned on and off, between the output part of the transfer transistor TX and the input part of the amplification transistor AMP.例文帳に追加

Ｍ個の転送トランジスタがＮ個のグループに分けられて、Ｎ個のスイッチＦＤＸ１，ＦＤＸ２は、前記グループ毎に１個ずつ、前記グループに属する転送トランジスタＴＸの出力部と増幅トランジスタＡＭＰの入力部との間をオンオフするように設けられる。 - 特許庁

An in-vehicle device in a transmission side generates a signature data for each unit data that consists of M×N (N=2 in Fig.) times communication data, divides the signature data into M parts as division signature data, and adds parts of the division signature data respectively and sequentially to the communication data so as to transmit the communication data N times repeatedly.例文帳に追加

送信側となる車載装置は、Ｍ×Ｎ（図ではＮ＝２）回分の通信データからなる単位データ毎に、署名データを生成すると共に、その署名データをＭ分割した分割署名データのそれぞれを、通信データに順次付加し、且つＮ回繰り返して送信する。 - 特許庁

The n^+ region 107 is so formed on the main surface 12 as to face the n type source region 103, with the p type base region 105 in between, to adjoin the p type base region 105, having an impurity concentration higher than the n^- region 101.例文帳に追加

ｎ^+領域１０７は、ｐ型ベース領域１０５と隣接するように、ｐ型ベース領域１０５を挟んでｎ型ソース領域１０３と向かい合うように主表面１２に形成され、ｎ^-領域１０１よりも高い不純物濃度を有する。 - 特許庁

This device further includes an n-type semiconductor layer 124 formed so that one end is connected to an n+ type source region 112 of the drain side selective transistor SDT, and the other end is connected to an n+ type drain region 113 of the source side selective transistor SST.例文帳に追加

また、一端がドレイン側選択トランジスタＳＤＴのｎ＋型ソース領域１１２に接続し他端がソース側選択トランジスタＳＳＴのｎ＋型ドレイン領域１１３に接続するように形成されたｎ−型半導体層１２４を備える。 - 特許庁

Then, the adaptive control type controller operates the current flowing through the parasitic element so as to put a correlation coefficient ρ_n of the reception signal y(n) and a reference signal r(n) (the desired wave) closer to "1" and, on the basis of the operated current, operates a beam pattern virtually coincident with the desired wave.例文帳に追加

そして、適応制御型コントローラは、受信信号ｙ（ｎ）と参照信号ｒ（ｎ）（所望波）との相関係数ρ_ｎが”１”に近づくように無給電素子に流れる電流を演算し、その演算した電流に基づいて、所望波に実質的に一致するビームパターンを演算する。 - 特許庁

The VH and VL are divided by a resistance string 22 and converted into an analog signal selected according to the low-order n-bit signal, so that the n+m-bit (n, m: integers of ≥2) input digital signal is converted into the analog signal.例文帳に追加

このＶＨ、ＶＬを抵抗ストリング２２で分割し、下位ｎビットの信号に応じて選択されたアナログ信号に変換することにより、ｎ＋ｍ（ｎ，ｍは両方とも２以上の整数）ビットの入力デジタル信号をアナログ信号に変換する。 - 特許庁

An n-side electrode 5 is closely arranged to a plurality of LEDs 10 (four LEDs in Figure 1), and an element isolation region 15 is formed so that the four LEDs 10 and the n-side electrode 5 are surrounded to form an n-type semiconductor block 11.例文帳に追加

複数（図１では４つ）のＬＥＤ１０に対してｎ側電極５を近接配置させ、この４つのＬＥＤ１０とｎ側電極５とを囲むように素子分離領域１５を形成して複数（図１では４つ）のｎ型半導体ブロック１１を形成する。 - 特許庁

A control parameter regulating part 29, if the differences between the S/N ratio and the sensitivity under the actual traveling condition and the S/N ratio and the sensitivity under the optimal condition are equal to or more than given values, regulates a given control parameter so that the S/N ratio becomes larger and the sensitivity assumes a desired state.例文帳に追加

制御パラメータ調整部２９は、実走行条件におけるＳＮ比及び感度と最適条件におけるＳＮ比及び感度との差が所定値以上の場合、ＳＮ比が大きくなると共に感度が所望の状態となるように所定の制御パラメータを調整する。 - 特許庁

