「N so」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The electrode interconnection part 17 is separated from the n-type contact layer 12 in a thickness direction Z of the light emitting element and is so formed as to overlap the n-type contact layer 12 in a planar view.例文帳に追加

電極配線部１７は、ｎ型コンタクト層１２から発光素子の厚み方向Ｚに離間し且つｎ型コンタクト層１２と平面的に重なる状態で形成されている。 - 特許庁

Then, a band which has not been compressed by the maximum bit number N is specified, and the applicable band (S100 to 130) is re-compressed so that the data may become one which is compressed by the maximum bit number N.例文帳に追加

それから、最大ビット数Ｎで圧縮されなかったバンドを特定し、当該バンドについて、データが最大ビット数Ｎで圧縮したものとなるように再圧縮する（Ｓ１００〜１３０）。 - 特許庁

The threshold value of the low precedence is variable, and the hysteresis time is computed so as to be substantially equal to a time required for that at least another device (n) is served from a DRAM 24.例文帳に追加

その低優先度閾値の値は可変で、そのヒステリシス時間が、少なくも1つの他の装置nが、DRAMからサービスを受けるのに要する時間と実質的に等しくなるように計算される。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 13 is formed by an epitaxial growing method so as to retain the recess of the trench 12 on the inner wall of the trench 12, and a p-type semiconductor layer 14 is similarly formed on the surface of the n-type semiconductor layer 13.例文帳に追加

トレンチ１２の内壁上にトレンチ１２の凹みを残すようにＮ型半導体層１３をエピタキシャル成長法により形成し、同様にＮ型半導体層１３の表面上にＰ型半導体層１４を形成する。 - 特許庁

The light absorption region is formed so as to be sandwiched between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor, and has a conductor for mutually connecting the p-type semiconductor and the n-type semiconductor.例文帳に追加

前記光吸収領域は、ｐ型半導体とｎ型半導体で挟まれてなり、前記ｐ型半導体と前記ｎ型半導体とを共通に接続する導体を有する構成とすることができる。 - 特許庁

The high-concentration n-type region 9 is formed by diffusing an n-type impurity from the front side of the substrate 5 so as to surround the p-type region 7 as seen from the front side.例文帳に追加

高濃度ｎ型領域９は、表面側から見てｐ型領域７を取り囲むように、基板５の表面側からｎ型不純物を拡散して形成されている。 - 特許庁

The sensor also includes a deep n region (15) beneath the p+ well (12) which establishes within the epi layer a depletion layer so that carriers generated in the epi layer are caused to drift to the n+ well (13) on application of a biasing voltage charge.例文帳に追加

センサはまた、バイアス電圧の印加によりエピ層内に発生する電荷担体がｎ＋ウェル（１３）にドリフトされるように、エピ層内に欠乏層を確立する深いｎ領域（１５）をｐ＋ウェル（１２）の下に含む。 - 特許庁

The synergistic microbicidal composition contains N-methyl-1,2-benzisothiazolin-3-one and octanoic acid, and is regulated so that the ratio of the octanoic acid to the N-methyl-1,2-benzisothiazolin-3-one may be from 1:0.0046 to 1:0.68.例文帳に追加

Ｎ−メチル−１，２−ベンズイソチアゾリン−３−オンとオクタン酸を含有し、オクタン酸のＮ−メチル−１，２−ベンズイソチアゾリン−３−オンに対する比が１：０．００４６〜１：０．６８である相乗的殺微生物組成物。 - 特許庁

The control part 9 sets a paper-to-paper set value Lg_n related to paper feeding conditions and controls the register roller 21 so that a space between the printing paper PA and the printing paper PA is the paper-to-paper set value Lg_n.例文帳に追加

制御部９は、給紙条件と関連付けられた紙間設定値Ｌｇ_ｎを設定して、印刷用紙ＰＡと印刷用紙ＰＡとの間隔が紙間設定値Ｌｇ_ｎとなるようにレジストローラ２１を制御する。 - 特許庁

