「N so」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the p-type buried layer 109 is formed so as to cover the upper surface of the n-type buried layer 108 so that at least a part of the n-type buried layer 108 is contacted with the n^--type epitaxial layer 110.例文帳に追加

また、このＮ型埋め込み層１０８の少なくとも一部とＮ^−型エピタキシャル層１１０とが接するように、Ｎ型埋め込み層１０８の上面を覆うようにＰ型埋め込み層１０９が形成されている。 - 特許庁

When the SiC single crystal is grown, along with nitrogen (N) that serve as a donor element for achieving an n-type semiconductor, gallium (Ga) is added so that N (amount) and Ga (amount), which are amounts of N and Ga elements expressed in atm, respectively, satisfy the relation: N (amount)>Ga (amount).例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。 - 特許庁

This ultrasonic diagnosis equipment is so constituted that random patterns of sub arrays SA(n) in a two-dimensional array 2 are different between the adjoining sub arrays, transmission circuits P(n, i) are connected to transmission transducers X of the sub arrays SA(n), and receiving sub beam formers RB(n) are connected to the receiving transducers R of the sub array SA(n).例文帳に追加

２次元アレイ２内のサブアレイＳＡ（ｎ）のランダムパターンが隣接するサブアレイで異なり、サブアレイＳＡ（ｎ）の送信トランスデューサＸに送信回路Ｐ（ｎ、ｉ）が接続され、サブアレイＳＡ（ｎ）の受信トランスデューサＲに受信サブビームフォーマＲＢ（ｎ）が接続される。 - 特許庁

An n-type electrode layer is composed of a first n-type electrode layer 11 and a second n-type electrode layer 12, and a degree of the overhang is set so that the n-type region of the second n-type electrode layer 12 is located inside enough for a circumference of an avalanche multiplying layer 13.例文帳に追加

ｎ型電極層を、第１のｎ型電極層１１と第２のｎ型電極層１２とで構成することとし、第２のｎ型電極層１２のｎ型領域が、なだれ増倍層１３の外周に対して充分内側に位置するようにオーバーハングの程度を設定することとした。 - 特許庁

The n-type dopant is introduced so that the n-type semiconductor region 50 reaches an InGaAs semiconductor layer 34.例文帳に追加

ｎ型ドーパントは、ｎ型半導体領域５０がＩｎＧａＡｓ半導体層３４に到達するように導入される。 - 特許庁

Alternatively, the size of the font is changed so that the horizontal line width is n_V pixels or greater and the vertical line width is n_H pixels or greater.例文帳に追加

あるいは、横線の幅がｎ＿Ｖ画素以上、縦線の幅がｎ＿Ｈ画素以上となるようにフォントの大きさを変更する。 - 特許庁

The microphones are installed so that the S/N of the first microphone 201 is greater than the S/N of the second microphone 202.例文帳に追加

第１のマイクロホン２０１のＳ／Ｎが第２のマイクロホン２０２のＳ／Ｎよりも大きくなるように、マイクロホンを設置する。 - 特許庁

The estimated orthogonalization coefficients P (n) and Q (n) are obtained as mutually coordinate variables so that one convergence can be prevented from affecting the other convergence.例文帳に追加

推定直交化係数Ｐ＾（ｎ），Ｑ＾（ｎ）は、それぞれ互いに同格な変数であるので、一方の収束が他方の収束の足を引っ張ることがなくなる。 - 特許庁

1st to n-th acoustic lenses 14a-14e are located so that their principal surfaces face the sonic wave radiation planes of the 1st to n-th speakers.例文帳に追加

第１乃至第ｎスピーカのそれぞれの音波放射面と主面が対向するように第１乃至第ｎ音響レンズ１４ａ〜１４ｅが配設される。 - 特許庁

A deep n+ diffusion layer 14 is formed, so that is extends form the n+ source layer 4 along the peripheral face of the trench 9 around the recess 13.例文帳に追加

凹部１３の周囲でトレンチ９の周面に沿ってｎ+ ソース層４から延在するように、深いｎ^+ 拡散層１４が形成される。 - 特許庁

N (n is an integer ≥1) pieces of dispersion compensation modules are combined so as to function as a single dispersion compensator.例文帳に追加

分散補償モジュールをｎ個（ｎはｎ≧１の整数）組み合わせて１つの分散補償器として機能させる。 - 特許庁

The n-type buffer layer 3 and the n-type guide layer 5 are arranged so as to interpose the quantum cascade active layer 4.例文帳に追加

ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５は、量子カスケード活性層４を挟むように配置される。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 7 is formed as a drain region so that it faces the N-type diffusion layer 6.例文帳に追加

そして、Ｎ型の拡散層６と対向するように、ドレイン領域としてのＮ型の拡散層７が形成されている。 - 特許庁

A pair of P+ type gate layers 2a and 2b is formed on the surface of the N type epitaxial layer 6 so as to surround the N+ type source layer 3.例文帳に追加

前記Ｎ型エピタキシャル層６の表面に前記Ｎ＋型ソース層３を取り囲んで１対のＰ＋型ゲート層２ａ、２ｂを形成する。 - 特許庁

Then, a second n+a-Si layer 105 is formed on the first n+a-Si layer 104, and so as to cover the side surfaces of the semiconductor layer 103.例文帳に追加

