「N so」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an n-type semiconductor, a semiconductor junction element, and a photoelectric conversion device wherein their conductivity types can be so controlled accurately that they are sufficient for practical uses.例文帳に追加

導電型制御を正確に行うことができて、実用に足る、ｎ型半導体、半導体接合素子および光電変換装置を提供すること。 - 特許庁

A base B and a subemitter S of p-type semiconductor are joined to a collector C of n-type semiconductor, so as not to contact each other.例文帳に追加

ｐ型半導体からなるベースＢとサブエミッタＳは、互いに接しないようにして、ｎ型半導体からなるコレクタＣに接合されている。 - 特許庁

An assembly 3 removes the junk data according to the header and shifts the n-bit packet, so that they correspond to the data object.例文帳に追加

アセンブリ３は、このヘッダに応じて、ジャンクデータを取り除き、データオブジェクトに対応するように、ｎビットのパケットをシフトする。 - 特許庁

To improve the estimating precision of the abnormal position of a blood vessel by removing noise components generated from an organism so as to improve an S/N ratio.例文帳に追加

生体から発せられる雑音成分を除去できるようにして、Ｓ／Ｎ比を向上させ、血管の異常位置の推定精度の向上を図る。 - 特許庁

Further, the conditions of the heating and nitriding are set so that the contents of B and N are respectively controlled to, by weight, 7 to 30 ppm, and 10 to 70 ppm.例文帳に追加

なお、加熱および窒化の条件は、Ｂ、Ｎの含有量がそれぞれ重量割合で７〜３０ｐｐｍ、１０〜７０ｐｐｍとなるように設定される。 - 特許庁

Individual discharged developer quantities P1 to Pn of n shower nozzles 2 arranged in a carrying direction of an arrow D are so set that they may be successively smaller.例文帳に追加

搬送方向Ｄに配列するｎ個のシャワーノズル２の各々の現像液吐出量Ｐ 1〜Ｐｎを、Ｐ 1＞…＞Ｐｉ＞…＞Ｐｎに設定する。 - 特許庁

A microcomputer 109 of a gain control means 112 calculates a correction gain so that the ratio of the signal S1 to the signal S2 is n:m.例文帳に追加

利得制御手段１１２のマイコン１０９は、Ｓ１信号とＳ２信号の比がｎ：ｍになるように補正ゲインを演算する。 - 特許庁

If the processing capability does not change (N in S608), the apparatus discloses the predicted number of users and the waiting hours so as to attain even distribution of the users (S609).例文帳に追加

処理能力の変更がなければ（Ｓ６０８のＮ）、予測利用者数及び待ち時間を公開表示し（Ｓ６０９）、利用者の分散を図る。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus that suppresses deterioration in the S/N ratio at again control of an AGC circuit so as to prevent unnatural lightness of an object.例文帳に追加

ＡＧＣ回路のゲイン制御時のＳ／Ｎ比の劣化を抑え、被写体の不自然な明るさを防止する撮像装置を提供する。 - 特許庁

The liquid injection circuit 5 is disposed inside the air route room N and structured so as to receive air supply from the blower 3.例文帳に追加

そして、液インジェクション回路５は風路室Ｎ内に配備されて送風機３からの送風を受けるように構成されている。 - 特許庁

The bottom N-type well 6 is formed under the P-type well 4a so as to contact the P-type well 4a.例文帳に追加

ボトムＮ型ウェル６は、Ｐ型ウェル４ａに接触するようにＰ型ウェル４ａの下方に形成されている。 - 特許庁

M and N are selected so that the grating (36) does not have a net reflection when all of the grid lines (38) are uniformly spaced.例文帳に追加

ＭおよびＮは、格子線（３８）の全てを均一に離間したときに、グレーティング（３６）が有効な反射を生じないように選択される。 - 特許庁

An n-type semiconductor is bonded to a part of the surface of a second well 29_b made of a p-type semiconductor, so as to make a second pn joint diode 32_b.例文帳に追加

ｐ型半導体である第２のウェル２９_bの表面の一部にｎ型半導体を接合させて、第２ＰＮ接合ダイオード３２_bを形成する。 - 特許庁

The seedling release tool 134 is moved in a stopped state of the seedling taking out tine 35A so as to release the seedlings N.例文帳に追加

苗取出爪３５Ａを停止させた状態で、苗Ｎを放出させるべく苗放出具１３４を移動させる。 - 特許庁

The wavelength control means 110 controls one of N sets of optical transmitters so as to maximize the value of optical power from the photodetector.例文帳に追加