The X-ray imaging apparatus positions the breast N while sequentially returning a photographing facing portion 52 wound into the shape of a roll RO so as to make it parallel with a reference flat surface M from ridges 53BP on the base side of the breast N.例文帳に追加

ロール状ＲＯに巻き上げられている状態の撮影対向部５２を、乳房Ｎの付根側の凸条５３ＢＰから順次基準平坦面Ｍと平行になるように戻しつつ、乳房Ｎのポジショニングを行う。 - 特許庁

The condition setting unit determines the size of an integer N and the number R (R is ≥2) of prime factors so that the computational complexity for factorizing the integer N into prime factors may be smaller in the number field sieve method than in the elliptic curve method.例文帳に追加

条件設定部は、整数Ｎを素因数分解するための計算量が、数体篩法の方が楕円曲線法よりも少なくなるように、整数Ｎのサイズと素因数の数Ｒ（ただし、Ｒは２以上）を決める。 - 特許庁

The control unit 120 determines the number of revolutions N so as to satisfy Δh=a×N^2+b (where, a and b denote parameters of real number) when the difference between the molten metal level H as the reference and the present molten metal level h is Δh.例文帳に追加

制御部１２０は、基準となる湯面高さＨと現在の湯面高さｈの差がΔｈであるとき、回転数Ｎを Δｈ＝ａ×Ｎ^２＋ｂ（ただしａ、ｂは実数のパラメータ） を満たすように決定する。 - 特許庁

When collision is inputted to the vehicle, the bag body 20 is inflated between an instrument panel 2 and the knee part N of the occupant P so as to cover the area where the knee part N of the occupant P is arranged.例文帳に追加

車両に衝突が入力された時、バッグ本体２０は、乗員Ｐの膝部Ｎが配設される領域を覆うようにインパネ２と乗員Ｐの膝部Ｎとの間で膨張する。 - 特許庁

Then the fiber 4 is divided into a plurality of measuring sections B, each having a prescribed length, so that a specific number of points of measurement (1, 2,..., N-1, N, and N+1) is provided at a prescribed measuring pitch in each measuring section.例文帳に追加

次いで、光ファイバ４を所定長さの測定区間Ｂに複数分割し、各測定区間に所定の測定ピッチとなるように特定の数の測定点（１、２〜Ｎ-1、Ｎ、Ｎ+1）を設ける。 - 特許庁

A phase difference adjustment part 22 transmits a control signal 102 for adjusting the photographing direction to a camera direction control part 13 of a camera 12 so that the estimated sampling phase difference θ satisfies θm={2π×(m-1)}/n, wherein m=2 to n.例文帳に追加

位相差調整部２２は、推定したサンプリング位相差θがθｍ＝（２π×（ｍ−１））／ｎ（ｍ＝２〜ｎ）となるように、カメラ１２のカメラ方向制御部１３に対して撮影方向を調整する制御信号１０２を送る。 - 特許庁

The data read control circuits 150 and 152 control data reading so that data for pixels corresponding to a plurality of signal lines are read out by N (N is an integer larger than 1) times reading in one horizontal scan period wherein the display panel is horizontally scanned and driven.例文帳に追加

データ読み出し制御回路１５０，１５２は、表示パネルを水平走査駆動する一水平走査期間１Ｈにおいて、複数の信号線に対応する画素のデータを、Ｎ（Ｎは２以上の整数）回に分けて読み出し制御する。 - 特許庁

The gripper 1 is so supported as to be capable of rockably shifting to a closing position for cramping the neck N and to an open position for separating from the neck N, and is forced in a closing direction under an energy-applying force of a spring 5 made of a twisted coil spring.例文帳に追加

グリッパー１は、首部Ｎを挟持する閉じ姿勢と、首部Ｎから分離する開放姿勢とに揺動変位できるよう支持し、ねじりコイルばねからなるばね５で閉じ勝手に付勢する。 - 特許庁

A driving part 5 time-dividedly lights and drives the light emitting devices 1-1 to n by a prescribed period so that light beam from two or more than light emitting devices may not simultaneously make incident on each of the light receiving devices 2-1 to n, under the control of a light emitting control part 6.例文帳に追加

駆動部５は、発光制御部６の制御下で、受光器２−１〜ｎの各々に同時に２つ以上の発光器からの光ビームが入射しないように、発光器１−１〜ｎを所定周期で時分割的に点灯駆動する。 - 特許庁

The number of taps N* of the digital filter 22 is set so as to satisfy the expression: N*=fS/f_r based on the relation between a sampling frequency fS and a resonance frequency f_r of the acceleration sensor 12.例文帳に追加

そして、ディジタルフィルタ２２のタップ数Ｎ_*をサンプリング周波数ｆ_Sと加速度センサ１２の共振周波数ｆ_rとの関係に基づいてＮ_*＝ｆ_S／ｆ_rが成立するように設定する。 - 特許庁

The polymer element is a sheet type and brought into contact with the coils at more than one point, so this temperature sensor is considered to be constituted by connecting (n) polymer elements 103'-1 to 103'-n in series.例文帳に追加

ポリマ素子はシート状になっており、複数のコイルと複数の接点において接しているので、この温度センサはｎ個のポリマ素子１０３’−１〜１０３’−ｎを直列に接続したものとみなすことができる。 - 特許庁

A display system is so configured that the n-fold rate increasing circuit is arranged in a signal generating device instead of the display device to realize a low-cost n-fold rate impulse-type drive.例文帳に追加

ｎ倍速インパルス型駆動を低コストで実現するために、ｎ倍速化回路を表示装置側ではなく、信号発生装置側で行う回路を設けるよう表示システムを構成した。 - 特許庁

The electric devices of the N printing material cartridges are configured so that a detection voltage becomes equal to or greater than a threshold voltage set in advance when the N printing material cartridges are all mounted in the holder.例文帳に追加

Ｎ個の印刷材カートリッジの電気デバイスは、ホルダー内にＮ個の印刷材カートリッジがすべて装着されたときに、検出電圧が予め設定されたしきい値電圧以上となるように構成されている。 - 特許庁

To provide a gallium arsenide-based battery having an n-type laminate arranged on a p-type laminate so that the n-type laminate faces the front or the sun side and the p-type laminate lies on the rear surface of the battery.例文帳に追加

ｎ型積層体が前面または太陽側を向いてｐ型積層体が電池の裏面にあるように、ｐ型積層体の上に配置されたｎ型積層体を有するヒ化ガリウムベースの電池を提供する。 - 特許庁

The number of processing stages for the weight calculation is automatically determined by a variable η_n expressing an error calculated in a weight drawing-out process, in the weight calculation circuit 271, so as to quicken a computation time.例文帳に追加

上記ウェイト算出回路２７１では、ウェイト算出の処理ステージ数を、ウェイト導出過程で算出された誤差を表す変数η_nにより自動的に決定し、演算時間の高速化を図る。 - 特許庁

The number of processing stages for the weight calculation is automatically determined by a variable ξ_n expressing an error calculated in a weight drawing-out process, in the weight calculation circuit 271, so as to quicken a computation time.例文帳に追加

上記ウェイト算出回路２７１では、ウェイト算出の処理ステージ数を、ウェイト導出過程で算出された誤差を表す変数ξ_nにより自動的に決定し、演算時間の高速化を図る。 - 特許庁

The vertical pitch S of the light-shielding bodies 1 is controlled so that the vertical pitch S and the pixel pitch Q of the image display element 1 satisfy the condition of Q/S=n+1/2 (wherein n is a positive integer).例文帳に追加

そして、各遮光体１の垂直ピッチＳと画像表示素子１の画素ピッチＱとの間に、Ｑ／Ｓ＝ｎ＋１／２（ｎは正整数）なる条件が成立する様に、垂直ピッチＳを設定する。 - 特許庁

One or a plurality of the EL elements selected among N pieces of the EL elements corresponding to among N rows of the EL element rows are constituted so that they can be exposed to the same unit drawing region on the photo-sensitive drum.例文帳に追加

Ｎ列のＥＬ素子列間において対応するＮ個のＥＬ素子のうちの選択された一又は複数のＥＬ素子が、感光体ドラム上の同一の単位描画領域に対して露光可能に構成されている。 - 特許庁

The image forming apparatus has an input section for inputting data of n-bit gradation, and a dot forming means for forming dots on a plurality of lines so as to correspond to n-bit gradation data inputted from the input section.例文帳に追加

ｎビットの階調データを入力する入力部と、該入力部において入力されたｎビットの階調データに対応させて複数のライン上にドットを形成するドット形成手段とを有する。 - 特許庁

In the shower plate 30, a plurality of gas introduction holes 31 are arranged so that they have n-times rotary symmetry (n is the natural number of two or above) with a prescribed symmetric axis As vertical to the substrate W as a center.例文帳に追加

シャワープレート３０には、複数個のガス導入孔３１が、基板Ｗに垂直な所定の対称軸Ａｓを中心としてｎ回回転対称性（ｎは２以上の自然数）を有するように配列されている。 - 特許庁

A phase-type watermark hologram W is formed at step difference so that a binary phase difference is 2π×n (n is a natural number not less than 1), and if the hologram is changed in phase difference by forgery, a watermark appears.例文帳に追加

位相型ウォーターマーク・ホログラムＷは２値の位相差が２π×ｎ（ｎは１以上の自然数）のブレーズで形成され、偽造により位相差が変化するとウォーターマークが現れる。 - 特許庁

When m pieces of pMOSFETs are arranged between an n-well mounted with a lot of pMOSFETs and grounding, a voltage drop is caused in the m pieces of pMOSFETs, so that electric potential of the n-well gets higher by the voltage drop than the grounding.例文帳に追加

多数のｐＭＯＳＦＥＴが形成されているｎウェルと接地の間にｍ個のｐＭＯＳＦＥＴを配置すると、ｍ個のｐＭＯＳＦＥＴに電圧降下が発生し、ｎウェルの電位が接地より該電圧降下の分だけ高くなる。 - 特許庁

Then, a noise signal is outputted, and then the potential held in the N-type floating diffusion region FD is transferred to an N-type floating diffusion region FD1 so that an image signal is outputted.例文帳に追加

そして、ノイズ信号を出力した後、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤに保持したポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤ１に転送し、画像信号を出力する。 - 特許庁

That is, if defined as such; distance between sensors=N, total length of A type seal=L, total length of B type seal=M, each sensor is arranged so as to satisfy the relationship of L<N<M.例文帳に追加

即ち、センサ間距離＝Ｎ、Ａタイプシールの全長＝Ｌ、Ｂタイプシールの全長＝Ｍとすると、Ｌ＜Ｎ＜Ｍの関係を満たすように各センサを配置する。 - 特許庁

A conductive layer 9 is formed so that it covers the end face of a semiconductor chip, namely, it is in contact with a back surface electrode 7, entirely covers the end face of an n^+-type substrate 1 and an n^--type drift layer 2, and reaches a passivation film 6.例文帳に追加

半導体チップの端面を覆うように、すなわち裏面電極７と接し、ｎ^+型基板１およびｎ^-型ドリフト層２の端面を全面覆い、かつ、パッシベーション膜６に至るように導体層９を形成する。 - 特許庁

Since Al and N are strongly joined with each other after annealing, electric conductivity is lowered, and a band gap is increased because of the crystal mixing effect of guide layers 3 and 5 and the quantum well layer 4 so as to form a current block layer.例文帳に追加

アニール後にAlとNが強く結合するために電気伝導率が低下し、さらにガイド層3,5と量子井戸層4との混晶効果によりバンドギャップが増大し、電流ブロック層となる。 - 特許庁

As the rotating method, in the case of using n times/min for the number of rotation and r mm for distance from the center of the rotation to fatigue crack generated portion, it is desirable to rotate the metal so that (n×r) becomes 2,000 to 30,000.例文帳に追加

回転のさせ方としては、回転数をｎ回／分、回転中心から疲労き裂発生部位までの距離をｒｍｍとするとき、ｎ×ｒが２０００以上３００００以下となるように金属を回転させることが好ましい。 - 特許庁