By the constitution, a charge read time in an area (valid image area) where X-rays are actually made incident on the FPD is calculated, and an image data acquisition period is set so as to be 1/n (n is an integer ≥2) of the irradiation period of the X-rays on the basis of the time.例文帳に追加

これらの構成により、実際にＸ線がFPDに入射する領域（有効画像領域）における電荷の読み出し時間を算出し、この時間に基づいて、Ｘ線の照射周期の1／n(nは2以上の整数)となるように画像データ取得周期を設定する。 - 特許庁

Namely, the circuit 10 is provided with a circuit, having √n priority retrieving circuits with respect to n priority queues to perform retrieval in parallel to judge the presence/absence of data which should be outputted by the unit of the block, so that a queue which has to be outputted with a (√n+1) clock is selected.例文帳に追加

即ち、優先順位キューｎ個に対して、優先検索回路を√ｎ個保有し、並列に検索を行い、ブロック単位での出力すべきデータの有無を判定する回路を具備することにより、（√ｎ＋１）クロックで出力すべきキューを選択する。 - 特許庁

A thermoelectric element is constituted of P-type elements 3 composed of a P-type thermoelectric material, N-type elements 4 composed of an N-type thermoelectric material, two substrates 2 having metallic electrodes 5 which can form P-N junction pairs by joining the elements 3 and 4 to each pair by pair, and so on.例文帳に追加

Ｐ型熱電材料からなるＰ型エレメント３と、Ｎ型熱電材料からなるＮ型エレメント４と、これら異種エレメント３、４を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極５を有する２枚の基板２等、から構成されている。 - 特許庁

The surface acoustic wave filter of a horizontal mode combined resonator type is constituted so that the ratio of the number (M) of input-side comb-like interdigital transducers 3 to the number (N) of output-side comb-like interdigital transducers 4 (M/N or N/M) ranges from 1/11 to 3/8.例文帳に追加

横モード結合共振器型の弾性表面波フィルタにおいて、入力側櫛型インターデジタル電極３の本数（Ｍ）と出力側櫛型インターデジタル電極４の本数（Ｎ）との比（Ｍ／ＮまたはＮ／Ｍ）が１／１１〜３／８になるように構成する。 - 特許庁

The image processing section applies image processing to first image information by one page each read by the read section 13 by means of N in 1 so as to be able to create second image information obtained by integrating the first image information items by N pages into one page.例文帳に追加

画像処理部は、読取部１３により読み取られた１ページごとの第１画像情報をNイン１により画像処理して、Ｎページ分の第１画像情報を１ページに集約して得られる第２画像情報を作成可能である。 - 特許庁

In this case, the content of the road linear information is changed depending on the history number N so that when the history number N is zero, the minimal necessary road linear information is provided; when the history number N is not zero, detailed road linear information is provided.例文帳に追加

このとき、インフラ受信履歴数Ｎが０のときは、必要最低限の道路線形情報、インフラ受信履歴数Ｎが０でないときは、詳細な道路線形情報というように、インフラ受信履歴数Ｎに応じて道路線形情報の内容を変える。 - 特許庁

An N-type electric field moderation region 7 having an impurity concentration lower than the average impurity concentration of the N-type drift region 5 is formed so as to contact the side and the bottom of an N-type source region 13 side of the trench offset region 2.例文帳に追加

トレンチオフセット領域２のＮ型ソース領域１３側の側面及び底面に接するように、Ｎ型ドリフト領域５の平均不純物濃度よりも低い不純物濃度を持つＮ型電界緩和領域７が設けられている。 - 特許庁

To provide an apparatus in which advance to HNO_3 is suppressed to make nitrite N remain without addition of chemicals in the nitration step so that removal of nitrogen can be favorably carried out with ammonical N as a hydrogen donor and nitrite N as a hydrogen receptor in the later step.例文帳に追加

硝化工程において、薬品を添加することなく、硝酸までの進行を抑制し、亜硝酸性窒素を残留させることで、後段のアンモニア性窒素を水素供与体、亜硝酸性窒素を水素受容体とした窒素の除去を良好に行うことできる装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, even if the length of the n-type GaN rod-shaped semiconductors 121 is extended, an increase in the resistance of the n-type GaN rod-shaped semiconductors 121 is prevented, so that light can be evenly emitted from bottom to top of the n-type GaN rod-shaped semiconductors 121.例文帳に追加

