「N so」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The lower n-type pillar layer 14 is connected to the upper n-type pillar layer 16, thus enabling the periods A, B to be selected so that a drift layer is formed continuously.例文帳に追加

下部ｎ型ピラー層１４は、上部ｎ型ピラー層１６と接続され、これによりドリフト層が連続的に形成されるよう、周期Ａ、Ｂが選択されている。 - 特許庁

Consequently, a resolution that is N times as high as that in a conventional apparatus can be achieved so that a high performance apparatus having N times as a high resolution as the conventional one even if a clock of the same frequency as the conventional one is used.例文帳に追加

このため、従来の装置に比べてＮ倍の分解能を実現することができ、従来と同じ周波数のクロックを用いてもＮ倍高い分解能を有する高性能な装置を提供できる。 - 特許庁

Then, the state of the cylinder gas at the time of the temporary setting is defined so that the deviation of the quantity N of the temporary cylinder absolute pressure set values Pc (H) and the quantity N of the temporary cylinder absolute pressure calculated values Pcm (H) becomes minimum.例文帳に追加

そして、Ｎ個の仮の筒内絶対圧力設定値Ｐｃ（Ｈ）とＮ個の仮の筒内絶対圧力計算値Ｐｃｍ（Ｈ）の偏差が最小となるように仮設定した前記時点での筒内ガス状態を同定する。 - 特許庁

When yes, an imaging element and a DSP part are set in a consecutive photographing and multiplane addition mode (S130), and the number (n) of addition images and an exposure time (T/n) are reset so as to shorten an exposure time T (S131).例文帳に追加

ＹＥＳである場合には、撮像素子及びＤＳＰ部を連写撮影かつマルチプレーン加算モードに設定し（Ｓ１３０）、露出時間Ｔが短くなるように、加算画像数（ｎ）と露出時間（Ｔ／ｎ）を再設定する（Ｓ１３１）。 - 特許庁

A dispersion mask composed of SiNx film is formed on the n-type GaAs layer 5, and Zn is dispersed on the n-type GaAs layer 5 through the opening of the mask so as to form a p+-type gate region 6.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ層５にＳｉＮ_x 膜からなる拡散マスクを形成し、その開口部を通じてＺｎをｎ型ＧａＡｓ層５に拡散させてｐ^+ 型ゲート領域６を形成する。 - 特許庁

When a wavelength of n times λ is transmitted and received, L0 is divided by n and both ends of a base portion 103 is folded so that the length of L0/n of the center of the base portion 103 may not overlap on a folded portion 102.例文帳に追加

λのｎ倍の波長を送受信する場合、Ｌ０をｎ等分し、ベース部分１０３の中心のＬ０／ｎの長さ分だけ折り返し部分１０２と重ならないようにベース部分１０３の両端を折り返す。 - 特許庁

The source signal line groups are divided into the first to the n-th groups so as to be charged or discharged according to the first to the n-th latch pulses which are inputted at different timing.例文帳に追加

ソース信号線群は第１〜第ｎの群に分割され、それぞれの群は、異なるタイミングで入力される第１〜第ｎのラッチパルスに従って充放電が行われる。 - 特許庁

When a first plus switch +SW1 or a second plus switch +SW2 are operated as in rows (4) and (5), R→P and N→R range changeovers requiring carefulness are performed if the present range is in a R, N range, so that the present range is kept.例文帳に追加

(4)，(5)のように、第１プラススイッチ＋ＳＷ１または第２プラススイッチ＋ＳＷ２を操作した場合、現在Ｒ，Ｎレンジであれば慎重を要するＲ→Ｐ、Ｎ→Ｒレンジ切り換えであるから、現在のレンジを保持する。 - 特許庁

After a gate groove 20 is formed on the n+diffusion layer 5 so that the n+diffusion layer 5 on the spot which will be a gate in elements region between the element isolation layers 2 may be separated, a gate insulation film 8 is formed.例文帳に追加

次に、素子分離層２に挟まれた素子領域のゲートとなる位置のｎ^+拡散層５を分断するようにｎ^+拡散層５にゲート溝２０を形成した後、ゲート絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