波長制御手段１１０は、Ｎ個の光送信器の１つを制御して、受光器からの光パワーの値が最大になるようにする。 - 特許庁

The I region 40 is configured so as to contain an amorphous semiconductor layer, having a thickness larger than those of the P region 20 and the N region 30.例文帳に追加

Ｉ領域４０は、Ｐ領域２０およびＮ領域３０より厚い非晶質半導体層を含んで構成されている。 - 特許庁

In the IGBT, each main trench 25 and each transverse trench 26 are so formed that they pass through the p-type base layer 12 to reach the n-type base layer 11.例文帳に追加

ｐ型ベース層１２を貫きｎ型ベース層１１に達するように、主トレンチ２５と横断トレンチ２６とが形成される。 - 特許庁

A contact layer 11 formed so as to have an impurity concentration higher than that of the n^- type drain layer 6 is bonded thereto.例文帳に追加

このｎ型ドレイン層６は、更にこれよりも高い不純物濃度を有するように形成されたコンタクト層１１が接合される。 - 特許庁

An n-type semiconductor is bonded to a part of the surface of a fourth well 29_d made of a p-type semiconductor, so as to make a 7th pn joint diode 32_g.例文帳に追加

ｐ型半導体である第４のウェル２９_dの表面の一部にｎ型半導体を接合させて、第７ＰＮ接合ダイオード３２_gを形成する。 - 特許庁

A gate electrode 210 is formed so as to cover the base region between the emitter/source region 206 and N-type region 202.例文帳に追加

エミッタ／ソース領域２０６とＮ型領域２０２との間のベース領域を覆うようにゲート電極２１０が形成されている。 - 特許庁

Further, an anode electrode 16 is arranged so as to contact the second surface 12B of the n-type layer 12.例文帳に追加

さらに、ｎ型層１２の第２の面１２Ｂに接触するようにアノード電極１６が配置されている。 - 特許庁

A side face of the groove 108 is inclined so that a cross-sectional area in the element surface direction decreases toward the n-type layer 106 from the p-type layer 104.例文帳に追加

溝１０８の側面は、ｐ型層１０４からｎ型層１０６に向かうにつれ素子面方向の断面積が減少するよう傾斜している。 - 特許庁

The number of pairs of S pole and N pole existing in each of the surfaces to be detected of the encoders 4a and 12 are controlled so as to meet predetermined conditions.例文帳に追加

又、前記各エンコーダ４ａ、１２の被検出面に存在するＳ極とＮ極とのペア数を、所定の条件を満たす様に規制する。 - 特許庁

The power transmitter 1 is controlled so that a motor rotational speed N will become less than an upper limit rotational speed Nlim according to a motor temperature T.例文帳に追加

動力伝達装置１は、モータ回転数Ｎがモータ温度Ｔに応じた上限回転数Ｎlim未満となるように制御される。 - 特許庁

The switch of an N^+ region 12 as a source/drain region is disposed so that it covers the branch end 141.例文帳に追加

少なくとも、この分岐端部１４１にかかるようにソース・ドレイン領域としてのＮ^+領域１２の切り替え部分が設けられる。 - 特許庁

The N+ channel stop layer 6 is so provided in lattice shape between adjoining P+ diffusion layers 4 and 5 as to separate them.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層６は隣り合うＰ^+拡散層４，５の間に設けられており、Ｐ^+拡散層４，５を分離するように格子形状を呈している。 - 特許庁

Jumper wires J1-Jn connected to resistances R31-R3n are cut in order to reduce short-circuit conditions in order, so as to increase the resistances R31-R3n connected substantially.例文帳に追加

抵抗R3_1 〜R3_n に接続したジャンパ線Ｊ_1 〜Ｊ_n を順次切断して短絡状態を順次に減らして実質的に接続する抵抗R3_1 〜R3_n を増加させる。 - 特許庁

Luggage compartment tilting supports 3, 3 to be extended so as to tilt the floor part 12 are provided under a rear part of the luggage compartment N.例文帳に追加

荷室Ｎの後部下方側には、伸長して床部１２を傾斜させることができる荷室傾斜用支柱３，３が設けてある。 - 特許庁

When the transfer material P reaches the transfer point N of yellow, the transfer bias is controlled in terms of constant voltage so that the transfer current is decreased.例文帳に追加

転写材Ｐがイエローの転写ポイントＮに到達すると、転写バイアスが定電圧制御されているために転写電流が減少する。 - 特許庁

Further, the material is controlled to be n-type, so that the total number of the valence electrons is >24 and ≤24.5.例文帳に追加