それゆえ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の長さを長くしても、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の抵抗の増大が抑えられ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の根元部から先端部にわたって一様に発光させることができる。 - 特許庁

The address usable as branch designation is limited to the address having a subordinate n-bit (n is an optional natural number), of 0, thereby, the one obtained by multiplying the value used in displacement by the n-th power of 2 is taken as the branch, designation address, so that the branch can be performed farther with the same bit number of displacement.例文帳に追加

分岐先として使用できるアドレスを下位ｎビット（ｎは任意の自然数）が０のアドレスに限定することにより、ディスプレースメントで使用する値に２のｎ乗を乗じたものを分岐先アドレスし、同じディスプレースメントのビット数で、より遠くまで分岐できるようにする。 - 特許庁

The long glass fibers G are packed in the bag N, both of verse and reverse face of the bag N are sewed together with the glass long fibers G, the bag N is wound around the inner cylinder 3 so as to form a muffling material S1, and the muffling material S1 is inserted in the outer cylinder 5.例文帳に追加

ガラス長繊維Ｇを袋Ｎに詰め込み、上記袋Ｎの表裏両面をガラス長繊維Ｇと同時に縫製し、上記袋Ｎを内筒３に巻き付けて消音材Ｓ１とし、この消音材Ｓ１を外筒５内に挿入する。 - 特許庁

The retaining part is formed of an N-shaped bending part 12 of bending and forming a plate in a substantially N shape in a side view by projecting forward, and an upward acute angle tip part 13 is arranged in the N-shaped bending part 12 so as to retain the outer wall material 2.例文帳に追加

係止部は、平板を側面視で略Ｎ形に且つ前方に突出して屈曲形成されたＮ形屈曲部１２から形成され、Ｎ形屈曲部１２には上向きの鋭角先端部１３が外壁材２を係止するように設けられる。 - 特許庁

When executing activating treatment by using a lamp anneal device, an SiC wafer 1 composed of an n^+ type substrate 1a and an n^- type epitaxial layer 1b to inject an impurity is arranged so that the side of the n^- type epitaxial layer 1b can be turned toward the side of a wafer stage 5.例文帳に追加

ランプアニール装置を用いて活性化処理を行うに際し、ｎ^+型基板１ａと不純物が注入されるｎ^-型エピ層１ｂとによって構成されるＳｉＣ基板１を、ｎ^-型エピ層１ｂ側がウェハステージ５側を向く様に配置する。 - 特許庁

Covering the N+ diffused layer 23 with the N-type well 2 allows the N-type well 2 to operate as a resistor, so that a current is prevented from concentrating at a part 56 immediately below a contact hole 31 and a field edge 55, when a bipolar operation current 7 caused by a parasitic bipolar transistor is pulled out.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層２３をＮ型ウェル２で覆うことにより、Ｎ型ウェル２が抵抗として動作するため、寄生バイポーラトランジスタによるバイポーラ動作電流７を引き抜く時のコンタクトホール３１の直下５６やフィールドエッジ５５に電流が集中するのを防止することができる。 - 特許庁

In the simulation, a given time Δt is divided by N in which (leak rate of main buffer/system clock frequency)×N (N: integer) is an integer, and the remainder R is carried over to a next operation, so that a present leak data amount of a main buffer is integer-calculated based on the quotient composed of an integer.例文帳に追加

シミュレーションでは、（メインバッファのリークレート／システムクロック周波数）×Ｎ（Ｎは整数）が整数となるＮで、所定時間Δｔを除算した余りＲを次回の演算に持ちこすことで、整数からなる商に基づき現在のメインバッファのリークデータ量を整数演算する。 - 特許庁

The ratio A2/A1 of the sheath area A2 of the grounding electrode 14 to the sheath area A1 of the substrate is set so that the value (A2/A1)^n (where (n) is the n-th power of the coefficient determined by the pressure in the reaction vessel 2 is about 80 to 90).例文帳に追加