After the active layer is etched for forming a ribbon, the ribbon is embedded in the layer in which the N-type impurities were doped so that all four sideward faces of the ribbon come into contact with the layer in which the N-type impurities were doped.例文帳に追加

リボンを形成するために活性層をエッチングした後、リボンの４つの側方面が全てｎ型不純物がドープされた層と接触するように、リボンは、ｎ型不純物がドープされた層に埋め込まれる。 - 特許庁

The carrier roller 10A is constituted by forming a large number of fine projections N and N formed on a surface contacting with the work so that a radius of curvature of a tip is set to 100 nm or less.例文帳に追加

そして、前記搬送ローラ１０Ａには、ワークと接触する面に先端部の曲率半径が１００ｎｍ以下に形成された微細な突起物Ｎ，Ｎ…が多数形成された構成とした。 - 特許庁

A memory cell array 1 connected to a word line and a bit line is constituted so that a plurality of memory cells for storing one value among n values (n is natural number of ≥2) are arranged in a matrix state.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、ワード線、及びビット線に接続され、ｎ値（ｎは２以上の自然数）のうちの１値を記憶する複数のメモリセルがマトリックス状に配置されて構成されている。 - 特許庁

A constant current is made to flow from a constant current source 12 to an (N+M)-diode series-connection circuit and then a constant current is made to flow to an N-diode series-connection circuit, so that voltages VT1 and VT2 are developed at respective terminals.例文帳に追加

Ｎ＋Ｍ個のダイオード直列接続回路に定電流源よりＩ１の一定電流を流し、Ｎ個のダイオード直列接続回路にＩ２の一定電流を流すと、各端子に電圧ＶＴ１と電圧ＶＴ２が現れる。 - 特許庁

Further, the gear pump 42 is adjusted so as to satisfy the following relation; V/N≤0.07 cc, wherein V is volume of liquid supply of the coating liquid per one rotation of the gear and N is the number of teeth of the gear.例文帳に追加

またギアポンプ４２は、Ｖ ／ Ｎ ≦ ０．０７ｃｃ、（Ｖ：前記ギアの一回転当たりの前記塗布液の送液容積、Ｎ：前記ギアが有する歯数）を満たすように調整されている。 - 特許庁

In this photodiode, plural barrier layers 3 accompanied by a P-N junction are formed, and carriers generated in the barrier layers are quickly transmitted to an N-type region, so that responsiveness is improved, and an operation becomes high speed.例文帳に追加

このフォトダイオードでは、ＰＮ接合に伴う空乏層３が多く形成されるとともに空乏層３に発生するキャリアが早くＮ型領域へ到達するので、応答性がよくなり、動作が高速となる。 - 特許庁

Then when the number of pixels is (n) in a row direction and (m) in a column direction, the number of data lines 4 is (n) and the number of scanning lines 3 is 3m, so that the number of data lines 4 can be decreased.例文帳に追加

そして、画素数が行方向にｎ個、列方向にｍ個である場合には、データライン４の数がｎ本、走査ライン３の数が３ｍ本となり、データライン４の数を少なくすることができる。 - 特許庁

A CBR assignment section 32 uses a computational expression in accordance with a picture type to calculate a CBR target code amount BIT_CBR(n) so that the generated code amount takes a prescribed fixed value in the unit of GOP.例文帳に追加

CBR割り当て部３２は、発生符号量がGOP単位で所定の固定値となるように、ピクチャタイプに応じた計算式を用いてCBR目標符号量BIT_CBR(n)を算出する。 - 特許庁

n pieces of exposing light sources (n is an integer of 2 or more) which comprise a plurality of light emitting pixels emitting light and aligned in at least a row, are disposed so as to make the light emitting pixels be opposite to the object to be exposed held on the stage.例文帳に追加

光を放射する複数の発光画素が少なくとも１列に並んだ露光光源が、ステージに保持された露光対象物に発光画素が対向するように、ｎ個（ｎは２以上の整数）配置されている。 - 特許庁

