「N so」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the Cdk5 specific inhibitory peptide is preferably constituted so that a transcellular peptide comprising 5 to 15 arginines is coupled with an N-terminal of the above peptide.例文帳に追加

または、該ペプチドのN末端に、５〜１５個のアルギニンから成る細胞透過性ペプチドを連結したサイクリン依存性キナーゼ５特異的阻害ペプチド。 - 特許庁

A wavelength setter 260 subsequently sends a wavelength setting signal to a drive part 212 and a BPF 240 so that wavelengths λ_0 to λ_N are set, and sweeps all the wavelengths the wavelengths λ_0 to λ_N in the BPF 240.例文帳に追加

波長設定器２６０は、駆動部２１２、およびＢＰＦ２４０に対してλ_０〜λ_Ｎの波長を設定するように波長設定信号を順次送出し、ＢＰＦ２４０において波長λ_１〜λ_Ｎまでのすべての波長を掃引する。 - 特許庁

In the tracking antenna apparatus, n directional sub antenna elements are fixed around a directional main antenna element so as to constitute n-divided globe detection system and a tracking drive apparatus integrally changes directions of all the antenna elements.例文帳に追加

指向性主アンテナ要素の周囲にｎ分儀検知系を構成するようにｎ個の指向性副アンテナ要素を固定し、全てのアンテナ要素の向きを追尾駆動装置で一体的に変えるようにした追尾アンテナ装置。 - 特許庁

The width of the n^++ diffusion region 3 is made wider than a blade width of a dicer so that the n^++ diffusion region 3 may be left over on the peripheral edge of each chip divided by dicing.例文帳に追加

その際、ダイシングにより分割された各チップの外周縁にｎ^＋＋拡散領域３が残るように、ｎ^＋＋拡散領域３の幅をダイサーの刃幅よりも広くする。 - 特許庁

An open drain selection circuit B selectively applies open drain to a P channel or an N channel so as to attain the selection of the P or N channel after the circuit design.例文帳に追加

オープンドレイン選択回路Ｂにより、Ｐチャネル及びＮチャネルの何れか一方を選択的にオープンドレインとするようにし、回路設計後のＰチャネル又はＮチャネルのオープンドレインの選択を可能とする。 - 特許庁

Then, the differences Δx and Δy are added to the previous calculated output coordinates x_n-1 and y_n-1 so that output coordinates x_n and y_n can be calculated (S12).例文帳に追加

そして差分Δｘ，Δｙを前回算出した出力座標ｘ_ｎ−１，ｙ_ｎ−１に加算して出力座標ｘ_ｎ，ｙ_ｎを算出する（Ｓ１２）。 - 特許庁

Thereby, as the barrier layer exists and the surfaces of the microcapsules are hardly dissolved in the N,N-dimethylformamide so high foaming is realized and the moisture permeating, water resisting and highly foamed fabric can be obtained.例文帳に追加

バリヤー層の存在で、マイクロカプセルの外殻がＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドによって溶解されにくいので、高発泡を実現でき、透湿防水性の高発泡布帛を得ることができる。 - 特許庁

An audio IC 100 performs predetermined signal processing on m (m=3) input audio digital signals S1-S3, so as to output them to n (n=3) electro-acoustic conversion elements.例文帳に追加

オーディオＩＣ１００は、入力されたｍ個（ｍ＝３）のオーディオデジタル信号Ｓ１〜Ｓ３に所定の信号処理を施し、ｎ個（ｎ＝３）の電気音響変換素子に出力する。 - 特許庁

On an n-type epitaxial film 2 formed on an n^+ silicon substrate 1, a plurality of trenches 4 are formed so that the interval Lt between adjoining trenches 4 is larger than the trench width Wt.例文帳に追加

ｎ^＋シリコン基板１の上に形成したｎ型エピタキシャル膜２に、複数のトレンチ４を、トレンチ幅Ｗｔよりも、隣接するトレンチ４間の間隔Ｌｔを大きく形成する。 - 特許庁

A stress distortion generating film 27 is formed on the n-type transistor region A of a semiconductor substrate 11 so as to cover a side wall 24a and an n-type gate electrode 16.例文帳に追加

半導体基板１１のｎ型トランジスタ領域Ａの上に、サイドウォール２４ａ及びｎ型ゲート電極１６を覆うように応力歪み生成膜２７を形成する。 - 特許庁

Two trenches 24 are formed so as to pierce a p-type silicon layer 18 and an n-type silicon layer 16, and reach the n-type silicon carbide layer 14.例文帳に追加

二本のトレンチ２４がｐ型シリコン層１８、ｎ型シリコン層１６を突き抜け、ｎ型シリコンカーバイド層１４に到達するように形成されている。 - 特許庁

A metal cathode electrode 5k is formed so as to be brought into contact with the surfaces of the n-type buffer 3, the n-type cathode area 6, and the silicon substrate, respectively.例文帳に追加