基板１０のシース面積Ａ１に対するアース電極１４のシース面積Ａ２の比率Ａ２／Ａ１を、反応槽２内の圧力によって定めた係数ｎ乗した値（Ａ２／Ａ１）^ｎが、約８０乃至９０となるように、構成されている。 - 特許庁

In this case, the infrared rays are radiated only during the time according to the distributed pulse from the infrared radiating elements 37 of the number of N, so that the power consumption becomes one n-ths or smaller, as compared with a case in which the infrared rays, according to the voice high-frequency signal is generated from the infrared radiating elements 37 of the number of n.例文帳に追加

Ｎ個の赤外線放射素子３７からは分配されたパルスに応じた時間だけ赤外線が放射されるから、音声高周波信号に応じた赤外線をＮ個の赤外線放射素子３７から放射する場合に比して１／Ｎ以下の消費電力とすることができる。 - 特許庁

Based on the instruction from the instruction part 23A, the opening and closing operation is performed so that each of N pieces of switches SW_1-SW_N is laid in a closed state at a different time, and the interval of laying each switch SW_n in the closed state is an integral multiple of a reference time.例文帳に追加

開閉指示部２３Ａにより指示に基づいて、Ｎ個のスイッチＳＷ_１〜ＳＷ_Ｎそれぞれが互いに異なる期間に閉状態とされるとともに、各スイッチＳＷ_ｎの閉状態となる間隔が基準時間の整数倍となるように開閉動作を行う。 - 特許庁

N pieces of toothed endless belts are used for a driving mechanism for a photoreceptor drum (N is positive integer ≥2), and the belts are separately stretched while shifting the belts from the same position in the circumferential direction by the amount of one cycle/N so that the rotating angle error in the circumferential direction of the toothed endless belts may be cancelled by the cycle of the belt circumferential length.例文帳に追加

感光ドラムの駆動機構にＮ（Ｎは２以上の正の整数）本の歯付無端ベルトを用い、且つこれらの歯付無端ベルトが有する周方向の回転角度誤差がベルト周長の周期で打ち消し合うように、周方向の同一位置からそれぞれ一周期／Ｎずつずらして張架する。 - 特許庁

When the maximum calculating accuracy of exponentiation residue capculations which are to be performed by the plural exponentiation residue calculating units is defined as 2n (n is as natural number and fixed), plural exponentiation residue calculating units are connected by (x) pieces at the maximum so as to satisfy x≥2n/2m ((x) is a natural number and fixed) to perform encryption and decoding.例文帳に追加

複数のべき乗剰余演算ユニットにより実施されるべき乗剰余演算の最大演算精度を２^n（ｎは自然数で固定）としたとき、ｘ≧２^n／２^m（ｘは自然数で固定）を満たすように、複数のべき乗剰余演算ユニットが最大でｘ個接続されて、暗号化及び復号を行う。 - 特許庁

In a semiconductor device having a PN junction part, a low concentration substrate junction of a p^+ layer and an n^- layer steep in impurity concentration gradient is formed, and a diffusion layer of a p^- layer in a low concentration is formed by making a surface concentration low and diffusing deeply so that it does not make a junction with the n^- layer of the substrate.例文帳に追加

PN接合部を有する半導体装置において、不純物濃度勾配の急峻なｐ^+層とｎ^-層の低濃度基板接合を形成し、低濃度のｐ^-層の拡散層を基板のn-層と接合ができないように表面濃度を薄く、深く拡散させて形成した。 - 特許庁

When no receiving wave RX exists, input of a mixer is an output cos{ωt-(n-1)θ} of the phase shifter 22-n and a leakage wave k'_ncos{ωt-(n-1)θ-β_n}, so that a DC component of an output from the mixer becomes k_ncosβn.例文帳に追加

受信波ＲＸが無い状態を作れば、ミキサの入力は移相器２２−ｎの出力ｃｏｓ｛ωｔ−（ｎ−１）θ｝と漏れ波ｋ’_nｃｏｓ｛ωｔ−（ｎ−１）θ−β_n｝であるから、ミキサの出力の直流成分は、ｋ_nｃｏｓβ_nとなる。 - 特許庁