Arithmetic parts, 2L pieces, are provided in parallel with inputs and value of the counter is shifted (n) by (n) in each arithmetic part, so that pixel data in the pixels of the reduced image data are calculated in order by each arithmetic part.例文帳に追加

２Ｌ個の演算部を入力に対して並列に備え、カウンタの値を各演算部でｎずつずらすことにより、各演算部で、縮小後の画像データの各画素での画素データが順に計算される。 - 特許庁

An N-type first semiconductor layer 12 is formed on an inner surface of a first recess part 11c of an N-type semiconductor substrate 11 so as to generate a second recess part 51a being smaller than the first recess part; and has a lower first impurity concentration than that of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

Ｎ型第１半導体層１２はＮ型半導体基板１１の第１凹部１１ｃの内面にそれより小さい第２凹部５１ａを生じるように形成され、半導体基板１１より低い第１不純物濃度を有する。 - 特許庁

The base member 54A is arranged on the dielectric block 52 so that the center line along the longitudinal direction N of the base member 54A coincides with the center line M along the longitudinal direction N of the dielectric block 52.例文帳に追加

ベース部材５４Ａは、ベース部材５４Ａの長尺方向Ｎに沿った中心線と、誘電体ブロック５２の長尺方向Ｎに沿った中心線Ｍとが一致するように誘電体ブロック５２上に配置される。 - 特許庁

The optical path splitting member 200 is provided with N pieces of prism parts, with their configuration set so that the array of the N pieces of fusion optical spots to be formed on the optical fusing face becomes a desired array pattern.例文帳に追加

光路分割部材２００はＮ個のプリズム部分を有し、光溶着面に形成されるＮ個の溶着用光スポットの配列が所望の配列パターンとなるように、Ｎ個のプリズム部分の形態を設定されている。 - 特許庁

The resistance value R (Ω/m) per unit length of at least one bus wire 8, the pitch L (m) of a drive circuit unit 7, and the number N of drive circuit units 7 are determined so as to satisfy formula R×N^2×L≤4×10^3.例文帳に追加

少なくとも１本のバス配線８の単位長さ当たりの抵抗値Ｒ（Ω／ｍ）と、駆動回路ユニット７のピッチＬ（ｍ）と、駆動回路ユニット７の数Ｎとを、Ｒ×Ｎ^２×Ｌ≦４×１０^３なる関係を満たすように定める。 - 特許庁

Logarithms Nidt1 and Nidt2 of an interdigital electrode constituting a first and a second IDTS 3 and 4 and a logarithm Nr of a reflector electrode constituting each of reflectors 5 and 6 are selected so that the total logarithm N for them may be set to 0.11≤Nr/N≤0.20.例文帳に追加

第１及び第２ＩＤＴ３，４を構成する交差指電極の対数Ｎidt1，Ｎidt2及び各反射器５，６を構成する反射器電極の対数Ｎr は、それらの総対数Ｎに対して０．１１≦Ｎr ／Ｎ≦０．２０となるように選択する。 - 特許庁

In this game machine, N pieces of lighting circuits LAij having a pair of LED lamps DAij, DBij therein are provided, and the 2×N pieces of LED lamps are constituted to be independently driven, so as to present a game control operation.例文帳に追加

内部に一対のＬＥＤランプＤＡij、ＤＢijを有するＮ個の点灯回路ＬＡijを備え、２×Ｎ個のＬＥＤランプを独立的に駆動可能に構成して遊技制御動作を演出する遊技機である。 - 特許庁

Then, a symbol at a prescribed position (q) in each of the Y pieces of symbol strings is specified, and when N>M, the specific symbol is deleted, and when N<M, the processing is repeatedly executed so that the output symbols can be generated.例文帳に追加

続いて、Ｙ個のシンボル列の各々における所定位置（ｑ）のシンボルを特定して、その特定シンボルに対して、Ｎ＞Ｍであれば削除、Ｎ＜Ｍであれば繰り返し処理を実行することで、出力シンボル列を生成する。 - 特許庁