また、化学式当たりの総価電子数が２４を超え、２４．５以下になるようにしてｎ型に制御されている。 - 特許庁

Furthermore, the pulse width modulator 14 generates the k pieces of sub-pulses so that the average value of the duty ratio of the sub-pulses is substantially a/2^n.例文帳に追加

さらに、パルス幅変調器１４は、ｋ個のサブパルスを、それらのデューティ比の平均値が、略ａ／２^ｎとなるように生成する。 - 特許庁

The N+ type first collector region 2 is so formed as to be enclosed with the second collector region 3 in top view.例文帳に追加

Ｎ^＋形の第１のコレクタ領域２を平面的に見て第２のコレクタ領域３で包囲されるように形成する。 - 特許庁

Thus color replacement information is distinctly recorded on a printed matter, so that N-color print simulation is made efficient.例文帳に追加

これにより、印刷物には、色置換情報が明確に記録され、Ｎ色印刷シミュレーションの効率化を図ることができる。 - 特許庁

In units of the groups #k (k=1 to n), fault information, congestion information, etc., of the FBTSs 40-m are aggregated, managed, and so on.例文帳に追加

このグループ＃ｋ（ｋ＝１〜ｎ）を単位として、ＦＢＴＳ４０−ｍの障害情報や輻輳情報などの集約、管理などを行なうことができる。 - 特許庁

The surface number N and the circumradius R of the reflection surface 13a of the mirror 13 are decided so as to satisfy a following condition (1).例文帳に追加

ポリゴンミラー１３の反射面１３ａの面数Ｎ及び外接半径Ｒは、下記条件（１）を満足するように定められている。 - 特許庁

The contact surfaces of a p-type high-concentration semiconductor region 10 and an n-type high-concentration buffer region 12 with each other are formed so that they may become uneven and their areas become larger.例文帳に追加

ｐ型高濃度半導体領域１０とｎ型高濃度バッファ領域１２との接面が凹凸状になるように形成する。 - 特許庁

The second permanent magnets 31 are magnetized and oriented so as to have the N-poles at radial external peripheral faces and the S-poles at circumferential both end faces.例文帳に追加

第２永久磁石３１は、Ｎ極を径方向外周面にもち、Ｓ極を周方向両端面にもつように着磁配向されている。 - 特許庁

When water W is pre-poured to the level of the small drain hole 15, the water W is warmed by the geothermal heat, so as to rapidly melt the charged snow N.例文帳に追加

排水小孔１５まで水Ｗを入れておけば、水Ｗが地熱によって温められ、投入された雪Ｎを速やかに融かす。 - 特許庁

A gain control means 112 calculates a correction gain so tat the ratio of the corrected Slong signal to the corrected Sshort signal is n:m.例文帳に追加

利得制御手段１１２は、Ｓlong信号とＳshort 信号の補正値との比がｎ：ｍになるように補正ゲインを演算する。 - 特許庁

An optical switch switches a switch so that the light emitted from the polarization adjustment part 303 enters the probe #n.例文帳に追加

光スイッチは、偏光調整部３０３から出射される光が、プローブ♯ｎに入射されるようにスイッチを切り替える。 - 特許庁

Therefore, an additional neuro output desired value n for the additional neuro 2 is set for each learning data so that the learning can be realized.例文帳に追加

そのため、追加ニューロ２用の追加ニューロ出力所望値ｎを学習データ毎に設定して学習を行う。 - 特許庁

The controlling part controls the winding part, the carrying part 10 and the transferring part so that all the n kinds of the protective film foils are laminated on the card.例文帳に追加

制御部はカード上にｎ種類の保護膜箔の全てが積層されるように巻取部、搬送部及び転写部を制御する。 - 特許庁

An N-type MOS transistor 15 already turns off, so a '1' level (1.8 V) is outputted to an external output terminal 16.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタ１５はオフ動作をしているので、外部出力端子１６に“１”レベル（１．８Ｖ）が出力される。 - 特許庁

The source of the NMOS transistor ND/1 is connected to the GND and so, the NMOS transistors ND/1-ND/n are connected in series.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタＮＤ／１のソースはＧＮＤに接続され、ＮＭＯＳトランジスタＮＤ／１〜ＮＤ／ｎは直列接続される。 - 特許庁

At this time, fc is set so that fc-fclk/N>fmax is formed in relation to the maximum frequency fmax in the EMI measuring band B.例文帳に追加

このときｆc は、ＥＭＩ測定帯域Ｂの最高周波数ｆmax に対して、ｆc-fclk／Ｎ＞ｆmax となるよう設定する。 - 特許庁