The first electrode 26a is constituted of an N-type diffusion layer 26, having a high impurity concentration so as to prevent breakdown, even when a high voltage is applied to the first electrode 26a; and an N-type well 25, having impurity concentration lower than that of the N-type diffusion layer is formed around the first electrode 26a.例文帳に追加

第１の電極２６ａに高い電圧が印加されてもブレークダウンしないように、第１の電極２６ａは、不純物濃度の高いＮ拡散層２６からなり、その周囲にＮ拡散層よりも不純物濃度が低いＮウエル２５が形成されている。 - 特許庁

To decrease memory capacity by constructing memories so that the number of memories is the number N which is the same as that of the number of interpolating lines in the case of interpolating signals from N lines, at the time of converting an interlaced signal into a progressive signal while the N+1 pieces of memories are required in a conventional technique.例文帳に追加

インターレース信号をプログレッシブ信号に変換する際、Ｎラインから補間しようとした場合Ｎ＋１個のメモリが必要であったものを補間ライン数と同じ個数Ｎで構成することでメモリ容量を低減する。 - 特許庁

Three magnets (12) are provided on the periphery of the rotor so that the magnetic poles of the outer periphery become a sequence of N pole, S pole and N pole or S pole, N pole and S pole and an angle of the outer periphery with the three magnets is less than 360°.例文帳に追加

ロータの周上には、外周の磁極がＮ極、Ｓ極、Ｎ極の順、またはＳ極、Ｎ極、Ｓ極の順になるように３個の磁石（１２）が設けられており、当該３個の磁石による外周の角度は３６０度未満である。 - 特許庁

The data generation part 33 generates N pieces of outputted image data consisting of two or more kinds of data so that the gradation corresponding to the outputted image data of one dot may be reproduced on the photographic paper by entire N dots formed corresponding to N pieces of outputted image data.例文帳に追加

データ生成部３３は、１ドットの出力画像データに対応する階調が、Ｎ個の出力画像データに対応して形成されるＮ個のドット全体によって印画紙上で再現されるように、２種以上からなるＮ個の出力画像データを生成する。 - 特許庁

The contact region R_D has a plurality of subregions R1 and R2 formed so that the N (N is an integer number greater than or equal to 2) contact plugs CW are arranged on straight lines not parallel to the first and second directions on the successive N element regions 111.例文帳に追加

前記コンタクト領域Ｒ_Ｄは、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の前記コンタクトプラグＣＷが、連続するＮ本の前記素子領域１１１上に、前記第１及び第２方向に非平行な直線上に並ぶように形成された部分領域Ｒ１、Ｒ２を複数有する。 - 特許庁

When measurement on the probe #n is finished, similarly relative to another probe #n', the polarization adjustment part 303 reads out the control information of the probe #n' which is read out automatically from the storage part and performs adjustment so that a light having the polarization state that is optimum for measurement is made incident.例文帳に追加

そのプローブ♯ｎについての測定が終わったら、他のプローブ♯ｎ’についても同様に、偏光調整部３０３が自動的に記憶部から読み出したプローブ♯ｎ’の制御情報を読み出して、測定に最適な偏光状態の光が入射されるように調整を行う。 - 特許庁

An N+ diffused layer 15, an N well 14, and a deep N-well 15 are formed in a position deeper than a shallow trench isolation region as an emitter diffused layer so that the discharge current of a bipolar transistor of a static protective element flows mainly vertically to the substrate surface.例文帳に追加

静電保護素子のバイポーラトランジスタの放電電流が主に基板表面に対して縦方向となるように、シャロートレンチ分離体１６よりも深い位置に、エミッタ拡散層として、Ｎ^+拡散層１５、Ｎウエル１４及び深いＮウエル１１を形成する。 - 特許庁

The antenna device is provided with N kinds (N is a positive integer) of compound units configured by compounding a plurality of kinds of units with different positions of antenna elements 10 with respect to transmitting and receiving modules 11, and the N kinds of compound units are arranged at random so as to form an antenna opening surface.例文帳に追加

送受信モジュール１１に対するアンテナ素子１０の位置が異なる複数種類のユニットが複合されて成る複合ユニットをＮ種類（Ｎは正の整数）備え、このＮ種類の複合ユニットがアンテナ開口面を形成するようにランダムに配列されている。 - 特許庁