An operation part 44 clips analyzed frames comprising a constant number of signal samples from the time to the past time every constant interval frame time from the received signal time-series r(n) and transmission signal time-series s(n) supplied to the operation part 44, so that linear prediction analysis and LSP (Line Spectrum Pair) conversion are conducted to each analyzed frame for obtaining an LSP coefficient.例文帳に追加

演算部44は、演算部44に供給される受話信号時系列r(n)と送話信号時系列s(n)とから、一定間隔のフレーム時刻毎に、その時刻から過去の一定数の信号サンプルから成る分析フレームを切り出し、各分析フレームに線形予測分析とLSP（Line Spectrum Pair）変換とを行ない、LSP係数を求める。 - 特許庁

An optimal phase generating means 50 initiates phase generation using, as an initial phase value, one of phases φ_1 to φ_n corresponding to the amplitudes A_1 to A_n, and optimizes n phases to be set in n variable phase shifters so that a ratio of a desired signal to interference noise power of radio waves received from an arrival direction of desired radio waves is equal to or greater than a reference value.例文帳に追加

最適位相生成手段５０は、振幅Ａ_１〜Ａ_ｎに対応する位相φ_１〜φ_ｎを初期位相値として開始し、所望波の到来方向から受信した受信電波の希望信号対干渉雑音電力比が基準値以上になるようにｎ個の可変移相器に設定するｎ個の位相を最適化する。 - 特許庁

The A/D converter 7 sets the sampling frequency to fs and digitally converts the output signals of the band-pass filter 6 so as to include the frequency component between n×fs-fs/2 and n×fs+fs/2 and the high band components of n×fs-fs/2 and n×fs+fs/2 are folded back from -fs/2 to +fs/2 by aliasing.例文帳に追加

Ａ／Ｄ変換器７はそのサンプリング周波数をｆs に設定し、帯域通過フィルタ６の出力信号をその周波数成分がｎ×ｆs −ｆs ／２とｎ×ｆs ＋ｆs ／２の間に包含するようにデジタル変換し、エイリアシングによりｎ×ｆs −ｆs ／２とｎ×ｆs ＋ｆs ／２の高域成分が−ｆs ／２から＋ｆs ／２に折り返される。 - 特許庁

The invention is directed to methods for optimizing glycan processing of a cell or a living tissue, in particular a plant, containing glycoproteins with N-glycans, so that a glycoprotein, having a complex type double-stranded N-glycan containing a galactose residue on at least one arm and being devoid of (or reduced in) xylose and fucose residues, can be obtained.例文帳に追加

本発明は、N-グリカンをもつ糖タンパク質を含む細胞または生体組織特に植物のグリカンプロセシングを最適化し、もって複合型の2本鎖N-グリカンをもち、また少なくとも1本のアーム上にガラクトース残基を含み、かつキシロースおよびフコース残基を欠く(または少なくした)糖タンパク質が得られるようにする方法に関する。 - 特許庁

Trench N-regions 28 as N-type semiconductor regions which are formed so as to come into contact with trench gates 26 via gate insulating films 27 such as silicon oxide films or the like and whose impurity concentration is high are connected in a ladder shape in emitter N-regions 30 as N-type semiconductor regions which are shallower than the trench regions 28 and whose impurity concentration is high.例文帳に追加

シリコン酸化膜等のゲート絶縁膜２７を介してトレンチゲート２６に接するように形成された不純物濃度の高いＮ型半導体領域であるトレンチＮ領域２８を、このトレンチＮ領域２８より浅い不純物濃度の高いＮ型半導体領域であるエミッタＮ領域３０で梯子状に接続する。 - 特許庁

The planting part 3 is formed to nip a bulb N with the nipping pieces 2 at the upper position P1 so as to downwardly protrude at least a part of the lower part of the bulb N, sticks the lower part of the bulb N into the field by falling to the lower position P2, and plants the bulb N in the field by opening the nipping pieces 2 and rising.例文帳に追加

植付部３は、上昇位置Ｐ１において球根Ｎの下部の少なくとも一部を下方に突出させた状態で摘み片２により摘み、下降位置Ｐ２に下降することにより球根Ｎの下部を圃場Ｈに突き刺し、摘み片２を開いて上昇することにより、球根Ｎを圃場Ｈに植え付けるように構成されている。 - 特許庁