その後、２層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０５を１層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０４の上と、半導体層１０３の側部を覆うように形成する。 - 特許庁

In the circuits 18(1) to 18(n), recording levels are set so as to be mutually made to differ by volumes V_1 to V_n.例文帳に追加

回路１８（１）〜１８（ｎ）では、ボリュームＶ_１〜Ｖ_ｎにより互いに異なるように録音レベルを設定する。 - 特許庁

The n sets of solution supply nozzles are arranged so that n pieces of patterns 1, 2 formed on the ribbon are not overlapped with each other.例文帳に追加

ｎ個の溶液供給ノズルは、リボン上に形成されるｎ個のパターン１，２が互いに重複しないように配置する。 - 特許庁

At this time, the respective images are arranged on the one image so that the images are assigned to one or N (N: positive integer) areas.例文帳に追加

この際、各画像が１またはＮ個（Ｎは正の整数）の領域に割り当てられるように、各画像が１つの画像上に配置される。 - 特許庁

The p-type layer (4) and the second n-type layer (5) contact with each other so as to form a hetero interface, and a positive electrode (E1) is formed on the second n-type layer (5).例文帳に追加

ｐ型層（４）と第２のｎ型層（５）とはヘテロ界面をなすように接しており、第２のｎ型層（５）には正電極（Ｅ１）が形成されている。 - 特許庁

One is added to the data (d1-1) thereafter and data storage records of SEQNo.=2 to (n) are used so that SEQNo.=n is not exceeded.例文帳に追加

データ（ｄ1-1）は、この後１加算され、ＳＥＱNo.＝ｎこ超えないようにＳＥＱNo.＝２からｎまでのデータ記憶レコードが使用される。 - 特許庁

N×M unit coils are shifted by an angle of 2π/(N×M) as viewed from a central axis of the permanent magnet so as to be arranged inside the air-core coil.例文帳に追加

空芯巻線には、Ｎ×Ｍ個の単位コイルが、永久磁石の中心軸から見て２π／（Ｎ×Ｍ）の角度ずつ位置をずらして配列されている。 - 特許庁

Particularly, Ti and N are incorporated so that Ti (mass%)×N (mass%)=0.0008 to 0.0015 is satisfied.例文帳に追加

特に、Ｔｉ（質量％）×Ｎ（質量％）が０．０００８以上、０．００１５以下となるようにＴｉ、Ｎを含有せしめる。 - 特許庁

The n^- region is so formed on the main surface 12 as to adjoin the p type base region 101 and n^+ region 107.例文帳に追加

ｎ^-領域は、主表面１２において、ｐ型ベース領域１０１およびｎ^+領域１０７と隣接するように形成されている。 - 特許庁

The N-type diffusion layer 5 is formed into an annular shape so as to surround the P-type semiconductor substrate 1 at a position surrounded by the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型拡散層５は、Ｎ型拡散層３で囲まれた位置のＰ型半導体基板１の周囲を取り囲んで環状に形成されている。 - 特許庁

Thereafter, the control means controls a drive source so that the image carrier is driven intermittently N number of times (N is a natural number of 2 or greater).例文帳に追加

その後、制御手段は、画像担持体をＮ（Ｎは２以上の自然数）回にわたり間欠的に駆動するよう駆動源を制御する。 - 特許庁

Then, the former is made into a p-type conversion material, and the latter is made into an n-type conversion material, and they are subjected to p-n junction, so as to compose a thermoelectric element.例文帳に追加

そして前者はｐ型の変換材料、後者はｎ型の変換材料となり、これらをｐ−ｎ接合し、熱電変換素子が構成される。 - 特許庁

The n-type source region 120 and an n-type emitter region 210 are so formed as to be separated from each other in structure.例文帳に追加

ｎ型ソース領域１２０とｎ型エミッタ領域２１０とは、構造的に分離して形成されている。 - 特許庁

The number N of the leading blades 28, the number M of the stationary blades 61 and the number P of the trailing blades 51 are set so as to satisfy a relation of N>P>M.例文帳に追加

前方ブレード２８の枚数Ｎと静止ブレード６１の枚数Ｍと後方ブレード５１の枚数Ｐを、Ｎ＞Ｐ＞Ｍとする。 - 特許庁

The N+ channel stop layer 7 is so provided in frame as to be continuous to the N+ channel stop layer 6 outside the array of the P+ diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層７はＰ^+拡散層５の配列の外側にＮ^+チャンネルストップ層６と連続して枠状に設けられている。 - 特許庁

The second decision is performed, after the duty ratio DT of the pulse signal Sc has been altered so that the sensor output value S(n) becomes a predetermined value.例文帳に追加

２回目の判断は、センサ出力値S(n)が所定の値となるようにパルス信号Scのデューティ比DTを変更させた後に行う。 - 特許庁

It is possible that, in addition to the above composition, N is contained so as to be regulated to ≤600 ppm, or Ca is contained by ≤0.01%, one or more kinds selected from V, Nb and Ti are contained by ≤0.5% in total, and Al is contained by ≤1.5%.例文帳に追加