そして、ｎ型バッファ層３、ｎ型カソード領域６、シリコン基板１の表面に接触するように金属のカソード電極５ｋが形成されている。 - 特許庁

In a retrieval source node N, a retrieval request part 101 generates a retrieval request in which context retrieval conditions are described, and transmits the retrieval request to corresponding retrieval destination nodes A0, A1, B0 and so on.例文帳に追加

検索元ノードNにおいて、検索要求部１０１は、コンテキスト検索条件の記述された検索要求を生成し、これを対応する検索先ノードA0，A1，B0…へ送信する。 - 特許庁

Furthermore, the gate electrodes of the P-channel or N-channel transistors are so arranged as to connect to adjacent gate electrodes of the complementary N-channel or P-channel transistors, when inverted.例文帳に追加

また、ＰチャネルまたはＮチャネルのトランジスタのゲート電極を、反転させた時に、相補していたＮチャネルまたはＰチャネルのトランジスタのゲート電極の隣のゲート電極に接続するように配置させる。 - 特許庁

In order to make the plasma electron density N_e around the end of the beam 26 not less than the cutoff plasma electron density N_c, the beam 26 for supporting the dielectric parts 31 is so installed as to project to the substrate side.例文帳に追加

誘電体パーツ３１を支持する梁２６は，その端部周辺でのプラズマ電子密度Ｎ_ｅがカットオフのプラズマ電子密度Ｎ_ｃ以上になるように基板側に突出して設けられる。 - 特許庁

In the electric double layer capacitor 2, the number N of constituent cells is determined so that the voltage in which the external impressing voltage is divided equally by the constituent cell number N may not exceed the decomposition voltage of water constituting the electrolytic liquid.例文帳に追加

電気二重層キャパシタ２では、外部印加電圧が構成セル数Ｎで均等に分割された電圧が、電解液を構成する水の分解電圧を越えないように構成セル数Ｎが決定されている。 - 特許庁

A step of a surface of the first n-type semiconductor spacer layer 23 results from the heavily doped p-type semiconductor mesa 19, so a curvature of an interface between the second DBR 25 and the first n-type semiconductor spacer layer 23 is small.例文帳に追加

第１のｎ型半導体スペーサ層２３の表面の段差は、高濃度ｐ型半導体メサ１９に起因するので、第２のＤＢＲ２５と第１のｎ型半導体スペーサ層２３との界面の曲がりは小さい。 - 特許庁

The heating temperature of a mother sheet 4M is adjusted so that each region R in the lateral direction of the mother sheet 4M that is in the arrangement direction of nozzles N faces the respective nozzles N squarely.例文帳に追加

マザーシート４Ｍの加熱温度を、ノズルＮの配列方向であるマザーシート４Ｍの横方向の各領域Ｒが各ノズルＮと正対するように調整した。 - 特許庁

A mantissa matrix element Bm is represented using 6×3 matrix elements S, so that the transform coefficient subjected to the inverse integer transform is normalized by shift arithmetic operation using 2^N (N is a natural number).例文帳に追加

仮数部行列要素Ｂｍを、６×３の行列要素Ｓを用いて表すことで、逆整数変換された変換係数を２のＮ乗（Ｎは自然数）を用いてシフト演算により正規化する。 - 特許庁

An N^- diffusion region is arranged along walls of trenches 20 to 23 so that the concentration and thickness of the N^- diffusion region and a P^- mesa are depleted fully during reverse blocking operation.例文帳に追加

Ｎ^−拡散領域が、トレンチ２０〜２３の壁面に沿って並び、Ｎ^−拡散領域およびＰ^−メサの濃度および厚みが、逆ブロッキング動作中に完全に空乏化するように構成されている。 - 特許庁

A reagent system is used for the so-called "intrinsic control of an analytical element", specially a test strip, containing organic N-oxide or a nitroso compound, the analytical element includes both a reagent system for detection reaction and a reagent system for inherent control.例文帳に追加

有機N-オキシドまたはニトロソ化合物を含有する分析素子、特に試験ストリップのいわゆる内在コントロール用試薬系であり、検出反応用試薬系と、内在コントロール用試薬系とを含む分析素子である。 - 特許庁

The number of the uplink channels N changes responding to change of the convolutional code rd added to the downlink channel Cd, so, the N is an integer multiple of the variable convolutional code rd.例文帳に追加

アップリンクチャネルＮの数は、ダウンリンクチャネルＣ_ｄに加えられる畳込み符号ｒｄの変化に応じて変化し、したがって、Ｎは、前記可変畳込み符号ｒｄの整数倍数である。 - 特許庁

Thereafter, an N-type impurity ion is implanted using the gate oxide film 3 and the gate electrode 4 as the mask, so that a plurality of N-type source-drain diffusion regions 6 are formed separately.例文帳に追加

その後、ゲート酸化膜３及びゲート電極４をマスクとしてＮ型の不純物イオンを注入することで、Ｎ型のソース・ドレイン拡散領域６を複数離間形成する。 - 特許庁

A nitrogen implantation region 13 is formed by additionally implanting nitrogen near an interface with a P type well layer 12 formed into the low-density N type epitaxial layer 11, so that the density distribution of an N type impurity is made uniform.例文帳に追加

低濃度Ｎ型エピ層１１内に形成されるＰ型ウエル層１２との界面近傍に窒素を追加で打ち込んで窒素注入領域１３を形成しているので、Ｎ型不純物の濃度分布が均一化される。 - 特許庁

Further, light emission luminance of the lighting device is controlled from data of P_n detected at the second stage so that the lighting device has luminance corresponding to P_n.例文帳に追加

また、第２の工程で検出したＰ_ｎのデータから、照明装置がＰ_ｎに対応した輝度となるように照明装置の発光輝度が制御される。 - 特許庁

An n region 7 and an n^+ region 8 constituting a cathode region of a protection diode 17 are formed on the bottom of a loop-like trench 19, so as to reduce dynamic resistance and enhance ESD resistance.例文帳に追加

保護ダイオード１７のカソード領域を構成するｎ領域７とｎ^+ 領域８をループ状のトレンチ１９の底部に形成することで、動作抵抗を低減できて、ＥＳＤ耐量を高くすることができる。 - 特許庁

A gate electrode G is provided in the p type base region 4 with a gate insulating film 7 interposed so as to form a channel between the n+type source region 5 and n-type epitaxial layer 2.例文帳に追加

ｎ＋型ソース領域５とｎ−型エピタキシャル層２との間にチャネルを形成するためｐ型ベース領域４にゲート絶縁膜７を介してゲート電極Ｇが設けられている。 - 特許庁

A selector 151 of a selector block 143 selects the input signal, interpolates it so that a signal of N bits corresponding to a latter stage summing average or a decimation coefficient is output for the input of L bits.例文帳に追加

セレクタブロック１４３のセレクタ１５１は、Lビットの入力に対して、後段の加算平均または間引きの係数に対応するNビットの信号が出力されるように、入力信号を選択、補間する。 - 特許庁

The sample L_n is decoded to calculate an error to the original waveform sample S_n, and the scale factor SF is successively changed to perform retrieval so that this error is within an allowable quantization error.例文帳に追加

このサンプルＬ_ｎを復号して元波形サンプルＳ_ｎとの誤差を算出し、この誤差が許容量子化誤差以内となるようスケールファクタＳＦを順次変更して探索する。 - 特許庁

In the effective region of pixels in the depth direction from the surface of an N type semiconductor substrate, modulation doping is executed so that the concentration of N type dopants becomes lower as getting deeper from the surface side of the semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板の表面からの深さ方向における画素の有効領域において、Ｎ型ドーパントの濃度が、半導体基板の表面側から深くなるほど低濃度となるように変調ドーピングを施す。 - 特許庁

The length L1 of a field oxide layer 18b is smaller than the length L2 of a field oxide layer 18c, so that an N-type region 14a is shorter than a N-type region 14b.例文帳に追加

フィールド酸化層１８ｂの長さＬ_1はフィールド酸化層１８ｃの長さＬ_2より小さいので、ｎ型領域１４ａの長さはｎ型領域１４ｂの長さより小さくなる。 - 特許庁

An N-type impurity is applied through ion implantation by using the gate electrode 602 as a mask, and the entire substrate is heated so as to form an N-type second impurity diffusion layer 608 in a shallower area than the first impurity diffusion layer 605.例文帳に追加

ゲート電極６０２をマスクとしてＮ型の不純物をイオン注入した後、熱処理を行なうことにより第１の不純物拡散層６０５よりも浅い領域にＮ型の第２の不純物拡散層６０８を形成する。 - 特許庁

A controller 11 generates the sound generation waveform W_N when the key is released by compressing or expanding the sound generation waveform W_P corresponding to the period of time T_A in a vertical axis direction or a horizontal axis direction, and so forth.例文帳に追加

コントローラ１１は、この期間Ｔ_Aに相当する発音波形Ｗ_Pを、縦軸方向又は横軸方向に圧縮したり引き延ばしたりして離鍵時の発音波形Ｗ_Nを生成する。 - 特許庁

An opening 7A comprises an n^--type silicon layer 8 and an n^+-type silicon layer 8a arranged so as to bulge out from an opening 6A until reaching the sidewall of a nitride film 7.例文帳に追加

開口部７Ａにおいて窒化膜７の側壁に達するまで開口部６Ａからせり出すように設けられるｎ^-型シリコン層８およびｎ^+型シリコン層８ａを有する。 - 特許庁

A control circuit 43 monitors the C/N ratio and the BER value on the basis of an output from a demodulation integrated circuit 42 so as to always monitor whether or not the C/N ratio and the BER value indicate any abnormity.例文帳に追加

制御回路４３は、復調用集積回路４２の出力に基づいて、Ｃ／Ｎ比やＢＥＲ値を監視して、Ｃ／Ｎ比やＢＥＲ値が異常を示しているか否かを常時監視する。 - 特許庁

The ECU 46 operates and controls the VGRS motor 21 so that the rotary angular speed dθ/dt may be smaller than the calculated operation speed β×N of the EPS motor 33.例文帳に追加

そして、ＥＣＵ４６は、ＶＧＲＳモータ２１を、その回転角速度dθ／dtが算出したＥＰＳモータ３３作動速度β×Nよりも小さくなるように、作動制御する。 - 特許庁

First logic circuits 130, 132, 134 and 148 are linked so as to receive the plural first tap signals, one of N pieces of predetermined signals and the complements of N pieces of predetermined signals, and they generate first output signals.例文帳に追加

第１論理回路（１３０，１３２，１３４，１４８）が、複数の第１タップ信号と、Ｎ個の予め定められた信号の１つおよびＮ個の予め定められた信号の補数を受信するようにつながれて、第１出力信号を発生する。 - 特許庁

Also, a withstand voltage holding region 12 configured of semiconductor materials whose breakdown voltage is higher than that of the N^- drift region 5 is formed so as to be put through an N^- drift region 5 in the terminal region 2.例文帳に追加

また，終端領域２内には，Ｎ^- ドリフト領域５を貫通し，Ｎ^- ドリフト領域５よりも絶縁破壊電圧が高い半導体材料からなる耐圧保持領域１２が形成されている。 - 特許庁

A restriction trench 22 is formed in such a way that it passes the p-type base layer 12 so as to reach the n-type base layer 11 between the pair of n-type emitter layers 15.例文帳に追加

一対のｎ型エミッタ層１５の間で、ｐ型ベース層１２を貫きｎ型ベース層１１に達するように、絞りトレンチ２２が形成される。 - 特許庁

Furthermore, the P-type nitride SEMICONDUCTOR layer 4, the active layer 3, and the N-type nitride semiconductor layer 2 are partially etched to make the N-type nitride semiconductor layer 2 exposed so as to form a strip resonator where light is emitted from the active layer 3.例文帳に追加

さらに、ｐ型窒化物半導体層４、活性層３、およびｎ型窒化物半導体層２の一部をエッチングしてｎ型窒化物半導体層２を露出させ、活性層３より発光する帯状のレーザ共振器を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film 70 is formed so as to cover the surface of a P-type region between the N^+-type SiC source region 30 and the N-type SiC drain region 40.例文帳に追加

Ｎ＋型ＳｉＣソース領域３０とＮ型ＳｉＣドレイン領域４０との間のＰ型領域の表面を覆うようにゲート絶縁膜７０が形成されている。 - 特許庁

A control section 14 scales each normalized transmission weighting vector so that transmission output power of any of N antennas reaches the maximum transmission power value P[mW].例文帳に追加

制御部１４は、正規化された各送信重みベクトルを、N本のアンテナのうち何れか１本のアンテナでの送信出力電力が最大送信電力値Ｐ［ｍＷ］と同一になるようにスケーリングを行う。 - 特許庁

The trench GRV is made, after p-n junction of the photodiodes PD1, PD2 is formed so as to traverse the p-n junction in the thickness direction.例文帳に追加

トレンチ溝ＧＲＶは、ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２におけるｐｎ接合の形成後に、このｐｎ接合を厚み方向に横断するように形成されている。 - 特許庁

This apparatus includes plural permanent magnets 1 for forming a ring 2 of the permanent magnets 1 by arranging the permanent magnets so that the N-pole and the S-pole of the permanent magnet 1 may be adjacent to the N-pole and the S-pole of the adjacent permanent magnet respectively.例文帳に追加

本発明は複数の永久磁石１を含み、永久磁石１のＮ極とＳ極は隣接する永久磁石１のＮ極とＳ極にそれぞれ隣接して並べて配置して、永久磁石１のリング２を形成する。 - 特許庁

An n-AlGaInP clad layer 204, an active layer 206, a p-AlGaInP clad layer 208 and a p-AlGaAs current diffusion layer 210 are sequentially laminated on an n-GaAs substrate 202 so as to have a current constriction mesa structure.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２０２上に、順次、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０４、活性層２０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０８、ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０が電流狭窄メサ構造に積層される。 - 特許庁