On the surface of the low-concentration n-type semiconductor layer 202, an insulating layer 205 is formed so that a portion of the surface of the n-type semiconductor region 204 is exposed, and a first electrode 206 covering the exposed portion of the n-type semiconductor region 204 and a second electrode 207 covering the back surface of the n-type semiconductor substrate 201 are provided.例文帳に追加

また、低濃度Ｎ型半導体層２０２の表面には、Ｎ型半導体領域２０４の表面の一部が露出するように絶縁膜２０５が形成され、Ｎ型半導体領域２０４の露出部分を覆う第１電極２０６と、Ｎ型半導体基板２０１の裏面を覆う第２電極２０７とが形成されている。 - 特許庁

The number of coded data and the code length per decoding process can substantially be equalized by N pieces of accumulation units (N=plural number) in which N pieces of consecutive variable length coded data respectively are accumulated and a distribution unit which distributes the coded data so as to reduce a difference in their cumulative code lengths in the N pieces of accumulation units.例文帳に追加

連続するＮ個（Ｎは複数）の可変長符号化された符号化データをそれぞれ累積するＮ個の累積部と、前記符号化データを前記Ｎ個の累積部のいずれかに、当該Ｎ個の累積部における前記符号化データの累積符号長の差が小さくなるように振り分ける振分部とにより復号処理ごとの符号化データ数および符号長を略均等化できる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, metal silicide films 64 are so formed by a silicide process on a gate electrode 30 and an n^+-type source region 53 of an LDMOSFET as to form no metal silicide film on an n^--type offset drain region 33, an n-type offset drain region 51, and n^+-type drain region 52.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳＦＥＴのゲート電極３０およびｎ^+型ソース領域５３上にサリサイド工程により金属シリサイド膜６４を形成し、ｎ^-型オフセットドレイン領域３３、ｎ型オフセットドレイン領域５１およびｎ^+型ドレイン領域５２上にはこの金属シリサイド膜を形成しない。 - 特許庁

The variable resistance circuits of the N printing material cartridges are connected in parallel between a power source for installation detection and an installation current value detection unit, and are constituted so that a detecting current has a current value capable of uniquely discriminating 2^N types of installation states on the printing material cartridges when all the N printing material cartridges are installed.例文帳に追加

Ｎ個の印刷材カートリッジの可変抵抗回路は、装着検出用電源と装着電流値検出部の間に互いに並列に接続され、Ｎ個の印刷材カートリッジがすべて装着されたときに、検出電流が印刷材カートリッジに関する２^N種類の装着状態を一意に識別可能な電流値を取るように構成されている。 - 特許庁

The integrated circuit comprises an n well internally provided with a first p channel transistor and forming the body of the first p channel transistor, and a switch for connecting the n well with a power supply upon closing and disconnecting the n well from the power supply upon opening so that the n well can float.例文帳に追加

本発明の集積回路は、ｎウエルと、前記ｎウエル内に第１のｐチャネルトランジスタを備え、前記ｎウエルは、該第１のｐチャネルトランジスタのボディを形成し、閉じるときに前記ｎウエルを電源に接続し、開くときに前記ｎウエルを前記電源から切り離して、前記ｎウエルが浮動できるようにするスイッチと、を含む。 - 特許庁

To an azimuth unit 10 comprising N pieces of ports to each of which another azimuth unit 10 is freely removably connected, N or less pieces of azimuth units 10 selected from among N+1 or more pieces of azimuth units 10 are connected, so that an optical hub node device includes N+1 or more pieces of azimuth units 10.例文帳に追加

他の方路ユニット１０が着脱自在に接続されるポートをＮ個備えた方路ユニット１０に対し、Ｎ＋１個以上の方路ユニット１０の中から選択されるＮ個以下の方路ユニット１０を接続することにより、光ハブノード装置を、Ｎ＋１個以上の方路ユニット１０を備えたものとすることができる。 - 特許庁