The multi-port optical switch has N ports (N: an integer of ≥3) and is so constituted that the ports can be connected to all other ports.例文帳に追加

本発明によるマルチポート光スイッチは、Ｎ個のポート（Ｎは３以上の整数）を備え、ポートのそれぞれが他のポートのすべてに接続可能なように構成される。 - 特許庁

A relation between the pitch M of upper and lower penetrating holes of the oven main body side hinge unit 15 and the pitch N of the upper and lower pins 16b, 17b of the door side hinge units 16, 17 is specified so as to be M > N.例文帳に追加

オーブン本体側ヒンジ部１５の上下の貫通孔のピッチＭと，ドア側ヒンジ部１６，１７の上下のピン１６ｂ，１７ｂのピッチＮの関係を、Ｍ＞Ｎにする。 - 特許庁

A recording media shift mechanism 11 causes a passage position of recording media P at a heating nip N to be moved reciprocally in a width direction, so as to be capable of expanding a passage range of the recording media at the heating nip N.例文帳に追加

記録材シフト機構１１は、加熱ニップＮにおける記録材Ｐの通過位置を幅方向に往復移動させて、加熱ニップＮにおける記録材の通過範囲を拡張可能である。 - 特許庁

In the high-speed cell 101, a sector (n) and a sector n+1 are arranged so that the traveling directions (departing or approaching) of the mobile in the cell coincide, and overlapping is provided for handover.例文帳に追加

高速セル１０１においては、セクタｎとセクタｎ＋１とがセル内の移動機の移動方向（遠ざかるか、近づくか）が一致するように配置され、ハンドオーバのためにオーバラップを設けている。 - 特許庁

The peak current limit threshold or the operating frequency is substantially adjusted, so as to fixedly maintain the product I_p^m.f^n in each power source controller, and here m is substantially equal to 2, further n is substantially equal to 1.例文帳に追加

ピーク電流制限閾値または動作周波数は、具体的には、電源制御器ごとに、Ｉ_ｐ^ｍ・ｆ^ｎの積を実質的に一定に維持するように調節され、ここでｍが実質的に２に等しく、かつｎが実質的に１に等しい。 - 特許庁

After setting rolling load and the amount of roll shift at the n-th pass, the rolling load at the (n-1)th pass is decided so that the amount of the roll shift change becomes zero or the minimum by going up reversely from the n-th pass.例文帳に追加

ｎパスでの圧延荷重及びロールシフト量を設定した上で、該ｎパスから逆上して、ロールシフト量の変更量がゼロ又は最小となるようにｎー１パスの圧延荷重を決定する。 - 特許庁

A memory cell array 1 is configured so that a plurality of memory cells MC which are connected to a word line and a bit line, store one value out of n values (n is a natural number of 2 or more) in one memory cell, and are arranged in a matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、ワード線、及びビット線に接続され、１つのメモリセルに、ｎ値（ｎは２以上の自然数）のうちの１値を記憶する複数のメモリセルＭＣがマトリックス状に配置されて構成されている。 - 特許庁

The SOI semiconductor integrated circuit device includes a gate electrode 14 formed so as to stradde an n-type well region (n^-well) 121 and a p-type well region (p^-well) 122 which are adjacent to each other through a gate insulating film 13 on an SOI substrate 11.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１１において、互いに隣接するＮ型ウェル領域（Ｎ^−well）１２１及びＰ型ウェル領域（Ｐ^−well）１２２を跨いで、ゲート絶縁膜１３を介したゲート電極１４が形成されている。 - 特許庁

In a P-type base region 2, an N+ type source region 3 is stretched from the main surface 1a to the perpendicular direction, and an N+ type drain region 4 is stretched so as to leave from the P-type base region 2, interposing a drift region 1c.例文帳に追加

また、ｐ型ベース領域２内において、主表面１ａから垂直方向にｎ^+型ソース領域３を延設し、ドリフト領域１ｃを挟んでｐ型ベース領域２から離間するようにｎ^+型ドレイン領域４を延設する。 - 特許庁