上記組成に加えNを600ppm以下に規制し、あるいは、Caを0.01%以下、V,Nb,Tiのうち1種類以上を合計で0.5%以下、Alを1.5%以下含んでもよい。 - 特許庁

As the function group icons, for example, "Copies" 311, "Document Filing" 312, "N-Up" 313, "Finishing" 314, "Poster" 315 and so on are set.例文帳に追加

ここで、機能グループアイコンは、例えば、“Copies”３１１，“Document Filing”３１２，“N-Up”３１３，“Finishing”３１４，“Poster”３１５、などが設定されている。 - 特許庁

When the Euler angles of ψ satisfies the following relation: |ψ|≠90°×n, (n=0, 1, 2 and 3), the film thickness H of the electrode fingers 6a and 6b is set so as to satisfy the following inequality: 0.05 μm≤H≤0.20 μm.例文帳に追加

オイラー角ψが｜ψ｜≠９０°×ｎ、（ｎ＝０，１，２，３）のとき、電極指膜厚Ｈは０．０５μｍ≦Ｈ≦０．２０μｍに設定する。 - 特許庁

Next, a normalized drilling speed ratio V_N is calculated by so normalizing the corrected drilling speed V_R that these values are changed from 0 to 1.例文帳に追加

次に、修正削孔速度Ｖ_Rを、それらの値が０から１となるように正規化して正規化削孔速度比Ｖ_Nを算出する。 - 特許庁

The photoreceptor is obtained by applying a cutting work on a conductive substrate surface so that an expression (1); S≠25.4/d×N×(P2/P 1)×n... may be established.例文帳に追加

導電性基体表面をＳ≠２５．４／ｄ×Ｎ×（Ｐ２／Ｐ１）×ｎ…式（１）となるように切削加工して感光体を得る。 - 特許庁

The adhesive force controlling layer is adjusted so that the 180° peel strength of the decorative material is 2.94-9.8 N, preferably 3.92-8.33 N.例文帳に追加

粘着力制御層は、化粧材を剥離するときの１８０°剥離強度が、２.９４〜９.８Ｎ、より好ましくは３.９２〜８.３３Ｎとなるように調整する。 - 特許庁

The voltage-dividing resistor is arranged so as to be surrounded by an N-type impurity region doped by N-type impurities.例文帳に追加

分圧抵抗は、Ｎ型の不純物がドーピングされたＮ型不純物領域に囲まれるように配置されている。 - 特許庁

Furthermore, the retardation plate 25 is set so that a refractive index n_o to a normal light beam may be larger than a refractive index n_e to an abnormal light beam.例文帳に追加

さらに、位相差板２５は、異常光線に対する屈折率ｎ_ｅよりも常光線に対する屈折率ｎ_ｏが大きい。 - 特許庁

A slab having a composition containing ≤0.02% Al and 0.0050 to 0.0250% N, and in which N/Al is controlled to ≥0.3 is subjected to hot rolling so as to satisfy FDT: ≥800°C and is thereafter coiled at CT: ≤750°C.例文帳に追加

Al：0.02％以下、Ｎ：0.0050〜0.0250％を含み、かつＮ／Alを0.3 以上としたスラブをFDT ：800 ℃以上とする熱延後、CT：750 ℃以下で巻き取る。 - 特許庁

The porous body image including the channel is divided into n in parallel with the ZX face so that n pieces of layers can be created.例文帳に追加

この流路を含む多孔体画像をＺＸ面に平行にｎ等分してｎ個の層を作成する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 3 is formed so that an n++-type drain region 104 and a p+-type well region 105 are disposed apart from each other.例文帳に追加

ｎ形半導体層３は、ｎ^++形ドレイン領域１０４とｐ^+形ウェル領域１０５とが離間して形成される。 - 特許庁

The color code image is provided with the structure of a color cell 43 configured of the number of cells of n×m (n, m: 1, 2, and so on) in a two-dimensional rectangular region.例文帳に追加

カラーコード画像は、二次元矩形領域でｎ×ｍ（ｎ，ｍ：１，２，…）のセル数によるカラーセル４３の構造を有する。 - 特許庁

Then, the length L of the connection pattern 3 is adjusted so as not to be λ/2×N (N:integer) of the operating frequency.例文帳に追加

そこで、接続パターン３の長さＬを、動作周波数のλ／２×Ｎ（Ｎ：整数）とならないように調整する。 - 特許庁

The connection pattern 3 is adjusted so as not to be the length of λ/2×N (N:integer) of a portable terminal operating frequency.例文帳に追加

接続パターン３は、携帯端末動作周波数のλ／２×Ｎ（Ｎ：整数）の長さにならないように調節されている。 - 特許庁

This can reduce a stress at an interface between the n-type SiC drift layer 23 and the n-type SiC buffer layer 22, so that a forward voltage can be reduced.例文帳に追加

これにより、ｎ型ＳｉＣドリフト層２３とｎ型ＳｉＣバッファ層２２との界面の応力を低減でき、順方向電圧を低減できる。 - 特許庁