A lamination structure from the n-type AlGaN drain layer 3 to the n-type GaN source layer 6 is etched from the n-type GaN source layer 6 to a depth where the n-type AlGaN drain layer 3 is exposed so that the section becomes nearly rectangular, the drain and source electrodes 8, 7 are manufactured, and electrode annealing treatment is performed.例文帳に追加

ｎ型ＡｌＧａＮドレイン層３〜ｎ型ＧａＮソース層６に至る積層構造を、断面がほぼ矩形となるようにｎ型ＧａＮ層ソース層６からｎ型ＡｌＧａＮドレイン層３が露出する深さまでエッチングして、ドレイン電極８とソース電極７とを作製し、電極アニール処理を行う。 - 特許庁

After p-type impurities have diffused from one main surface of a pair of main surfaces of an n-type substrate 1 and a p-n junction is formed, mesa-type grooves 5 are formed in the n-type substrate 1 so as to expose the p-n junction in prescribed regions, and glass films 7 are applied to the mesa-type groove 5.例文帳に追加

一対の主表面を有するｎ型基板１の一方の主表面からｐ型の不純物を拡散してｐｎ接合を形成した後に、一方の主表面から所定の領域にｐｎ接合が露出するようにｎ型基板１にメサ型の溝５を設け、このメサ型の溝５にガラス被膜７を形成する。 - 特許庁

This method is constituted so that a power value of a noise level N in a TC channel used at present is continuously measured and/or estimated, and the degree of the reduction of the noise level N to be begun at present is adjusted automatically and continuously according to a function f(N) specified according to the existing noise level N.例文帳に追加

この方法は、現在使用中のＴＣチャネルにおける雑音レベルＮの電力値が連続的に測定されかつ／または推定され、現在着手すべき雑音レベルＮの低減の程度が、現行雑音レベルＮに応じて指定された関数ｆ（Ｎ）に従って自動的に連続的に調節されることを特徴とする。 - 特許庁

This shock buffering device has N pieces (N is an integer of 2 or more) of magnets arranged in the direction for repelling mutual same poles, and a magnet holding part for holding the N pieces of magnets in a state can vary a distance between the mutual magnets, and is constituted so as to buffer the shock applied to the two magnets existing on both ends of the N pieces of magnets.例文帳に追加

衝撃緩和装置は、同極同士が反発する向きに配置されたＮ個（Ｎは２以上の整数）の磁石と、磁石相互間の距離を可変な状態で、Ｎ個の磁石を保持する磁石保持部とを備え、Ｎ個の磁石の両端にある２つの磁石に加えられる衝撃を緩和するように構成されている。 - 特許庁

The amplifier for the photoelectric conversion element is provided with a current-to-voltage conversion circuit which takes out n pieces of signal voltages from a signal current obtained from the photoelectric conversion element through n pieces (where n≥2) of current-to-voltage conversion resistor connected in series via respective transistors and an adder amplifier circuit which adds the n pieces of signal voltages so as to be amplified.例文帳に追加

光電変換素子から得られる信号電流をトランジスタを介して直列接続されたｎ（ｎ≧２）個の電流−電圧変換抵抗からｎ個の信号電圧を取り出す電流−電圧変換回路と、前記ｎ個の信号電圧を加算・増幅する加算増幅回路とを備えた光電変換素子用アンプ。 - 特許庁

This record gives us Beethoven's Pastoral Symphony with so much presence that we have the illusion that we are listening to a performance of the NHK Symphony Orchestra in the concert hall.例文帳に追加

このレコードは実際にコンサート・ホールで「田園」を N 響の演奏で聴いているような臨場感がある. - 研究社 新和英中辞典

Also many mimetic words are used like 'gunnari' (literally, 'limb'), 'chinmari' (literally, 'very small') and so on, which have 'n' at the second syllable and 'ri' at the fourth syllable as in the word 'hannari.' 例文帳に追加

また、「はんなり」のような2音節目に「ん」、4音節目に「り」を持つ擬態語（「ぐんなり」、「ちんまり」など）が多く存在する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス